JPH047087B2 - - Google Patents
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- JPH047087B2 JPH047087B2 JP57100422A JP10042282A JPH047087B2 JP H047087 B2 JPH047087 B2 JP H047087B2 JP 57100422 A JP57100422 A JP 57100422A JP 10042282 A JP10042282 A JP 10042282A JP H047087 B2 JPH047087 B2 JP H047087B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は電子ビーム露光用の電子ビーム制御装
置にかかり、特に電磁型偏向手段がヒステリシス
や渦電流によつて電子ビームの位置決め誤差とな
る点を改善した電子ビーム露光用の電子ビーム制
御装置に関する。
置にかかり、特に電磁型偏向手段がヒステリシス
や渦電流によつて電子ビームの位置決め誤差とな
る点を改善した電子ビーム露光用の電子ビーム制
御装置に関する。
(2) 技術の背景
近時、微小径の電子ビームを走査して図形を塗
りつぶして露光する代りに矩形状開口を有する２
枚のスリツトを電子線通路上に並べて上記２枚の
スリツトの重なり具合を該両スリツト間に配した
偏向手段を用いて任意の大きさの矩形状断面を有
する電子ビームを得、該電子ビームによつて被露
光材料を露光するために露光スピードが飛躍的に
高められ、且つこれらは計算機を用いて制御さ
れ、ビーム走査方法としては露光を必要とする部
分のみ走査するものが多く用いられているが、こ
の走査方法は走査能率は良いがヒステリシスや渦
電流による誤差が発生する弊害があつた。
りつぶして露光する代りに矩形状開口を有する２
枚のスリツトを電子線通路上に並べて上記２枚の
スリツトの重なり具合を該両スリツト間に配した
偏向手段を用いて任意の大きさの矩形状断面を有
する電子ビームを得、該電子ビームによつて被露
光材料を露光するために露光スピードが飛躍的に
高められ、且つこれらは計算機を用いて制御さ
れ、ビーム走査方法としては露光を必要とする部
分のみ走査するものが多く用いられているが、こ
の走査方法は走査能率は良いがヒステリシスや渦
電流による誤差が発生する弊害があつた。
上記ヒステリシスは電子ビームを偏向するコイ
ルの周囲にある磁性材料に記憶作用があるときに
発生し、渦電流があれば電子ビームの偏向速度が
変化し、ヒステリシスがあれば電子ビームの位置
決め点が異なつて露光しようとする点に正しく電
子ビームを持ち来すことができない欠点があり、
このような渦電流誤差を減少させる工夫が種々な
されていた。
ルの周囲にある磁性材料に記憶作用があるときに
発生し、渦電流があれば電子ビームの偏向速度が
変化し、ヒステリシスがあれば電子ビームの位置
決め点が異なつて露光しようとする点に正しく電
子ビームを持ち来すことができない欠点があり、
このような渦電流誤差を減少させる工夫が種々な
されていた。
(3) 従来技術と問題点
一般に電子ビームで一度に走査できる面積は上
述した矩形状断面を有する電子ビーム露光装置に
おいても数平方ミリメートルにすぎないから第１
図に示すようなシリコンウエハ１上に数百乃至数
千のチツプが存在する場合XYステージによつて
シリコンウエハをLX及びLY方向に機械的に送つ
ていたが１チツプ当たりの面積LX×Ly＝10mm×
10mm程度ではXYステージを止めた状態で描画す
ることが可能であるが最近はビーム３を第１図の
ように隣接サブフイールドにとばす場合とデータ
がない処では１〜２個のサブフイールドを跳び越
して次のサブフイールドに行くか全く別のサブフ
イールドに行く場合がありサブフイールド内の走
査は電子ビーム露光装置内の静電偏向手段で行
い、サブフイールド２から他のサブフイールド２
への跳び越しは電磁偏向手段で電子ビーム偏向が
なされている。
述した矩形状断面を有する電子ビーム露光装置に
おいても数平方ミリメートルにすぎないから第１
図に示すようなシリコンウエハ１上に数百乃至数
千のチツプが存在する場合XYステージによつて
シリコンウエハをLX及びLY方向に機械的に送つ
ていたが１チツプ当たりの面積LX×Ly＝10mm×
10mm程度ではXYステージを止めた状態で描画す
ることが可能であるが最近はビーム３を第１図の
ように隣接サブフイールドにとばす場合とデータ
がない処では１〜２個のサブフイールドを跳び越
して次のサブフイールドに行くか全く別のサブフ
イールドに行く場合がありサブフイールド内の走
査は電子ビーム露光装置内の静電偏向手段で行
い、サブフイールド２から他のサブフイールド２
への跳び越しは電磁偏向手段で電子ビーム偏向が
なされている。
このために電磁偏向手段で跳び越し走査を行つ
たときには電磁偏向コイルに切り換え用の大電流
を流すために偏向手段の周囲に存在する金属、
鉄、コイル自身の線材に誘越される渦電流によつ
て、例えば第２図で第１のサブフイールド２ａ中
心Ａから第２のサブフイールド２ｂを跳び越して
第３のサブフイールド２ｃ中心Ｃに位置決めされ
なければならないものがビーム偏向変化方向とは
少し異なつた方向へ回転してC′位置に偏向速度が
変化して位置決めされてこの様な回転現像は渦電
流の流れる場所が電子レンズのコイルの場所と同
じ位置でないこと及び電子レンズでビームが回転
することによつて生ずるものと推定される。
たときには電磁偏向コイルに切り換え用の大電流
を流すために偏向手段の周囲に存在する金属、
鉄、コイル自身の線材に誘越される渦電流によつ
て、例えば第２図で第１のサブフイールド２ａ中
心Ａから第２のサブフイールド２ｂを跳び越して
第３のサブフイールド２ｃ中心Ｃに位置決めされ
なければならないものがビーム偏向変化方向とは
少し異なつた方向へ回転してC′位置に偏向速度が
変化して位置決めされてこの様な回転現像は渦電
流の流れる場所が電子レンズのコイルの場所と同
じ位置でないこと及び電子レンズでビームが回転
することによつて生ずるものと推定される。
このような誤差を減少させるためには従来は電
磁偏向手段のコイル線径をリツツ線として細くし
て渦電流の影響を減少させたり、第３図に示すよ
うにレンズ内壁４をフエライト等の磁性材料によ
つて形成し、電磁偏向コイル５と静電用偏向器６
の中心とアパチヤ４ａを通つて電磁及び静電偏向
されるビーム７がXYステージ８上の被露光材料
たるウエハ１の所定位置に正しく位置されるよう
に考慮されている。
磁偏向手段のコイル線径をリツツ線として細くし
て渦電流の影響を減少させたり、第３図に示すよ
うにレンズ内壁４をフエライト等の磁性材料によ
つて形成し、電磁偏向コイル５と静電用偏向器６
の中心とアパチヤ４ａを通つて電磁及び静電偏向
されるビーム７がXYステージ８上の被露光材料
たるウエハ１の所定位置に正しく位置されるよう
に考慮されている。
しかし、このような機械的な対策を行つても完
全にこれを除去することができず切り換え時の偏
向コイル自身に誘起する渦電流を防止するために
はその影響が表れなくなるまで、所定時間待たな
ければならなかつた。しかし待ち時間が多くなれ
ば何千〜何万回の切り換え時間を積算されて１個
のウエハを露光する時間が長びく欠点を生ずる。
全にこれを除去することができず切り換え時の偏
向コイル自身に誘起する渦電流を防止するために
はその影響が表れなくなるまで、所定時間待たな
ければならなかつた。しかし待ち時間が多くなれ
ば何千〜何万回の切り換え時間を積算されて１個
のウエハを露光する時間が長びく欠点を生ずる。
更に本発明者等は渦電流の影響を補正するため
にビーム偏向量変化方向のみを補正したが、第２
図に示す様に偏向量変化方向とは少し回転した方
向にビームが移動していることを確かめた。
にビーム偏向量変化方向のみを補正したが、第２
図に示す様に偏向量変化方向とは少し回転した方
向にビームが移動していることを確かめた。
(4) 発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、渦電流の影響
を電気的に補償して電子ビームの露光位置ずれを
なくすようにすることを目的とするものである。
を電気的に補償して電子ビームの露光位置ずれを
なくすようにすることを目的とするものである。
(5) 発明の構成
この目的は電子ビーム偏向信号により所定の偏
向を行なう第１及び第２の電子ビーム偏向手段を
有する電子ビーム制御装置に於いて、上記第１又
は第２の電子ビーム偏向手段のＸ又はＹ軸方向へ
供給する偏向信号が加えられ、コンデンサの容量
及び抵抗の値で定まる時定数が選択的に調整でき
る微分回路と、上記第１又は第２の電子ビーム偏
向手段のＸ又はＹ軸方向へ供給する偏向信号の増
幅率を調整し得る増幅率調整回路とを具備し、上
記微分回路と増幅率調整回路により上記電子ビー
ム偏向信号の変化方向と異なつた方向へのビーム
の回転的な位置ずれを補正してなることを特徴と
する電子ビーム制御装置によつて達成される。
向を行なう第１及び第２の電子ビーム偏向手段を
有する電子ビーム制御装置に於いて、上記第１又
は第２の電子ビーム偏向手段のＸ又はＹ軸方向へ
供給する偏向信号が加えられ、コンデンサの容量
及び抵抗の値で定まる時定数が選択的に調整でき
る微分回路と、上記第１又は第２の電子ビーム偏
向手段のＸ又はＹ軸方向へ供給する偏向信号の増
幅率を調整し得る増幅率調整回路とを具備し、上
記微分回路と増幅率調整回路により上記電子ビー
ム偏向信号の変化方向と異なつた方向へのビーム
の回転的な位置ずれを補正してなることを特徴と
する電子ビーム制御装置によつて達成される。
(6) 発明の実施例
以下、本発明の実施例を図面によつて説明す
る。
る。
第４図は本発明の一実施例を示す電子ビーム制
御装置の系統図であり、電子ビーム露光装置用と
してはビーム源のカソード９から放出された電子
ビームはグリツド１０及びアノード１１を通つて
第１の矩形アパチヤ１２ａを有する第１のマスク
１２に照射され、矩形アパチヤ１２ａを通過して
矩形状に整形された電子ビーム７は第１の集束レ
ンズ１３を通り電子計算機等で制御される可変矩
形偏向手段１４により第２のマスク１５の矩形ア
パチヤ１５ａに対し偏位した位置に照射され、ブ
ランキング電極１６と第３のレンズ系１７並びに
円形アパチヤ１９を通してビームサイズ変化に対
応して駆動されるダイナミツクリフオーカス用集
束コイル２０ａで構成される第３のレンズ系２０
を通過し、さらに電磁用メイン偏向コイル５等の
偏向手段の前段に配設されたダイナミツクフオー
カスコイル２１とダイナミツクスタテツクコイル
２２内を通過する。上記ダイナミツクフオーカス
コイル２１とダイナミツクスタテツクコイル２２
は偏向位置の変化に対応した駆動信号が与えられ
る。メイン偏向コイル５を通過した電子ビーム７
は静電サブ偏向手段６を通じて被露光材料のウエ
ハ１を露光する。
御装置の系統図であり、電子ビーム露光装置用と
してはビーム源のカソード９から放出された電子
ビームはグリツド１０及びアノード１１を通つて
第１の矩形アパチヤ１２ａを有する第１のマスク
１２に照射され、矩形アパチヤ１２ａを通過して
矩形状に整形された電子ビーム７は第１の集束レ
ンズ１３を通り電子計算機等で制御される可変矩
形偏向手段１４により第２のマスク１５の矩形ア
パチヤ１５ａに対し偏位した位置に照射され、ブ
ランキング電極１６と第３のレンズ系１７並びに
円形アパチヤ１９を通してビームサイズ変化に対
応して駆動されるダイナミツクリフオーカス用集
束コイル２０ａで構成される第３のレンズ系２０
を通過し、さらに電磁用メイン偏向コイル５等の
偏向手段の前段に配設されたダイナミツクフオー
カスコイル２１とダイナミツクスタテツクコイル
２２内を通過する。上記ダイナミツクフオーカス
コイル２１とダイナミツクスタテツクコイル２２
は偏向位置の変化に対応した駆動信号が与えられ
る。メイン偏向コイル５を通過した電子ビーム７
は静電サブ偏向手段６を通じて被露光材料のウエ
ハ１を露光する。
上記メイン偏向手段５は主にウエハのメインフ
イールドの偏向走査に静電サブ偏向手段６はチツ
プ等のサブフイールド偏向走査に用いられる。制
御系２３は基本計算機に接続され、制御系２３か
ら与えられた偏向データはＸ軸及びＹ軸用のデジ
タル−アナログ変換回路（以下DACX1，DACY1
と記す）２４，２６に与えられ、該DACX1及び
DACY1を通してアナログ変換された偏向信号は
偏向用増幅回路２５，２７を通してメイン偏向手
段５のＸ及びＹ軸用コイルに与えられる。
イールドの偏向走査に静電サブ偏向手段６はチツ
プ等のサブフイールド偏向走査に用いられる。制
御系２３は基本計算機に接続され、制御系２３か
ら与えられた偏向データはＸ軸及びＹ軸用のデジ
タル−アナログ変換回路（以下DACX1，DACY1
と記す）２４，２６に与えられ、該DACX1及び
DACY1を通してアナログ変換された偏向信号は
偏向用増幅回路２５，２７を通してメイン偏向手
段５のＸ及びＹ軸用コイルに与えられる。
本発明においては、制御系２３の偏向パルスを
第２のＸ軸またはＹ軸用のDACX2２８、DACY2
３４に加えてアナログ化しコンデンサC1及び抵
抗器R1の時定数R1・C1が偏向手段近傍の鉄等の
金属または磁性体、或いは偏向コイルの導線等の
渦電流の影響をキヤンセルするような値に選択す
る。メイン偏向手段５のレンズ内壁が金属等の場
合は数10μ秒〜数百μ秒の値に選択するを可とす
る。
第２のＸ軸またはＹ軸用のDACX2２８、DACY2
３４に加えてアナログ化しコンデンサC1及び抵
抗器R1の時定数R1・C1が偏向手段近傍の鉄等の
金属または磁性体、或いは偏向コイルの導線等の
渦電流の影響をキヤンセルするような値に選択す
る。メイン偏向手段５のレンズ内壁が金属等の場
合は数10μ秒〜数百μ秒の値に選択するを可とす
る。
微分回路２９，３５で得られた波形は増幅回路
３０，３６、並びにレベル可変抵抗器３２，３７
を通してサブデイフレクタ用のDAC３１、
DAC３９のアナログ出力と加算増幅器３３，
３８で加算され静電用のサブデイフレクタ６のＸ
及びＹ軸電極に与えられる。
３０，３６、並びにレベル可変抵抗器３２，３７
を通してサブデイフレクタ用のDAC３１、
DAC３９のアナログ出力と加算増幅器３３，
３８で加算され静電用のサブデイフレクタ６のＸ
及びＹ軸電極に与えられる。
上記実施例ではDACX2２８，DACY2３４を別
に設けたがDACX1２４，またはDACY1２６から
直接取り出したアナログ信号を微分回路２９，３
５に加えるようにしてもよい。
に設けたがDACX1２４，またはDACY1２６から
直接取り出したアナログ信号を微分回路２９，３
５に加えるようにしてもよい。
また、サブデイフレクタ６のＸ軸またはＹ軸の
みに与えるようにしてもよい。
みに与えるようにしてもよい。
上記構成においてウエハ１のサブフイールド２
上に電子ビーム７を跳び越しながら露光させよう
とする場合には第５図ａに示すようにＸ軸方向の
動きだけをみると例えば符号４０で示すような位
置に変化しなくてはならないとすると、実際には
電子ビーム７はオーバシユートした４１の位置ま
たはアンダーシユート点４２に上記した渦電流の
影響で電子ビーム位置が変位する。そこでこのよ
うな変位部分を含んだDACX2２８，DACY2３４
よりのアナログ信号を微分回路２９，３５に加え
て第５図ｂの如き微分波形４３を時々刻々と得て
メイン偏向手段やサブデイフレクタに補正信号を
与えて誤差分を打ち消すようになされる。
上に電子ビーム７を跳び越しながら露光させよう
とする場合には第５図ａに示すようにＸ軸方向の
動きだけをみると例えば符号４０で示すような位
置に変化しなくてはならないとすると、実際には
電子ビーム７はオーバシユートした４１の位置ま
たはアンダーシユート点４２に上記した渦電流の
影響で電子ビーム位置が変位する。そこでこのよ
うな変位部分を含んだDACX2２８，DACY2３４
よりのアナログ信号を微分回路２９，３５に加え
て第５図ｂの如き微分波形４３を時々刻々と得て
メイン偏向手段やサブデイフレクタに補正信号を
与えて誤差分を打ち消すようになされる。
第６図は本発明の他の実施例を示すもので第４
図と同一部分には同一符号を付して重複説明を省
略するも、DACX2２８及びDACY2３４から取り
出されたアナログ信号は微分回路２９，３５と増
幅回路３０，３６で微分増幅されてレベル可変抵
抗器３２，３７で所定レベルとなされて後に加算
増幅回路４４で加算した出力をメイン偏向手段５
の増幅回路２５、または２７の前段に加えたもの
である。勿論微分増幅回路２９，３０と３５，３
６の出力を適宜レベル調整した各出力をメイン偏
向手段５のＸ軸用増幅回路２５とＹ軸用増幅回路
２７の前段に別々に加算するようにしてもよい。
図と同一部分には同一符号を付して重複説明を省
略するも、DACX2２８及びDACY2３４から取り
出されたアナログ信号は微分回路２９，３５と増
幅回路３０，３６で微分増幅されてレベル可変抵
抗器３２，３７で所定レベルとなされて後に加算
増幅回路４４で加算した出力をメイン偏向手段５
の増幅回路２５、または２７の前段に加えたもの
である。勿論微分増幅回路２９，３０と３５，３
６の出力を適宜レベル調整した各出力をメイン偏
向手段５のＸ軸用増幅回路２５とＹ軸用増幅回路
２７の前段に別々に加算するようにしてもよい。
第７図は本発明の他の実施例を示すもので偏向
手段近傍に配設されたレンズ内壁等が磁性体等で
構成されたものや、偏向用コイル自身に誘起され
る渦電流の影響はそのタイムコンスタントが３〜
５ｍ秒と短いため、さらに短い時定数の第２の微
分回路４５，４６をＸ及びＹ軸のDACX2２８と
DACY2３４の後段に第１の微分回路２９，３５
と並列に接続し、コンデンサC2と抵抗器R4の時
定数を２〜３ｍ秒になるように選択する。
手段近傍に配設されたレンズ内壁等が磁性体等で
構成されたものや、偏向用コイル自身に誘起され
る渦電流の影響はそのタイムコンスタントが３〜
５ｍ秒と短いため、さらに短い時定数の第２の微
分回路４５，４６をＸ及びＹ軸のDACX2２８と
DACY2３４の後段に第１の微分回路２９，３５
と並列に接続し、コンデンサC2と抵抗器R4の時
定数を２〜３ｍ秒になるように選択する。
微分回路４５，４６の出力は増幅回路４７，４
８で増幅され、第１の微分増幅回路２９，３０と
３５，３６出力と加算されレベル調整増幅５１，
５２されてサブデイフレクタ用のDAC及び
DAC出力と加算回路５３，５４で加算した出
力をサブデイフレクタ６のＸ及びＹ軸電極に各々
加えて電子ビームの渦電流による誤差を補償した
ものである。
８で増幅され、第１の微分増幅回路２９，３０と
３５，３６出力と加算されレベル調整増幅５１，
５２されてサブデイフレクタ用のDAC及び
DAC出力と加算回路５３，５４で加算した出
力をサブデイフレクタ６のＸ及びＹ軸電極に各々
加えて電子ビームの渦電流による誤差を補償した
ものである。
第８図は本発明のさらに他の実施例を示すもの
であり、DACX2及びDACY2の各アナログ信号を
二つの時定数を有する微分回路２９，４５及び３
５，４６に加えて増幅回路３０，４７，３６，４
８の出力のすべての和をＸ軸用加算増幅回路５１
とＹ軸用加算増幅回路５２でとつた後にサブデイ
フレクタ用のDAC３１とDAC３９の和を加
算増幅器３３と３８で加算後にサブデイフレクタ
６のＸ軸及びＹ軸電極に加えるようにしたもので
ある。
であり、DACX2及びDACY2の各アナログ信号を
二つの時定数を有する微分回路２９，４５及び３
５，４６に加えて増幅回路３０，４７，３６，４
８の出力のすべての和をＸ軸用加算増幅回路５１
とＹ軸用加算増幅回路５２でとつた後にサブデイ
フレクタ用のDAC３１とDAC３９の和を加
算増幅器３３と３８で加算後にサブデイフレクタ
６のＸ軸及びＹ軸電極に加えるようにしたもので
ある。
(7) 発明の効果
以上、詳細に説明したように、本発明の電子ビ
ーム制御装置によれば偏向手段周辺の鉄やコイル
等によつて生ずる渦電流が電子ビームに与える影
響を完全に補正することができる特徴を有する。
ーム制御装置によれば偏向手段周辺の鉄やコイル
等によつて生ずる渦電流が電子ビームに与える影
響を完全に補正することができる特徴を有する。
第１図はウエハ上のチツプにビームを跳び越し
させた時の電子ビームの軌跡を示すウエハの平面
図、第２図はチツプ間に電子ビームを跳び越させ
たときの電子ビームが正しい位置に行かないこと
を説明するためのチツプの平面図、第３図は従来
の電子ビーム露光装置のメイン偏向手段の側断面
図、第４図は本発明の一実施例を示す電子ビーム
制御装置の系統図、第５図ａ，ｂは第４図の説明
に供する波形説明図、第６図は本発明の他の実施
例を示す系統図、第７図は本発明のさらに他の実
施例を示す系統図、第８図は本発明のさらに他の
実施例を示す系統図である。 １……ウエハ、５……メイン偏向手段、６……
サブデイフレクタ、７……電子ビーム、２３……
制御系、２４，２６，２８，３１，３４，３９…
…DAC、２５，２７，３０，３３，３６，３８，
４７，４８，５１，５２……増幅回路。
させた時の電子ビームの軌跡を示すウエハの平面
図、第２図はチツプ間に電子ビームを跳び越させ
たときの電子ビームが正しい位置に行かないこと
を説明するためのチツプの平面図、第３図は従来
の電子ビーム露光装置のメイン偏向手段の側断面
図、第４図は本発明の一実施例を示す電子ビーム
制御装置の系統図、第５図ａ，ｂは第４図の説明
に供する波形説明図、第６図は本発明の他の実施
例を示す系統図、第７図は本発明のさらに他の実
施例を示す系統図、第８図は本発明のさらに他の
実施例を示す系統図である。 １……ウエハ、５……メイン偏向手段、６……
サブデイフレクタ、７……電子ビーム、２３……
制御系、２４，２６，２８，３１，３４，３９…
…DAC、２５，２７，３０，３３，３６，３８，
４７，４８，５１，５２……増幅回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電子ビーム偏向信号により所定の偏向を行な
う第１及び第２の電子ビーム偏向手段を有する電
子ビーム制御装置に於いて、 上記第１又は第２の電子ビーム偏向手段のＸ又
はＹ軸方向へ供給する偏向信号が加えられ、コン
デンサの容量及び抵抗の値で定まる時定数が選択
的に調整できる微分回路と、 上記第１又は第２の電子ビーム偏向手段のＸ又
はＹ軸方向へ供給する偏向信号の増幅率を調整し
得る増幅率調整回路とを具備し、 上記微分回路と増幅率調整回路により上記電子
ビーム偏向信号の変化方向と異なつた方向へのビ
ームの回転的な位置ずれを補正してなることを特
徴とする電子ビーム制御装置。 ２ 前記電子ビーム偏向信号を第１の電子ビーム
偏向手段であるメインデイフレクタに印加し、前
記微分回路の出力信号を第２の電子ビーム偏向手
段であるサブデイフレクタに印加することを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の電子ビーム制
御装置。 ３ 前記微分回路として渦電流の影響を打ち消す
ための互いに異なる時定数を有する複数の微分回
路を有することを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の電子ビーム制御装置。 ４ 微分回路出力の時定数が100μ秒乃至10μ秒で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の電子ビーム制御装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57100422A JPS58218117A (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | 電子ビ−ム制御装置 |
| DE8383303277T DE3380719D1 (en) | 1982-06-11 | 1983-06-07 | Electron beam exposure apparatus |
| EP83303277A EP0097016B1 (en) | 1982-06-11 | 1983-06-07 | Electron beam exposure apparatus |
| US06/502,571 US4585943A (en) | 1982-06-11 | 1983-06-09 | Electron beam exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57100422A JPS58218117A (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | 電子ビ−ム制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58218117A JPS58218117A (ja) | 1983-12-19 |
| JPH047087B2 true JPH047087B2 (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=14273531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57100422A Granted JPS58218117A (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | 電子ビ−ム制御装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4585943A (ja) |
| EP (1) | EP0097016B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58218117A (ja) |
| DE (1) | DE3380719D1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59124719A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-18 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光装置 |
| US4560854A (en) * | 1983-12-27 | 1985-12-24 | The Babcock & Wilcox Company | Electron beam welder control |
| JPS60147117A (ja) * | 1984-01-10 | 1985-08-03 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム装置の調整方法 |
| JPS6229135A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-07 | Advantest Corp | 荷電粒子ビ−ム露光方法及びこの方法を用いた荷電粒子ビ−ム露光装置 |
| US4907287A (en) * | 1985-10-16 | 1990-03-06 | Hitachi, Ltd. | Image correction system for scanning electron microscope |
| JPS62277724A (ja) * | 1986-05-27 | 1987-12-02 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光装置 |
| DE68920281T2 (de) * | 1988-10-31 | 1995-05-11 | Fujitsu Ltd | Vorrichtung und Verfahren zur Lithographie mittels eines Strahls geladener Teilchen. |
| JPH03119717A (ja) * | 1989-09-30 | 1991-05-22 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子露光装置および露光方法 |
| JP3212360B2 (ja) * | 1992-06-16 | 2001-09-25 | 株式会社日立製作所 | マスクの製造方法、および半導体集積回路装置の製造方法 |
| US6110318A (en) * | 1997-11-26 | 2000-08-29 | Science Research Laboratory | System for selective electron beam irradiation |
| DE19911372A1 (de) * | 1999-03-15 | 2000-09-28 | Pms Gmbh | Vorrichtung zum Steuern eines Strahls aus elektrisch geladenen Teilchen |
| JP2007329293A (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-20 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5648045A (en) * | 1979-09-12 | 1981-05-01 | Siemens Ag | Method and device for controlling magnetic deflecting system |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3911321A (en) * | 1971-11-26 | 1975-10-07 | Ibm | Error compensating deflection coils in a conducting magnetic tube |
| US3801792A (en) * | 1973-05-23 | 1974-04-02 | Bell Telephone Labor Inc | Electron beam apparatus |
| US4125772A (en) * | 1977-10-13 | 1978-11-14 | American Optical Corporation | Scanning electron microscope with eddy-current compensation |
| JPS5693318A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-28 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure device |
-
1982
- 1982-06-11 JP JP57100422A patent/JPS58218117A/ja active Granted
-
1983
- 1983-06-07 EP EP83303277A patent/EP0097016B1/en not_active Expired
- 1983-06-07 DE DE8383303277T patent/DE3380719D1/de not_active Expired
- 1983-06-09 US US06/502,571 patent/US4585943A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5648045A (en) * | 1979-09-12 | 1981-05-01 | Siemens Ag | Method and device for controlling magnetic deflecting system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58218117A (ja) | 1983-12-19 |
| DE3380719D1 (en) | 1989-11-16 |
| EP0097016A2 (en) | 1983-12-28 |
| US4585943A (en) | 1986-04-29 |
| EP0097016B1 (en) | 1989-10-11 |
| EP0097016A3 (en) | 1985-09-11 |
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