DE19911372A1 - Vorrichtung zum Steuern eines Strahls aus elektrisch geladenen Teilchen - Google Patents

Abstract

Um eine Vorrichtung (1) zum Steuern eines Strahls (7) aus elektrisch geladenen Teilchen mit einer Quelle (2) zur Bereitstellung der elektrisch geladenen Teilchen und einer der Quelle (2) zugeordneten Beschleunigungseinheit (3) sowie mit einer stromab der Quelle (2) vorgesehenen elektromagnetischen Ablenkeinrichtung (4) zum Ablenken des Strahls (7), welche mit einer elektrischen Wechselfrequenz (9') vorbestimmter und bis zu einer durch die elektromagnetischen Kenngrößen begrenzten Grenzfrequenz beaufschlagt wird und mit einer stromab von der Ablenkeinrichtung (4) vorgesehenen Fokussiereinrichtung (5) und mit Steuervorrichtungen (8, 9, 11) zum Aufprägen einer vorbestimmten Informationsfolge (8') auf den Strahl (7) und zum Ansteuern der Ablenkeinrichtung (4) mit Wechselfrequenz (9') so auszubilden, daß sich die Schreibfrequenz eines lithographieumgerüsteten Rasterelektronenmikroskops mit einfachen Maßhanmen derart erhöht, daß damit unabhängig von der oberen Grenzschreibfrequenz große Flächen schnell beschrieben werden können, zum Beispiel komplette Wafer, um diese Ausbildung zu erreichen ist es notwendig, daß stromab von der Fokussiereinrichtung (5) im Strahlengang des fokussierten Strahls (7) ein elektrostatisches Ablenkplattensystem (6) vorgesehen ist, mit zumindestens einem Ablenkplattenpaar, und daß die Steuereinheit (10, 11) diesem Ablenkplattenpaar eine Ablenkfrequenz (10') aufprägt, die höher als die elektrische Wechselfrequenz (9') ist.

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung nach Oberbegriff des Anspruchs 1.

In der US-Patentschrift 4,742,234 wird zur Erzeugung des Elektronenstrahls ein längsseitig ausgedehnter Glühdraht be­ nutzt. Dieser Elektronenstrahl wird längsseitig fokussiert. Dann wird er durch eine parallel verlaufende ein- oder mehr­ reihige Lochblende mit auf/zu Einzellochsteuerung zum Ziel geführt.

Diese Technik läßt wegen ihrer Größe und Trägheit bei der Steuerung der Lochblende nur eine diskrete Lochbelichtung zu. Um die hinter den Löchern liegenden Bereiche zu belichte­ ten Strukturen zu verbinden, ist somit eine Mindeststruktur­ größe erforderlich. Die Belichtungslöcher können aber wegen Interferenzerscheinung nicht beliebig eng gesetzt werden.

In der US-Patentschrift 4,577,111 wird eine elektrosta­ tische Linse in die Apparatur eingebaut, die Verzeichnungs­ fehler, die durch andere Linsen im Strahlengang entstehen, korrigiert. Diese Maßnahme dient der Verbesserung der Abbil­ dungsgenauigkeit.

In der US-Patentschrift 4,117,339 geht es um die Erzeu­ gung eines Elektronenstrahls der senkrecht zur Oberfläche schreibt, um Zeichnungsfehler der geschriebenen Information zu minimieren. Keine der aufgeführten Entwicklungen be­ schreibt ein System, das in oder an einem zur Elektronen­ strahllithographie umgerüsteten Rasterelektronenmikroskop Verwendung finden kann. Es existiert der Wunsch nach höheren Schreibgeschwindigkeiten für derart umgerüstete Systeme. Bau­ artbedingte Notwendigkeiten setzen hier allerdings feste Grenzen. Die obere Grenzschreibfrequenz ergibt sich derzeit etwa zu 100 kHz.

Die Aufgabe der Erfindung ist es, die Schreibfrequenz eines lithographieumgerüsteten Rasterelektronenmikroskops mit einfachen Maßnahmen derart zu erhöhen, daß damit unabhängig von der oberen Grenzschreibfrequenz große Flächen schnell beschrieben werden können, zum Beispiel komplette Wafer.

Diese Aufgabe löst die Erfindung durch die Merkmale des Anspruchs 1.

Die Erfindung hat erkannt, daß die Eigeninduktivität der als Teilchenstrahllinsen dienenden Fokussier- und Ablenkspu­ len der Schreibgeschwindigkeit die obere Grenze setzt. Durch die Eigeninduktivität der Fokussier- und Ablenkspulen ent­ steht die obere Grenzschreibfrequenz für die Auslenkung des fokussierten Elektronenstrahls. Daher bestimmt diese Grenz­ schreibfrequenz die maximal beschreibbare Fläche pro Zeitein­ heit. Dadurch ist auch die maximale Informationsdichte des Elektronenstrahls bestimmt.

Die Erfindung verläßt diesen herkömmlichen Weg und ver­ wendet ein zusätzliches elektrisches Feld stromab des Elek­ tronenstrahls, wobei das zusätzliche elektrische Feld mit einer Subfrequenz beaufschlagt wird. Auf den fokussierten Elektronenstrahl wirkt somit eine überlagerte Subfrequenz.

Die Information der zu schreibenden Figuren, die dem Elektronenstrahl aufgeprägt werden kann, ist damit von der oberen Grenzschreibfrequenz des Rasterelektronenmikroskops entkoppelt. Durch die Entkopplung werden die durch die Eigen­ induktion gesetzten Grenzen bei der Ablenkgeschwindigkeit verlassen. Daher kann die Schreibgeschwindigkeit erhöht wer­ den.

Erhöht sich die Schreibgeschwindigkeit, so ist die zu­ sätzliche Aufprägung von Information, also die Erhöhung der Informationsdichte im Elektronenstrahl möglich. Es wird er­ findungsgemäß die obere Grenzschreibfrequenz des Rasterelek­ tronenmikroskops, die bei 100 kHz liegt, und die durch die unvermeidbare Eigeninduktivität der Spulen begrenzt ist, von der maximalen Auslenkfrequenz des fokussierten Elektronen­ strahls entkoppelt. Die maximale Auslenkfrequenz des fokus­ sierten Elektronenstrahls bestimmen dann nur noch die Grenzen des elektrostatischen Ablenksystems. Diese Grenzen liegen um Zehnerpotenzen höher als die Grenzschreibfrequenz des Raster­ elektronenmikroskops.

Dadurch wird auch die maximal zu beschreibende Fläche pro Zeiteinheit von der oberen Grenzschreibfrequenz entkop­ pelt. Diese Entkopplung gelingt durch die Nachordnung der statischen Ablenkeinrichtung hinter die Fokussierblende. Hierdurch wird der eigentliche Schreibvorgang vom Schreibkopf entkoppelt.

Das eigentlich zu beschreibende Feld wird hierzu in X.Y Subfelder aufgeteilt. Jedes dieser Subfelder wird mit der oberhalb der oberen Grenze der Schreibfrequenz des Rasterelektronenmikroskops liegenden Subfrequenz des stati­ schen Ablenksystems beschrieben. Die obere Grenzschreibfre­ quenz mit ca. 100 kHz wird hier durch die Subfrequenz des statischen Ablenksystems von 30 MHz und mehr als bestimmendem Faktor abgekoppelt.

Die Erfindung kann durch eine zusätzliche Basiseinheit realisiert werden, die im Strahlengang des Elektronenstrahls hinter der Fokussiereinheit angeordnet wird. Das Rasterelek­ tronenmikroskop lenkt dann mittels seines Spulensystems einen fokussierten Teilchenstrahl, dem die Information der auf das Subfeld zu schreibenden Figuren aufgeprägt ist, in Richtung des entsprechenden Subfeldes. Währenddessen schreibt das sta­ tische Ablenksystem die Information mit der ihm zueigenen hochfrequenten zweidimensionalen Bewegung unter verminderter Verzerrung auf das Subfeld. Gleichzeitig kann die Schreibein­ heit des Rasterelektronenmikroskops mit einer Schreibfrequenz unterhalb der oberen Grenzfrequenz über die zu beschreibende Fläche geführt werden.

Die oben genannte Erfindung ermöglicht die Auf- bezie­ hungsweise Nachrüstung vorhandenen Maschinenmaterials.

Durch einfaches Umrüsten ist damit einerseits ein Schreib-/Ätzvorgang möglich. Andererseits läßt sich durch et­ waigen Rückbau direkt nach dem Schreibgang auch das Oberflä­ chenmaterial der beschriebenen Probe rasterelektronenmikros­ kopisch untersuchen.

Des weiteren beruhen Rasterelektronenmikroskope auf funktionierender und bewährter Technik. Deren Steuerung kann mit geringem Aufwand von Lesen auf Schreiben umgestellt wer­ den. Da auch das Lesen mit mehreren Köpfen bekannt sein dürf­ te, können diese nun gleichzeitig gleichartig oder einzeln angesteuert je nach Rüstzeug zum Schreiben oder Lesen genutzt werden, was einen erheblichen Produktivitätszuwachs bedeutet.

Es können so mehrere gleichartige Informationen ge­ schrieben werden, oder jeder Kopf schreibt eigene Informatio­ nen, oder aber ein oder mehrere Köpfe schreiben und ein oder mehrere Köpfe untersuchen den Schriftsatz. Es ist auch denk­ bar, Rasterelektronenmikroskope mit dem statischen Ablenksy­ stem auszurüsten, um diese dann in der Fabrikation von Halb­ leiterbausteinen, zum Beispiel zum Belichten von Wafern ein­ zusetzen. Durch das Aufprägen der zu schreibenden Information auf den Elektronenstrahl und die Steuerung der zu schreiben­ den Information über das statische Ablenksystem erübrigt sich das Anfertigen von Belichtungsmasken. Fehlerkorrekturen oder ganze Entwurfsänderungen können dann mittels elektronischer Datenverarbeitung einfach über die Steuereinheit erfolgen.

Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungs­ beispielen näher erklärt. Es zeigen:

Fig. 1 ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung,

Fig. 2 die Aufteilung eines Schreibfeldes in Subfelder,

Fig. 3 Funktion der Korrekturmatrix,

Fig. 4 Schreibfiguren zeilenweise,

Fig. 5 Schreibfiguren linienzugweise.

In Fig. 1 ist die Vorrichtung zur Beschreibung einer Oberfläche mit einem Strahl elektrisch geladener Teilchen dargestellt. Im vorgeführten Beispiel handelt es sich um ein Rasterelektronenmikroskop 1, das zur Elektronenstrahllitho­ graphie umgerüstet wurde. Es besitzt eine Quelle 2 zur Be­ reitstellung der Elektronen, das kann zum Beispiel ein Glüh­ draht sein. Unterhalb der Elektronenquelle ist die Beschleu­ nigungseinheit 3 angebracht. Diese saugt die Elektronen be­ schleunigend an und formt aus ihnen einen Strahl. Über ein Steuergerät 8 wird diesem Strahl die Information der zu be­ schreibenden Fig. 8' aufgeprägt. Stromab der Beschleuni­ gungseinheit im Strahlengang befindet sich die Ablenkeinheit 4. Hier wird dem Elektronenstrahl 7 über das Steuergerät 9 die Richtungsänderung mit der Frequenz 9' aufgezwungen, wobei die maximale Frequenz 9' durch die Eigeninduktivität des Spu­ lenpaares in der Ablenkeinheit 4 begrenzt ist. Stromab der Ablenkeinheit 4 ist im Strahlengang des Elektronenstrahls 7 die Fokussiereinrichtung 5 angebracht. Diese führt die Elek­ tronen des Elektronenstrahls zu einem Strahl mit minimalem Durchmesser zusammen. Stromab der Fokussiereinrichtung 5 ist im Strahlengang des Elektronenstrahls 7 das statische Ablenk­ plattensystem 6 angebracht. Hier werden dem Elektronenstrahl 7 mittels des Steuergerätes 10 Richtungsänderungen mit der Frequenz 10', die im Bereich von 30 MHz und höher liegen kann, aufgeprägt. Hierbei sind verschiedene Ausführungsformen vorhanden. Besteht das Ablenkplattensystem 6 aus nur einem Ablenkplattenpaar, so ist vorstellbar, daß die Ablenkeinheit 4 dem Elektronenstrahl über das Steuersystem 9 eine Rich­ tungsänderung in vertikaler Richtung mit der Frequenz 9' auf­ prägt und daß das Ablenkplattensystem 6 so angeordnet ist, daß die Wirkung der elektrischen Feldlinien eine Ablenkung senkrecht zur Richtungsänderung der Ablenkeinheit 4 bewirkt. Bezeichnet man jetzt die Ablenkung durch die Steuereinheit 4 als Ablenkung in X-Richtung, so wäre die Ablenkung durch das Ablenkplattenpaar als eine Ablenkung in Y-Richtung zu be­ zeichnen. Durch die mittels Steuergerät 10 aufgeprägte Ab­ lenkfrequenz 10' ist es nun möglich, mit dem Elektronenstrahl die durch die Beschleunigungseinheit 3 aufgeprägte Informati­ on in X-Y-Richtung zeilen- und spaltenförmig aufzutragen. Da­ bei lassen sich zwei Fälle unterscheiden. Einerseits ist es möglich, in X-Y-Richtung zeilen- und spaltenförmig jeden ein­ zelnen Punkt anzusteuern. Andererseits ist es aber auch mög­ lich, die aufzutragenden Strukturen in einem Zug zu zeichnen. Dazu wird der Elektronenstrahl in der Beschleunigungseinheit 3 mittels des Steuergerätes 8 auf die Länge der zu zeichnen­ den Figur zurechtgeschnitten. Die Ablenkinformation, um die Struktur einzügig zu malen, wird dem Elektronenstrahl 7 über die Ablenkeinheit 4, die vom Steuergerät 9 kontrolliert wird, und über das Ablenkplattensystem 6, das über die Steuerein­ heit 10 gesteuert wird, aufgeprägt. Diese Technik ermöglicht es, in der Mikromechanik viele Strukturen mit homogenen Über­ gängen herzustellen, was bei der punktförmigen Informations­ auftragung in Zeilen und Spalten erheblich schwieriger zu gestalten ist.

Das Ablenkplattensystem kann aber auch aus zwei oder mehreren Ablenkplattenpaaren bestehen. Bei der Konstruktion mit zwei Ablenkplattenpaaren dient die Ablenkeinheit 4, die über die Steuereinrichtung 9 kontrolliert wird, dazu, den mit Informationen aus der Steuereinheit 8 beprägten Elektronen­ strahl 7 in die schon oben erwähnten X-Y-Richtungen abzulen­ ken.

In Fig. 2 ist eine Probe 13 mit einem zu beschreibenden Feld 15 zu sehen. Dieses wird in X.Y Subfelder 16 unter­ teilt. Die Ablenkeinheit 4 lenkt über das Steuergerät 9 den informationsbeprägten Elektronenstrahl 7 auf eins dieser Sub­ felder 16. Das aus zwei Ablenkplattenpaaren bestehende Ab­ lenkplattensystem 6 steuert den informationsbeprägten Elek­ tronenstrahl mit einer deutlich über 100 kHz liegenden Ab­ lenkfrequenz 10' schreibend über das Subfeld 16.

Auch hier lassen sich wiederum zwei Möglichkeiten des Informationsauftrags unterscheiden, nämlich entweder punkt­ förmiges Schreiben in Zeilen- und Spaltenform oder Zeichnen der Figuren in einem Linienzug. Der durch das Beschleuni­ gungssystem 3 mit den zu schreibenden Information beprägte Elektronenstrahl 7 wird durch die Ablenkeinheit 4 auf das Subfeld 16 gerichtet. Der durch die Fokussiereinheit 5 fokus­ sierte Elektronenstrahl wird dann in dieser ausgelenkten Po­ sition durch die beiden Ablenkplattenpaare im Ablenkplatten­ system 6 in Zeilen- und Spaltenform über das Subfeld 16 ge­ führt. Dabei werden die durch das Zeilen- und Spaltenmuster entstehenden Raster, entsprechend der dem Elektronenstrahl aufgeprägten Information, punktförmig beschrieben. Bei der einzügigen Schreibweise einer Figur wird der durch die Be­ schleunigungseinheit 3 auf die entsprechende Länge zuge­ schnittene Elektronenstrahl 7, der über die Ablenkeinheit 4 auf das zu beschreibende Subfeld 16 geführt und durch die Fo­ kussiereinheit 5 gebündelt wurde, durch die beiden Ablenk­ plattenpaare des Ablenkplattensystems 6 so geführt, daß die Figur in einem Linienzug auf das Subfeld 16 geschrieben wird. Die zweite Variante des Ablenkplattensystems 6 mit zwei Ab­ lenkplattenpaaren hat den Vorteil, die Schreibfrequenz noch einmal deutlich zu erhöhen. Auch hier bietet die kontinuier­ liche Schreibweise, das heißt Abbildungen der Informationen in einem Zug in der Fertigungstechnik für mikromechanische Geräte, einen deutlichen Vorteil der zuvor erwähnten ge­ rasterten Abbildungen.

Alle Informationen die die Steuergeräte 8, 9,10 betref­ fen, kommen von einem Zentralrechner 11, so daß einerseits die hochfrequente Abstimmung der zu schreibenden Information gewährleistet ist und andererseits Änderungen schnell und ef­ fizient durchgeführt werden können.

In Fig. 3 ist schematisch die Wirkung einer Korrekturma­ trix 18 dargestellt, die auf alle übermittelten Steuerinfor­ mationen wirkt. Die Korrekturmatrix wird über den Rechner 11 den Steuerbefehlen für das elektrostatische Ablenksystem 6 überlagert Etwaige Verzeichnungsfehler 17 resultierend aus Drehung, Verschiebung, Verzerrung der Probe 13 werden durch die Korrekturmatrix 18 so korrigiert, daß die Information auch tatsächlich in der geplanten Art und Weise auf das Schreibfeld 15 beziehungsweise Subfeld 16 geschrieben wird. Die Korrekturmatrix führt zu einer Transformation der Ver­ zeichnungsfehler 17 in geschriebene Information mit Korrektur 19.

Die Erfindung läßt es zu, ein herkömmliches Rasterelek­ tronenmikroskop bereits werkseitig mit dem Ablenkplattensy­ stem auszurüsten. Des weiteren wäre es denkbar, mehrere Elektronenstrahlen von der Quelle aus abzuführen und damit über eigene Steuersysteme auf die Probe 13 zu schreiben, so daß die Produktivität weiter gesteigert wird. Ebenfalls ist es denkbar, mehrere Schreib- und/oder Leseköpfe parallel gleichzeitig zu verwenden, so daß entweder eine erhöhte Schreibleistung entsteht oder die geschriebenen Strukturen direkt nach dem Schreibvorgang in ihrer Wirkung auf die Ober­ fläche 15 untersucht werden können. Ebenfalls ist es denkbar, mehrere Schreibköpfe unabhängig voneinander über einen zu be­ schriftenden Wafer zu führen, so daß mehrere integrierte Schaltkreise, umgangssprachlich Computerchips genannt, gleichartig oder voneinander verschieden hergestellt werden können. Auch diese Maßnahme dient der Produktivitätssteige­ rung. Durch einen derart erhöhten Durchsatz an Wafern sinken auch die Produktionsstückkosten.

In Fig. 4 ist die punktförmig 21 aufgetragene Fig. 20 zu sehen. Diese Figuren werden rasterförmig in Zeilen- 22 und Spaltenform 23 aufgetragen.

In Fig. 5 ist eine in einem Zug geschriebene Fig. 24 zu sehen.

Zusätzlich kann vorgesehen sein, den Probentisch über eine vom Zentralrechner 11 angesteuerte Steuereinheit eben­ falls in X- beziehungsweise X-Y-Richtung verfahrbar vorzuse­ hen.

Bezugszeichenliste

1

Rasterelektronenmikroskop

2

Elektronenquelle, z. B. Glühdraht

3

Beschleunigungseinheit

4

Ablenkeinheit, z. B. Spulenpaar(e)

5

Fokussiereinrichtung, z. B. Ringspule

6

elektrostatisches Ablenksystem

7

Elektronenstrahl

8

Steuergerät für die Beschleunigungseinheit

3

prägt u. a. die Information

8

' auf

8

' Aufgeprägte Information

9

Steuergerät für die Ablenkeinheit (

4

) gibt die x-y Auslenkung vor

9

' x-y Auslenkung von

9

10

Steuergerät für das elektronische Ablenksystem gibt die endgültige x-y Auslenkung

10

' an

11

Rechner zur Bestimmung und Übermittlung der Steuerdaten

12

Probentisch

13

Probe

14

Steuereinheit für den Probentisch

12

15

eigentliches Schreibfeld

16

eines der x-y Subfelder

17

geschriebene Information auf der Oberfläche ohne Korrektur

18

Schematische Darstellung der Wirkung der Korrekturmatrix

19

geschriebene Information auf der Oberfläche mit Korrektur

20

gerastert geschriebene Information, Punkte in Zeilen- und Spaltenform

21

geschriebener Punkt

22

Zeile

23

Spalte

24

Einzügig gemalte/geschriebene Figur

Claims (8)

1. Vorrichtung (1) zum Steuern eines Strahls (7) aus elek­ trisch geladenen Teilchen mit einer Quelle (2) zur Be­ reitstellung der elektrisch geladenen Teilchen und einer der Quelle (2) zugeordneten Beschleunigungseinheit (3) sowie mit einer stromab der Quelle (2) vorgesehenen elektromagnetischen Ablenkeinrichtung (4) zum Ablenken des Strahls (7), welche mit einer elektrischen Wechsel­ frequenz (9') vorbestimmter und bis zu einer durch die elektromagnetischen Kenngrößen begrenzten Grenzfrequenz beaufschlagt wird und mit einer stromab von der Ablenk­ einrichtung (4) vorgesehenen Fokussiereinrichtung (5) und mit Steuervorrichtungen (8, 9, 11) zum Aufprägen einer vorbestimmten Informationsfolge (8') auf den Strahl (7) und zum Ansteuern der Ablenkeinrichtung (4) mit Wechsel­ frequenz (9'), dadurch gekennzeichnet, daß stromab von der Fokussiereinrichtung (5) im Strahlengang des fo­ kussierten Strahls (7) ein elektrostatisches Ablenkplat­ tensystem (6) vorgesehen ist, mit zumindestens einem Ab­ lenkplattenpaar, und daß die Steuereinheit (10, 11) die­ sem Ablenkplattenpaar eine Ablenkfrequenz (10') auf­ prägt, die höher als die elektrische Wechselfrequenz (9') ist.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrostatische Ablenkplattensystem (6) aus mindestens zwei Ablenkplattenpaaren besteht, deren elek­ trische Feldlinien sich gegenseitig kreuzen.

3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die zwei Ablenkplattenpaare so angeordnet sind, daß die Feldlinien sich gegenseitig rechtwinklig kreuzen.

4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuereinheit jedem dieser Ab­ lenkplattenpaare jeweils eine Ablenkfrequenz aufprägt, die höher als die elektrische Wechselfrequenz ist.

5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrostatische Ablenkplat­ tensystem (6) über eine durch die Steuereinheit (10, 11) übermittelte Korrekturmatrix (18) etwaige Zerrungen, Verdrehungen, Verschiebungen der Unterlage (12) bezüg­ lich des Schreibkopfes korrigiert.

6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis aus der Ablenkfre­ quenz (10') des elektrostatischen Ablenksystems (6) zur maximalen Wechselfrequenz (9') des Schreibkopfes größer als 100 : 1 ist.

7. Verfahren zur Beschriftung einer Oberfläche (13) durch Bestrahlung mit einem Strahl (7) elektrisch geladener Teilchen nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Strahl (7) die elektrischen Feldlinien eines Ablenkplattenpaares (6) durchquert und daß die Feldlinien nach Stärke und Richtung so orien­ tiert sind, daß der Strahl unter einer vorgegebenen Fre­ quenz die oberhalb von 100 kHz liegt, quer zu seiner Strahlrichtung alternierend ausgelenkt wird.

8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Strahl (7) in zwei zueinander senkrechten Richtungen, jeweils mit einer Frequenz, die oberhalb von 100 kHz liegt, alternierend ausgelenkt wird.