JP2914926B2 - 荷電粒子ビーム露光方法 - Google Patents
荷電粒子ビーム露光方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子ビーム露光装置
等における荷電粒子ビーム露光方法に関する。
等における荷電粒子ビーム露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子ビーム露光によるＬＳＩの直
接露光すなわちマスクを用いずに露光が広く行われるよ
うになってきたが、可変矩形ビームが多く、他にポイン
トビームあるいは固定矩形ビームがある。後者の２つは
一般に研究用である。図１０および図１１に示すよう
に、可変矩形ビーム露光装置は、電子銃１、矩形のアパ
ーチャを有する２つのマスク２，３、矩形ビームの断面
積を電子ビームを偏向させて変化させるビームサイズ偏
向電極４、主偏向レンズ（コイル）５、副偏向レンズ
（電極）６により構成され、任意の大きさの矩形ビーム
が試料台７に載せられたターゲートたとえばウェハに照
射される。これらを制御する制御部は、ＣＰＵ１０、デ
ータを格納する磁気ディスク１１、磁気テープ１２、イ
ンターフェイス１３、データメモリ１４、パターンを矩
形パターンに分解して各矩形パターンの大きさ情報およ
び位置情報を発生するパターン発生回路（ショット分
解）１５、必要な補正を行うパターン補正回路１６によ
り構成され、さらに、ビームサイズ偏向電極４、主偏向
コイル５、副偏向電極６を駆動するドライバ（ＤＡＣ／
ＡＭＰ）１７，１８，１９、および試料台７を移動させ
るモータ２０を制御するステージ制御部２１を備えてい
る。
接露光すなわちマスクを用いずに露光が広く行われるよ
うになってきたが、可変矩形ビームが多く、他にポイン
トビームあるいは固定矩形ビームがある。後者の２つは
一般に研究用である。図１０および図１１に示すよう
に、可変矩形ビーム露光装置は、電子銃１、矩形のアパ
ーチャを有する２つのマスク２，３、矩形ビームの断面
積を電子ビームを偏向させて変化させるビームサイズ偏
向電極４、主偏向レンズ（コイル）５、副偏向レンズ
（電極）６により構成され、任意の大きさの矩形ビーム
が試料台７に載せられたターゲートたとえばウェハに照
射される。これらを制御する制御部は、ＣＰＵ１０、デ
ータを格納する磁気ディスク１１、磁気テープ１２、イ
ンターフェイス１３、データメモリ１４、パターンを矩
形パターンに分解して各矩形パターンの大きさ情報およ
び位置情報を発生するパターン発生回路（ショット分
解）１５、必要な補正を行うパターン補正回路１６によ
り構成され、さらに、ビームサイズ偏向電極４、主偏向
コイル５、副偏向電極６を駆動するドライバ（ＤＡＣ／
ＡＭＰ）１７，１８，１９、および試料台７を移動させ
るモータ２０を制御するステージ制御部２１を備えてい
る。
【０００３】すなわち、矩形ビーム露光においては、図
１２に示すように、磁気ディスク１１もしくは磁気テー
プ１２からデータメモリ１４へ転送されるデータはメイ
ンフィールド全体に対応する。このメインフィールドは
複数のサブフィールドに分割され、さらに、各サブフィ
ールドのパターンは複数のショット（矩形パターン）に
分割される。このとき、メインフィールド内の各サブフ
ィールド間の電子ビーム移動が主偏向コイル５によって
行われ、サブフィールド内の各矩形パターン間の電子ビ
ーム移動は副偏向電極６によって行われ、矩形パターン
の大きさの調整はビームサイズ偏向電極４によって行わ
れる。
１２に示すように、磁気ディスク１１もしくは磁気テー
プ１２からデータメモリ１４へ転送されるデータはメイ
ンフィールド全体に対応する。このメインフィールドは
複数のサブフィールドに分割され、さらに、各サブフィ
ールドのパターンは複数のショット（矩形パターン）に
分割される。このとき、メインフィールド内の各サブフ
ィールド間の電子ビーム移動が主偏向コイル５によって
行われ、サブフィールド内の各矩形パターン間の電子ビ
ーム移動は副偏向電極６によって行われ、矩形パターン
の大きさの調整はビームサイズ偏向電極４によって行わ
れる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＬＳＩ
の微細化が進むにつれて特に０．２〜０．３μｍルール
のＬＳＩとなると、矩形ビーム露光は次の問題点があ
る。 １）使用できる矩形ビームの電流密度の上限がある。 ２）膨大なショット数のＬＳＩのパターンの描画には主
偏向、副偏向、ビームサイズ偏向のための各ドライバ
（ＤＡＣ／ＡＭＰ）の調整の回数が増大し、従って、そ
のための待ち時間が増大して時間がかかり過ぎる。
の微細化が進むにつれて特に０．２〜０．３μｍルール
のＬＳＩとなると、矩形ビーム露光は次の問題点があ
る。 １）使用できる矩形ビームの電流密度の上限がある。 ２）膨大なショット数のＬＳＩのパターンの描画には主
偏向、副偏向、ビームサイズ偏向のための各ドライバ
（ＤＡＣ／ＡＭＰ）の調整の回数が増大し、従って、そ
のための待ち時間が増大して時間がかかり過ぎる。
【０００５】従って、可変矩形ビームはもはや０．２〜
０．３μｍの微細パターンの量産には適さない。さら
に、 ３）０．２〜０．３μｍ矩形ビームはポイントビームと
何ら差がなく、可変矩形ビームのメリットがない。
０．３μｍの微細パターンの量産には適さない。さら
に、 ３）０．２〜０．３μｍ矩形ビームはポイントビームと
何ら差がなく、可変矩形ビームのメリットがない。
【０００６】４）０．１〜０．２μｍビームの場合、２
つのマスク２，３のアパーチャの重なりで形成している
ために、相対的に小ビームでのドーズ量が不安定とな
る。従って、本発明の目的は、０．２〜０．３μｍルー
ル程度以下の超微細化パターンの描写に対して、安定、
高速且つ高精度で均一露光を可能とする荷電粒子ビーム
露光方法を提供することにある。
つのマスク２，３のアパーチャの重なりで形成している
ために、相対的に小ビームでのドーズ量が不安定とな
る。従って、本発明の目的は、０．２〜０．３μｍルー
ル程度以下の超微細化パターンの描写に対して、安定、
高速且つ高精度で均一露光を可能とする荷電粒子ビーム
露光方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めの本発明の方法を実施する手段は図１に示される。す
なわち、ステージ上の物体に荷電粒子を露光するための
荷電粒子ビーム露光装置に対して、荷電粒子ビーム発生
手段により荷電粒子ビームを発生する。この荷電粒子ビ
ームはブランキングアパーチャアレイを通過する。ブラ
ンキングアパーチャアレイには、ブランキング電極がそ
れぞれ設けられた複数のアパーチャが、図ではライン状
に配列されている。これらの各アパーチャのブランキン
グ電極は独立にブランキング電極駆動手段によってオ
ン、オフ駆動される。ここに、ブランキング電極をオン
させたすべてのアパーチャについて、当該アパーチャを
通過する荷電粒子ビームの強度と当該アパーチャのブラ
ンキング電極のオン時間との積が一定となるように各ブ
ランキング電極のオン時間を制御する。
めの本発明の方法を実施する手段は図１に示される。す
なわち、ステージ上の物体に荷電粒子を露光するための
荷電粒子ビーム露光装置に対して、荷電粒子ビーム発生
手段により荷電粒子ビームを発生する。この荷電粒子ビ
ームはブランキングアパーチャアレイを通過する。ブラ
ンキングアパーチャアレイには、ブランキング電極がそ
れぞれ設けられた複数のアパーチャが、図ではライン状
に配列されている。これらの各アパーチャのブランキン
グ電極は独立にブランキング電極駆動手段によってオ
ン、オフ駆動される。ここに、ブランキング電極をオン
させたすべてのアパーチャについて、当該アパーチャを
通過する荷電粒子ビームの強度と当該アパーチャのブラ
ンキング電極のオン時間との積が一定となるように各ブ
ランキング電極のオン時間を制御する。
【０００８】上述の手段による動作は図２により表され
る。すなわち、ブランキングアパーチャアレイのライン
状に配列されたアパーチャを通過した荷電粒子ビームは
多数の小ビーム（ラインビーム）に分割される。たとえ
ば、ラインビームはステージ移動方向と直角に偏向移動
され、この移動と共に各アパーチャのブランキング電極
が独立にオン、オフされしかもそのオン時には荷電粒子
ビームの強度とブランキング電極のオン時間との積が一
定となるように駆動される。図２においては、露光すべ
きショットに対して、例えばブランキング電極ａ−
ａ′，ｂ−ｂ′，ｃ−ｃ′，ｄ−ｄ′に対して図示のご
とくブランキング信号が発生され、ビームオン、オフさ
れる。
る。すなわち、ブランキングアパーチャアレイのライン
状に配列されたアパーチャを通過した荷電粒子ビームは
多数の小ビーム（ラインビーム）に分割される。たとえ
ば、ラインビームはステージ移動方向と直角に偏向移動
され、この移動と共に各アパーチャのブランキング電極
が独立にオン、オフされしかもそのオン時には荷電粒子
ビームの強度とブランキング電極のオン時間との積が一
定となるように駆動される。図２においては、露光すべ
きショットに対して、例えばブランキング電極ａ−
ａ′，ｂ−ｂ′，ｃ−ｃ′，ｄ−ｄ′に対して図示のご
とくブランキング信号が発生され、ビームオン、オフさ
れる。
【０００９】
【発明の実施の形態】図３は本発明の方法を実施する一
装置例を示す図である。図３において、３０はカソード
３１、グリッド３２、アノード３３よりなる電子銃であ
って、カソード３１から発射されたビームはグリッド３
２、アノード３３間でクロスオーバ像を作る。このクロ
スオーバ像はクロスオーバ拡大レンズ３４にて拡大され
る。クロスオーバ拡大レンズ３４内には、４極ビームつ
ぶしレンズ３５、リミッティングアパーチャ３６、およ
びアラインメントコイル３７が設けられている。４極ビ
ームつぶしレンズ３５は、例えば図４の（Ａ）あるいは
（Ｂ）に示す、磁気レンズあるいは静電レンズである。
この結果、つぶされたクロスオーバ像３８がブランキン
グアパーチャアレイ３９上に結像される。なお、電子銃
３０自体がつぶされたクロスオーバビームを発生する場
合には４極ビームつぶしレンズ３５は不要である。
装置例を示す図である。図３において、３０はカソード
３１、グリッド３２、アノード３３よりなる電子銃であ
って、カソード３１から発射されたビームはグリッド３
２、アノード３３間でクロスオーバ像を作る。このクロ
スオーバ像はクロスオーバ拡大レンズ３４にて拡大され
る。クロスオーバ拡大レンズ３４内には、４極ビームつ
ぶしレンズ３５、リミッティングアパーチャ３６、およ
びアラインメントコイル３７が設けられている。４極ビ
ームつぶしレンズ３５は、例えば図４の（Ａ）あるいは
（Ｂ）に示す、磁気レンズあるいは静電レンズである。
この結果、つぶされたクロスオーバ像３８がブランキン
グアパーチャアレイ３９上に結像される。なお、電子銃
３０自体がつぶされたクロスオーバビームを発生する場
合には４極ビームつぶしレンズ３５は不要である。
【００１０】図３のブランキングアパーチャアレイ３９
には、５μ□×２５６個のアパーチャ３９0 〜３９255
がライン状にいわゆるハーモニカ状に配列されている。
ブランキングアパーチャアレイ３９は例えばシリコン単
結晶を用い、これにトレンチエッチングによりアパーチ
ャを形成し、その内壁に電極を形成する。また、ブラン
キングアパーチャアレイ３９は収束レンズ４０内に設け
られている。なお、アパーチャは２列とすることもでき
る。
には、５μ□×２５６個のアパーチャ３９0 〜３９255
がライン状にいわゆるハーモニカ状に配列されている。
ブランキングアパーチャアレイ３９は例えばシリコン単
結晶を用い、これにトレンチエッチングによりアパーチ
ャを形成し、その内壁に電極を形成する。また、ブラン
キングアパーチャアレイ３９は収束レンズ４０内に設け
られている。なお、アパーチャは２列とすることもでき
る。
【００１１】４１はラージブランカであって、ビーム全
体をオン、オフする。ラージブランカ４１に電界がかか
っていない場合には、ブランキングアパーチャアレイの
中で電極間に電圧差がかかっていない部分を通過したオ
ンビーム４１ａは縮小レンズ４２を介してブランキング
アパーチャ４３を通過する。他方、ブランキングアパー
チャアレイの中で電極間に電圧差がかかっている部分を
通過したオフビーム４１ｂは縮小レンズ４２を通過した
後にブランキングアパーチャ４３によって阻止される。
逆にラージブランカ４１に電界がかかった場合には、ブ
ランキングアパーチャアレイ３９の個々の電極の状態に
よらず、すべての通過ビームは、ブランキングアパーチ
ャによって阻止される。
体をオン、オフする。ラージブランカ４１に電界がかか
っていない場合には、ブランキングアパーチャアレイの
中で電極間に電圧差がかかっていない部分を通過したオ
ンビーム４１ａは縮小レンズ４２を介してブランキング
アパーチャ４３を通過する。他方、ブランキングアパー
チャアレイの中で電極間に電圧差がかかっている部分を
通過したオフビーム４１ｂは縮小レンズ４２を通過した
後にブランキングアパーチャ４３によって阻止される。
逆にラージブランカ４１に電界がかかった場合には、ブ
ランキングアパーチャアレイ３９の個々の電極の状態に
よらず、すべての通過ビームは、ブランキングアパーチ
ャによって阻止される。
【００１２】縮小レンズ４２は縮小レンズ４４、イマー
ジョンタイプレンズ５０と共にブランキングアパーチャ
４３を通過したビームを連続移動ステージ５１上に静電
チャック５２で吸着されたウェハ５３上に５００分の１
のブランキングアパーチャアレイ３９のアパーチャの縮
小像として結像する。縮小レンズ４４の中にはリフォー
カスコイル４５が設けられている。リフォーカスコイル
４５は、ブランキングアパーチャアレイ３９のアパーチ
ャのオンしているセルの数の総和で決定されるリフォー
カス電流を流してクーロンインターラクションによるビ
ームのぼけを補正する。
ジョンタイプレンズ５０と共にブランキングアパーチャ
４３を通過したビームを連続移動ステージ５１上に静電
チャック５２で吸着されたウェハ５３上に５００分の１
のブランキングアパーチャアレイ３９のアパーチャの縮
小像として結像する。縮小レンズ４４の中にはリフォー
カスコイル４５が設けられている。リフォーカスコイル
４５は、ブランキングアパーチャアレイ３９のアパーチ
ャのオンしているセルの数の総和で決定されるリフォー
カス電流を流してクーロンインターラクションによるビ
ームのぼけを補正する。
【００１３】４６は横走査デフレクタであって、連続移
動ステージ５１の移動と直角方向にビームを走査する。
また、ダイナミックフォーカスコイル４７、ダイナミッ
クスティグコイル４８は横走査に対してビームの偏向ぼ
けを補正する。４９はステージフィードバック用８極デ
フレクタであって、偏向歪み補正とステージ５１の連続
移動のフィードバックおよび速度補正を行う。
動ステージ５１の移動と直角方向にビームを走査する。
また、ダイナミックフォーカスコイル４７、ダイナミッ
クスティグコイル４８は横走査に対してビームの偏向ぼ
けを補正する。４９はステージフィードバック用８極デ
フレクタであって、偏向歪み補正とステージ５１の連続
移動のフィードバックおよび速度補正を行う。
【００１４】連続移動ステージ５１は、解像度を上げる
ために、イマージョンタイプレンズ５０内に設けられて
いる。図５および図６は図３の主要部分を制御する制御
部を詳しく示す図（その１、その２）であって、図１０
および図１１の構成要素と同一の構成要素については同
一の参照番号を付してある。すなわち、図１０のパター
ン発生回路１５、パターン補正回路１６、ドライバ（Ｄ
ＡＣ／ＡＭＰ）１７，１８，１９の代りに、ビットマッ
プ発生回路６１、ブランキング発生回路６２、シーケン
スコントローラ６３、ブランキング制御回路６４、偏向
制御回路６５、ドライバ（ＤＡＣ／ＡＭＰ）６６，６
７、レーザ干渉計６８が設けられている。
ために、イマージョンタイプレンズ５０内に設けられて
いる。図５および図６は図３の主要部分を制御する制御
部を詳しく示す図（その１、その２）であって、図１０
および図１１の構成要素と同一の構成要素については同
一の参照番号を付してある。すなわち、図１０のパター
ン発生回路１５、パターン補正回路１６、ドライバ（Ｄ
ＡＣ／ＡＭＰ）１７，１８，１９の代りに、ビットマッ
プ発生回路６１、ブランキング発生回路６２、シーケン
スコントローラ６３、ブランキング制御回路６４、偏向
制御回路６５、ドライバ（ＤＡＣ／ＡＭＰ）６６，６
７、レーザ干渉計６８が設けられている。
【００１５】ビットマップ発生回路６１はデータメモリ
１４から１ラインビーム毎の情報（２５６ビット）を読
出してブランキング発生回路６２に送出する。これによ
り、ブランキングアパーチャアレイ３９の各アパーチャ
３９0 〜３９255 の電極は独立にオン、オフされる。な
お、各アパーチャを通過するビームの強度Ｉi は位置に
より異なるために、各セル毎に異なるオン時間τ0 ，τ
1 ，…，τ255 が回路６２0 ，６２1 ，…，６２255 に
セットされる。これについては後述する。
１４から１ラインビーム毎の情報（２５６ビット）を読
出してブランキング発生回路６２に送出する。これによ
り、ブランキングアパーチャアレイ３９の各アパーチャ
３９0 〜３９255 の電極は独立にオン、オフされる。な
お、各アパーチャを通過するビームの強度Ｉi は位置に
より異なるために、各セル毎に異なるオン時間τ0 ，τ
1 ，…，τ255 が回路６２0 ，６２1 ，…，６２255 に
セットされる。これについては後述する。
【００１６】ブランキング制御回路６４は、シーケンス
コントローラ６３の指令信号に基づいたタイミングで、
ブランキング発生回路６２の各回路６２0 ，６２1 ，
…，６２255 を起動させる。偏向制御回路６５は、ビッ
トマップ発生回路６１が発生しているラインビーム情報
の横方向座標に基づきドライバ６６により横走査デフレ
クタ４６を駆動する。また、この場合、試料台（ステー
ジ）５１はステージ制御部２１により連続移動されてい
る。従って、このステージ５１の連続移動に伴うライン
ビームの位置をフィードバック補正する必要がある。こ
のため、偏向制御回路６５は、レーザ干渉計６８によっ
て検出されたステージ５１の位置と目標位置との差が０
となるように８極デフレクタ４９を駆動する。すなわ
ち、偏向制御回路６５は、図７に示すごとく、シーケン
スコントローラ６３からの目標位置（Ｘ，Ｙ）を格納す
るレジスタ６５１と、レーザ干渉計５８からの位置情報
（Ｘ′，Ｙ′）とレジスタ６１との差を演算する差演算
器６５２とを備えており、この差により、８極デフレク
タ４９を制御する。これにより、ステージ誤差分が高速
でフィードバックされる。なお、実際には、８極デフレ
クタ４９は、ビームの２次元的位置を調整するものであ
るが、図５、図６および図７においては、説明を簡単に
するために、１次元として図示してある。
コントローラ６３の指令信号に基づいたタイミングで、
ブランキング発生回路６２の各回路６２0 ，６２1 ，
…，６２255 を起動させる。偏向制御回路６５は、ビッ
トマップ発生回路６１が発生しているラインビーム情報
の横方向座標に基づきドライバ６６により横走査デフレ
クタ４６を駆動する。また、この場合、試料台（ステー
ジ）５１はステージ制御部２１により連続移動されてい
る。従って、このステージ５１の連続移動に伴うライン
ビームの位置をフィードバック補正する必要がある。こ
のため、偏向制御回路６５は、レーザ干渉計６８によっ
て検出されたステージ５１の位置と目標位置との差が０
となるように８極デフレクタ４９を駆動する。すなわ
ち、偏向制御回路６５は、図７に示すごとく、シーケン
スコントローラ６３からの目標位置（Ｘ，Ｙ）を格納す
るレジスタ６５１と、レーザ干渉計５８からの位置情報
（Ｘ′，Ｙ′）とレジスタ６１との差を演算する差演算
器６５２とを備えており、この差により、８極デフレク
タ４９を制御する。これにより、ステージ誤差分が高速
でフィードバックされる。なお、実際には、８極デフレ
クタ４９は、ビームの２次元的位置を調整するものであ
るが、図５、図６および図７においては、説明を簡単に
するために、１次元として図示してある。
【００１７】さらに、図５のブランキング発生回路６２
について図８、図９を参照して説明する。すなわち、ビ
ームはクロスオーバ像のクリティカル照射においてクロ
スオーバをライン状につぶしてあるが、ブランキングア
パーチャアレイ３９の各アパーチャ（セル）３９0 〜３
９255 におけるビーム強度Ｉ0 ，Ｉ1 ，…，Ｉ255 は、
図８の（Ａ）に示すごとく、８０〜９０％の均一性しか
得られない。このため、図８の（Ｂ）に示すように、各
セルのビームオンパルス長τ0 ，τ1 ，…，τ255を図
８の（Ａ）のビーム強度Ｉ0 ，Ｉ1 ，…，Ｉ255 と反比
例して定める。つまり、 τi ×Ｉi ＝一定 となるようにする。この結果、ラインビームの各ビーム
のドーズ量Ｎは図８の（Ｃ）に示すごとく一定となる。
このため、ブランキング発生回路６２の各回路６２i は
図９に示すごとく構成される。
について図８、図９を参照して説明する。すなわち、ビ
ームはクロスオーバ像のクリティカル照射においてクロ
スオーバをライン状につぶしてあるが、ブランキングア
パーチャアレイ３９の各アパーチャ（セル）３９0 〜３
９255 におけるビーム強度Ｉ0 ，Ｉ1 ，…，Ｉ255 は、
図８の（Ａ）に示すごとく、８０〜９０％の均一性しか
得られない。このため、図８の（Ｂ）に示すように、各
セルのビームオンパルス長τ0 ，τ1 ，…，τ255を図
８の（Ａ）のビーム強度Ｉ0 ，Ｉ1 ，…，Ｉ255 と反比
例して定める。つまり、 τi ×Ｉi ＝一定 となるようにする。この結果、ラインビームの各ビーム
のドーズ量Ｎは図８の（Ｃ）に示すごとく一定となる。
このため、ブランキング発生回路６２の各回路６２i は
図９に示すごとく構成される。
【００１８】図９において６２１はビームオンパルス長
τi を格納するレジスタ、６２２はダウンカウンタ、６
２３はアンド回路、６２４はフリップフロップ、６２５
はドライバである。すなわち、ビットマップ発生回路６
１からのデータが“１”である場合にあって、ブランキ
ング制御回路６４から起動パルスが入力されると、アン
ド回路６２３を介してフリップフロップ６２４がセット
され、その出力パルスが立上り、対応するブランキング
電極３９i を駆動する。また、同時に、ブランキング制
御回路５４からの起動パルスはレジスタ６２１の値τi
をダウンカウンタ６２２にセットする。ダウンカウンタ
６２２は高速のクロック信号ＣＬＫをカウントしながら
その値を減少させていく。
τi を格納するレジスタ、６２２はダウンカウンタ、６
２３はアンド回路、６２４はフリップフロップ、６２５
はドライバである。すなわち、ビットマップ発生回路６
１からのデータが“１”である場合にあって、ブランキ
ング制御回路６４から起動パルスが入力されると、アン
ド回路６２３を介してフリップフロップ６２４がセット
され、その出力パルスが立上り、対応するブランキング
電極３９i を駆動する。また、同時に、ブランキング制
御回路５４からの起動パルスはレジスタ６２１の値τi
をダウンカウンタ６２２にセットする。ダウンカウンタ
６２２は高速のクロック信号ＣＬＫをカウントしながら
その値を減少させていく。
【００１９】ダウンカウンタ６２２の値が０となると、
言い換えると、τi に対応する時間が経過すると、ダウ
ンカウンタ６２２はキャリ信号を発生し、これがフリッ
プフロップ６２４のリセット信号として作用する。この
結果、フリップフロップ６２４はリセットされてブラン
キング電極３９i の駆動がオフとされる。もちろん、ビ
ットマップ発生回路６１のデータが“０”である場合に
は、フリップフロップ６２４はセットされず、駆動パル
スτi は発生しない。
言い換えると、τi に対応する時間が経過すると、ダウ
ンカウンタ６２２はキャリ信号を発生し、これがフリッ
プフロップ６２４のリセット信号として作用する。この
結果、フリップフロップ６２４はリセットされてブラン
キング電極３９i の駆動がオフとされる。もちろん、ビ
ットマップ発生回路６１のデータが“０”である場合に
は、フリップフロップ６２４はセットされず、駆動パル
スτi は発生しない。
【００２０】このように、ビットマップ発生回路６１の
データに応じて各回路６２i は予め定められたτi に応
じた時間の駆動パルスを発生する。なお、レジスタ６２
１の値τi は予め設定することもでき、また、必要に応
じてＣＰＵ１０により変更することもできる。以上の構
成より、たとえば０．１μｍ□のビームを２５６本並べ
て、２００Ａ／cm2 の電流密度、５μＣ／cm2 の感度の
レジストに各点で２５nsのショット時間で照射し、（４
０MHZ ）２mm幅のスキャンエリアを５０mm／ｓで連続移
動し、１cm2 ／ｓの露光スピードを得ることができた。
データに応じて各回路６２i は予め定められたτi に応
じた時間の駆動パルスを発生する。なお、レジスタ６２
１の値τi は予め設定することもでき、また、必要に応
じてＣＰＵ１０により変更することもできる。以上の構
成より、たとえば０．１μｍ□のビームを２５６本並べ
て、２００Ａ／cm2 の電流密度、５μＣ／cm2 の感度の
レジストに各点で２５nsのショット時間で照射し、（４
０MHZ ）２mm幅のスキャンエリアを５０mm／ｓで連続移
動し、１cm2 ／ｓの露光スピードを得ることができた。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明の方法によれ
ば、超微細化されたたとえば０．２μｍルール程度のＬ
ＳＩにおける描写においても、安定、高速、且つ高精度
の均一露光が可能となる。
ば、超微細化されたたとえば０．２μｍルール程度のＬ
ＳＩにおける描写においても、安定、高速、且つ高精度
の均一露光が可能となる。
【図１】本発明の方法を実施する手段を示す図である。
【図２】図１の手段による動作を表す図である。
【図３】本発明の方法を実施する一装置例を示す図であ
る。
る。
【図４】４極ビームつぶしレンズを示す図である。
【図５】図３の主要部分を制御する制御部を詳しく示す
図（その１）である。
図（その１）である。
【図６】図３の主要部分を制御する制御部を詳しく示す
図（その２）である。
図（その２）である。
【図７】図５の偏向制御回路の一例を示す図である。
【図８】図３のブランキングアパーチャアレイの各アパ
ーチャ（セル）のビーム強度（Ａ）、ビームオンパルス
長（Ｂ）、ドーズ量（Ｃ）を示すグラフである。
ーチャ（セル）のビーム強度（Ａ）、ビームオンパルス
長（Ｂ）、ドーズ量（Ｃ）を示すグラフである。
【図９】図５のブランキング発生回路６２の一例を示す
図である。
図である。
【図１０】従来の可変矩形電子ビーム露光装置を示す図
（その１）である。
（その１）である。
【図１１】従来の可変矩形電子ビーム露光装置を示す図
（その２）である。
（その２）である。
【図１２】矩形ビーム露光を説明する図である。
３０…電子銃 ３５…４極ビームつぶしレンズ ３９…ブランキングアパーチャアレイ ４３…ブランキングアパーチャ ４６…横走査デフレクタ ４９…８極デフレクタ ６２…ブランキング発生回路 ６８…レーザ干渉計
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭53−117387（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−118526（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−42128（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−7930（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−248617（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (1)
- 【請求項１】 荷電粒子ビームが照射されるブランキン
グアパーチャアレイに配列された複数のアパーチャのそ
れぞれに設けられたブランキング電極を独立にオン・オ
フ駆動し、該ブランキング電極をオンさせたすべてのア
パーチャについて、当該アパーチャを通過する前記荷電
粒子ビームの強度と当該アパーチャのブランキング電極
のオン時間との積が一定となるように各ブランキング電
極のオン時間を制御することを特徴とする荷電粒子ビー
ム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8328490A JP2914926B2 (ja) | 1996-12-09 | 1996-12-09 | 荷電粒子ビーム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8328490A JP2914926B2 (ja) | 1996-12-09 | 1996-12-09 | 荷電粒子ビーム露光方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63074792A Division JP2901246B2 (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 荷電粒子ビーム露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09205063A JPH09205063A (ja) | 1997-08-05 |
| JP2914926B2 true JP2914926B2 (ja) | 1999-07-05 |
Family
ID=18210868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8328490A Expired - Lifetime JP2914926B2 (ja) | 1996-12-09 | 1996-12-09 | 荷電粒子ビーム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2914926B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9082588B2 (en) | 2012-03-22 | 2015-07-14 | Nuflare Technology, Inc. | Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method |
| US9159555B2 (en) | 2012-03-22 | 2015-10-13 | Nuflare Technology, Inc. | Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1100237A (en) * | 1977-03-23 | 1981-04-28 | Roger F.W. Pease | Multiple electron beam exposure system |
| JPS577930A (en) * | 1980-06-18 | 1982-01-16 | Fujitsu Ltd | Method for electron beam exposure and apparatus used in said method |
| JPS6142128A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-02-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 荷電ビ−ム露光装置 |
| CN86105432A (zh) * | 1985-09-27 | 1987-05-27 | 美国电话电报公司 | 带电粒子束曝光 |
-
1996
- 1996-12-09 JP JP8328490A patent/JP2914926B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9082588B2 (en) | 2012-03-22 | 2015-07-14 | Nuflare Technology, Inc. | Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method |
| US9159555B2 (en) | 2012-03-22 | 2015-10-13 | Nuflare Technology, Inc. | Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method |
| US9543119B2 (en) | 2012-03-22 | 2017-01-10 | Nuflare Technology, Inc. | Multi charged particle beam writing apparatus and method for correcting a current distribution of groups of charged particle beams |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09205063A (ja) | 1997-08-05 |
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