DE19911372A1 - Vorrichtung zum Steuern eines Strahls aus elektrisch geladenen Teilchen - Google Patents
Vorrichtung zum Steuern eines Strahls aus elektrisch geladenen TeilchenInfo
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Abstract
Um eine Vorrichtung (1) zum Steuern eines Strahls (7) aus elektrisch geladenen Teilchen mit einer Quelle (2) zur Bereitstellung der elektrisch geladenen Teilchen und einer der Quelle (2) zugeordneten Beschleunigungseinheit (3) sowie mit einer stromab der Quelle (2) vorgesehenen elektromagnetischen Ablenkeinrichtung (4) zum Ablenken des Strahls (7), welche mit einer elektrischen Wechselfrequenz (9') vorbestimmter und bis zu einer durch die elektromagnetischen Kenngrößen begrenzten Grenzfrequenz beaufschlagt wird und mit einer stromab von der Ablenkeinrichtung (4) vorgesehenen Fokussiereinrichtung (5) und mit Steuervorrichtungen (8, 9, 11) zum Aufprägen einer vorbestimmten Informationsfolge (8') auf den Strahl (7) und zum Ansteuern der Ablenkeinrichtung (4) mit Wechselfrequenz (9') so auszubilden, daß sich die Schreibfrequenz eines lithographieumgerüsteten Rasterelektronenmikroskops mit einfachen Maßhanmen derart erhöht, daß damit unabhängig von der oberen Grenzschreibfrequenz große Flächen schnell beschrieben werden können, zum Beispiel komplette Wafer, um diese Ausbildung zu erreichen ist es notwendig, daß stromab von der Fokussiereinrichtung (5) im Strahlengang des fokussierten Strahls (7) ein elektrostatisches Ablenkplattensystem (6) vorgesehen ist, mit zumindestens einem Ablenkplattenpaar, und daß die Steuereinheit (10, 11) diesem Ablenkplattenpaar eine Ablenkfrequenz (10') aufprägt, die höher als die elektrische Wechselfrequenz (9') ist.
Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung nach Oberbegriff
des Anspruchs 1.
In der US-Patentschrift 4,742,234 wird zur Erzeugung des
Elektronenstrahls ein längsseitig ausgedehnter Glühdraht be
nutzt. Dieser Elektronenstrahl wird längsseitig fokussiert.
Dann wird er durch eine parallel verlaufende ein- oder mehr
reihige Lochblende mit auf/zu Einzellochsteuerung zum Ziel
geführt.
Diese Technik läßt wegen ihrer Größe und Trägheit bei
der Steuerung der Lochblende nur eine diskrete Lochbelichtung
zu. Um die hinter den Löchern liegenden Bereiche zu belichte
ten Strukturen zu verbinden, ist somit eine Mindeststruktur
größe erforderlich. Die Belichtungslöcher können aber wegen
Interferenzerscheinung nicht beliebig eng gesetzt werden.
In der US-Patentschrift 4,577,111 wird eine elektrosta
tische Linse in die Apparatur eingebaut, die Verzeichnungs
fehler, die durch andere Linsen im Strahlengang entstehen,
korrigiert. Diese Maßnahme dient der Verbesserung der Abbil
dungsgenauigkeit.
In der US-Patentschrift 4,117,339 geht es um die Erzeu
gung eines Elektronenstrahls der senkrecht zur Oberfläche
schreibt, um Zeichnungsfehler der geschriebenen Information
zu minimieren. Keine der aufgeführten Entwicklungen be
schreibt ein System, das in oder an einem zur Elektronen
strahllithographie umgerüsteten Rasterelektronenmikroskop
Verwendung finden kann. Es existiert der Wunsch nach höheren
Schreibgeschwindigkeiten für derart umgerüstete Systeme. Bau
artbedingte Notwendigkeiten setzen hier allerdings feste
Grenzen. Die obere Grenzschreibfrequenz ergibt sich derzeit
etwa zu 100 kHz.
Die Aufgabe der Erfindung ist es, die Schreibfrequenz
eines lithographieumgerüsteten Rasterelektronenmikroskops mit
einfachen Maßnahmen derart zu erhöhen, daß damit unabhängig
von der oberen Grenzschreibfrequenz große Flächen schnell
beschrieben werden können, zum Beispiel komplette Wafer.
Diese Aufgabe löst die Erfindung durch die Merkmale des
Anspruchs 1.
Die Erfindung hat erkannt, daß die Eigeninduktivität der
als Teilchenstrahllinsen dienenden Fokussier- und Ablenkspu
len der Schreibgeschwindigkeit die obere Grenze setzt. Durch
die Eigeninduktivität der Fokussier- und Ablenkspulen ent
steht die obere Grenzschreibfrequenz für die Auslenkung des
fokussierten Elektronenstrahls. Daher bestimmt diese Grenz
schreibfrequenz die maximal beschreibbare Fläche pro Zeitein
heit. Dadurch ist auch die maximale Informationsdichte des
Elektronenstrahls bestimmt.
Die Erfindung verläßt diesen herkömmlichen Weg und ver
wendet ein zusätzliches elektrisches Feld stromab des Elek
tronenstrahls, wobei das zusätzliche elektrische Feld mit
einer Subfrequenz beaufschlagt wird. Auf den fokussierten
Elektronenstrahl wirkt somit eine überlagerte Subfrequenz.
Die Information der zu schreibenden Figuren, die dem
Elektronenstrahl aufgeprägt werden kann, ist damit von der
oberen Grenzschreibfrequenz des Rasterelektronenmikroskops
entkoppelt. Durch die Entkopplung werden die durch die Eigen
induktion gesetzten Grenzen bei der Ablenkgeschwindigkeit
verlassen. Daher kann die Schreibgeschwindigkeit erhöht wer
den.
Erhöht sich die Schreibgeschwindigkeit, so ist die zu
sätzliche Aufprägung von Information, also die Erhöhung der
Informationsdichte im Elektronenstrahl möglich. Es wird er
findungsgemäß die obere Grenzschreibfrequenz des Rasterelek
tronenmikroskops, die bei 100 kHz liegt, und die durch die
unvermeidbare Eigeninduktivität der Spulen begrenzt ist, von
der maximalen Auslenkfrequenz des fokussierten Elektronen
strahls entkoppelt. Die maximale Auslenkfrequenz des fokus
sierten Elektronenstrahls bestimmen dann nur noch die Grenzen
des elektrostatischen Ablenksystems. Diese Grenzen liegen um
Zehnerpotenzen höher als die Grenzschreibfrequenz des Raster
elektronenmikroskops.
Dadurch wird auch die maximal zu beschreibende Fläche
pro Zeiteinheit von der oberen Grenzschreibfrequenz entkop
pelt. Diese Entkopplung gelingt durch die Nachordnung der
statischen Ablenkeinrichtung hinter die Fokussierblende.
Hierdurch wird der eigentliche Schreibvorgang vom Schreibkopf
entkoppelt.
Das eigentlich zu beschreibende Feld wird hierzu in
X.Y Subfelder aufgeteilt. Jedes dieser Subfelder wird mit
der oberhalb der oberen Grenze der Schreibfrequenz des
Rasterelektronenmikroskops liegenden Subfrequenz des stati
schen Ablenksystems beschrieben. Die obere Grenzschreibfre
quenz mit ca. 100 kHz wird hier durch die Subfrequenz des
statischen Ablenksystems von 30 MHz und mehr als bestimmendem
Faktor abgekoppelt.
Die Erfindung kann durch eine zusätzliche Basiseinheit
realisiert werden, die im Strahlengang des Elektronenstrahls
hinter der Fokussiereinheit angeordnet wird. Das Rasterelek
tronenmikroskop lenkt dann mittels seines Spulensystems einen
fokussierten Teilchenstrahl, dem die Information der auf das
Subfeld zu schreibenden Figuren aufgeprägt ist, in Richtung
des entsprechenden Subfeldes. Währenddessen schreibt das sta
tische Ablenksystem die Information mit der ihm zueigenen
hochfrequenten zweidimensionalen Bewegung unter verminderter
Verzerrung auf das Subfeld. Gleichzeitig kann die Schreibein
heit des Rasterelektronenmikroskops mit einer Schreibfrequenz
unterhalb der oberen Grenzfrequenz über die zu beschreibende
Fläche geführt werden.
Die oben genannte Erfindung ermöglicht die Auf- bezie
hungsweise Nachrüstung vorhandenen Maschinenmaterials.
Durch einfaches Umrüsten ist damit einerseits ein
Schreib-/Ätzvorgang möglich. Andererseits läßt sich durch et
waigen Rückbau direkt nach dem Schreibgang auch das Oberflä
chenmaterial der beschriebenen Probe rasterelektronenmikros
kopisch untersuchen.
Des weiteren beruhen Rasterelektronenmikroskope auf
funktionierender und bewährter Technik. Deren Steuerung kann
mit geringem Aufwand von Lesen auf Schreiben umgestellt wer
den. Da auch das Lesen mit mehreren Köpfen bekannt sein dürf
te, können diese nun gleichzeitig gleichartig oder einzeln
angesteuert je nach Rüstzeug zum Schreiben oder Lesen genutzt
werden, was einen erheblichen Produktivitätszuwachs bedeutet.
Es können so mehrere gleichartige Informationen ge
schrieben werden, oder jeder Kopf schreibt eigene Informatio
nen, oder aber ein oder mehrere Köpfe schreiben und ein oder
mehrere Köpfe untersuchen den Schriftsatz. Es ist auch denk
bar, Rasterelektronenmikroskope mit dem statischen Ablenksy
stem auszurüsten, um diese dann in der Fabrikation von Halb
leiterbausteinen, zum Beispiel zum Belichten von Wafern ein
zusetzen. Durch das Aufprägen der zu schreibenden Information
auf den Elektronenstrahl und die Steuerung der zu schreiben
den Information über das statische Ablenksystem erübrigt sich
das Anfertigen von Belichtungsmasken. Fehlerkorrekturen oder
ganze Entwurfsänderungen können dann mittels elektronischer
Datenverarbeitung einfach über die Steuereinheit erfolgen.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungs
beispielen näher erklärt. Es zeigen:
Fig. 1 ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung,
Fig. 2 die Aufteilung eines Schreibfeldes in Subfelder,
Fig. 3 Funktion der Korrekturmatrix,
Fig. 4 Schreibfiguren zeilenweise,
Fig. 5 Schreibfiguren linienzugweise.
In Fig. 1 ist die Vorrichtung zur Beschreibung einer
Oberfläche mit einem Strahl elektrisch geladener Teilchen
dargestellt. Im vorgeführten Beispiel handelt es sich um ein
Rasterelektronenmikroskop 1, das zur Elektronenstrahllitho
graphie umgerüstet wurde. Es besitzt eine Quelle 2 zur Be
reitstellung der Elektronen, das kann zum Beispiel ein Glüh
draht sein. Unterhalb der Elektronenquelle ist die Beschleu
nigungseinheit 3 angebracht. Diese saugt die Elektronen be
schleunigend an und formt aus ihnen einen Strahl. Über ein
Steuergerät 8 wird diesem Strahl die Information der zu be
schreibenden Fig. 8' aufgeprägt. Stromab der Beschleuni
gungseinheit im Strahlengang befindet sich die Ablenkeinheit
4. Hier wird dem Elektronenstrahl 7 über das Steuergerät 9
die Richtungsänderung mit der Frequenz 9' aufgezwungen, wobei
die maximale Frequenz 9' durch die Eigeninduktivität des Spu
lenpaares in der Ablenkeinheit 4 begrenzt ist. Stromab der
Ablenkeinheit 4 ist im Strahlengang des Elektronenstrahls 7
die Fokussiereinrichtung 5 angebracht. Diese führt die Elek
tronen des Elektronenstrahls zu einem Strahl mit minimalem
Durchmesser zusammen. Stromab der Fokussiereinrichtung 5 ist
im Strahlengang des Elektronenstrahls 7 das statische Ablenk
plattensystem 6 angebracht. Hier werden dem Elektronenstrahl
7 mittels des Steuergerätes 10 Richtungsänderungen mit der
Frequenz 10', die im Bereich von 30 MHz und höher liegen
kann, aufgeprägt. Hierbei sind verschiedene Ausführungsformen
vorhanden. Besteht das Ablenkplattensystem 6 aus nur einem
Ablenkplattenpaar, so ist vorstellbar, daß die Ablenkeinheit
4 dem Elektronenstrahl über das Steuersystem 9 eine Rich
tungsänderung in vertikaler Richtung mit der Frequenz 9' auf
prägt und daß das Ablenkplattensystem 6 so angeordnet ist,
daß die Wirkung der elektrischen Feldlinien eine Ablenkung
senkrecht zur Richtungsänderung der Ablenkeinheit 4 bewirkt.
Bezeichnet man jetzt die Ablenkung durch die Steuereinheit 4
als Ablenkung in X-Richtung, so wäre die Ablenkung durch das
Ablenkplattenpaar als eine Ablenkung in Y-Richtung zu be
zeichnen. Durch die mittels Steuergerät 10 aufgeprägte Ab
lenkfrequenz 10' ist es nun möglich, mit dem Elektronenstrahl
die durch die Beschleunigungseinheit 3 aufgeprägte Informati
on in X-Y-Richtung zeilen- und spaltenförmig aufzutragen. Da
bei lassen sich zwei Fälle unterscheiden. Einerseits ist es
möglich, in X-Y-Richtung zeilen- und spaltenförmig jeden ein
zelnen Punkt anzusteuern. Andererseits ist es aber auch mög
lich, die aufzutragenden Strukturen in einem Zug zu zeichnen.
Dazu wird der Elektronenstrahl in der Beschleunigungseinheit
3 mittels des Steuergerätes 8 auf die Länge der zu zeichnen
den Figur zurechtgeschnitten. Die Ablenkinformation, um die
Struktur einzügig zu malen, wird dem Elektronenstrahl 7 über
die Ablenkeinheit 4, die vom Steuergerät 9 kontrolliert wird,
und über das Ablenkplattensystem 6, das über die Steuerein
heit 10 gesteuert wird, aufgeprägt. Diese Technik ermöglicht
es, in der Mikromechanik viele Strukturen mit homogenen Über
gängen herzustellen, was bei der punktförmigen Informations
auftragung in Zeilen und Spalten erheblich schwieriger zu
gestalten ist.
Das Ablenkplattensystem kann aber auch aus zwei oder
mehreren Ablenkplattenpaaren bestehen. Bei der Konstruktion
mit zwei Ablenkplattenpaaren dient die Ablenkeinheit 4, die
über die Steuereinrichtung 9 kontrolliert wird, dazu, den mit
Informationen aus der Steuereinheit 8 beprägten Elektronen
strahl 7 in die schon oben erwähnten X-Y-Richtungen abzulen
ken.
In Fig. 2 ist eine Probe 13 mit einem zu beschreibenden
Feld 15 zu sehen. Dieses wird in X.Y Subfelder 16 unter
teilt. Die Ablenkeinheit 4 lenkt über das Steuergerät 9 den
informationsbeprägten Elektronenstrahl 7 auf eins dieser Sub
felder 16. Das aus zwei Ablenkplattenpaaren bestehende Ab
lenkplattensystem 6 steuert den informationsbeprägten Elek
tronenstrahl mit einer deutlich über 100 kHz liegenden Ab
lenkfrequenz 10' schreibend über das Subfeld 16.
Auch hier lassen sich wiederum zwei Möglichkeiten des
Informationsauftrags unterscheiden, nämlich entweder punkt
förmiges Schreiben in Zeilen- und Spaltenform oder Zeichnen
der Figuren in einem Linienzug. Der durch das Beschleuni
gungssystem 3 mit den zu schreibenden Information beprägte
Elektronenstrahl 7 wird durch die Ablenkeinheit 4 auf das
Subfeld 16 gerichtet. Der durch die Fokussiereinheit 5 fokus
sierte Elektronenstrahl wird dann in dieser ausgelenkten Po
sition durch die beiden Ablenkplattenpaare im Ablenkplatten
system 6 in Zeilen- und Spaltenform über das Subfeld 16 ge
führt. Dabei werden die durch das Zeilen- und Spaltenmuster
entstehenden Raster, entsprechend der dem Elektronenstrahl
aufgeprägten Information, punktförmig beschrieben. Bei der
einzügigen Schreibweise einer Figur wird der durch die Be
schleunigungseinheit 3 auf die entsprechende Länge zuge
schnittene Elektronenstrahl 7, der über die Ablenkeinheit 4
auf das zu beschreibende Subfeld 16 geführt und durch die Fo
kussiereinheit 5 gebündelt wurde, durch die beiden Ablenk
plattenpaare des Ablenkplattensystems 6 so geführt, daß die
Figur in einem Linienzug auf das Subfeld 16 geschrieben wird.
Die zweite Variante des Ablenkplattensystems 6 mit zwei Ab
lenkplattenpaaren hat den Vorteil, die Schreibfrequenz noch
einmal deutlich zu erhöhen. Auch hier bietet die kontinuier
liche Schreibweise, das heißt Abbildungen der Informationen
in einem Zug in der Fertigungstechnik für mikromechanische
Geräte, einen deutlichen Vorteil der zuvor erwähnten ge
rasterten Abbildungen.
Alle Informationen die die Steuergeräte 8, 9,10 betref
fen, kommen von einem Zentralrechner 11, so daß einerseits
die hochfrequente Abstimmung der zu schreibenden Information
gewährleistet ist und andererseits Änderungen schnell und ef
fizient durchgeführt werden können.
In Fig. 3 ist schematisch die Wirkung einer Korrekturma
trix 18 dargestellt, die auf alle übermittelten Steuerinfor
mationen wirkt. Die Korrekturmatrix wird über den Rechner 11
den Steuerbefehlen für das elektrostatische Ablenksystem 6
überlagert Etwaige Verzeichnungsfehler 17 resultierend aus
Drehung, Verschiebung, Verzerrung der Probe 13 werden durch
die Korrekturmatrix 18 so korrigiert, daß die Information
auch tatsächlich in der geplanten Art und Weise auf das
Schreibfeld 15 beziehungsweise Subfeld 16 geschrieben wird.
Die Korrekturmatrix führt zu einer Transformation der Ver
zeichnungsfehler 17 in geschriebene Information mit Korrektur
19.
Die Erfindung läßt es zu, ein herkömmliches Rasterelek
tronenmikroskop bereits werkseitig mit dem Ablenkplattensy
stem auszurüsten. Des weiteren wäre es denkbar, mehrere
Elektronenstrahlen von der Quelle aus abzuführen und damit
über eigene Steuersysteme auf die Probe 13 zu schreiben, so
daß die Produktivität weiter gesteigert wird. Ebenfalls ist
es denkbar, mehrere Schreib- und/oder Leseköpfe parallel
gleichzeitig zu verwenden, so daß entweder eine erhöhte
Schreibleistung entsteht oder die geschriebenen Strukturen
direkt nach dem Schreibvorgang in ihrer Wirkung auf die Ober
fläche 15 untersucht werden können. Ebenfalls ist es denkbar,
mehrere Schreibköpfe unabhängig voneinander über einen zu be
schriftenden Wafer zu führen, so daß mehrere integrierte
Schaltkreise, umgangssprachlich Computerchips genannt,
gleichartig oder voneinander verschieden hergestellt werden
können. Auch diese Maßnahme dient der Produktivitätssteige
rung. Durch einen derart erhöhten Durchsatz an Wafern sinken
auch die Produktionsstückkosten.
In Fig. 4 ist die punktförmig 21 aufgetragene Fig. 20 zu
sehen. Diese Figuren werden rasterförmig in Zeilen- 22 und
Spaltenform 23 aufgetragen.
In Fig. 5 ist eine in einem Zug geschriebene Fig. 24 zu
sehen.
Zusätzlich kann vorgesehen sein, den Probentisch über
eine vom Zentralrechner 11 angesteuerte Steuereinheit eben
falls in X- beziehungsweise X-Y-Richtung verfahrbar vorzuse
hen.
1
Rasterelektronenmikroskop
2
Elektronenquelle, z. B. Glühdraht
3
Beschleunigungseinheit
4
Ablenkeinheit, z. B. Spulenpaar(e)
5
Fokussiereinrichtung, z. B. Ringspule
6
elektrostatisches Ablenksystem
7
Elektronenstrahl
8
Steuergerät für die Beschleunigungseinheit
3
prägt u. a. die Information
8
' auf
8
' Aufgeprägte Information
9
Steuergerät für die Ablenkeinheit (
4
)
gibt die x-y Auslenkung vor
9
' x-y Auslenkung von
9
10
Steuergerät für das elektronische Ablenksystem
gibt die endgültige x-y Auslenkung
10
' an
11
Rechner zur Bestimmung und Übermittlung der Steuerdaten
12
Probentisch
13
Probe
14
Steuereinheit für den Probentisch
12
15
eigentliches Schreibfeld
16
eines der x-y Subfelder
17
geschriebene Information auf der Oberfläche ohne
Korrektur
18
Schematische Darstellung der Wirkung der Korrekturmatrix
19
geschriebene Information auf der Oberfläche mit
Korrektur
20
gerastert geschriebene Information, Punkte in Zeilen-
und Spaltenform
21
geschriebener Punkt
22
Zeile
23
Spalte
24
Einzügig gemalte/geschriebene Figur
Claims (8)
1. Vorrichtung (1) zum Steuern eines Strahls (7) aus elek
trisch geladenen Teilchen mit einer Quelle (2) zur Be
reitstellung der elektrisch geladenen Teilchen und einer
der Quelle (2) zugeordneten Beschleunigungseinheit (3)
sowie mit einer stromab der Quelle (2) vorgesehenen
elektromagnetischen Ablenkeinrichtung (4) zum Ablenken
des Strahls (7), welche mit einer elektrischen Wechsel
frequenz (9') vorbestimmter und bis zu einer durch die
elektromagnetischen Kenngrößen begrenzten Grenzfrequenz
beaufschlagt wird und mit einer stromab von der Ablenk
einrichtung (4) vorgesehenen Fokussiereinrichtung (5)
und mit Steuervorrichtungen (8, 9, 11) zum Aufprägen einer
vorbestimmten Informationsfolge (8') auf den Strahl (7)
und zum Ansteuern der Ablenkeinrichtung (4) mit Wechsel
frequenz (9'), dadurch gekennzeichnet, daß stromab
von der Fokussiereinrichtung (5) im Strahlengang des fo
kussierten Strahls (7) ein elektrostatisches Ablenkplat
tensystem (6) vorgesehen ist, mit zumindestens einem Ab
lenkplattenpaar, und daß die Steuereinheit (10, 11) die
sem Ablenkplattenpaar eine Ablenkfrequenz (10') auf
prägt, die höher als die elektrische Wechselfrequenz
(9') ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das elektrostatische Ablenkplattensystem (6) aus
mindestens zwei Ablenkplattenpaaren besteht, deren elek
trische Feldlinien sich gegenseitig kreuzen.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß die zwei Ablenkplattenpaare so angeordnet
sind, daß die Feldlinien sich gegenseitig rechtwinklig
kreuzen.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die Steuereinheit jedem dieser Ab
lenkplattenpaare jeweils eine Ablenkfrequenz aufprägt,
die höher als die elektrische Wechselfrequenz ist.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß das elektrostatische Ablenkplat
tensystem (6) über eine durch die Steuereinheit (10, 11)
übermittelte Korrekturmatrix (18) etwaige Zerrungen,
Verdrehungen, Verschiebungen der Unterlage (12) bezüg
lich des Schreibkopfes korrigiert.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß das Verhältnis aus der Ablenkfre
quenz (10') des elektrostatischen Ablenksystems (6) zur
maximalen Wechselfrequenz (9') des Schreibkopfes größer
als 100 : 1 ist.
7. Verfahren zur Beschriftung einer Oberfläche (13) durch
Bestrahlung mit einem Strahl (7) elektrisch geladener
Teilchen nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, daß der Strahl (7) die elektrischen
Feldlinien eines Ablenkplattenpaares (6) durchquert und
daß die Feldlinien nach Stärke und Richtung so orien
tiert sind, daß der Strahl unter einer vorgegebenen Fre
quenz die oberhalb von 100 kHz liegt, quer zu seiner
Strahlrichtung alternierend ausgelenkt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß der Strahl (7) in zwei zueinander senkrechten
Richtungen, jeweils mit einer Frequenz, die oberhalb von
100 kHz liegt, alternierend ausgelenkt wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1999111372 DE19911372A1 (de) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | Vorrichtung zum Steuern eines Strahls aus elektrisch geladenen Teilchen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1999111372 DE19911372A1 (de) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | Vorrichtung zum Steuern eines Strahls aus elektrisch geladenen Teilchen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19911372A1 true DE19911372A1 (de) | 2000-09-28 |
Family
ID=7900959
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1999111372 Withdrawn DE19911372A1 (de) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | Vorrichtung zum Steuern eines Strahls aus elektrisch geladenen Teilchen |
Country Status (1)
Country | Link |
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