JPS58155A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS58155A JPS58155A JP9852781A JP9852781A JPS58155A JP S58155 A JPS58155 A JP S58155A JP 9852781 A JP9852781 A JP 9852781A JP 9852781 A JP9852781 A JP 9852781A JP S58155 A JPS58155 A JP S58155A
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- JP
- Japan
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- wiring
- resist
- groove
- manufacturing
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法にかかシ、特に集積回路
の配線の製造方法に関するものである。
の配線の製造方法に関するものである。
近年集積回路の集積度の向上は著しいものが有り、今後
もさらに向上することが予想される。それに伴ない配Ｉ
ＩＯ微細化及び多層構造が必須条件になってきている。
もさらに向上することが予想される。それに伴ない配Ｉ
ＩＯ微細化及び多層構造が必須条件になってきている。
一般に金属配線を用いた集積回路の配線は層間絶縁物の
上に蒸着方法を用いた金属層を形成し。
上に蒸着方法を用いた金属層を形成し。
配１ｍパターンをマスクによるエツチング技術を使って
行なう。
行なう。
従来の配線製造方法を図を用いて異体的に説明する。第
１！ｌは一般に金属を配線に用い九場合の集積回路の配
線断面図である。シリコン基板４１上に酸化シリコン膜
１２などの配線層間絶縁物を設け、その上に金層配線部
１３を設置ている。同図において配線層間絶縁物１２の
上に金属層１３を形成する方法社命後Ｏ集積度の向上に
不利である。それは高集積度による金属配線の多層化を
考えた場合に、下層の金属部と眉間絶縁部の段差を上層
の金属配線が横断する時にこの上層の金属配線が段切れ
を起こす原因となる。このように層間絶縁部の上に金属
層を形成する製造方法でれ１次の配線層の段切れを誘発
し、集積回路の製造に大きな支障をきたす。
１！ｌは一般に金属を配線に用い九場合の集積回路の配
線断面図である。シリコン基板４１上に酸化シリコン膜
１２などの配線層間絶縁物を設け、その上に金層配線部
１３を設置ている。同図において配線層間絶縁物１２の
上に金属層１３を形成する方法社命後Ｏ集積度の向上に
不利である。それは高集積度による金属配線の多層化を
考えた場合に、下層の金属部と眉間絶縁部の段差を上層
の金属配線が横断する時にこの上層の金属配線が段切れ
を起こす原因となる。このように層間絶縁部の上に金属
層を形成する製造方法でれ１次の配線層の段切れを誘発
し、集積回路の製造に大きな支障をきたす。
本発明の目的は絶縁膜上に形成された金属配線部とこの
金属配線の上にある層間絶縁物によって形成される段差
を無くすことのできる半導体装置の製造方法を提供する
ものである。
金属配線の上にある層間絶縁物によって形成される段差
を無くすことのできる半導体装置の製造方法を提供する
ものである。
上記目的を達成するために本発明の製造方法は、層間絶
縁物上に溝を作りそこに金属配線を敷くととＫより段差
を無くすことを特徴とするものである。
縁物上に溝を作りそこに金属配線を敷くととＫより段差
を無くすことを特徴とするものである。
次に図を用いて本発明の実施例の製造方法を説明する。
第２図（ａ）Ｆｉ金属配線パターンにそって層間絶縁物
を深さ０．５μｍにエツチングした図である。図で２１
はシリコン基板であシ％２２は１．０μｍの二酸化シリ
コンの層間絶縁物である０次に第２図（ｂ）は層間絶縁
物上に真空蒸着方法により０．５μｍのアルミの金属層
２３を形成し、その上にフォトレジスト２４を３０００
回転／毎分で回転法によシ塗布した図である。この時エ
ツチング開孔上のアルミ上のレジストは厚く、他の周辺
のアルミ上には薄く形成される。続く第２図（Ｃ）はこ
の開孔上の金属配線部の７オトレジストの厚さと周辺部
の７オトレジストの厚さの違いを利用して周辺金属部が
表面に出るまでフォトレジスト２４を現俸液によシエ、
チングしたものである。？：、０レジストのエツチング
は例えばフレオンガスによるプラズマエッチ”ｔ’４！
い、１に２図（ｄ）はこのフォトレジストをマスクにし
て周辺金属部をプラズマエツチングするととＫよシ得ら
れた金属配線の断面図である。
を深さ０．５μｍにエツチングした図である。図で２１
はシリコン基板であシ％２２は１．０μｍの二酸化シリ
コンの層間絶縁物である０次に第２図（ｂ）は層間絶縁
物上に真空蒸着方法により０．５μｍのアルミの金属層
２３を形成し、その上にフォトレジスト２４を３０００
回転／毎分で回転法によシ塗布した図である。この時エ
ツチング開孔上のアルミ上のレジストは厚く、他の周辺
のアルミ上には薄く形成される。続く第２図（Ｃ）はこ
の開孔上の金属配線部の７オトレジストの厚さと周辺部
の７オトレジストの厚さの違いを利用して周辺金属部が
表面に出るまでフォトレジスト２４を現俸液によシエ、
チングしたものである。？：、０レジストのエツチング
は例えばフレオンガスによるプラズマエッチ”ｔ’４！
い、１に２図（ｄ）はこのフォトレジストをマスクにし
て周辺金属部をプラズマエツチングするととＫよシ得ら
れた金属配線の断面図である。
以上述べたように本発明の製造方法を使えば従来方法に
比べて金属配線によ〕形成される段差を無くシ、高集積
度に伴なう多層構造を可能にする。
比べて金属配線によ〕形成される段差を無くシ、高集積
度に伴なう多層構造を可能にする。
さらに本発明の特徴として従来性なっている手法で製造
することが可能である。
することが可能である。
第１図は従来の製造方法による集積回路の配線断面図で
あシ、第２図は本発明の実施例の製造方法を工租順に示
す断面図である。 尚１図において、１１．２１−・・・・・シリコン基板
、１２．２２・・・・・・配線層間絶縁物、１３．２３
・−・・・・金属配線、２４−°・・・フォトレジスト
である。 羊 ２ 凹
あシ、第２図は本発明の実施例の製造方法を工租順に示
す断面図である。 尚１図において、１１．２１−・・・・・シリコン基板
、１２．２２・・・・・・配線層間絶縁物、１３．２３
・−・・・・金属配線、２４−°・・・フォトレジスト
である。 羊 ２ 凹
Claims (1)
- 基板上に絶縁層を形成する工程と、該絶縁層に溝を形成
する工程と、該絶縁物上に導電層を形成し、皺導電層上
にレジストを形成する工程と、該絶縁物の溝上の皺導電
層上にのみレジストを残す工程と、該残余せるレジスト
をマスクとして該溝内の導電層以外の導電層の部分をエ
ツチングする工程とを有する事を特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9852781A JPS58155A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9852781A JPS58155A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58155A true JPS58155A (ja) | 1983-01-05 |
Family
ID=14222137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9852781A Pending JPS58155A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58155A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6074456A (ja) * | 1983-06-16 | 1985-04-26 | デイジタル イクイプメントコ−ポレ−シヨン | 異方性リアクテイブイオン・エツチングによつて凹部に配置されたパタ−ン、及びそれによつて戦策される高密度多層金属化集積回路 |
-
1981
- 1981-06-25 JP JP9852781A patent/JPS58155A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6074456A (ja) * | 1983-06-16 | 1985-04-26 | デイジタル イクイプメントコ−ポレ−シヨン | 異方性リアクテイブイオン・エツチングによつて凹部に配置されたパタ−ン、及びそれによつて戦策される高密度多層金属化集積回路 |
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