JPH0456404A - 増幅装置 - Google Patents
増幅装置Info
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- JPH0456404A JPH0456404A JP2166117A JP16611790A JPH0456404A JP H0456404 A JPH0456404 A JP H0456404A JP 2166117 A JP2166117 A JP 2166117A JP 16611790 A JP16611790 A JP 16611790A JP H0456404 A JPH0456404 A JP H0456404A
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- transistor
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- collector
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 13
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
- H03F1/302—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in bipolar transistor amplifiers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野］
本発明はトランジスタ増幅装置に関し、特に、エミッタ
が接地された高周波用増幅回路のバイアス回路に関する
。
が接地された高周波用増幅回路のバイアス回路に関する
。
［従来の技術］
第３図は、電圧帰還型自己バイアス回路として知られる
従来の増幅装置の回路図である。同図に示されるように
、トランジスタ１のコレクタは信号出力端子１２に接続
されるとともに負荷８を介して電源端子１０に接続され
、エミッタは接地され、ベースは、信号入力端子１１に
接続されるとともに帰還用抵抗を介してコレクタと接続
されている。
従来の増幅装置の回路図である。同図に示されるように
、トランジスタ１のコレクタは信号出力端子１２に接続
されるとともに負荷８を介して電源端子１０に接続され
、エミッタは接地され、ベースは、信号入力端子１１に
接続されるとともに帰還用抵抗を介してコレクタと接続
されている。
第４図は、電流帰還型自己バイアス回路として知られる
回路の回路図である。この回路では、抵抗分割によって
生成された電圧をベースに与え、更にエミッタに抵抗を
接続して電流帰還をかけている。ここで、エミッタに接
続されているコンデンサは、入力信号に対してエミッタ
が接地されるように設けたものである。
回路の回路図である。この回路では、抵抗分割によって
生成された電圧をベースに与え、更にエミッタに抵抗を
接続して電流帰還をかけている。ここで、エミッタに接
続されているコンデンサは、入力信号に対してエミッタ
が接地されるように設けたものである。
「発明が解決しようとする課題］
第３図の従来例回路では、ベース−コレクタ間電圧は、
ベース電流と帰還抵抗の積で与えられるが、これが小さ
い場合にはトランジスタは飽和に近い状態で動作するこ
とになるため、高周波での特性が悪化する。トランジス
タを飽和させないようにするには帰還抵抗を大きくすれ
ばよいのであるが、例えばコレクタ電流５ｍＡ、ベース
電流５０μＡで、コレクターベース間電圧を２Ｖにする
には４０にΩの高抵抗が必要となる。集積回路において
は、このような高抵抗を形成することは一般に困難なこ
とである。
ベース電流と帰還抵抗の積で与えられるが、これが小さ
い場合にはトランジスタは飽和に近い状態で動作するこ
とになるため、高周波での特性が悪化する。トランジス
タを飽和させないようにするには帰還抵抗を大きくすれ
ばよいのであるが、例えばコレクタ電流５ｍＡ、ベース
電流５０μＡで、コレクターベース間電圧を２Ｖにする
には４０にΩの高抵抗が必要となる。集積回路において
は、このような高抵抗を形成することは一般に困難なこ
とである。
また、第４図の従来例では、コンデンサが必要となる不
都合がある外、エミッタが抵抗およびコンデンサを介し
て接地されていることから、高周波特性及び雑音特性が
エミッタを直接接地したものに比べて劣るという欠点が
あった。
都合がある外、エミッタが抵抗およびコンデンサを介し
て接地されていることから、高周波特性及び雑音特性が
エミッタを直接接地したものに比べて劣るという欠点が
あった。
［課題を解決するための手段］
本発明の増幅回路は、
コレクタが負荷を介して電源に接続され、エミッタが接
地された増幅用トランジスタと、増幅用トランジスタの
ベースにエミッタが接続され、コレクタが電源に接続さ
れた第１のバイアス用トランジスタと、 コレクタが定電流源を介して電源に接続され、エミッタ
が接地された定電流源用トランジスタ、およびベースと
エミッタがそれぞれ前記定電流源用トランジスタのコレ
クタとベースに接続され、コレクタが電源に接続された
第２のバイアス用トランジスタを有するバイアス電圧発
生回路と、を具備しており、そして第１のバイアス用ト
ランジスタのベースは、バイアス電圧発生回路の出力端
子である定電流源用トランジスタのコレクタに接続され
ている。
地された増幅用トランジスタと、増幅用トランジスタの
ベースにエミッタが接続され、コレクタが電源に接続さ
れた第１のバイアス用トランジスタと、 コレクタが定電流源を介して電源に接続され、エミッタ
が接地された定電流源用トランジスタ、およびベースと
エミッタがそれぞれ前記定電流源用トランジスタのコレ
クタとベースに接続され、コレクタが電源に接続された
第２のバイアス用トランジスタを有するバイアス電圧発
生回路と、を具備しており、そして第１のバイアス用ト
ランジスタのベースは、バイアス電圧発生回路の出力端
子である定電流源用トランジスタのコレクタに接続され
ている。
［実施例］
次に、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は、本発明の一実施例を示す回路図である。同図
に示されるように、増幅用トランジスタ１のベースは信
号入力端子１１に接続され、コレクタは信号出力端子１
２に接続されるとともに負荷８を介して電源端子１０に
接続され、またエミッタは接地されている。
に示されるように、増幅用トランジスタ１のベースは信
号入力端子１１に接続され、コレクタは信号出力端子１
２に接続されるとともに負荷８を介して電源端子１０に
接続され、またエミッタは接地されている。
定電流源７、トランジスタ２．３およびエミッタ抵抗１
５によって、バイアス電圧発生回路が構成されており、
その出力電圧はトランジスタ２のコレクタからとり出さ
れ、バイアス用トランジスタ４のベースに印加される。
５によって、バイアス電圧発生回路が構成されており、
その出力電圧はトランジスタ２のコレクタからとり出さ
れ、バイアス用トランジスタ４のベースに印加される。
バイアス用トランジスタ４は、エミッタ抵抗１６を介し
てトランジスタ１のベースへバイアス電流を供給する。
てトランジスタ１のベースへバイアス電流を供給する。
ここで、例えばトランジスタ３．４のサイズ比とトラン
ジスタ２．１のサイズ比とをそれぞれ１：１０とし、抵
抗１５と１６のサイズ比を１０：１（層抵抗は等しいも
のとする）とすれば、トランジスタ２とトランジスタ１
のベース−エミッタ間電圧は等しくなり、このときトラ
ンジスタ２の電流が１ｍＡであるものとすれば、トラン
ジスタ１の電流は１０ｍＡとなる。
ジスタ２．１のサイズ比とをそれぞれ１：１０とし、抵
抗１５と１６のサイズ比を１０：１（層抵抗は等しいも
のとする）とすれば、トランジスタ２とトランジスタ１
のベース−エミッタ間電圧は等しくなり、このときトラ
ンジスタ２の電流が１ｍＡであるものとすれば、トラン
ジスタ１の電流は１０ｍＡとなる。
なお、上記例では、トランジスタのサイズ比と抵抗のサ
イズ比により増幅用トランジスタの電流を決定していた
が、トランジスタのサイズ比のみあるいは抵抗のサイズ
比のみを変化させて、トランジスタ１に流れる電流をコ
ントロールするようにしてもよい。また、定電流源７が
抵抗によって構成されている場合にはこの抵抗の抵抗値
を変えてバイアス電流をコントロールしてもよい。
イズ比により増幅用トランジスタの電流を決定していた
が、トランジスタのサイズ比のみあるいは抵抗のサイズ
比のみを変化させて、トランジスタ１に流れる電流をコ
ントロールするようにしてもよい。また、定電流源７が
抵抗によって構成されている場合にはこの抵抗の抵抗値
を変えてバイアス電流をコントロールしてもよい。
なお、第１図の回路でエミッタ抵抗１６を設けたのは、
バイアス回路が信号系に与える影響を極力少なくするた
めであるので、信号入力端子１１からトランジスタ４を
みたインピーダンスが信号系のインピーダンスに比較し
て十分高い場合にはこれを省略することができる。エミ
ッタ抵抗１５は省略されても信号系に影響を与えること
はないので、適宜除去することができる。
バイアス回路が信号系に与える影響を極力少なくするた
めであるので、信号入力端子１１からトランジスタ４を
みたインピーダンスが信号系のインピーダンスに比較し
て十分高い場合にはこれを省略することができる。エミ
ッタ抵抗１５は省略されても信号系に影響を与えること
はないので、適宜除去することができる。
第２図は、本発明の他の実施例を示す回路図である。こ
の実施例では、定電流源７、トランジスタ２．３、抵抗
１５から構成されるバイアス電圧発生回路の出力電圧は
、複数の増幅回路のバイアス用トランジスタのベースに
印加されている。すなわち、本実施例では、第１図にお
ける増幅回路の外に、増幅用トランジスタ５、バイアス
用トランジスタ６、エミッタ抵抗１７および負荷９から
なる増幅回路が増設されている。増幅用トランジスタ５
のベース、コレクタはそれぞれ信号入力端子１３、信号
出力端子１４に接続されている。
の実施例では、定電流源７、トランジスタ２．３、抵抗
１５から構成されるバイアス電圧発生回路の出力電圧は
、複数の増幅回路のバイアス用トランジスタのベースに
印加されている。すなわち、本実施例では、第１図にお
ける増幅回路の外に、増幅用トランジスタ５、バイアス
用トランジスタ６、エミッタ抵抗１７および負荷９から
なる増幅回路が増設されている。増幅用トランジスタ５
のベース、コレクタはそれぞれ信号入力端子１３、信号
出力端子１４に接続されている。
バイアス電圧発生回路がバイアス用トランジスタに供給
すべき電流は、増幅用トランジスタのベース電流の１
／ ｈ ＦＥで済むことから、本実施例のように、一つ
のバイアス電圧発生回路により複数の増幅回路のバイア
ス電流をとり出しても、問題なく動作させることができ
る。また、本実施例を集積回路内に実現する場合におい
て、増幅用トランジスタ間にバイアス用トランジスタを
配置するようにすれば、増幅用トランジスタ間のアイソ
レーションをより確実にすることができる。
すべき電流は、増幅用トランジスタのベース電流の１
／ ｈ ＦＥで済むことから、本実施例のように、一つ
のバイアス電圧発生回路により複数の増幅回路のバイア
ス電流をとり出しても、問題なく動作させることができ
る。また、本実施例を集積回路内に実現する場合におい
て、増幅用トランジスタ間にバイアス用トランジスタを
配置するようにすれば、増幅用トランジスタ間のアイソ
レーションをより確実にすることができる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明は、バイアス電圧発生回路
の出力電圧をベース入力とするトランジスタのコレクタ
電流を増幅用トランジスタのベース電流とするものであ
るので、本発明によれば、増幅用トランジスタのバイア
ス電流を、カレントミラー構成と同様に安定に供給する
ことができ、従来の電圧帰還型増幅回路のように高抵抗
値の抵抗を使用することなく、増幅用トランジスタを所
望の動作点で動作させることができる。また、本発明に
よれば、エミッタは直接接地されているので、回路の雑
音特性、高周波特性を良好に維持することができる。
の出力電圧をベース入力とするトランジスタのコレクタ
電流を増幅用トランジスタのベース電流とするものであ
るので、本発明によれば、増幅用トランジスタのバイア
ス電流を、カレントミラー構成と同様に安定に供給する
ことができ、従来の電圧帰還型増幅回路のように高抵抗
値の抵抗を使用することなく、増幅用トランジスタを所
望の動作点で動作させることができる。また、本発明に
よれば、エミッタは直接接地されているので、回路の雑
音特性、高周波特性を良好に維持することができる。
第１図、第２図は、それぞれ本発明の実施例を示す回路
図、第３図、第４図は、それぞれ従来例の回路図である
。 １〜６・・・トランジスタ、 ７・・・定電流源、８
．９・・負荷、 １０・・・電源端子、 １１
．１３・・・信号入力端子、 １２．１４・・・信号
出力端子、 １５．１６．１７・・・抵抗。
図、第３図、第４図は、それぞれ従来例の回路図である
。 １〜６・・・トランジスタ、 ７・・・定電流源、８
．９・・負荷、 １０・・・電源端子、 １１
．１３・・・信号入力端子、 １２．１４・・・信号
出力端子、 １５．１６．１７・・・抵抗。
Claims (2)
- （１）ベースが信号入力端子に接続されコレクタが信号
出力端子に接続されるとともに負荷を介して電源を接続
されエミッタが接地された第１のトランジスタと、コレ
クタが定電流源を介して電源に接続されエミッタが接地
された第２のトランジスタと、ベースとエミッタが前記
第２のトランジスタのコレクタとベースとにそれぞれ接
続されコレクタが電源に接続された第３のトランジスタ
と、ベースが前記第２のトランジスタのコレクタに接続
されコレクタが電源に接続されエミッタが前記第１のト
ランジスタのベースに接続された第４のトランジスタと
、を具備する増幅装置。 - （２）前記第４のトランジスタのエミッタと前記第１の
トランジスタのベースとの間または前記第４のトランジ
スタのエミッタと前記第１のトランジスタのベースとの
間および前記第３のトランジスタのエミッタと前記第２
のトランジスタのベースとの間に抵抗が接続されている
請求項１記載の増幅装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2166117A JPH0456404A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 増幅装置 |
| US07/719,812 US5150076A (en) | 1990-06-25 | 1991-06-24 | Emitter-grounded amplifier circuit with bias circuit |
| DE69113523T DE69113523T2 (de) | 1990-06-25 | 1991-06-25 | Emittergeerdete Verstärkerschaltung mit Vorspannungsschaltung. |
| EP91305734A EP0463857B1 (en) | 1990-06-25 | 1991-06-25 | Emitter-grounded amplifier circuit with bias circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2166117A JPH0456404A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 増幅装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456404A true JPH0456404A (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=15825346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2166117A Pending JPH0456404A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 増幅装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5150076A (ja) |
| EP (1) | EP0463857B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0456404A (ja) |
| DE (1) | DE69113523T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008154280A (ja) * | 2008-03-11 | 2008-07-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バイアス回路 |
| JP2008295063A (ja) * | 2000-11-03 | 2008-12-04 | Qualcomm Inc | 電子デバイスを線形化するための回路 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2687027B1 (fr) * | 1992-01-31 | 1994-03-25 | Thomson Composants Milit Spatiau | Amplificateur a transistor suiveur. |
| US5268649A (en) * | 1992-08-03 | 1993-12-07 | Texas Instruments Incorporated | Bias circuit for bipolar transistors |
| MY112702A (en) * | 1992-10-30 | 2001-08-30 | Sony Corp | Reproducing circuit for a magnetic head. |
| US5809410A (en) * | 1993-07-12 | 1998-09-15 | Harris Corporation | Low voltage RF amplifier and mixed with single bias block and method |
| US5432479A (en) * | 1994-03-31 | 1995-07-11 | U.S. Philips Corporation | D.C. current compensation circuit for a nonlinear amplifier |
| US5436595A (en) * | 1994-08-01 | 1995-07-25 | Hewlett-Packard Company | Low voltage bipolar amplifier |
| US5548248A (en) * | 1995-07-30 | 1996-08-20 | Wang; Nan L. L. | RF amplifier circuit |
| US5654672A (en) * | 1996-04-01 | 1997-08-05 | Honeywell Inc. | Precision bias circuit for a class AB amplifier |
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| US6639470B1 (en) * | 2000-10-06 | 2003-10-28 | Skyworks Solutions, Inc. | Constant current biasing circuit for linear power amplifiers |
| WO2002045253A1 (fr) * | 2000-12-01 | 2002-06-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Amplificateur haute fréquence |
| US6529079B2 (en) * | 2000-12-29 | 2003-03-04 | Triquint Semiconductor, Inc. | RF power amplifier with distributed bias circuit |
| KR100550930B1 (ko) * | 2003-05-15 | 2006-02-13 | 학교법인 한국정보통신학원 | 전력증폭기를 위한 능동 바이어스 회로 |
| JP3847756B2 (ja) * | 2004-02-25 | 2006-11-22 | 松下電器産業株式会社 | 高周波増幅回路 |
| US20070040613A1 (en) * | 2005-08-19 | 2007-02-22 | Chow Yut H | Isolated stable bias circuit |
| US9632522B2 (en) * | 2015-04-15 | 2017-04-25 | Skyworks Solutions, Inc. | Current mirror bias circuit with voltage adjustment |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3534245A (en) * | 1967-12-08 | 1970-10-13 | Rca Corp | Electrical circuit for providing substantially constant current |
| US3903479A (en) * | 1974-01-24 | 1975-09-02 | Rca Corp | Transistor base biasing using semiconductor junctions |
| JPS5714918A (en) * | 1980-07-02 | 1982-01-26 | Sony Corp | Constant current circuit |
| US4577296A (en) * | 1984-03-01 | 1986-03-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Compensation current generator |
| US4583051A (en) * | 1984-11-06 | 1986-04-15 | Precision Monolithics, Inc. | Extended range amplifier circuit |
| EP0314227A3 (en) * | 1987-10-30 | 1991-03-20 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Wideband single-ended voltage-to current converter and gain-control circuit |
-
1990
- 1990-06-25 JP JP2166117A patent/JPH0456404A/ja active Pending
-
1991
- 1991-06-24 US US07/719,812 patent/US5150076A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-06-25 EP EP91305734A patent/EP0463857B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-06-25 DE DE69113523T patent/DE69113523T2/de not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0463857B1 (en) | 1995-10-04 |
| DE69113523T2 (de) | 1996-02-29 |
| US5150076A (en) | 1992-09-22 |
| DE69113523D1 (de) | 1995-11-09 |
| EP0463857A1 (en) | 1992-01-02 |
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