JPS5952974A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS5952974A JPS5952974A JP57164498A JP16449882A JPS5952974A JP S5952974 A JPS5952974 A JP S5952974A JP 57164498 A JP57164498 A JP 57164498A JP 16449882 A JP16449882 A JP 16449882A JP S5952974 A JPS5952974 A JP S5952974A
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 3
- 241001207999 Notaris Species 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
- H04N25/625—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of smear
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は固体撮像装置に係り、特にスメア対策を施した
固体撮像装置に閂するものである。
固体撮像装置に閂するものである。
〔従来技術)
画像を雷、気信号に変換する撮像装置において、最近で
は、光電変換装置として半導体隼積回路技術によりイ(
)られる固体撮像ダく子が川し)られてきている。固体
撮像素子を用いること番こよって、撮像管式のものJ:
りも撮像装置の小へ(J化・高(言!偵イヒ・軽量化・
長寿命化がはかれる。
は、光電変換装置として半導体隼積回路技術によりイ(
)られる固体撮像ダく子が川し)られてきている。固体
撮像素子を用いること番こよって、撮像管式のものJ:
りも撮像装置の小へ(J化・高(言!偵イヒ・軽量化・
長寿命化がはかれる。
然るに、第1図に示すような固体撮像素子においては、
感光性を持つ部分がフォトダイオード1の部分のみであ
ることが望まししAが、実際にGま、フォトダイオード
の周辺部<い1えばMOS)ランジスタ2のドレインも
感光性を持つことがある。
感光性を持つ部分がフォトダイオード1の部分のみであ
ることが望まししAが、実際にGま、フォトダイオード
の周辺部<い1えばMOS)ランジスタ2のドレインも
感光性を持つことがある。
ドレインで発生した光雷、荷は、MOS)ランジスタの
メン・オフにかかわりなく垂直信−号線3に移されるが
、垂直信号線には」二下しこ並んだ数百のへ4OSトラ
ンジスタのすべてのドレインカ;接続されているので、
垂直信号線3には、すべてのドレインで発生した光電荷
が混合加算されて蓄積される。すなわち、投影された被
写体像の垂直方向の積分光量に対応した信号電荷が各垂
直信号線に蓄積される。
メン・オフにかかわりなく垂直信−号線3に移されるが
、垂直信号線には」二下しこ並んだ数百のへ4OSトラ
ンジスタのすべてのドレインカ;接続されているので、
垂直信号線3には、すべてのドレインで発生した光電荷
が混合加算されて蓄積される。すなわち、投影された被
写体像の垂直方向の積分光量に対応した信号電荷が各垂
直信号線に蓄積される。
この信号面、荷は、各水平走査期間ごとに、フオトダイ
オード1で発生した通常の信号面前に重畳して出てくる
ので、例えば第2図(a)に示すような明るい部分のあ
る被写体像を撮像すると、再l(:画面上では第2図(
b)に示すように、上下方向に尾引き状の、にゼ信号が
発生する。
オード1で発生した通常の信号面前に重畳して出てくる
ので、例えば第2図(a)に示すような明るい部分のあ
る被写体像を撮像すると、再l(:画面上では第2図(
b)に示すように、上下方向に尾引き状の、にゼ信号が
発生する。
このような固体撮像才子に特有のノイズ成分を垂直スメ
アと呼んでいる。
アと呼んでいる。
〔発明の目的]
本発明の目的は、−L配の如き従来の欠点を改善し、垂
直スメアの発生しない固体撮像装置を提供することであ
る。
直スメアの発生しない固体撮像装置を提供することであ
る。
〔発明のa斐)
上記目的を搾成するため、本発明は次のような手段を有
する。
する。
水平および乎■α方向に感光画素列をアレイ状に配列し
た固体撮像装置゛を用いる固体撮像装置において、水平
方向の画素列のうち奇数行目の両S?列から得られる信
号を外部に出力する第1の手段および偶数行目の画素列
から得られる信号を外部に出力する第2の手段と、奇数
行目の信号を第1の手1りに送る動作を制御する第1の
制御手段および偶数行目の信号を笛2の手段に送る動作
をif!II削する第2の制御手段と、第1の手段の出
力から第2の手段の出力を減する第1の減1す月居路お
よび第2の手段の出力から第1の手段の出力を沖する第
2の減算回路と、第1の7119算回路の出力と第2の
減算回路の出力を、第1の制御手段と第2の制御手段に
加える制御信壮で切り換えるためのゲート回路を備えて
いることに9゛f徴がある。
た固体撮像装置゛を用いる固体撮像装置において、水平
方向の画素列のうち奇数行目の両S?列から得られる信
号を外部に出力する第1の手段および偶数行目の画素列
から得られる信号を外部に出力する第2の手段と、奇数
行目の信号を第1の手1りに送る動作を制御する第1の
制御手段および偶数行目の信号を笛2の手段に送る動作
をif!II削する第2の制御手段と、第1の手段の出
力から第2の手段の出力を減する第1の減1す月居路お
よび第2の手段の出力から第1の手段の出力を沖する第
2の減算回路と、第1の7119算回路の出力と第2の
減算回路の出力を、第1の制御手段と第2の制御手段に
加える制御信壮で切り換えるためのゲート回路を備えて
いることに9゛f徴がある。
以下、本発明の詳細な説明するが、その前に、本つ′1
5明を適用づ−るN・10S形固【ド撮像素子のインタ
レース動作について述べておく。
5明を適用づ−るN・10S形固【ド撮像素子のインタ
レース動作について述べておく。
第1図に示すMO8形同体撮像素子では、垂直シフトレ
ジスタ牛の出力線5□、53.・・・+ 5mに順次送
られた出力パルスは、インタレース回路6に加えられ、
奇数フィールドでは、出力線7□および72.78およ
び7.・・・、7 および7■m−1 の2本ずつに対して同時に順次送られる。こねによって
、例えば最初の水平走査期間では、2行のMOS)ラン
ジスタ2□−0,2□−2+21 6 + ”2□−7
および221.222 + 22 B +・・・21.
−ユがずべてメン状態になるので、第1行目のフメト]
−11−21−8’ ” ” 1−nダイオード1
.1 .1 で得られた光<Fi号が、それぞれ垂伯信号紳32゜3
.3 、・・・、3,11に移され、第2行目のフ第6 トダイオード1 .1 .1 、・・・
す2−fi2−12−22−3 の光信号がそれぞれ垂直信号線31 + 33 + 3
5 +・・・。
ジスタ牛の出力線5□、53.・・・+ 5mに順次送
られた出力パルスは、インタレース回路6に加えられ、
奇数フィールドでは、出力線7□および72.78およ
び7.・・・、7 および7■m−1 の2本ずつに対して同時に順次送られる。こねによって
、例えば最初の水平走査期間では、2行のMOS)ラン
ジスタ2□−0,2□−2+21 6 + ”2□−7
および221.222 + 22 B +・・・21.
−ユがずべてメン状態になるので、第1行目のフメト]
−11−21−8’ ” ” 1−nダイオード1
.1 .1 で得られた光<Fi号が、それぞれ垂伯信号紳32゜3
.3 、・・・、3,11に移され、第2行目のフ第6 トダイオード1 .1 .1 、・・・
す2−fi2−12−22−3 の光信号がそれぞれ垂直信号線31 + 33 + 3
5 +・・・。
32□−0に移される。
一方、水平走査期間に水平シフトレジスタ8がら出力線
91+ 92 + 98+ ・・・、9 に順υ・送
られる出力パルスは、同u:rに2つの水平スイッチト
ランジスタ101L および1.08.103および1
04゜・・・+ 102n 1および10.。を服(次
オン1人゛β1シにし、それぞれに接続された垂直信号
線」―の信号を信号出力M 1]、1. 11.、がら
出力する。ここで、垂直佃号斜!3 、3 、3
、・・・+38.−sに投′靭1された1
11 5 垂直化号線3p、 + 34 + 36+ ・・・、
32o に接続された水平スイッチトランジスター0
,10.。
91+ 92 + 98+ ・・・、9 に順υ・送
られる出力パルスは、同u:rに2つの水平スイッチト
ランジスタ101L および1.08.103および1
04゜・・・+ 102n 1および10.。を服(次
オン1人゛β1シにし、それぞれに接続された垂直信号
線」―の信号を信号出力M 1]、1. 11.、がら
出力する。ここで、垂直佃号斜!3 、3 、3
、・・・+38.−sに投′靭1された1
11 5 垂直化号線3p、 + 34 + 36+ ・・・、
32o に接続された水平スイッチトランジスター0
,10.。
]−0,−・・+ 102nG=を信号出力線]−1□
に、接続されている。
に、接続されている。
この結果、伯−4出力線11、からけ第1行1−1のフ
ォトダイオードの信号がイqられ、」・た、信号出力線
112 からは岱2行l]のフォトダイオードの信号が
同時に得らノするっ また、41弔数フイールドでは、垂直シフトレジスタか
ら加えられたパルスで同時に出力パルスが得られるイン
タレース回路の2本の出力線の組み合わ−1をすら−1
−oすtOI゛わち、垂直シフトレジスタ4の出力線5
□、5□、58.・・・、5 に順次送られた出カッぐ
ルスがインタレース回V66に加えられると、出力線7
2 および7B + 74 ′J”;−1−ひ75.
・・・・721n−2および72m−1の2本ずつに対
して同I+、デに順次出力パルスが送られる。これによ
って、例えば最初の水平A′査Jt’1間に61第2行
目の7オトダイメード12 ] 112 z+ ・・
・、12□ の光信号が、それぞれ垂直信号線3□、3
8.・・・、31n−1に移され、第3行目のフォトダ
イオード18−1118−21・・・・18−n の
光信号がそれぞれ垂直信号W 32 + 34 +・・
・13211 に移される。この結果、水平走査期間
に信号出力線11.からは第2行目のフォトダイオード
の光信号が得られ、信号出力線11□からは第3行目の
フォトダイオードの光信号が同時に得られる。
ォトダイオードの信号がイqられ、」・た、信号出力線
112 からは岱2行l]のフォトダイオードの信号が
同時に得らノするっ また、41弔数フイールドでは、垂直シフトレジスタか
ら加えられたパルスで同時に出力パルスが得られるイン
タレース回路の2本の出力線の組み合わ−1をすら−1
−oすtOI゛わち、垂直シフトレジスタ4の出力線5
□、5□、58.・・・、5 に順次送られた出カッぐ
ルスがインタレース回V66に加えられると、出力線7
2 および7B + 74 ′J”;−1−ひ75.
・・・・721n−2および72m−1の2本ずつに対
して同I+、デに順次出力パルスが送られる。これによ
って、例えば最初の水平A′査Jt’1間に61第2行
目の7オトダイメード12 ] 112 z+ ・・
・、12□ の光信号が、それぞれ垂直信号線3□、3
8.・・・、31n−1に移され、第3行目のフォトダ
イオード18−1118−21・・・・18−n の
光信号がそれぞれ垂直信号W 32 + 34 +・・
・13211 に移される。この結果、水平走査期間
に信号出力線11.からは第2行目のフォトダイオード
の光信号が得られ、信号出力線11□からは第3行目の
フォトダイオードの光信号が同時に得られる。
以上述べたil+作により、信号出力線ll工および1
1B から得られる信号を加算した信号は、空間的な
位置の重みがフィールドごどにフォトダイオードの1行
分だけ」−下に移動するのでインタレース動作がすに現
される。
1B から得られる信号を加算した信号は、空間的な
位置の重みがフィールドごどにフォトダイオードの1行
分だけ」−下に移動するのでインタレース動作がすに現
される。
このようなインクレース動作によれば、すべての行のフ
ォトダイオードで得られる光信号が各フィールドごとに
信号出力端子から出力されるので、被写体が動いたとき
フォトダイオードに残る残像の長さはlフィールド期間
(1/60秒)に動いた距離に対応した量となる。
ォトダイオードで得られる光信号が各フィールドごとに
信号出力端子から出力されるので、被写体が動いたとき
フォトダイオードに残る残像の長さはlフィールド期間
(1/60秒)に動いた距離に対応した量となる。
ここで、フォトダイオードにのこる残像の長さを、1フ
レ一ム期間(1/30秒)すなわち、2フイ一ルド期間
に動いた距離に対応した最まで許容ずれは、次に述べる
インクレース動作が可能である。
レ一ム期間(1/30秒)すなわち、2フイ一ルド期間
に動いた距離に対応した最まで許容ずれは、次に述べる
インクレース動作が可能である。
■フレーl−期間分の残像を許容する場合のM O8形
固体t11月象素子を竿3図に示す。第1図のM O8
形固体撮像軍子と異なる点は、インタレース回路6と出
力線7□、73.・・・、7 の間にゲート回路12□
、122. ・・・、128mを設けたことである。
固体t11月象素子を竿3図に示す。第1図のM O8
形固体撮像軍子と異なる点は、インタレース回路6と出
力線7□、73.・・・、7 の間にゲート回路12□
、122. ・・・、128mを設けたことである。
ゲート回路の制御入力は、ひとつおきに別々の制御端子
13□、13.に接続されている。
13□、13.に接続されている。
ここで、奇数フィールドで制御91′M子131にオフ
信号を加え、制御f11(子]、、:S、 にオフ信
号を加えれば、たとえば最初の水平走査期間にインタレ
ース回路からゲート回路12.および12.に出力パル
スが加えられても出力パルスは出力M7□のみに伝えら
れる。この結果、第1行目のフォトダイオード1□−0
,1□−?、・・・、1□−0の光信号のみが垂直信号
線3g + 34 +・・・、3.□に移される。一方
、垂fffスメア信号はMOS )ランジスタ2のオン
・オフにかかわりなく垂直信号線3に蓄積される。この
結果、奇数フィールドの各水平走査期間には、信号出力
線11エ からは奇数行目のフォトダイオードの光信号
S。と、垂直信号線32 + 34 + ・・・3Q
nに蓄積された垂直スメア信号■。とが得られ、信号出
力線11.からは垂直信号線31 、34 +・・・”
1ln−1に蓄lt’Jされた垂直スメア信号■。が得
られる。
信号を加え、制御f11(子]、、:S、 にオフ信
号を加えれば、たとえば最初の水平走査期間にインタレ
ース回路からゲート回路12.および12.に出力パル
スが加えられても出力パルスは出力M7□のみに伝えら
れる。この結果、第1行目のフォトダイオード1□−0
,1□−?、・・・、1□−0の光信号のみが垂直信号
線3g + 34 +・・・、3.□に移される。一方
、垂fffスメア信号はMOS )ランジスタ2のオン
・オフにかかわりなく垂直信号線3に蓄積される。この
結果、奇数フィールドの各水平走査期間には、信号出力
線11エ からは奇数行目のフォトダイオードの光信号
S。と、垂直信号線32 + 34 + ・・・3Q
nに蓄積された垂直スメア信号■。とが得られ、信号出
力線11.からは垂直信号線31 、34 +・・・”
1ln−1に蓄lt’Jされた垂直スメア信号■。が得
られる。
また同様に、偶数フィールドでは制御端子13□にオフ
信号を加え制gill ’f1“14子132 にオン
信号を加えれば、たとえば最初の水平走査期間には出力
パルスi:I: /I(力線7.だけに伝えられJフォ
トダイオード141+IB2+・・・、12□ の光信
号のみが垂直信号線31 + 3B +・・・+32n
1に移される。この結果、偶数フィールドの各水平走査
期間には、イバ号出力線112からは偶数行目のフォト
ダイオードの光信号S。と垂直信号線3□、38.・・
・32□−1に蓄積された垂直スメア信号■。とが得ら
れ、信号出力線11エ からは垂直信号線−1341”
’32゜に蓄積された垂直スメア信号■。が得られる。
信号を加え制gill ’f1“14子132 にオン
信号を加えれば、たとえば最初の水平走査期間には出力
パルスi:I: /I(力線7.だけに伝えられJフォ
トダイオード141+IB2+・・・、12□ の光信
号のみが垂直信号線31 + 3B +・・・+32n
1に移される。この結果、偶数フィールドの各水平走査
期間には、イバ号出力線112からは偶数行目のフォト
ダイオードの光信号S。と垂直信号線3□、38.・・
・32□−1に蓄積された垂直スメア信号■。とが得ら
れ、信号出力線11エ からは垂直信号線−1341”
’32゜に蓄積された垂直スメア信号■。が得られる。
次に本発明を実施例を用いて説明する。
第4図は本発明の一実1イ1;例を示す。14は第5図
で示したM OS固体体撮像素子である。
で示したM OS固体体撮像素子である。
14の信号出力端11□ から得られた信号は、プリア
ンプ15、を通して減算回路16□ の正(1m入力端
子とit算回路162 の負(li11入力端子に加
えられる。一方、信号出力9i+tt子11.から得ら
れた信号番9■、プリアンプ15.を通して減算回路1
G□の負側入力端子と減算回路16. の正側入力端
子に加えられる。減算回路16□、16.の出力信号は
それぞれゲート回路171,172に加えられてゲー・
トされた後、加算回路18に加えられる。
ンプ15、を通して減算回路16□ の正(1m入力端
子とit算回路162 の負(li11入力端子に加
えられる。一方、信号出力9i+tt子11.から得ら
れた信号番9■、プリアンプ15.を通して減算回路1
G□の負側入力端子と減算回路16. の正側入力端
子に加えられる。減算回路16□、16.の出力信号は
それぞれゲート回路171,172に加えられてゲー・
トされた後、加算回路18に加えられる。
ここで、ゲート回路17□け、同1jJ1回路19より
MO8形固固体像ゼ1子14の制御端子13□ に加え
られる信号に開明して、奇数フィールドにのみ入力信号
を出力へ伝える。またゲート回路17.は、制御端子1
3.に加えられる信号に同期し7て、偶数フィールドに
のみ入力信号を出力へ伝える。
MO8形固固体像ゼ1子14の制御端子13□ に加え
られる信号に開明して、奇数フィールドにのみ入力信号
を出力へ伝える。またゲート回路17.は、制御端子1
3.に加えられる信号に同期し7て、偶数フィールドに
のみ入力信号を出力へ伝える。
前述のように、奇数フィールドには信号出力端子11□
より奇数行目のフォトダイオードの光信号S。と垂直
信号線10211041−・・、10.nの垂直スメア
■。が7jlられ、信号出力線11.より垂直信号線1
0工、108・・・102n−1の垂直スメア■。がイ
IIられる。
より奇数行目のフォトダイオードの光信号S。と垂直
信号線10211041−・・、10.nの垂直スメア
■。が7jlられ、信号出力線11.より垂直信号線1
0工、108・・・102n−1の垂直スメア■。がイ
IIられる。
ここで、垂直信号線]−〇、と108.10.と10.
。
。
・・・、10271−2と10.。−1のような空間的
位置関係が近い2本の#p H17信号#’i!の垂i
(7スメアが(はtl等しいこと・り考えると VO−V ・・・(1)で
あるので、奇数フィールドに減算回路16□ からゲー
ト回路17□ を逆って加算回路18に加えられる信号
S。ut□ は 5out□=(So+■e)−■。・・・e)=So
・・・(3)となる。
位置関係が近い2本の#p H17信号#’i!の垂i
(7スメアが(はtl等しいこと・り考えると VO−V ・・・(1)で
あるので、奇数フィールドに減算回路16□ からゲー
ト回路17□ を逆って加算回路18に加えられる信号
S。ut□ は 5out□=(So+■e)−■。・・・e)=So
・・・(3)となる。
同イ′:Iに、偶ン;ンフィールドには信号出力線11
2より偶数行目のフメトダイオードの光信号S。と垂狛
イー7号線10.108.・・・、10□n−0の垂直
スメア■。とが行られ、信号出力線11. より垂直
イ「9路線10. 、 l O,・・・、1o、r+の
垂直スメア■o が得られるので、細微フィールドに減
算回路162 からゲート回路17. を通って加
1寒回路18に加えられるイバ号S。ut Q は5
out 2 = (S6 +”o) V。・・・(4
)=S ・・・(5)となる
。
2より偶数行目のフメトダイオードの光信号S。と垂狛
イー7号線10.108.・・・、10□n−0の垂直
スメア■。とが行られ、信号出力線11. より垂直
イ「9路線10. 、 l O,・・・、1o、r+の
垂直スメア■o が得られるので、細微フィールドに減
算回路162 からゲート回路17. を通って加
1寒回路18に加えられるイバ号S。ut Q は5
out 2 = (S6 +”o) V。・・・(4
)=S ・・・(5)となる
。
この結果、奇数フィールド・伊S数フィールドとも、発
生した垂直スメアが除去されて、加算回路18からは、
フォトダイオードの光信号のみが得られる。
生した垂直スメアが除去されて、加算回路18からは、
フォトダイオードの光信号のみが得られる。
本発明は第5図に示す実施例においても実現可能である
。第5図の実施例が第4閏の実施例と異なる点は、減算
回路16□ の出力を反転回路20に加え、反転回路2
0の出力をゲート回路17□に加えている点である。反
転回路20の出力が、第4図に示す実施例の減算回路1
6.の出力と等しいことは明らかであり、第5図の実施
例によれば減算回路1G□ が省略できる。
。第5図の実施例が第4閏の実施例と異なる点は、減算
回路16□ の出力を反転回路20に加え、反転回路2
0の出力をゲート回路17□に加えている点である。反
転回路20の出力が、第4図に示す実施例の減算回路1
6.の出力と等しいことは明らかであり、第5図の実施
例によれば減算回路1G□ が省略できる。
また、本発明は、MO8形固体撮像素子だけでなく、イ
ンタレース動作において、奇数行目の画素の信号を外部
へ出力するための経路と、偶数行目の画素の信号を外部
へ出力するための経路とが区別されており、両方の経路
からの信号を同時に出力できるすべての固体撮像素子に
適用できる。
ンタレース動作において、奇数行目の画素の信号を外部
へ出力するための経路と、偶数行目の画素の信号を外部
へ出力するための経路とが区別されており、両方の経路
からの信号を同時に出力できるすべての固体撮像素子に
適用できる。
たとえば、第6図に示すインターライン形CCDでは、
奇数行目の7メトダイメード2111+21 ・・・
+ 21B I、21411・・・の光信号と1−を 偶数行目のフメトダイオード218.,218.。
奇数行目の7メトダイメード2111+21 ・・・
+ 21B I、21411・・・の光信号と1−を 偶数行目のフメトダイオード218.,218.。
・・・214−□、21..・・・の光信号を垂直CC
D22□、222・・・および水平CCD23上で分離
して移送することができる。ここで、駆動回路24より
垂直転送ゲート23□、238に加えるパルスを、制御
入力端子25□、252によって制御し、奇数フィール
ドには奇数行目のフォトダイオードの信号のみが垂直C
ODに移され、偶数フィールドには偶数行目のフォトダ
イオードの信号のみが垂’r(r CCDに移されるよ
うにする。このとき、フォトダイオードの信号が移され
なかった垂直CCUの部分には垂直スメアのみが蓄積さ
れるので、水平CODからは、たとえば奇数フィールド
では奇数行目の7オトダイ珂−ドの光信号と垂直スメア
の和信号、あるいは垂直スメア信号のみが交互に?■ら
れる。これを分能回路26□、26.によって交互に分
離すれば、第3図に示すMO8形固体撮像素子の出力信
号線11□、11.から得られる信号と同様の信号が得
られる。
D22□、222・・・および水平CCD23上で分離
して移送することができる。ここで、駆動回路24より
垂直転送ゲート23□、238に加えるパルスを、制御
入力端子25□、252によって制御し、奇数フィール
ドには奇数行目のフォトダイオードの信号のみが垂直C
ODに移され、偶数フィールドには偶数行目のフォトダ
イオードの信号のみが垂’r(r CCDに移されるよ
うにする。このとき、フォトダイオードの信号が移され
なかった垂直CCUの部分には垂直スメアのみが蓄積さ
れるので、水平CODからは、たとえば奇数フィールド
では奇数行目の7オトダイ珂−ドの光信号と垂直スメア
の和信号、あるいは垂直スメア信号のみが交互に?■ら
れる。これを分能回路26□、26.によって交互に分
離すれば、第3図に示すMO8形固体撮像素子の出力信
号線11□、11.から得られる信号と同様の信号が得
られる。
」二連の如く、本発明によれば、減算回路をnツUるこ
とによりスメアの発!1ゴシない固体撮像装置が実現で
き、画質を高めることができる。
とによりスメアの発!1ゴシない固体撮像装置が実現で
き、画質を高めることができる。
第1図はMO8彫固体撮仰素子の構成を示す図、第2図
は垂直スメアを説明するための図、第3図は本発明が適
用可能なMO8形固体撮像素子の構成の一例を示す図、
第4.第5図は本発明の一実1・O)例を示す図、第6
図は本発明の適用が可能なインターライン形CCDのj
j・ff成の一例を示す図である。 11□、11.:固体撮像素子の信号出力かハ13□。 13!=ゲ一ト回路制御端子、■4=固体撮像素子、1
5:プリアンプ、1G□、 16. :減算回路、17
:減勢回路出力を切り換えるためのゲート回路。 第 1 図 8 第 2 図 (a) 第 3 図 13、 13□ 第 4. 図 第 5 図 第 6 図 25.252 第1頁の続き 0発 明 者 佐藤正典 勝田市大字稲田1410番地株式会 社日立製作所東海工場内 0発 明 者 鈴木聡 勝田市大字稲田1410番地株式会 社日立製作所東海工場内
は垂直スメアを説明するための図、第3図は本発明が適
用可能なMO8形固体撮像素子の構成の一例を示す図、
第4.第5図は本発明の一実1・O)例を示す図、第6
図は本発明の適用が可能なインターライン形CCDのj
j・ff成の一例を示す図である。 11□、11.:固体撮像素子の信号出力かハ13□。 13!=ゲ一ト回路制御端子、■4=固体撮像素子、1
5:プリアンプ、1G□、 16. :減算回路、17
:減勢回路出力を切り換えるためのゲート回路。 第 1 図 8 第 2 図 (a) 第 3 図 13、 13□ 第 4. 図 第 5 図 第 6 図 25.252 第1頁の続き 0発 明 者 佐藤正典 勝田市大字稲田1410番地株式会 社日立製作所東海工場内 0発 明 者 鈴木聡 勝田市大字稲田1410番地株式会 社日立製作所東海工場内
Claims (1)
- 奇数行目の画素の信号を外部へ出力するためのfBlの
経路と、偶数行目の画素の信号を外部へ出力するための
第2の経路が区別されており、該第1の経路の信号およ
び該第2の経路の信号を同時に出力できる固体撮像装置
において、前記幀1の経路の出力と前記第2の経路の出
力との斧を出力する減算回路、前記第1の経路を制御す
る制御信号および前記1N2の経路を制御する制御信号
に同期して、前記減算回路の出力を制御するゲート回路
を設けたことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57164498A JPS5952974A (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 固体撮像装置 |
US06/518,699 US4543610A (en) | 1982-09-20 | 1983-07-29 | Solid-state imaging device including noise subtraction with polarity control |
EP83107562A EP0106042B1 (en) | 1982-09-20 | 1983-08-01 | Solid-state imaging device |
DE8383107562T DE3367492D1 (en) | 1982-09-20 | 1983-08-01 | Solid-state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57164498A JPS5952974A (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5952974A true JPS5952974A (ja) | 1984-03-27 |
JPH0446034B2 JPH0446034B2 (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=15794296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57164498A Granted JPS5952974A (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 固体撮像装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4543610A (ja) |
EP (1) | EP0106042B1 (ja) |
JP (1) | JPS5952974A (ja) |
DE (1) | DE3367492D1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2151430A (en) * | 1983-11-30 | 1985-07-17 | Hitachi Ltd | Solid-state imaging system with smear suppression circuits |
US4731665A (en) * | 1984-12-28 | 1988-03-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus with read-out of selected combinations of lines |
CA1269446C (en) * | 1984-12-28 | 1990-05-22 | CAMERA | |
JPS63127656A (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-31 | Ricoh Co Ltd | イメ−ジセンサ駆動回路 |
US5053615A (en) * | 1990-04-06 | 1991-10-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Correction algorithm for contiguous CCD elements leakage |
JPH04293359A (ja) * | 1991-03-22 | 1992-10-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 画像読取装置 |
US5252818A (en) * | 1991-08-22 | 1993-10-12 | Vision Ten, Inc. | Method and apparatus for improved scanner accuracy using a linear sensor array |
US5264945A (en) * | 1991-10-16 | 1993-11-23 | Eastman Kodak Company | Contact array scanners with circulating memory |
US5790191A (en) * | 1996-03-07 | 1998-08-04 | Omnivision Technologies, Inc. | Method and apparatus for preamplification in a MOS imaging array |
JP4367910B2 (ja) * | 2003-10-02 | 2009-11-18 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5612179A (en) * | 1979-07-12 | 1981-02-06 | Sony Corp | Solid image pickup unit |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5310433B2 (ja) * | 1975-03-10 | 1978-04-13 | ||
US4079423A (en) * | 1976-10-14 | 1978-03-14 | General Electric Company | Solid state imaging system providing pattern noise cancellation |
JPS5535536A (en) * | 1978-09-06 | 1980-03-12 | Hitachi Ltd | Solid color image pickup device |
JPS6033345B2 (ja) * | 1979-06-08 | 1985-08-02 | 日本電気株式会社 | 電荷転送撮像装置とその駆動方法 |
US4241421A (en) * | 1979-07-26 | 1980-12-23 | General Electric Company | Solid state imaging apparatus |
US4240116A (en) * | 1979-08-22 | 1980-12-16 | General Electric Company | Solid state imaging apparatus |
DE2939490A1 (de) * | 1979-09-28 | 1981-04-16 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Monolithisch integrierter zweidimensionaler bildsensor mit einer differenzbildenden stufe |
JPS56152382A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-25 | Hitachi Ltd | Solid image pickup element |
JPS57100361U (ja) * | 1980-12-12 | 1982-06-21 |
-
1982
- 1982-09-20 JP JP57164498A patent/JPS5952974A/ja active Granted
-
1983
- 1983-07-29 US US06/518,699 patent/US4543610A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-08-01 EP EP83107562A patent/EP0106042B1/en not_active Expired
- 1983-08-01 DE DE8383107562T patent/DE3367492D1/de not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5612179A (en) * | 1979-07-12 | 1981-02-06 | Sony Corp | Solid image pickup unit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4543610A (en) | 1985-09-24 |
DE3367492D1 (en) | 1986-12-11 |
JPH0446034B2 (ja) | 1992-07-28 |
EP0106042A1 (en) | 1984-04-25 |
EP0106042B1 (en) | 1986-11-05 |
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