JPH0446034B2 - - Google Patents
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- JPH0446034B2 JPH0446034B2 JP57164498A JP16449882A JPH0446034B2 JP H0446034 B2 JPH0446034 B2 JP H0446034B2 JP 57164498 A JP57164498 A JP 57164498A JP 16449882 A JP16449882 A JP 16449882A JP H0446034 B2 JPH0446034 B2 JP H0446034B2
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 16
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
- H04N25/625—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of smear
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は固体撮像装置に係り、特にスメア対策
を施した固体撮像装置に関するものである。
を施した固体撮像装置に関するものである。
画像を電気信号に変換する撮像装置において、
最近では、光電変換装置として半導体集積回路技
術により得られる固体撮像素子が用いられてきて
いる。固定撮像素子を用いることによつて、撮像
管式のものよりも撮像装置の小型化・高信頼化・
軽量化・長寿命化がはかれる。
最近では、光電変換装置として半導体集積回路技
術により得られる固体撮像素子が用いられてきて
いる。固定撮像素子を用いることによつて、撮像
管式のものよりも撮像装置の小型化・高信頼化・
軽量化・長寿命化がはかれる。
然るに、第１図に示すような固体撮像素子にお
いては、感光性を持つ部分がフオトダイオード１
の部分のみであることが望ましいが、実際には、
フオトダイオードの周辺部例えばMOSトランジ
スタ２のドレインも感光性を持つことがある。
いては、感光性を持つ部分がフオトダイオード１
の部分のみであることが望ましいが、実際には、
フオトダイオードの周辺部例えばMOSトランジ
スタ２のドレインも感光性を持つことがある。
ドレインで発生した光電荷は、MOSトランジ
スタのオン・オフにかかわりなく垂直信号線３に
移されるが、垂直信号線には上下に並んだ数百の
MOSトランジスタのすべてのドレインが接続さ
れているので、垂直信号線３には、すべてのドレ
インで発生した光電荷が混合加算されて蓄積され
る。すなわち、投影された被写体像の垂直方向の
積分光量に対応した信号電荷が各垂直信号線に蓄
積される。
スタのオン・オフにかかわりなく垂直信号線３に
移されるが、垂直信号線には上下に並んだ数百の
MOSトランジスタのすべてのドレインが接続さ
れているので、垂直信号線３には、すべてのドレ
インで発生した光電荷が混合加算されて蓄積され
る。すなわち、投影された被写体像の垂直方向の
積分光量に対応した信号電荷が各垂直信号線に蓄
積される。
この信号電荷は、各水平走査期間ごとに、フオ
トダイオード１で発生した通常の信号電荷に重量
して出てくるので、例えば第２図ａに示すような
明るい部分のある被写体像を撮像すると、再生画
面上では第２図ｂに示すように、上下方向に尾引
き状の、にせ信号が発生する。
トダイオード１で発生した通常の信号電荷に重量
して出てくるので、例えば第２図ａに示すような
明るい部分のある被写体像を撮像すると、再生画
面上では第２図ｂに示すように、上下方向に尾引
き状の、にせ信号が発生する。
このような固体撮像素子に特有のノイズ成分を
垂直スメアと呼んでいる。
垂直スメアと呼んでいる。
本発明の目的は、上記の如き従来の問題を改善
し、簡単な構成により垂直スメアの発生しない固
体撮像装置を提供することにある。
し、簡単な構成により垂直スメアの発生しない固
体撮像装置を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明の固体撮像装
置は、奇数行目の画素の信号を外部へ出力するた
めの第１の経路と、偶数行目の画素の信号を外部
へ出力するための第２の経路とが区別されてお
り、奇数行目の画素の信号の第１の経路への転送
を制御する第１のゲートと、偶数行目の画素の信
号の該第２の経路への転送を制御する第２のゲー
トが別個に制御可能な固体撮像装置において、一
方の期間では第１のゲートのみを開閉し、他方の
期間では第２のゲートのみを開閉するように制御
する制御回路と、第１の経路の出力から第２の経
路の出力の減算信号を得る第１の減算回路と、第
２の経路の出力から第１の経路の出力の減算信号
を得る第２の減算回路と、制御回路の制御信号に
同期して第１の減算回路の出力と第２の減算回路
の出力を選択する第３のゲート回路とを設けたこ
とに特徴がある。
置は、奇数行目の画素の信号を外部へ出力するた
めの第１の経路と、偶数行目の画素の信号を外部
へ出力するための第２の経路とが区別されてお
り、奇数行目の画素の信号の第１の経路への転送
を制御する第１のゲートと、偶数行目の画素の信
号の該第２の経路への転送を制御する第２のゲー
トが別個に制御可能な固体撮像装置において、一
方の期間では第１のゲートのみを開閉し、他方の
期間では第２のゲートのみを開閉するように制御
する制御回路と、第１の経路の出力から第２の経
路の出力の減算信号を得る第１の減算回路と、第
２の経路の出力から第１の経路の出力の減算信号
を得る第２の減算回路と、制御回路の制御信号に
同期して第１の減算回路の出力と第２の減算回路
の出力を選択する第３のゲート回路とを設けたこ
とに特徴がある。
以下、本発明を詳細に説明するが、その前に、
本発明を適用するMOS形固体撮像素子のインタ
レース動作について述べておく。
本発明を適用するMOS形固体撮像素子のインタ
レース動作について述べておく。
第１図に示すMOS形固体撮像素子では、垂直
シフトレジスタ４の出力線５1，５2，…，５nに
順次送られた出力パルスは、インタレース回路６
に加えられ、奇数フイールドでは、出力線７1お
よび７2，７3および７4…，７2n-1およ９び７2nの
２本ずつに対して同時に順次送られる。これによ
つて、例えば最初の水平走査期間では、２行の
MOSトランジスタ２1-1，２1-2，２1-3…，２1-o
および２2-1，２2-2，２2-3，…22-oがすべてオン
状態になるので、第１行目のフオトダイオード１
1-1，１1-2，１1-3…，１1-oで得られた光信号が、
それぞれ垂直信号線３2，３4，３6，…，３2oに移
され、第２行目のフオトダイオード１2-1，１
2-2，１2-3，…，１2-oの光信号がそれぞれ垂直信
号線３1，３3，３5，…，３2o-1に移される。
シフトレジスタ４の出力線５1，５2，…，５nに
順次送られた出力パルスは、インタレース回路６
に加えられ、奇数フイールドでは、出力線７1お
よび７2，７3および７4…，７2n-1およ９び７2nの
２本ずつに対して同時に順次送られる。これによ
つて、例えば最初の水平走査期間では、２行の
MOSトランジスタ２1-1，２1-2，２1-3…，２1-o
および２2-1，２2-2，２2-3，…22-oがすべてオン
状態になるので、第１行目のフオトダイオード１
1-1，１1-2，１1-3…，１1-oで得られた光信号が、
それぞれ垂直信号線３2，３4，３6，…，３2oに移
され、第２行目のフオトダイオード１2-1，１
2-2，１2-3，…，１2-oの光信号がそれぞれ垂直信
号線３1，３3，３5，…，３2o-1に移される。
一方、水平走査期間に水平シフトレジスタ８か
ら出力線９1，９2，９3，…，９oに順次送られる
出力パルスは、同時に２つの水平スイツチトラン
ジスタ１０1、および１０2，１０3および１０，
…，１０2o-1および１０2oを順次オン状態にし、
それぞれに接続された垂直信号線上の信号を信号
出力線１１1，１１2から出力する。ここで、垂直
信号線３1，３3，３5，…，３2o-1に接続された水
平スイツチトランジスタ１０1，１０3，１０5，
…，１０2o-1は信号出力線１１2に接続されてお
り、垂直信号線３2，３4，３6，…，３2oに接続さ
れた水平スイツチトランジスタ１０2，１０4，１
０6，…，１０2oは信号出力線１１1に接続されて
いる。
ら出力線９1，９2，９3，…，９oに順次送られる
出力パルスは、同時に２つの水平スイツチトラン
ジスタ１０1、および１０2，１０3および１０，
…，１０2o-1および１０2oを順次オン状態にし、
それぞれに接続された垂直信号線上の信号を信号
出力線１１1，１１2から出力する。ここで、垂直
信号線３1，３3，３5，…，３2o-1に接続された水
平スイツチトランジスタ１０1，１０3，１０5，
…，１０2o-1は信号出力線１１2に接続されてお
り、垂直信号線３2，３4，３6，…，３2oに接続さ
れた水平スイツチトランジスタ１０2，１０4，１
０6，…，１０2oは信号出力線１１1に接続されて
いる。
この結果、信号出力線１１1からは第１行目の
フオトダイオードの信号が得られ、また、信号出
力線１１2からは第２行目のフオトダイオードの
信号が同時に得られる。
フオトダイオードの信号が得られ、また、信号出
力線１１2からは第２行目のフオトダイオードの
信号が同時に得られる。
また、数フイールドでは、垂直シフトレジスタ
から加えらえたパルスで同時に出力パルスが得ら
れるインタレース回路の２本の出力線の組み合わ
せをずらす。すなわち、垂直シフトレジスタ４の
出力線５1，５2，５3，…，５nに順次送られた出
力パルスがインタレース回路６に加えられると、
出力線７2および７3，７4および７5，…７2n-2お
よび７2n-1の２本ずつに対して同時に順次出力パ
ルスが送られる。これによつて、例えば最初の水
平走査期間には第２行目のフオトダイオード１
2-1，１2-2，…，12-oの光信号が、それぞれ垂直
信号線３1，３3，…，３2o-1に移され、第３行目
のフオトダイオード１3-1，１3-2，…１3-oの光信
号がそれぞれ垂直信号線３2，３4，…，３2oに移
される。この結果、水平走査期間に信号出力線１
１2からは第２行目のフオトダイオードの光信号
が得られ、信号出力線１１1からは第３行目のフ
オトダイオードの光信号が同時に得られる。
から加えらえたパルスで同時に出力パルスが得ら
れるインタレース回路の２本の出力線の組み合わ
せをずらす。すなわち、垂直シフトレジスタ４の
出力線５1，５2，５3，…，５nに順次送られた出
力パルスがインタレース回路６に加えられると、
出力線７2および７3，７4および７5，…７2n-2お
よび７2n-1の２本ずつに対して同時に順次出力パ
ルスが送られる。これによつて、例えば最初の水
平走査期間には第２行目のフオトダイオード１
2-1，１2-2，…，12-oの光信号が、それぞれ垂直
信号線３1，３3，…，３2o-1に移され、第３行目
のフオトダイオード１3-1，１3-2，…１3-oの光信
号がそれぞれ垂直信号線３2，３4，…，３2oに移
される。この結果、水平走査期間に信号出力線１
１2からは第２行目のフオトダイオードの光信号
が得られ、信号出力線１１1からは第３行目のフ
オトダイオードの光信号が同時に得られる。
以上述べた動作により、信号出力線１１1およ
び１１2から得られる信号を加算した信号は、空
間的な位置の重みがフイールドごとにフオトダイ
オードの１行分だけ上下に移動するのでインタレ
ース動作が実現される。
び１１2から得られる信号を加算した信号は、空
間的な位置の重みがフイールドごとにフオトダイ
オードの１行分だけ上下に移動するのでインタレ
ース動作が実現される。
このようなインタレース動作によれば、すべて
の行のフオトダイオードで得られる光信号が各フ
イールドごとに信号出力端子から出力されるの
で、被写体が動いたときフオトダイオードに残る
残像の長さは１フイールド期間（1/60秒）に動い
た距離に対応した量となる。
の行のフオトダイオードで得られる光信号が各フ
イールドごとに信号出力端子から出力されるの
で、被写体が動いたときフオトダイオードに残る
残像の長さは１フイールド期間（1/60秒）に動い
た距離に対応した量となる。
ここで、フオトダイオードにのこる残像の長さ
を、１フレーム期間（1/30秒）すなわち、２フイ
ールド期間に動いた距離に対応した量まで許容す
れば、次に述べるインタレース動作が可能であ
る。
を、１フレーム期間（1/30秒）すなわち、２フイ
ールド期間に動いた距離に対応した量まで許容す
れば、次に述べるインタレース動作が可能であ
る。
１フレーム期間分の残像を許容する場合の
MOS形固体撮像素子を第３図に示す。第１図の
MOS形固体撮像素子と異なる点は、インタレー
ス回路６と出力線７1，７2，…，７nの間にゲー
ト回路１２1，１２2，…，１２2nを設けたことで
ある。ゲート回路の制御入力は、ひとつおきに
別々の制御端子１３1，１３2に接続されている。
MOS形固体撮像素子を第３図に示す。第１図の
MOS形固体撮像素子と異なる点は、インタレー
ス回路６と出力線７1，７2，…，７nの間にゲー
ト回路１２1，１２2，…，１２2nを設けたことで
ある。ゲート回路の制御入力は、ひとつおきに
別々の制御端子１３1，１３2に接続されている。
ここで、奇数フイールドで制御端子１３1にオ
ン信号を加え、制御端子１３2にオフ信号を加え
れば、たとえば最初の水平走査期間にインタレー
ス回路からゲート回路１２1及び１２2に出力パル
スが加えられても出力パルスは出力線７1のみに
伝えられる。この結果、第１行目のフオトダイオ
ード１1-1，１1-2，…，１1-oの光信号のみが垂直
信号線３2，３4，…，３2oに移される。一方、垂
直スメア信号はMOSトランジスタ２のオン・オ
フにかかわりなく垂直信号線３に蓄積される。こ
の結果、奇数フイールドの各水平走査期間には、
信号出力線１１1からは奇数行目のフオトダイオ
ードの光信号S0と、垂直信号線３2，３4，…３2o
に蓄積された垂直スメア信号Veとが得られ、信
号出力線１１2からは垂直信号線３1，３3，…３2o
−１に蓄積された垂直スメア信号V0が得られる。
ン信号を加え、制御端子１３2にオフ信号を加え
れば、たとえば最初の水平走査期間にインタレー
ス回路からゲート回路１２1及び１２2に出力パル
スが加えられても出力パルスは出力線７1のみに
伝えられる。この結果、第１行目のフオトダイオ
ード１1-1，１1-2，…，１1-oの光信号のみが垂直
信号線３2，３4，…，３2oに移される。一方、垂
直スメア信号はMOSトランジスタ２のオン・オ
フにかかわりなく垂直信号線３に蓄積される。こ
の結果、奇数フイールドの各水平走査期間には、
信号出力線１１1からは奇数行目のフオトダイオ
ードの光信号S0と、垂直信号線３2，３4，…３2o
に蓄積された垂直スメア信号Veとが得られ、信
号出力線１１2からは垂直信号線３1，３3，…３2o
−１に蓄積された垂直スメア信号V0が得られる。
また同様に、偶数フイールドでは制御端子１３
１にオフ信号を加え制御端子１３2にオン信号を加
えれば、たとえば最初の水平走査期間には出力パ
ルスは出力線７2だけに伝えられ、フオトダイオ
ード１2-1，１2-2，…，１2-oの光信号のみが垂直
信号線３1，３3，…，３2o-1に移される。この結
果、偶数フイールドの各水平走査期間には、信号
出力線１１2からは偶数行目のフオトダイオード
の光信号Seと垂直信号線３1，３3，…３2o-1に蓄
積された垂直スメア信号V0とが得られ、信号出
力線１１1からは垂直信号線３2、３4、…３2oに蓄
積された垂直スメア信号Veが得られる。
１にオフ信号を加え制御端子１３2にオン信号を加
えれば、たとえば最初の水平走査期間には出力パ
ルスは出力線７2だけに伝えられ、フオトダイオ
ード１2-1，１2-2，…，１2-oの光信号のみが垂直
信号線３1，３3，…，３2o-1に移される。この結
果、偶数フイールドの各水平走査期間には、信号
出力線１１2からは偶数行目のフオトダイオード
の光信号Seと垂直信号線３1，３3，…３2o-1に蓄
積された垂直スメア信号V0とが得られ、信号出
力線１１1からは垂直信号線３2、３4、…３2oに蓄
積された垂直スメア信号Veが得られる。
次に本発明を実施例を用いて説明する。
第４図は本発明の一実施例を示す。１４は第３
図で示したMOS形固体撮像素子である。
図で示したMOS形固体撮像素子である。
１４の信号出力線１１1から得られた信号は、
プリアンプ１５1を通して減算回路１６1の正側入
力端子と減算回路１６2の負側入力端子に加えら
れる。一方、信号出力線１１2から得られた信号
は、プリアンプ１５2を通して減算回路１６1の負
側入力端子と減算回路１６2の正側入力端子に加
えられる。減算回路１６1，１６2の出力信号はそ
れぞれゲート回路１７1，１７2加えられてゲート
された後、加算回路１８に加えられる。ここで、
ゲート回路１７1は、同期回路１９よりMOS形固
体撮像素子１４の制御端子１３1に加えられる信
号に同期して、奇数フイールドにのみ入力信号を
出力へ伝える。またゲート回路１７2は、制御端
子１３2に加えられる信号に同期して、偶数フイ
ールドにのみ入力信号を出力へ伝える。
プリアンプ１５1を通して減算回路１６1の正側入
力端子と減算回路１６2の負側入力端子に加えら
れる。一方、信号出力線１１2から得られた信号
は、プリアンプ１５2を通して減算回路１６1の負
側入力端子と減算回路１６2の正側入力端子に加
えられる。減算回路１６1，１６2の出力信号はそ
れぞれゲート回路１７1，１７2加えられてゲート
された後、加算回路１８に加えられる。ここで、
ゲート回路１７1は、同期回路１９よりMOS形固
体撮像素子１４の制御端子１３1に加えられる信
号に同期して、奇数フイールドにのみ入力信号を
出力へ伝える。またゲート回路１７2は、制御端
子１３2に加えられる信号に同期して、偶数フイ
ールドにのみ入力信号を出力へ伝える。
前述のように、奇数フイールドには信号出力線
１１1により奇数行目のフオトダイオードの光信
号S0と垂直信号線３2，３4，…，３2oの垂直スメ
アVeが得られ、信号出力線１１2より垂直信号線
３1，３3，…，３2o-1の垂直スメアV0が得られ
る。
１１1により奇数行目のフオトダイオードの光信
号S0と垂直信号線３2，３4，…，３2oの垂直スメ
アVeが得られ、信号出力線１１2より垂直信号線
３1，３3，…，３2o-1の垂直スメアV0が得られ
る。
ここで、垂直信号線３2と３3，３4と３5，…，
３2o-2と３2o-1のような空間的位置関係が近い２
本の垂直信号線の垂直スメアがほぼ等しいことを
考えると V0＝Ve ……(1) であるので、奇数フイールドに減算回路１６1か
らゲート回路１７1を通つて加算回路１８に加え
られる信号Sput1は Sput1＝（S0＋Ve）−V0 ……(2) ＝S0 ……(3) となる。
３2o-2と３2o-1のような空間的位置関係が近い２
本の垂直信号線の垂直スメアがほぼ等しいことを
考えると V0＝Ve ……(1) であるので、奇数フイールドに減算回路１６1か
らゲート回路１７1を通つて加算回路１８に加え
られる信号Sput1は Sput1＝（S0＋Ve）−V0 ……(2) ＝S0 ……(3) となる。
同様に、偶数フイールドには信号出力線１１2
より偶数行目のフオトダイオードの光信号Seと垂
直信号線３1，３2，…，３2o-1の垂直スメアV0と
が得られ、信号出力線１１1より垂直信号線３2，
３4，…，３2oの垂直スメアVeが得られるので、
偶数フイールドに減算回路１６2からゲート回路
１７2を通つて加算回路１８に加えられる信号
Sput2は Sput2＝（Se＋V0）−Ve ……(4) ＝Se ……(5) となる。
より偶数行目のフオトダイオードの光信号Seと垂
直信号線３1，３2，…，３2o-1の垂直スメアV0と
が得られ、信号出力線１１1より垂直信号線３2，
３4，…，３2oの垂直スメアVeが得られるので、
偶数フイールドに減算回路１６2からゲート回路
１７2を通つて加算回路１８に加えられる信号
Sput2は Sput2＝（Se＋V0）−Ve ……(4) ＝Se ……(5) となる。
この結果、奇数フイールド・偶数フイールドと
も、発生した垂直スメアが除去されて、加算回路
１８からは、フオトダイオードの光信号のみが得
られる。
も、発生した垂直スメアが除去されて、加算回路
１８からは、フオトダイオードの光信号のみが得
られる。
本発明は第５図に示す実施例においても実現可
能である。第５図の実施例が第４図の実施例と異
なる点は、減算回路１６2の出力を反転回路２０
に加え、反転回路２０の出力をゲート回路１７1
に加えている点である。反転回路２０の出力が、
第４図にに示す実施例の減算回路１６1の出力と
等しいことは明らかであり、第５図の実施例によ
れば減算回路１６1が省略できる。
能である。第５図の実施例が第４図の実施例と異
なる点は、減算回路１６2の出力を反転回路２０
に加え、反転回路２０の出力をゲート回路１７1
に加えている点である。反転回路２０の出力が、
第４図にに示す実施例の減算回路１６1の出力と
等しいことは明らかであり、第５図の実施例によ
れば減算回路１６1が省略できる。
また、本発明は、MOS形固体撮像素子だけで
なく、インタレース動作において、奇数行目の画
素の信号を外部へ出力するための経路と、偶数行
目の画素の信号を外部へ出力するための経路とが
区別されており、両方の経路からの信号を同時に
出力できるすべての固体撮像素子に適用できる。
なく、インタレース動作において、奇数行目の画
素の信号を外部へ出力するための経路と、偶数行
目の画素の信号を外部へ出力するための経路とが
区別されており、両方の経路からの信号を同時に
出力できるすべての固体撮像素子に適用できる。
たとえば、第６図に示すインターライン形
CCDでは、奇数行目のフオトダイオード２１1-1，
２１1-2…，２１3-1，２１3-2，…の光信号と偶数
行目のフオトダイオード２１2-1，２１2-2，…２
１4-1，２１4-2…の光信号を垂直CCD２２1、２
２2…および水平CCD２３上で分離して移送する
ことができる。ここで、駆動回路２４より垂直転
送ゲート２３1，２３3に加えるパルスを、制御入
力端子２５1，２５2によつて制御し、奇数フイー
ルドには奇数行目のフオトダイオードの信号のみ
が垂直CCDに移され、偶数フイールドには偶数
行目のフオトダイオードの信号のみが垂直CCD
に移されるようにする。このとき、フオトダイオ
ードの信号が移されなかつた垂直CCDの部分に
は垂直スメアのみが蓄積されるので、水平CCD
からは、たとえば奇数フイールドでは奇数行目の
フオトダイオードの光信号と垂直スメアの和信
号、あるいは垂直スメア信号のみが交互に得られ
る。これを分離回路２６1，２６2によつて交互に
分離すれば、第３図に示すMOS形固体撮像素子
の出力信号線１１1，１１2から得られる信号と同
様の信号が得られる。
CCDでは、奇数行目のフオトダイオード２１1-1，
２１1-2…，２１3-1，２１3-2，…の光信号と偶数
行目のフオトダイオード２１2-1，２１2-2，…２
１4-1，２１4-2…の光信号を垂直CCD２２1、２
２2…および水平CCD２３上で分離して移送する
ことができる。ここで、駆動回路２４より垂直転
送ゲート２３1，２３3に加えるパルスを、制御入
力端子２５1，２５2によつて制御し、奇数フイー
ルドには奇数行目のフオトダイオードの信号のみ
が垂直CCDに移され、偶数フイールドには偶数
行目のフオトダイオードの信号のみが垂直CCD
に移されるようにする。このとき、フオトダイオ
ードの信号が移されなかつた垂直CCDの部分に
は垂直スメアのみが蓄積されるので、水平CCD
からは、たとえば奇数フイールドでは奇数行目の
フオトダイオードの光信号と垂直スメアの和信
号、あるいは垂直スメア信号のみが交互に得られ
る。これを分離回路２６1，２６2によつて交互に
分離すれば、第３図に示すMOS形固体撮像素子
の出力信号線１１1，１１2から得られる信号と同
様の信号が得られる。
上述の如く、本発明によれば、簡単な回路を付
加するのみで、スメアの発生しない固体撮像装置
が実現でき、画質を高めることができる。また、
画素信号の読み出しと垂直スメアの読み出しを１
つの経路で兼用させるので、差信号を得る回路の
出力が期間により正の画素信号になつたり、逆極
性の画素信号になつたりする現像を確実に補正す
ることができる。
加するのみで、スメアの発生しない固体撮像装置
が実現でき、画質を高めることができる。また、
画素信号の読み出しと垂直スメアの読み出しを１
つの経路で兼用させるので、差信号を得る回路の
出力が期間により正の画素信号になつたり、逆極
性の画素信号になつたりする現像を確実に補正す
ることができる。
第１図はMOS形固体撮像素子の構成を示す図、
第２図は垂直スメアを説明するための図、第３図
は本発明が適用可能なMOS形固体撮像素子の構
成の一例を示す図、第４、第５図は本発明の一実
施例を示す図、第６図は本発明の適用が可能なイ
ンターライン形CCDの構成の一例を示す図であ
る。 １１1，１１2：固体撮像素子の信号出力線、１
３1，１３2：ゲート回路制御端子、１４：固体撮
像素子、１５：プリアンプ、１６1，１６2：減算
回路、１７：減算回路出力を切り換えるためのゲ
ート回路。
第２図は垂直スメアを説明するための図、第３図
は本発明が適用可能なMOS形固体撮像素子の構
成の一例を示す図、第４、第５図は本発明の一実
施例を示す図、第６図は本発明の適用が可能なイ
ンターライン形CCDの構成の一例を示す図であ
る。 １１1，１１2：固体撮像素子の信号出力線、１
３1，１３2：ゲート回路制御端子、１４：固体撮
像素子、１５：プリアンプ、１６1，１６2：減算
回路、１７：減算回路出力を切り換えるためのゲ
ート回路。
Claims (1)
- １ 奇数行目の画素の信号を外部へ出力するため
の第１の経路と、偶数行目の画素の信号を外部へ
出力するための第２の経路とが区別されており、
該奇数行目の画素の信号の該第１の経路への転送
を制御する第１のゲートと、該偶数行目の画素の
信号の該第２の経路への転送を制御する第２のゲ
ートが別個に制御可能な固体撮像装置において、
一方の期間では上記第１のゲートのみを開閉し、
他方の期間では上記第２のゲートのみを開閉する
ように制御する制御回路と、該第１の経路の出力
から該第２の経路の出力の減算信号を得る第１の
減算回路と、該第２の経路の出力から該第１の経
路の出力の減算信号を得る第２の減算回路と、上
記制御回路の制御信号に同期して上記第１の減算
回路の出力と上記第２の減算回路の出力を選択す
る第３のゲート回路とを設けたことを特徴とする
固体撮像装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57164498A JPS5952974A (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 固体撮像装置 |
| US06/518,699 US4543610A (en) | 1982-09-20 | 1983-07-29 | Solid-state imaging device including noise subtraction with polarity control |
| EP83107562A EP0106042B1 (en) | 1982-09-20 | 1983-08-01 | Solid-state imaging device |
| DE8383107562T DE3367492D1 (en) | 1982-09-20 | 1983-08-01 | Solid-state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57164498A JPS5952974A (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5952974A JPS5952974A (ja) | 1984-03-27 |
| JPH0446034B2 true JPH0446034B2 (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=15794296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57164498A Granted JPS5952974A (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 固体撮像装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4543610A (ja) |
| EP (1) | EP0106042B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5952974A (ja) |
| DE (1) | DE3367492D1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2151430A (en) * | 1983-11-30 | 1985-07-17 | Hitachi Ltd | Solid-state imaging system with smear suppression circuits |
| US4731665A (en) * | 1984-12-28 | 1988-03-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus with read-out of selected combinations of lines |
| CA1269446A (en) * | 1984-12-28 | 1990-05-22 | Seiji Hashimoto | Image sensing apparatus |
| JPS63127656A (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-31 | Ricoh Co Ltd | イメ−ジセンサ駆動回路 |
| US5053615A (en) * | 1990-04-06 | 1991-10-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Correction algorithm for contiguous CCD elements leakage |
| JPH04293359A (ja) * | 1991-03-22 | 1992-10-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 画像読取装置 |
| US5252818A (en) * | 1991-08-22 | 1993-10-12 | Vision Ten, Inc. | Method and apparatus for improved scanner accuracy using a linear sensor array |
| US5264945A (en) * | 1991-10-16 | 1993-11-23 | Eastman Kodak Company | Contact array scanners with circulating memory |
| US5790191A (en) * | 1996-03-07 | 1998-08-04 | Omnivision Technologies, Inc. | Method and apparatus for preamplification in a MOS imaging array |
| JP4367910B2 (ja) * | 2003-10-02 | 2009-11-18 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5612179A (en) * | 1979-07-12 | 1981-02-06 | Sony Corp | Solid image pickup unit |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5310433B2 (ja) * | 1975-03-10 | 1978-04-13 | ||
| US4079423A (en) * | 1976-10-14 | 1978-03-14 | General Electric Company | Solid state imaging system providing pattern noise cancellation |
| JPS5535536A (en) * | 1978-09-06 | 1980-03-12 | Hitachi Ltd | Solid color image pickup device |
| JPS6033345B2 (ja) * | 1979-06-08 | 1985-08-02 | 日本電気株式会社 | 電荷転送撮像装置とその駆動方法 |
| US4241421A (en) * | 1979-07-26 | 1980-12-23 | General Electric Company | Solid state imaging apparatus |
| US4240116A (en) * | 1979-08-22 | 1980-12-16 | General Electric Company | Solid state imaging apparatus |
| DE2939490A1 (de) * | 1979-09-28 | 1981-04-16 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Monolithisch integrierter zweidimensionaler bildsensor mit einer differenzbildenden stufe |
| JPS56152382A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-25 | Hitachi Ltd | Solid image pickup element |
| JPS57100361U (ja) * | 1980-12-12 | 1982-06-21 |
-
1982
- 1982-09-20 JP JP57164498A patent/JPS5952974A/ja active Granted
-
1983
- 1983-07-29 US US06/518,699 patent/US4543610A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-08-01 DE DE8383107562T patent/DE3367492D1/de not_active Expired
- 1983-08-01 EP EP83107562A patent/EP0106042B1/en not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5612179A (en) * | 1979-07-12 | 1981-02-06 | Sony Corp | Solid image pickup unit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0106042A1 (en) | 1984-04-25 |
| EP0106042B1 (en) | 1986-11-05 |
| DE3367492D1 (en) | 1986-12-11 |
| JPS5952974A (ja) | 1984-03-27 |
| US4543610A (en) | 1985-09-24 |
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