JPH0456252A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0456252A JPH0456252A JP16721390A JP16721390A JPH0456252A JP H0456252 A JPH0456252 A JP H0456252A JP 16721390 A JP16721390 A JP 16721390A JP 16721390 A JP16721390 A JP 16721390A JP H0456252 A JPH0456252 A JP H0456252A
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- wiring
- oxide film
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- viahole
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Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置を多層配線する際に、バイアホー
ルコンタクト抵抗のばらつきを低減する半導体装置の製
造方法に関するものである。
ルコンタクト抵抗のばらつきを低減する半導体装置の製
造方法に関するものである。
従来の技術
近年、半導体装置は、微細化、高集積化に伴い、多層配
線が広(利用されるようになってきた。
線が広(利用されるようになってきた。
以下に従来の半導体装置の製造方法について説明する。
第5図から第7図は従来の半導体装置の製造方法の工程
順断面図を示すものである。第5図において、11は半
導体基板、12は第1層間絶縁膜、13は第1アルミニ
ウム配線、14は第2層間絶縁膜、15はレジストであ
る。第6図において、16はアルミニウム酸化膜である
。第7図において、17は第2アルミニウム配線である
。
順断面図を示すものである。第5図において、11は半
導体基板、12は第1層間絶縁膜、13は第1アルミニ
ウム配線、14は第2層間絶縁膜、15はレジストであ
る。第6図において、16はアルミニウム酸化膜である
。第7図において、17は第2アルミニウム配線である
。
以上のように、構成された半導体装置の製造方法の工程
について説明する。
について説明する。
まず、第5図において、半導体基板11の表面に、第1
層間絶縁膜12.第1アルミニウム配線13、第2層間
絶縁膜14を形成する。次に、周知のフォトリソ工程に
より、レジスト15を形成し、そして、レジスト15を
マスクに第2層間絶縁膜14をエツチングして、バイア
ホールを形成する。次に、第6図において、アッシング
とウェットクリーニングにより、レジスト15を除去す
る。このレジスト除去工程の間に、バイアホール部の第
1アルミニウム配線13が酸化されて、アルミニウム酸
化膜16が形成される。このアルミニラム酸化膜16は
絶縁膜である。次に、第7図おいて、周知のスパッタ法
により、第1アルミニウム配線13のバイアホール部に
成形されたアルミニウム酸化膜16のエツチングと、ア
ルミニウム蒸着を連続で行い、周知のフォトリソ工程と
エツチング工程により、第2アルミニウム配線17を形
成する。
層間絶縁膜12.第1アルミニウム配線13、第2層間
絶縁膜14を形成する。次に、周知のフォトリソ工程に
より、レジスト15を形成し、そして、レジスト15を
マスクに第2層間絶縁膜14をエツチングして、バイア
ホールを形成する。次に、第6図において、アッシング
とウェットクリーニングにより、レジスト15を除去す
る。このレジスト除去工程の間に、バイアホール部の第
1アルミニウム配線13が酸化されて、アルミニウム酸
化膜16が形成される。このアルミニラム酸化膜16は
絶縁膜である。次に、第7図おいて、周知のスパッタ法
により、第1アルミニウム配線13のバイアホール部に
成形されたアルミニウム酸化膜16のエツチングと、ア
ルミニウム蒸着を連続で行い、周知のフォトリソ工程と
エツチング工程により、第2アルミニウム配線17を形
成する。
このようにして、多層配線パターンが形成される。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記従来の方法では、バイアホール部に
形成されたアルミニウム酸化膜のエツチングが不十分と
なり、バイアホールコンタクト不良を引き起こしたり、
また、長時間のアルミニウム酸化膜のスパッタエッチに
よる素子へのダメージが発生するという問題があった。
形成されたアルミニウム酸化膜のエツチングが不十分と
なり、バイアホールコンタクト不良を引き起こしたり、
また、長時間のアルミニウム酸化膜のスパッタエッチに
よる素子へのダメージが発生するという問題があった。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、バイアホ
ールコンタクトの安定と素子へのダメージ低減を図った
半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
ールコンタクトの安定と素子へのダメージ低減を図った
半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明の半導体装置の製造方
法は、バイアホール部に形成されたアルミニウム酸化膜
のウェットエッチ工程を有している。
法は、バイアホール部に形成されたアルミニウム酸化膜
のウェットエッチ工程を有している。
作用
このウェットエッチ工程により、アルミニウム酸化膜が
除去され、スパッタ法によるアルミニウム酸化膜エッチ
が、従来よりも短時間で可能となり、バイアホールコン
タクトの安定と素子へのダメージ低減を図ることができ
る。
除去され、スパッタ法によるアルミニウム酸化膜エッチ
が、従来よりも短時間で可能となり、バイアホールコン
タクトの安定と素子へのダメージ低減を図ることができ
る。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第1図から第4図は本発明の一実施例における半導体装
置の製造方法の工程順断面図である。第1図において、
1は半導体基板、2は第1層間絶縁膜、3は第1アルミ
ニウム配線、4は第2層間絶縁膜、5はレジストである
。第2図において、6はアルミニウム酸化膜である。第
4図において7は第2アルミニウム配線である。
置の製造方法の工程順断面図である。第1図において、
1は半導体基板、2は第1層間絶縁膜、3は第1アルミ
ニウム配線、4は第2層間絶縁膜、5はレジストである
。第2図において、6はアルミニウム酸化膜である。第
4図において7は第2アルミニウム配線である。
以上のように構成された半導体装置の製造方法の工程に
ついて説明する。
ついて説明する。
まず、第1図において、半導体基板1の表面に、第1層
間絶縁膜2.第1アルミニウム配線3、第2層間絶縁膜
4を形成する。次に周知のフォトリソ工程により、レジ
スト5を形成し、そして、レジスト5をマスクに第2層
間絶縁膜4をエツチングして、バイアホールを形成する
。次に、第2図において、アッシングとウェットクリー
ニングにより、レジスト5を除去する。このレジスト除
去工程の間に、バイアホール部の第1アルミニウム配線
3が酸化されて、アルミニウム酸化膜6が形成される。
間絶縁膜2.第1アルミニウム配線3、第2層間絶縁膜
4を形成する。次に周知のフォトリソ工程により、レジ
スト5を形成し、そして、レジスト5をマスクに第2層
間絶縁膜4をエツチングして、バイアホールを形成する
。次に、第2図において、アッシングとウェットクリー
ニングにより、レジスト5を除去する。このレジスト除
去工程の間に、バイアホール部の第1アルミニウム配線
3が酸化されて、アルミニウム酸化膜6が形成される。
このアルミニウム酸化膜6は絶縁膜である。次に、第3
図において、1%程度のアルカリ溶液により、アルミニ
ウム酸化膜6をウェットエッチする。このことにより、
アルミニウム酸化膜6は完全に除去される。ただし、ウ
ェットエッチ後の水洗、および大気中への放置により、
ごく薄い自然酸化膜が形成される。次に、第4図におい
て、周知スパッタ法により、従来の約1/10程度のス
パッタ時間での自然酸化膜エツチングと、アルミ蒸着を
連続で行い、周知のフォトリソ工程とエツチング工程に
より、第2アルミニウム配線7を形成する。
図において、1%程度のアルカリ溶液により、アルミニ
ウム酸化膜6をウェットエッチする。このことにより、
アルミニウム酸化膜6は完全に除去される。ただし、ウ
ェットエッチ後の水洗、および大気中への放置により、
ごく薄い自然酸化膜が形成される。次に、第4図におい
て、周知スパッタ法により、従来の約1/10程度のス
パッタ時間での自然酸化膜エツチングと、アルミ蒸着を
連続で行い、周知のフォトリソ工程とエツチング工程に
より、第2アルミニウム配線7を形成する。
以上のように、本実施例によれば、アルミニウム酸化膜
のウェットエッチ工程を挿入することにより、バイアホ
ールコンタクト抵抗の安定とスパッタエツチング時間の
短縮による素子へのダメージ低減を図ることができる。
のウェットエッチ工程を挿入することにより、バイアホ
ールコンタクト抵抗の安定とスパッタエツチング時間の
短縮による素子へのダメージ低減を図ることができる。
なお、実施例において、配線はアルミニウム配線とした
が、シリサイド等、配線材料となり得るものであれば良
い。
が、シリサイド等、配線材料となり得るものであれば良
い。
また、実施例において、ウェットエッチ溶液は、アルカ
リ溶液としたが、配線材料の酸化膜をエツチング可能な
溶液であれば良い。
リ溶液としたが、配線材料の酸化膜をエツチング可能な
溶液であれば良い。
発明の効果
以上のように本発明は、下層金属配線表面の酸化物除去
のためにウェットエッチ工程を挿入することにより、バ
イアホールコンタクト抵抗の安定と素子へのダメージ低
減を図ることができる優れた半導体装置の製造方法を実
現できるものである。
のためにウェットエッチ工程を挿入することにより、バ
イアホールコンタクト抵抗の安定と素子へのダメージ低
減を図ることができる優れた半導体装置の製造方法を実
現できるものである。
第1図から第4図は本発明の実施例における半導体装置
の製造方法の工程順断面図、第5図から第7図は従来の
半導体装置の製造方法の工程順断面図である。 1・・・・・・半導体基板、2・・・・・・第1層間絶
縁膜、3・・・・・・第1アルミニウム配線、4・・・
・・・第2層間絶縁膜、5・・・・・・レジスト、6・
・・・・・アルミニウム酸化膜、7・・・・・・第2ア
ルミニウム配線。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名h
4 tn 凶
の製造方法の工程順断面図、第5図から第7図は従来の
半導体装置の製造方法の工程順断面図である。 1・・・・・・半導体基板、2・・・・・・第1層間絶
縁膜、3・・・・・・第1アルミニウム配線、4・・・
・・・第2層間絶縁膜、5・・・・・・レジスト、6・
・・・・・アルミニウム酸化膜、7・・・・・・第2ア
ルミニウム配線。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名h
4 tn 凶
Claims (1)
- 多層配線形成工程において、バイアホール形成後、下
層金属配線表面に形成された下層金属酸化物をウェット
エッチする工程と、ウェットエッチ工程後、ただちに、
上層金属配線膜を被着する工程を備えた半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16721390A JPH0456252A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16721390A JPH0456252A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0456252A true JPH0456252A (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=15845525
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16721390A Pending JPH0456252A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0456252A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007100766A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Aisin Aw Co Ltd | 自動変速機とレンジ切換え装置 |
-
1990
- 1990-06-25 JP JP16721390A patent/JPH0456252A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007100766A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Aisin Aw Co Ltd | 自動変速機とレンジ切換え装置 |
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