JPH0455530B2 - - Google Patents
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- JPH0455530B2 JPH0455530B2 JP61309537A JP30953786A JPH0455530B2 JP H0455530 B2 JPH0455530 B2 JP H0455530B2 JP 61309537 A JP61309537 A JP 61309537A JP 30953786 A JP30953786 A JP 30953786A JP H0455530 B2 JPH0455530 B2 JP H0455530B2
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- conductive elastomer
- elastomer layer
- electrode substrate
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はICチツプの実装方法に関するもの
である。
である。
従来ICチツプの実装方法としては、ワイヤー
ボンデイング法が一般的であり、ICのボンデイ
ングパツド部にワイヤーボンデイングをして、そ
の上を樹脂でポツテイングする手段が一般的に行
なわれている。また一部TAB（Tape
Automated Bonding）も利用されている。その
ほか導電ゴムコネクタを用いる実装法も提案され
ている。これはポリイミド系などの樹脂に、IC
基板に設けたバンプに対向するように穴を開け
て、そこにカーボンを入れたシリコンゴムを充填
してなる導電ゴムコネクタを用いるものである
（NIKKEI ELECTRONICS MICRODEVICES
1984.6.11）。
ボンデイング法が一般的であり、ICのボンデイ
ングパツド部にワイヤーボンデイングをして、そ
の上を樹脂でポツテイングする手段が一般的に行
なわれている。また一部TAB（Tape
Automated Bonding）も利用されている。その
ほか導電ゴムコネクタを用いる実装法も提案され
ている。これはポリイミド系などの樹脂に、IC
基板に設けたバンプに対向するように穴を開け
て、そこにカーボンを入れたシリコンゴムを充填
してなる導電ゴムコネクタを用いるものである
（NIKKEI ELECTRONICS MICRODEVICES
1984.6.11）。
さらに、ICチツプのボンデイングパツド上に
導電性エラストマを形成して、この導電性エラス
トマを介して外部基板と接続するものもある（特
開昭52−77587号公報に開示）。
導電性エラストマを形成して、この導電性エラス
トマを介して外部基板と接続するものもある（特
開昭52−77587号公報に開示）。
上記従来例において、ワイヤーボンデイング法
は高価なボンデイング装置が必要になる上に、多
端子になるとコストアツプになる。TAB法はボ
ンデイング装置を必要とするほか、ICのボンデ
イングパツドにバンプ電極を形成する工程が複雑
でICチツプのコストが高くなるという欠点があ
る。さらに導電ゴムを用いた実装法では、ICチ
ツプ、導電ゴムコネクタ、電極基板の３部品を含
むので、ICチツプと導電ゴムコネクタの位置合
せをしても、電極基板まで合せようとすると、コ
ネクタがずれたりして位置合せが面倒であつた。
さらにこの３つの従来例ではいずれも、耐湿性確
保のため、接合部をポツテイング剤でモールドす
る必要がありコストアツプとなつていた。
は高価なボンデイング装置が必要になる上に、多
端子になるとコストアツプになる。TAB法はボ
ンデイング装置を必要とするほか、ICのボンデ
イングパツドにバンプ電極を形成する工程が複雑
でICチツプのコストが高くなるという欠点があ
る。さらに導電ゴムを用いた実装法では、ICチ
ツプ、導電ゴムコネクタ、電極基板の３部品を含
むので、ICチツプと導電ゴムコネクタの位置合
せをしても、電極基板まで合せようとすると、コ
ネクタがずれたりして位置合せが面倒であつた。
さらにこの３つの従来例ではいずれも、耐湿性確
保のため、接合部をポツテイング剤でモールドす
る必要がありコストアツプとなつていた。
また、導電性エラストマを用いる場合、この導
電性エラストマが粘着性を有するものであると、
一旦位置合せを行なうとICチツプの移動ができ
ないため、位置合せ作業には厳密さが要求され
る。一方、導電性エラストマが粘着性をもたない
ものであると、作業中にICチツプがずれてしま
う恐れがある。このようにいずれにしても取付作
業が煩雑であつた。
電性エラストマが粘着性を有するものであると、
一旦位置合せを行なうとICチツプの移動ができ
ないため、位置合せ作業には厳密さが要求され
る。一方、導電性エラストマが粘着性をもたない
ものであると、作業中にICチツプがずれてしま
う恐れがある。このようにいずれにしても取付作
業が煩雑であつた。
そこで本発明の目的は、位置合せや基板への取
付作業が極めて容易かつ低コストで行ない得る
ICチツプの実装方法を提供することにある。
付作業が極めて容易かつ低コストで行ない得る
ICチツプの実装方法を提供することにある。
本発明によると、ICチツプのボンデイングパ
ツド上には、室温では非粘着性を示すとともに高
温では粘着性を示す導電性エラストマ層が、表面
より突出するように形成されている。そしてこの
ICチツプを、上記ボンデイングパツドに対応す
る電極を有する電極基板と対向させて、ICチツ
プと電極基板とを導電性エラストマ層の高温にお
ける粘着性により仮固定した後、押圧保持手段に
より押圧保持する。
ツド上には、室温では非粘着性を示すとともに高
温では粘着性を示す導電性エラストマ層が、表面
より突出するように形成されている。そしてこの
ICチツプを、上記ボンデイングパツドに対応す
る電極を有する電極基板と対向させて、ICチツ
プと電極基板とを導電性エラストマ層の高温にお
ける粘着性により仮固定した後、押圧保持手段に
より押圧保持する。
本発明に係る実装方法によると、ICチツプの
導電性エラストマ層が、温度を変化させることに
より粘着性にしたり非粘着性にしたりできるもの
であるため、非粘着性状態において電極基板上で
ICチツプをずらしながら位置合せ工程が行なえ
るとともに、粘着性状態において器具を用いるこ
となく両者を仮固定して保持工程が行なえる。
導電性エラストマ層が、温度を変化させることに
より粘着性にしたり非粘着性にしたりできるもの
であるため、非粘着性状態において電極基板上で
ICチツプをずらしながら位置合せ工程が行なえ
るとともに、粘着性状態において器具を用いるこ
となく両者を仮固定して保持工程が行なえる。
以下本発明の一実施例を図面を参照して説明す
る。
る。
まず、本発明において用いられるICチツプに
ついて説明する。第１図に示すように、ICチツ
プ１のボンデイングパツド２上には、導電性エラ
ストマ層３が形成されており、この導電性エラス
トマ層３はICチツプ１の表面、すなわち、パシ
ベーシヨン膜４の面より高く突出している。
ついて説明する。第１図に示すように、ICチツ
プ１のボンデイングパツド２上には、導電性エラ
ストマ層３が形成されており、この導電性エラス
トマ層３はICチツプ１の表面、すなわち、パシ
ベーシヨン膜４の面より高く突出している。
この導電性エラストマ層３の材料としては、室
温では非粘着性で高温になると粘着性を有する未
硬化シリコンゴムに、表面が金メツキコートされ
た2μm以下のニツケル粉が混入されたものが用い
られる。そしてニツケル粉が混入されたシリコン
ゴムを、メタルマスクを用いてICチツプのボン
デイングパツドの上にしごき印刷した後、シリコ
ンゴムを硬化して導電性エラストマ層３を形成す
る。実際には、この工程はウエハの状態で多数の
ICを同時に処理し、その後スクライブして１個
ずつのICチツプとすればよい。
温では非粘着性で高温になると粘着性を有する未
硬化シリコンゴムに、表面が金メツキコートされ
た2μm以下のニツケル粉が混入されたものが用い
られる。そしてニツケル粉が混入されたシリコン
ゴムを、メタルマスクを用いてICチツプのボン
デイングパツドの上にしごき印刷した後、シリコ
ンゴムを硬化して導電性エラストマ層３を形成す
る。実際には、この工程はウエハの状態で多数の
ICを同時に処理し、その後スクライブして１個
ずつのICチツプとすればよい。
次にこのICチツプ１の実装方法について説明
すると、まず室温中において、ボンデイングパツ
ド２上の導電性エラストマ層３と引き出し電極５
（第３図示）とが対向するように、ICチツプ１と
電極基板６（第３図示）との位置合せをする。正
確に位置合せが行なわれたら、ホツトプレート
（図示せず。）などを用いて加熱し、導電性エラス
トマ層に粘着性をもたせ、ICチツプ１と電極基
板６とを仮固定する。最後に、第３図に示すよう
に、仮固定された状態のICチツプ１と電極基板
６とを、バネ性を有する押圧保持手段７の押え金
具で固定する。
すると、まず室温中において、ボンデイングパツ
ド２上の導電性エラストマ層３と引き出し電極５
（第３図示）とが対向するように、ICチツプ１と
電極基板６（第３図示）との位置合せをする。正
確に位置合せが行なわれたら、ホツトプレート
（図示せず。）などを用いて加熱し、導電性エラス
トマ層に粘着性をもたせ、ICチツプ１と電極基
板６とを仮固定する。最後に、第３図に示すよう
に、仮固定された状態のICチツプ１と電極基板
６とを、バネ性を有する押圧保持手段７の押え金
具で固定する。
この実装により、ICチツプ１のボンデイング
パツド２と電極基板６の引き出し電極５とは導通
がとれて、民生機器としてはポツテイングなしで
十分実用に耐えるものである。
パツド２と電極基板６の引き出し電極５とは導通
がとれて、民生機器としてはポツテイングなしで
十分実用に耐えるものである。
このように本発明によると、導電性エラストマ
層３が室温では非粘着性を示すため、位置合せ等
の工程でべたつかず、作業がしやすい。それとと
もに高温では粘着性を示すものであるため、位置
合せ完了後ホツトプレートなどを用いて仮固定で
きるので、押え金具で挟む時位置がずれず、保持
が容易となる。また、ICチツプの取外しも可能
である。
層３が室温では非粘着性を示すため、位置合せ等
の工程でべたつかず、作業がしやすい。それとと
もに高温では粘着性を示すものであるため、位置
合せ完了後ホツトプレートなどを用いて仮固定で
きるので、押え金具で挟む時位置がずれず、保持
が容易となる。また、ICチツプの取外しも可能
である。
なお、このような特性を有するシリコンゴムは
市販されており、それにニツケル粉を混入するだ
けで、本発明の導電性エラストマ層は簡単に製造
できる。
市販されており、それにニツケル粉を混入するだ
けで、本発明の導電性エラストマ層は簡単に製造
できる。
導電性エラストマ層３の形成方法はメタルマス
クによる印刷法に限定されるものではない。
クによる印刷法に限定されるものではない。
電極基板は位置合せのしやすさを考慮して透明
な材料を用いてもよい。
な材料を用いてもよい。
また押圧保持手段は押え金具に限定するもので
はなく、ボンデイングパツド部と引き出し電極間
の導通がとれるように押圧できて、しかもその状
態を固定保持できるものであれば他の手段であつ
てもよい。
はなく、ボンデイングパツド部と引き出し電極間
の導通がとれるように押圧できて、しかもその状
態を固定保持できるものであれば他の手段であつ
てもよい。
本発明の実装方法によると、ICチツプに導電
性エラストマ層が一体に形成されており、室温で
このエラストマ層が非粘着性であるため、ICチ
ツプをずらしながら電極基板との位置合せが行な
え、作業が極めて容易である。また、電極基板に
対して位置合せをして押圧保持するだけでよいの
で高価な機械設備を要せず、端子数が多くなつて
も、簡単にしかも一度に全端子の実装ができる。
さらに、位置合せ完了後のICチツプおよび電極
基板を加熱することにより、器具を用いることな
く仮固定できるため、保持工程が容易になる。
性エラストマ層が一体に形成されており、室温で
このエラストマ層が非粘着性であるため、ICチ
ツプをずらしながら電極基板との位置合せが行な
え、作業が極めて容易である。また、電極基板に
対して位置合せをして押圧保持するだけでよいの
で高価な機械設備を要せず、端子数が多くなつて
も、簡単にしかも一度に全端子の実装ができる。
さらに、位置合せ完了後のICチツプおよび電極
基板を加熱することにより、器具を用いることな
く仮固定できるため、保持工程が容易になる。
このように、各工程に応じて導電性エラストマ
層を粘着性あるいは非粘着性の状態に自在に設定
できるため、電極基板への取付作業は極めて容易
にできる。
層を粘着性あるいは非粘着性の状態に自在に設定
できるため、電極基板への取付作業は極めて容易
にできる。
またボンデイングパツド部をエラストマ層でモ
ールドした状態になつているので、耐湿性が高
く、後でポツテイングをしなくても十分実用に耐
えられる。
ールドした状態になつているので、耐湿性が高
く、後でポツテイングをしなくても十分実用に耐
えられる。
ICチツプと電極基板とは単に粘着しているだ
けなので、押圧保持を解除すると容易に取り外す
ことができ、不良チツプなどの部品交換が自由に
できる。さらに、押圧保持を行なう際にICチツ
プに偏つた力が加わつても、ICチツプから突出
している導電性エラストマの弾性によりこの力の
アンバランスが吸収されて、ICチツプ全体が均
等な押圧力で保持可能になる。
けなので、押圧保持を解除すると容易に取り外す
ことができ、不良チツプなどの部品交換が自由に
できる。さらに、押圧保持を行なう際にICチツ
プに偏つた力が加わつても、ICチツプから突出
している導電性エラストマの弾性によりこの力の
アンバランスが吸収されて、ICチツプ全体が均
等な押圧力で保持可能になる。
図面はこの発明の実施例を示し、第１図はIC
チツプの断面図、第２図は第１図示のICチツプ
の平面図、第３図はICチツプを電極基板に実装
し固定した状態の断面図である。 １……ICチツプ、２……ボンデイングパツド、
３……導電性エラストマ層。
チツプの断面図、第２図は第１図示のICチツプ
の平面図、第３図はICチツプを電極基板に実装
し固定した状態の断面図である。 １……ICチツプ、２……ボンデイングパツド、
３……導電性エラストマ層。
Claims (1)
- １ 室温では非粘着性を示すとともに高温では粘
着性を示す導電性エラストマ層が表面より突出す
るようにボンデイングパツド上に形成されている
ICチツプと、上記ICチツプの上記ボンデイング
パツドに対応する電極を有する電極基板とを対向
させ、上記ICチツプと上記電極基板とを上記導
電性エラストマ層の高温における粘着性により仮
固定した後、押圧保持手段により押圧保持するこ
とを特徴とするICチツプの実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61309537A JPS63160351A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Ｉｃチップの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61309537A JPS63160351A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Ｉｃチップの実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63160351A JPS63160351A (ja) | 1988-07-04 |
| JPH0455530B2 true JPH0455530B2 (ja) | 1992-09-03 |
Family
ID=17994206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61309537A Granted JPS63160351A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Ｉｃチップの実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63160351A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6468891B2 (en) | 2000-02-24 | 2002-10-22 | Micron Technology, Inc. | Stereolithographically fabricated conductive elements, semiconductor device components and assemblies including such conductive elements, and methods |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5277587A (en) * | 1975-12-23 | 1977-06-30 | Seiko Epson Corp | Wiring of integrated circuit outside chip |
| JPS61242041A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55112860U (ja) * | 1979-02-02 | 1980-08-08 | ||
| JPS56110659U (ja) * | 1980-12-22 | 1981-08-27 |
-
1986
- 1986-12-24 JP JP61309537A patent/JPS63160351A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5277587A (en) * | 1975-12-23 | 1977-06-30 | Seiko Epson Corp | Wiring of integrated circuit outside chip |
| JPS61242041A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63160351A (ja) | 1988-07-04 |
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