JP2901246B2 - 荷電粒子ビーム露光装置 - Google Patents
荷電粒子ビーム露光装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 電子ビーム露光装置等の荷電粒子ビーム露光装置に関
し 0.2〜0.3μｍルール程度以下の超微細化パターンの描
写に対して安定、高速且つ高精度で均一露光を可能とす
る荷電粒子ビーム露光装置を提供することを目的とし、 ステージ上の物体に荷電粒子を露光するための荷電粒
子ビーム露光装置において、荷電粒子ビームを発生する
荷電粒子ビーム発生手段と、ブランキング電極がそれぞ
れ設けられた複数のアパーチャがライン状に配列され、
荷電粒子ビームを通過させるブランキングアパーチャア
レイと、各アパーチャのブランキング電極を独立にオ
ン、オフ駆動させしかも荷電粒子ビームの強度とブラン
キング電極のオン時間との積が一定となるようにオン駆
動させるブランキング電極駆動手段とを具備するように
構成する。
し 0.2〜0.3μｍルール程度以下の超微細化パターンの描
写に対して安定、高速且つ高精度で均一露光を可能とす
る荷電粒子ビーム露光装置を提供することを目的とし、 ステージ上の物体に荷電粒子を露光するための荷電粒
子ビーム露光装置において、荷電粒子ビームを発生する
荷電粒子ビーム発生手段と、ブランキング電極がそれぞ
れ設けられた複数のアパーチャがライン状に配列され、
荷電粒子ビームを通過させるブランキングアパーチャア
レイと、各アパーチャのブランキング電極を独立にオ
ン、オフ駆動させしかも荷電粒子ビームの強度とブラン
キング電極のオン時間との積が一定となるようにオン駆
動させるブランキング電極駆動手段とを具備するように
構成する。
本発明は電子ビーム露光装置等の荷電粒子ビーム露光
装置に関する。
装置に関する。
近年、電子ビーム露光によるLSIの直接露光すなわち
マスクを用いずに露光が広く行われるようになってきた
が、可変矩形ビームが多く、他にポイントビームあるい
は固定矩形ビームがある。後者の２つは一般に研究用で
ある。
マスクを用いずに露光が広く行われるようになってきた
が、可変矩形ビームが多く、他にポイントビームあるい
は固定矩形ビームがある。後者の２つは一般に研究用で
ある。
第９図に示すように、可変矩形ビーム露光装置は、電
子銃１、矩形のアパーチャを有する２つのマスク2,3、
矩形ビームの断面積を電子ビームを偏向させて変化させ
るビームサイズ偏向電極４、主偏向レンズ（コイル）
５、副偏向レンズ（電極）６により構成され、任意の大
きさの矩形ビームが試料台７に載せられたターゲートた
とえばウェハに照射される。これらを制御する制御部
は、CPU10、データを格納する磁気ディスク11、磁気テ
ープ12、インターフェイス13、データメモリ14、パター
ンを矩形パターンに分解して各矩形パターンの大きさ情
報および位置情報を発生するパターン発生回路（ショッ
ト分解）15、主要な補正を行うパターン補正回路16によ
り構成され、さらに、ビームサイズ偏向電極４、主偏向
コイル５、副偏向電極６を駆動するドライバ（DAC/AM
P）17,18,19、および試料台７を移動させるモータ20を
制御するステージ制御部21を備えている。
子銃１、矩形のアパーチャを有する２つのマスク2,3、
矩形ビームの断面積を電子ビームを偏向させて変化させ
るビームサイズ偏向電極４、主偏向レンズ（コイル）
５、副偏向レンズ（電極）６により構成され、任意の大
きさの矩形ビームが試料台７に載せられたターゲートた
とえばウェハに照射される。これらを制御する制御部
は、CPU10、データを格納する磁気ディスク11、磁気テ
ープ12、インターフェイス13、データメモリ14、パター
ンを矩形パターンに分解して各矩形パターンの大きさ情
報および位置情報を発生するパターン発生回路（ショッ
ト分解）15、主要な補正を行うパターン補正回路16によ
り構成され、さらに、ビームサイズ偏向電極４、主偏向
コイル５、副偏向電極６を駆動するドライバ（DAC/AM
P）17,18,19、および試料台７を移動させるモータ20を
制御するステージ制御部21を備えている。
すなわち、矩形ビーム露光においては、第10図に示す
ように、磁気ディスク11もしくは磁気テープ12からデー
タメモリ14へ転送されるデータはメインフィールド全体
に対応する。このメインフィールドは複数のサブフィー
ルドに分割され、さらに、各サブフィールドのパターン
は複数のショット（矩形パターン）に分割される。この
とき、メインフィールド内の各サブフィールド間の電子
ビーム移動が主偏向コイル５によって行われ、サブフィ
ールド内の各矩形パターン間の電子ビーム移動は副偏向
電極６によって行われ、矩形パターンの大きさの調整は
ビームサイズ偏向電極４によって行われる。
ように、磁気ディスク11もしくは磁気テープ12からデー
タメモリ14へ転送されるデータはメインフィールド全体
に対応する。このメインフィールドは複数のサブフィー
ルドに分割され、さらに、各サブフィールドのパターン
は複数のショット（矩形パターン）に分割される。この
とき、メインフィールド内の各サブフィールド間の電子
ビーム移動が主偏向コイル５によって行われ、サブフィ
ールド内の各矩形パターン間の電子ビーム移動は副偏向
電極６によって行われ、矩形パターンの大きさの調整は
ビームサイズ偏向電極４によって行われる。
しかしながら、LSIの微細化が進むにつれて特に0.2〜
0.3μｍルールのLSIとなると、矩形ビーム露光は次の問
題点がある。
0.3μｍルールのLSIとなると、矩形ビーム露光は次の問
題点がある。
１）使用できる矩形ビームの電流密度の上限がある。
２）膨大なショット数のLSIのパターンの描画には主偏
向、副偏向、ビームサイズ偏向のための各ドライバ（DA
C/AMP）の調整の回数が増大し、従って、そのための待
ち時間が増大して時間がかかり過ぎる。
向、副偏向、ビームサイズ偏向のための各ドライバ（DA
C/AMP）の調整の回数が増大し、従って、そのための待
ち時間が増大して時間がかかり過ぎる。
従って、可変矩形ビームはもはや0.2〜0.3μｍの微細
パターンの量産には適さない。
パターンの量産には適さない。
さらに、 ３）0.2〜0.3μｍ矩形ビームはポイントビームと何ら差
がなく、可変矩形ビームのメリットがない。
がなく、可変矩形ビームのメリットがない。
４）0.1〜0.2μｍビームの場合、２つのマスク2,3のア
パーチャの重なりで形成しているために、相対的に小ビ
ームでのドーズ量が不安定となる。
パーチャの重なりで形成しているために、相対的に小ビ
ームでのドーズ量が不安定となる。
従って、本発明の目的は、0.2〜0.3μｍルール程度以
下の超微細化パターンの描写に対して、安定、高速且つ
高精度で均一露光を可能とする荷電粒子ビーム露光装置
を提供することにある。
下の超微細化パターンの描写に対して、安定、高速且つ
高精度で均一露光を可能とする荷電粒子ビーム露光装置
を提供することにある。
上述の課題を解決するための手段は第１図に示され
る。すなわち、ステージ上の物体に荷電粒子を露光する
ための荷電粒子ビーム露光装置において、荷電粒子ビー
ム発生手段は荷電粒子ビームを発生し、この荷電粒子ビ
ームはブランキングアパーチャアレイを通過する。ブラ
ンキングアパーチャアレイには、ブランキング電極がそ
れぞれ設けられた複数のアパーチャがライン状に配列さ
れている。これらの各アパーチャのブランキング電極は
独立にブランキング電極駆動手段によってオン、オフ駆
動される。
る。すなわち、ステージ上の物体に荷電粒子を露光する
ための荷電粒子ビーム露光装置において、荷電粒子ビー
ム発生手段は荷電粒子ビームを発生し、この荷電粒子ビ
ームはブランキングアパーチャアレイを通過する。ブラ
ンキングアパーチャアレイには、ブランキング電極がそ
れぞれ設けられた複数のアパーチャがライン状に配列さ
れている。これらの各アパーチャのブランキング電極は
独立にブランキング電極駆動手段によってオン、オフ駆
動される。
上述の手段による作用は第２図に示される。すなわ
ち、ブランキングアパーチャアレイのライン状に配列さ
れたアパーチャを通過した荷電粒子ビームは多数の小ビ
ーム（ラインビーム）に分割される。たとえば、ライン
ビームはステージ移動方向と直角に偏向移動され、この
移動と共に各アパーチャのブランキング電極が独立にオ
ン、オフされしかもそのオン時には荷電粒子ビームの強
度とブランキング電極のオン時間との積が一定となるよ
うに駆動される。第２図においては、露光すべきショッ
トに対して、たとえばブランキング電極ａ−ａ′,b−
ｂ′,c−ｃ′,d−ｄ′に対して図示のごとくブランキン
グ信号が発生され、ビームオン、オフされる。
ち、ブランキングアパーチャアレイのライン状に配列さ
れたアパーチャを通過した荷電粒子ビームは多数の小ビ
ーム（ラインビーム）に分割される。たとえば、ライン
ビームはステージ移動方向と直角に偏向移動され、この
移動と共に各アパーチャのブランキング電極が独立にオ
ン、オフされしかもそのオン時には荷電粒子ビームの強
度とブランキング電極のオン時間との積が一定となるよ
うに駆動される。第２図においては、露光すべきショッ
トに対して、たとえばブランキング電極ａ−ａ′,b−
ｂ′,c−ｃ′,d−ｄ′に対して図示のごとくブランキン
グ信号が発生され、ビームオン、オフされる。
第３図は本発明に係る荷電粒子ビーム露光装置の一実
施例を示す図である。第３図において、30はカソード3
1、グリッド32、アノード33よりなる電子銃であって、
カソード31から発射されたビームはグリッド32、アノー
ド33間でクロスオーバ像を作る。このクロスオーバ像は
クロスオーバ拡大レンズ34にて拡大される。クロスオー
バ拡大レンズ34内には、４極ビームつぶしレンズ35、リ
ミッティングアパーチャ36、およびアラインメントコイ
ル37が設けられている。４極ビームつぶしレンズ35は、
たとえば第４図（Ａ），（Ｂ）に示す磁気レンズ、静電
レンズである。この結果、つぶされたクロスオーバ像38
がブランキングアパーチャアレイ39上に結像される。な
お、電子銃30自体がつぶされたクロスオーバビームを発
生する場合には４極ビームつぶしレンズ35は不要であ
る。
施例を示す図である。第３図において、30はカソード3
1、グリッド32、アノード33よりなる電子銃であって、
カソード31から発射されたビームはグリッド32、アノー
ド33間でクロスオーバ像を作る。このクロスオーバ像は
クロスオーバ拡大レンズ34にて拡大される。クロスオー
バ拡大レンズ34内には、４極ビームつぶしレンズ35、リ
ミッティングアパーチャ36、およびアラインメントコイ
ル37が設けられている。４極ビームつぶしレンズ35は、
たとえば第４図（Ａ），（Ｂ）に示す磁気レンズ、静電
レンズである。この結果、つぶされたクロスオーバ像38
がブランキングアパーチャアレイ39上に結像される。な
お、電子銃30自体がつぶされたクロスオーバビームを発
生する場合には４極ビームつぶしレンズ35は不要であ
る。
ブランキングアパーチャアレイ39には、５μ□×256
個のアパーチャ390〜39255がライン状にいわゆるハーモ
ニカ状に配列されている。ブランキングアパーチャアレ
イ39はたとえばシリコン単結晶を用い、これにトレンチ
エッチングによりアパーチャを形成し、その内壁に電極
を形成する。また、ブランキングアパーチャアレイ39は
収束レンズ40内に設けられている。なお、アパーチャは
２列とすることもできる。
個のアパーチャ390〜39255がライン状にいわゆるハーモ
ニカ状に配列されている。ブランキングアパーチャアレ
イ39はたとえばシリコン単結晶を用い、これにトレンチ
エッチングによりアパーチャを形成し、その内壁に電極
を形成する。また、ブランキングアパーチャアレイ39は
収束レンズ40内に設けられている。なお、アパーチャは
２列とすることもできる。
41はラージブランカであって、ビーム全体をオン、オ
フする。ラージブランカ41に電界がかかっていない場合
には、ブランキングアパーチャアレイの中で電極間に電
圧差がかかっていない部分を通過したオンビーム41aは
縮小レンズ42を介してブランキングアパーチャ43を通過
する。他方、ブランキングアパーチャアレイの中で電極
間に電圧差がかかっている部分を通過したオフビーム41
bは縮小レンズ42を通過した後にブランキングアパーチ
ャ43によって阻止される。逆にラージブランカ41に電界
がかかった場合には、ブランキングアパーチャアレイ39
の個々の電極の状態によらず、すべての通過ビームは、
ブランキングアパーチャによって阻止される。
フする。ラージブランカ41に電界がかかっていない場合
には、ブランキングアパーチャアレイの中で電極間に電
圧差がかかっていない部分を通過したオンビーム41aは
縮小レンズ42を介してブランキングアパーチャ43を通過
する。他方、ブランキングアパーチャアレイの中で電極
間に電圧差がかかっている部分を通過したオフビーム41
bは縮小レンズ42を通過した後にブランキングアパーチ
ャ43によって阻止される。逆にラージブランカ41に電界
がかかった場合には、ブランキングアパーチャアレイ39
の個々の電極の状態によらず、すべての通過ビームは、
ブランキングアパーチャによって阻止される。
縮小レンズ42は縮小レンズ44、イマージョンタイプレ
ンズ50と共にブランキングアパーチャ43を通過したビー
ムを連続移動ステージ51上に静電チャック52で吸着され
たウェハ53上に500分の１のブランキングアパーチャア
レイ39のアパーチャの縮小像として結像する。
ンズ50と共にブランキングアパーチャ43を通過したビー
ムを連続移動ステージ51上に静電チャック52で吸着され
たウェハ53上に500分の１のブランキングアパーチャア
レイ39のアパーチャの縮小像として結像する。
縮小レンズ44の中にはリフォーカスコイル45が設けら
れている。リフォーカスコイル45は、ブランキングアパ
ーチャアレイ39のアパーチャのオンしているセルの数の
総和で決定されるリフォーカス電流を流してクーロンイ
ンターラクションによるビームのぼけを補正する。
れている。リフォーカスコイル45は、ブランキングアパ
ーチャアレイ39のアパーチャのオンしているセルの数の
総和で決定されるリフォーカス電流を流してクーロンイ
ンターラクションによるビームのぼけを補正する。
46は横走査デフレクタであって、連続移動ステージ51
の移動と直角方向にビームを走査する。また、ダイナミ
ックフォーカスコイル47、ダイナミックスティグコイル
48は横走査に対してビームの偏向ぼけを補正する。
の移動と直角方向にビームを走査する。また、ダイナミ
ックフォーカスコイル47、ダイナミックスティグコイル
48は横走査に対してビームの偏向ぼけを補正する。
49はステージフォードバック用８極デフレクタであっ
て、偏向歪み補正とステージ51の連続移動のフィードバ
ックおよび速度補正を行う。
て、偏向歪み補正とステージ51の連続移動のフィードバ
ックおよび速度補正を行う。
連続移動ステージ51は、解像度を上げるために、イマ
ージョンタイプレンズ50内に設けられている。
ージョンタイプレンズ50内に設けられている。
第５図は第３図の主要部分を制御する制御部のブロッ
ク回路図であって、第９図の構成要素と同一の構成要素
については同一の参照番号を付してある。すなわち、第
９図のパターン発生回路15、パターン補正回路16、ドラ
イバ（DAC/AMP）17,18,19の代りに、ビットマップ発生
回路61、ブランキング発生回路62、シーケンスコントロ
ーラ63、ブランキング制御回路64、偏向制御回路65、ド
ライバ（DAC/AMP）66,67、レーザ干渉計68が設けられて
いる。
ク回路図であって、第９図の構成要素と同一の構成要素
については同一の参照番号を付してある。すなわち、第
９図のパターン発生回路15、パターン補正回路16、ドラ
イバ（DAC/AMP）17,18,19の代りに、ビットマップ発生
回路61、ブランキング発生回路62、シーケンスコントロ
ーラ63、ブランキング制御回路64、偏向制御回路65、ド
ライバ（DAC/AMP）66,67、レーザ干渉計68が設けられて
いる。
ビットマップ発生回路61はデータメモリ14から１ライ
ンビーム毎の情報（256ビット）を読出してブランキン
グ発生回路62に送出する。これにより、ブランキングア
パーチャアレイ39の各アパーチャ390〜39255の電極は独
立にオン、オフされる。なお、各アパーチャを通過する
ビームの強度Iiは位置により異なるために、各セル毎に
異なるオン時間τ0，τ1，…，τ255が回路620，621，
…，62255にセットされる。これについて後述する。
ンビーム毎の情報（256ビット）を読出してブランキン
グ発生回路62に送出する。これにより、ブランキングア
パーチャアレイ39の各アパーチャ390〜39255の電極は独
立にオン、オフされる。なお、各アパーチャを通過する
ビームの強度Iiは位置により異なるために、各セル毎に
異なるオン時間τ0，τ1，…，τ255が回路620，621，
…，62255にセットされる。これについて後述する。
ブランキング制御回路64は、シーケンスコントローラ
63の指令信号に基づいたタイミングで、ブランキング発
生回路62の各回路620，621，…，62255を起動させる。
63の指令信号に基づいたタイミングで、ブランキング発
生回路62の各回路620，621，…，62255を起動させる。
偏向制御回路65は、ビットマップ発生回路61が発生し
ているラインビーム情報の横方向座標に基づきドライバ
66により横走査デフレクタ46を駆動する。また、この場
合、試料台（ステージ）51はステージ制御部21により連
続移動されている。従って、このステージ51の連続移動
に伴うラインビームの位置をフィードバック補正する必
要がある。このため、偏向制御回路65は、レーザ干渉計
68によって検出されたステージ51の位置と目標位置との
差が０となるように８極デフレクタ49を駆動する。すな
わち、偏向制御回路65は、第６図に示すごとく、シーケ
ンスコントローラ63からの目標位置（X,Y）を格納する
レジスタ651と、レーザ干渉計58からの位置情報（Ｘ′,
Y′）とレジスタ61との差を演算する差演算器652とを備
えており、この差により、８極デフレクタ49を制御す
る。これにより、ステージ誤差分が高速でフィードバッ
クされる。なお、実際には、８極デフレクタ49は、ビー
ムの２次元的位置を調整するものであるが、第５図、第
６図においては、説明を簡単にするために、１次元とし
て図示してある。
ているラインビーム情報の横方向座標に基づきドライバ
66により横走査デフレクタ46を駆動する。また、この場
合、試料台（ステージ）51はステージ制御部21により連
続移動されている。従って、このステージ51の連続移動
に伴うラインビームの位置をフィードバック補正する必
要がある。このため、偏向制御回路65は、レーザ干渉計
68によって検出されたステージ51の位置と目標位置との
差が０となるように８極デフレクタ49を駆動する。すな
わち、偏向制御回路65は、第６図に示すごとく、シーケ
ンスコントローラ63からの目標位置（X,Y）を格納する
レジスタ651と、レーザ干渉計58からの位置情報（Ｘ′,
Y′）とレジスタ61との差を演算する差演算器652とを備
えており、この差により、８極デフレクタ49を制御す
る。これにより、ステージ誤差分が高速でフィードバッ
クされる。なお、実際には、８極デフレクタ49は、ビー
ムの２次元的位置を調整するものであるが、第５図、第
６図においては、説明を簡単にするために、１次元とし
て図示してある。
さらに、第５図のブランキング発生回路62について第
７図、第８図を参照して説明する。
７図、第８図を参照して説明する。
すなわち、ビームはクロスオーバ像のクリティカル照
射においてクロスオーバをライン状につぶしてあるが、
ブランキングアパーチャアレイ39の各アパーチャ（セ
ル）390〜39255におけるビーム強度I0，I1，…，I
255は、第７図（Ａ）に示すごとく、80〜90％の均一性
しか得られない。このため、第７図（Ｂ）に示すよう
に、各セルのビームオンパルス長τ0，τ1，…，τ255
を第７図（Ａ）のビーム強度I0，I1，…，I255と反比例
して定める。つまり、 τi×Ii＝一定 となるようにする。この結果、ラインビームの各ビーム
のドーズ量Ｎは第７図（Ｃ）に示すごとく一定となる。
このため、ブランキング発生回路62の各回路62iは第８
図に示すごとく構成される。
射においてクロスオーバをライン状につぶしてあるが、
ブランキングアパーチャアレイ39の各アパーチャ（セ
ル）390〜39255におけるビーム強度I0，I1，…，I
255は、第７図（Ａ）に示すごとく、80〜90％の均一性
しか得られない。このため、第７図（Ｂ）に示すよう
に、各セルのビームオンパルス長τ0，τ1，…，τ255
を第７図（Ａ）のビーム強度I0，I1，…，I255と反比例
して定める。つまり、 τi×Ii＝一定 となるようにする。この結果、ラインビームの各ビーム
のドーズ量Ｎは第７図（Ｃ）に示すごとく一定となる。
このため、ブランキング発生回路62の各回路62iは第８
図に示すごとく構成される。
第８図において621はビームオンパルス長τiを格納す
るレジスタ、622はダウンカウンタ、623はアンド回路、
624はフリップフロップ、625はドライバである。すなわ
ち、ビットマップ発生回路61からのデータが“1"である
場合にあって、ブランキング制御回路64から起動パルス
が入力されると、アンド回路623を介してフリップフロ
ップ624がセットされ、その出力パルスが立上り、対応
するブランキング電極39iを駆動する。また、同時に、
ブランキング制御回路54からの起動パルスはレジスタ62
1の値τiをダウンカウンタ622にセットする。ダウンカ
ウンタ622は高速のクロック信号CLKをカウントしながら
その値を減少させていく。
るレジスタ、622はダウンカウンタ、623はアンド回路、
624はフリップフロップ、625はドライバである。すなわ
ち、ビットマップ発生回路61からのデータが“1"である
場合にあって、ブランキング制御回路64から起動パルス
が入力されると、アンド回路623を介してフリップフロ
ップ624がセットされ、その出力パルスが立上り、対応
するブランキング電極39iを駆動する。また、同時に、
ブランキング制御回路54からの起動パルスはレジスタ62
1の値τiをダウンカウンタ622にセットする。ダウンカ
ウンタ622は高速のクロック信号CLKをカウントしながら
その値を減少させていく。
ダウンカウンタ622の値が０となると、言い換える
と、τiに対応する時間が経過すると、ダウンカウンタ6
22はキャリ信号を発生し、これがフリップフロップ624
のリセット信号として作用する。この結果、フリップフ
ロップ624はリセットされてブランキング電極39iの駆動
がオフとされる。もちろん、ビットマップ発生回路61の
データが“0"である場合には、フリップフロップ624は
セットされず、駆動パルスτiは発生しない。
と、τiに対応する時間が経過すると、ダウンカウンタ6
22はキャリ信号を発生し、これがフリップフロップ624
のリセット信号として作用する。この結果、フリップフ
ロップ624はリセットされてブランキング電極39iの駆動
がオフとされる。もちろん、ビットマップ発生回路61の
データが“0"である場合には、フリップフロップ624は
セットされず、駆動パルスτiは発生しない。
このように、ビットマップ発生回路61のデータに応じ
て各回路62iは予め定められたτiに応じた時間の駆動パ
ルスを発生する。なお、レジスタ621の値τiは予め設定
することもでき、また、必要に応じてCPU10により変更
することもできる。
て各回路62iは予め定められたτiに応じた時間の駆動パ
ルスを発生する。なお、レジスタ621の値τiは予め設定
することもでき、また、必要に応じてCPU10により変更
することもできる。
以上の構成より、たとえば0.1μｍ□のビームを256本
並べて、200A/cm2の電流密度、５μC/cm2の感度のレジ
ストに各点で25nsのショット時間で照射し、（40MHz）2
mm幅のスキャンエリアを50mm/sで連続移動し、1cm2/sの
露光スピードを得ることができた。
並べて、200A/cm2の電流密度、５μC/cm2の感度のレジ
ストに各点で25nsのショット時間で照射し、（40MHz）2
mm幅のスキャンエリアを50mm/sで連続移動し、1cm2/sの
露光スピードを得ることができた。
以上説明したように本発明によれば、超微細化された
たとえば0.2μｍルール程度のLSIにおける描写において
も、安定、高速、且つ高精度の均一露光が可能となる。
たとえば0.2μｍルール程度のLSIにおける描写において
も、安定、高速、且つ高精度の均一露光が可能となる。
第１図は本発明の原理構成を示す図、 第２図は本発明の作用を説明する図、 第３図は本発明に係る荷電粒子ビーム露光装置の一実施
例を示す図、 第４図は第３図の４極ビームつぶしレンズの例を示す
図、 第５図は第３図の装置の制御部を示すブロック回路図、 第６図は第５図の偏向制御回路の回路図、 第７図は第３図のブランキングアパーチャアレイの各ア
パーチャ（セル）のビーム強度、ビームオンパルス長、
ドーズ量を示すグラフ、 第８図は第５図のブランキング発生回路の回路図、 第９図は従来の可変矩形電子ビーム露光装置を示す図、 第10図は矩形ビーム露光を説明する図である。 35…４極ビームつぶしレンズ、39…ブランキングアパー
チャアレイ、46…横走査デフレクタ、49…８極デフレク
タ、62…ブランキング発生回路、68…レーザ干渉計。
例を示す図、 第４図は第３図の４極ビームつぶしレンズの例を示す
図、 第５図は第３図の装置の制御部を示すブロック回路図、 第６図は第５図の偏向制御回路の回路図、 第７図は第３図のブランキングアパーチャアレイの各ア
パーチャ（セル）のビーム強度、ビームオンパルス長、
ドーズ量を示すグラフ、 第８図は第５図のブランキング発生回路の回路図、 第９図は従来の可変矩形電子ビーム露光装置を示す図、 第10図は矩形ビーム露光を説明する図である。 35…４極ビームつぶしレンズ、39…ブランキングアパー
チャアレイ、46…横走査デフレクタ、49…８極デフレク
タ、62…ブランキング発生回路、68…レーザ干渉計。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭53−117387（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−118526（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−42128（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−22325（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】荷電粒子ビームを発生する荷電粒子ビーム
発生手段と、 それぞれにブランキング電極が設けられ前記荷電粒子ビ
ームを通過させる複数のアパーチャが配列されたブラン
キングアパーチャアレイと、 各該ブランキング電極を独立にオン・オフ駆動し、該ブ
ランキング電極をオンさせたすべてのアパーチャについ
て、当該アパーチャを通過する前記荷電粒子ビームの強
度と当該アパーチャのブランキング電極のオン時間との
積が一定となるように各該ブランキング電極のオン時間
を制御するブランキング電極駆動手段と を有することを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。 - 【請求項２】前記荷電粒子ビーム発生手段が発生した前
記荷電粒子ビームのクロスオーバ像をライン状につぶし
て、前記ブランキングアパーチャアレイのすべてのアパ
ーチャを照射する、ビームつぶしレンズを設けたことを
特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム露光装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63074792A JP2901246B2 (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 荷電粒子ビーム露光装置 |
| US07/329,833 US4980567A (en) | 1988-03-30 | 1989-03-28 | Charged particle beam exposure system using line beams |
| KR8904068A KR920004177B1 (en) | 1988-03-30 | 1989-03-30 | Charging particle beam exposure system using line-beam |
| EP89303141A EP0335711B1 (en) | 1988-03-30 | 1989-03-30 | Charged particle beam exposure system |
| DE68918144T DE68918144T2 (de) | 1988-03-30 | 1989-03-30 | System zur Belichtung mittels geladener Teilchenstrahlen. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63074792A JP2901246B2 (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 荷電粒子ビーム露光装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8328490A Division JP2914926B2 (ja) | 1996-12-09 | 1996-12-09 | 荷電粒子ビーム露光方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01248617A JPH01248617A (ja) | 1989-10-04 |
| JP2901246B2 true JP2901246B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=13557501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63074792A Expired - Lifetime JP2901246B2 (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 荷電粒子ビーム露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2901246B2 (ja) |
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| JP4995261B2 (ja) * | 2006-04-03 | 2012-08-08 | イーエムエス ナノファブリカツィオン アーゲー | パターン化ビームの総合変調を持つ粒子ビーム露光装置 |
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| JPS6142128A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-02-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 荷電ビ−ム露光装置 |
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-
1988
- 1988-03-30 JP JP63074792A patent/JP2901246B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01248617A (ja) | 1989-10-04 |
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