JPH04237271A - 撮像装置 - Google Patents
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- JPH04237271A JPH04237271A JP3005254A JP525491A JPH04237271A JP H04237271 A JPH04237271 A JP H04237271A JP 3005254 A JP3005254 A JP 3005254A JP 525491 A JP525491 A JP 525491A JP H04237271 A JPH04237271 A JP H04237271A
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
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- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
- H04N25/621—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming
- H04N25/622—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming by controlling anti-blooming drains
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/715—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using frame interline transfer [FIT]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フレームインタライン
トランスファ方式の電荷結合型撮像素子（ＦＩＴ−ＣＣ
Ｄ）を用いた撮像装置に関し、特に、ＦＩＴ−ＣＣＤに
発生するスミアを低減した撮像装置に関する。
トランスファ方式の電荷結合型撮像素子（ＦＩＴ−ＣＣ
Ｄ）を用いた撮像装置に関し、特に、ＦＩＴ−ＣＣＤに
発生するスミアを低減した撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＦＩＴ−ＣＣＤを用いた電子スチルカメ
ラにおいて、疑似フレーム撮像が提案されている。しか
し、この疑似フレーム撮像の問題点として、Ｂフィール
ドの信号電荷が垂直電荷転送路に長時間放置されるため
、スミアの影響によってフィールドフリッカが生じると
いう問題が存在した。
ラにおいて、疑似フレーム撮像が提案されている。しか
し、この疑似フレーム撮像の問題点として、Ｂフィール
ドの信号電荷が垂直電荷転送路に長時間放置されるため
、スミアの影響によってフィールドフリッカが生じると
いう問題が存在した。
【０００３】以下、ＦＩＴ−ＣＣＤの構造と共にその動
作について説明する。先ず、フレームインタライントラ
ンスファ方式の電荷結合型固体撮像素子（ＦＩＴ−ＣＣ
Ｄ）の構造について図３、図４を用いて説明する。
作について説明する。先ず、フレームインタライントラ
ンスファ方式の電荷結合型固体撮像素子（ＦＩＴ−ＣＣ
Ｄ）の構造について図３、図４を用いて説明する。
【０００４】ＣＣＤは主としてドレイン部３２、受光部
３４、蓄積部３６、水平電荷転送路３８等から構成され
る。そして、受光部３４には垂直方向Ｖおよび水平方向
Ｈに多数のフォトダイオードＰＤがマトリクス状に配列
され、且つフォトダイオードの各列には隣接して垂直電
荷転送路ＶＢＣＣＤが形成され、フォトダイオードＰＤ
と垂直電荷転送路ＶＢＣＣＤの間にはトランスファゲー
トＴＧが形成される。なお、蓄積部３６、フォトダイオ
ードＰＤ部以外の領域、すなわち、垂直電荷転送路ＶＢ
ＣＣＤ、水平電荷転送路３８等の上面には各々の部分に
入射する光線を遮断するために遮光膜が形成されている
。
３４、蓄積部３６、水平電荷転送路３８等から構成され
る。そして、受光部３４には垂直方向Ｖおよび水平方向
Ｈに多数のフォトダイオードＰＤがマトリクス状に配列
され、且つフォトダイオードの各列には隣接して垂直電
荷転送路ＶＢＣＣＤが形成され、フォトダイオードＰＤ
と垂直電荷転送路ＶＢＣＣＤの間にはトランスファゲー
トＴＧが形成される。なお、蓄積部３６、フォトダイオ
ードＰＤ部以外の領域、すなわち、垂直電荷転送路ＶＢ
ＣＣＤ、水平電荷転送路３８等の上面には各々の部分に
入射する光線を遮断するために遮光膜が形成されている
。
【０００５】また、垂直電荷転送路ＶＢＣＣＤの上面に
は電荷転送用の電極群（図示せず）が形成される。
は電荷転送用の電極群（図示せず）が形成される。
【０００６】蓄積部３６は、垂直電荷転送路ＶＢＣＣＤ
に対応して電荷転送路が形成されその電荷転送路で電荷
が蓄積される。それらの電荷転送路の上面には転送電極
群（図示せず）が形成される。
に対応して電荷転送路が形成されその電荷転送路で電荷
が蓄積される。それらの電荷転送路の上面には転送電極
群（図示せず）が形成される。
【０００７】水平電荷転送路３８は、蓄積部３６の電荷
転送路群に対応して設けられる。上記のように構成され
たＣＣＤの動作の概要について次に説明する。
転送路群に対応して設けられる。上記のように構成され
たＣＣＤの動作の概要について次に説明する。
【０００８】フォトダイオードＰＤを、図３に示すよう
にＡフィールドとＢフィールドにグループ分けし、先ず
、Ａフィールドに対応するフォトダイオードＰＤに蓄積
された電荷をトランスファゲートＴＧにパルスを加える
ことにより垂直電荷転送路ＶＢＣＣＤに転送する。トラ
ンスファゲートＴＧを駆動するためのゲート電極は垂直
電荷転送路ＶＢＣＣＤの転送電極と一体に形成され、駆
動信号を所定のタイミングで高電圧を加えることにより
トランスファゲートＴＧを導通状態にすることができる
。
にＡフィールドとＢフィールドにグループ分けし、先ず
、Ａフィールドに対応するフォトダイオードＰＤに蓄積
された電荷をトランスファゲートＴＧにパルスを加える
ことにより垂直電荷転送路ＶＢＣＣＤに転送する。トラ
ンスファゲートＴＧを駆動するためのゲート電極は垂直
電荷転送路ＶＢＣＣＤの転送電極と一体に形成され、駆
動信号を所定のタイミングで高電圧を加えることにより
トランスファゲートＴＧを導通状態にすることができる
。
【０００９】そして、垂直電荷転送路ＶＢＣＣＤの電極
群に４相の駆動パルスφＩ１、φＩ２、φＩ３、φＩ４
を印加することによって、垂直電荷転送路ＶＢＣＣＤの
電荷を垂直方向へ転送する。
群に４相の駆動パルスφＩ１、φＩ２、φＩ３、φＩ４
を印加することによって、垂直電荷転送路ＶＢＣＣＤの
電荷を垂直方向へ転送する。
【００１０】一方、蓄積部３６においては、電荷転送路
の上面に積層された転送電極群に４相の駆動信号φＳ１
、φＳ２、φＳ３、φＳ４を印加することにより、垂直
電荷転送路ＶＢＣＣＤからの信号を電荷転送路に転送し
蓄積する。蓄積部３６に蓄積された信号は、水平電荷転
送路３８に転送され、水平電荷転送路３８の上面に形成
された転送電極群に印加される２相の信号φＨ１、φＨ
２により水平方向へ転送される。そして、リセットゲー
ト４０、出力ゲート４２、出力増幅器４６を介して出力
される。
の上面に積層された転送電極群に４相の駆動信号φＳ１
、φＳ２、φＳ３、φＳ４を印加することにより、垂直
電荷転送路ＶＢＣＣＤからの信号を電荷転送路に転送し
蓄積する。蓄積部３６に蓄積された信号は、水平電荷転
送路３８に転送され、水平電荷転送路３８の上面に形成
された転送電極群に印加される２相の信号φＨ１、φＨ
２により水平方向へ転送される。そして、リセットゲー
ト４０、出力ゲート４２、出力増幅器４６を介して出力
される。
【００１１】次いで、Ｂフィールドに対応するフォトダ
イオードＰＤに蓄積された電荷も同様に転送する。
イオードＰＤに蓄積された電荷も同様に転送する。
【００１２】上記のように構成されたＣＣＤの疑似フレ
ームの動作は、図２のタイムチャートに示すように、先
ず、フォトダイオードＰＤに入射した光線はそこで光電
変換され蓄積される。信号蓄積期間に蓄積された電荷は
隣接の垂直電荷転送路ＶＢＣＣＤに所定のタイミングで
転送されるが、信号蓄積期間以外の期間に蓄積された電
荷は不要であるから、Ａフィールドに関してはｔ１ の
タイミングでＡフィールドのフォトダイオードＰＤから
垂直電荷転送路ＶＢＣＣＤに転送し、次いでＢフィール
ドのフォトダイオードＰＤからｔ２ のタイミングで垂
直電荷転送路ＶＢＣＣＤに転送する。垂直電荷転送路Ｖ
ＢＣＣＤに転送された電荷はｔ３ 、ｔ４ の間にドレ
イン部３２、若しくは蓄積部３６の方へ掃き出す。この
ようにして不要電荷を掃き出した後にＡフィールドのフ
ォトダイオードＰＤに蓄積された電荷をｔ５ のタイミ
ングで垂直電荷転送路に転送し、ｔ６ 、ｔ７ の間に
蓄積部へ転送する。この信号はｔ９ 、ｔ１０の間に水
平電荷転送路を介して外部へ出力される。一方、Ｂフィ
ールドのフォトダイオードＰＤに蓄積された電荷はｔ８
のタイミングで垂直電荷転送路に転送し、ｔ１１、ｔ
１２の間に蓄積部３６へ転送する。そしてそれはｔ１３
、ｔ１４間のタイミングで水平電荷転送路を介して外部
へ出力する。
ームの動作は、図２のタイムチャートに示すように、先
ず、フォトダイオードＰＤに入射した光線はそこで光電
変換され蓄積される。信号蓄積期間に蓄積された電荷は
隣接の垂直電荷転送路ＶＢＣＣＤに所定のタイミングで
転送されるが、信号蓄積期間以外の期間に蓄積された電
荷は不要であるから、Ａフィールドに関してはｔ１ の
タイミングでＡフィールドのフォトダイオードＰＤから
垂直電荷転送路ＶＢＣＣＤに転送し、次いでＢフィール
ドのフォトダイオードＰＤからｔ２ のタイミングで垂
直電荷転送路ＶＢＣＣＤに転送する。垂直電荷転送路Ｖ
ＢＣＣＤに転送された電荷はｔ３ 、ｔ４ の間にドレ
イン部３２、若しくは蓄積部３６の方へ掃き出す。この
ようにして不要電荷を掃き出した後にＡフィールドのフ
ォトダイオードＰＤに蓄積された電荷をｔ５ のタイミ
ングで垂直電荷転送路に転送し、ｔ６ 、ｔ７ の間に
蓄積部へ転送する。この信号はｔ９ 、ｔ１０の間に水
平電荷転送路を介して外部へ出力される。一方、Ｂフィ
ールドのフォトダイオードＰＤに蓄積された電荷はｔ８
のタイミングで垂直電荷転送路に転送し、ｔ１１、ｔ
１２の間に蓄積部３６へ転送する。そしてそれはｔ１３
、ｔ１４間のタイミングで水平電荷転送路を介して外部
へ出力する。
【００１３】次に、スミアの発生について図５を参照し
て説明する。スミアの発生は、図５に示すように３つの
原因が考えられる。その一つは、図に■で示すようにＰ
ウエル（Ｐ−ｗｅｌｌ）内において入射光により発生し
た電荷の一部がウエル内を拡散し垂直電荷転送路に漏れ
込むことによるもの。二つ目は、図に■で示すようにフ
ォトダイオードＰＤに入射した光の一部がＳｉ表面で反
射され、この反射光の一部がＡｌ遮光膜裏面で再び反射
されて垂直電荷転送路に漏れ込むことによるもの。三つ
目は、図に■で示すように、Ａｌ遮光膜を透過した光が
直接垂直電荷転送路を感光させ垂直電荷転送路内に雑音
電荷を発生させることによるものである。この中で特に
スミアに影響を及ぼすのは■と■である。
て説明する。スミアの発生は、図５に示すように３つの
原因が考えられる。その一つは、図に■で示すようにＰ
ウエル（Ｐ−ｗｅｌｌ）内において入射光により発生し
た電荷の一部がウエル内を拡散し垂直電荷転送路に漏れ
込むことによるもの。二つ目は、図に■で示すようにフ
ォトダイオードＰＤに入射した光の一部がＳｉ表面で反
射され、この反射光の一部がＡｌ遮光膜裏面で再び反射
されて垂直電荷転送路に漏れ込むことによるもの。三つ
目は、図に■で示すように、Ａｌ遮光膜を透過した光が
直接垂直電荷転送路を感光させ垂直電荷転送路内に雑音
電荷を発生させることによるものである。この中で特に
スミアに影響を及ぼすのは■と■である。
【００１４】シャッター速度の違いによるスミアの影響
としては、１／６０秒標準駆動時のスミアを０．０００
１％とし、垂直電荷転送路から蓄積部へ転送する時間（
図２に示すｔ６ 、ｔ７ の間）をＢとし、そのＢから
次の掃き出し期間までの間をＡとすると、疑似フィール
ドのスミアによる影響は、１／６０秒標準駆動時のスミ
ア×２×（シャッター速度／６０）×（Ａ÷（Ｂ÷１０
））であるから、１／６０秒のシャッター速度の時は、 ０．０００１×２×（６０／６０）×（１６．２７
ｍｓｅｃ÷（３３３μｓｅｃ ÷１０））＝０．０９７
６３％ であり、１／２５０秒のシャッター速度の時は、 ０
．０００１×２×（２５０／６０）×（１６．２７ｍｓ
ｅｃ÷（３３３μｓｅｃ ÷１０））＝０．４０６８％ である。
としては、１／６０秒標準駆動時のスミアを０．０００
１％とし、垂直電荷転送路から蓄積部へ転送する時間（
図２に示すｔ６ 、ｔ７ の間）をＢとし、そのＢから
次の掃き出し期間までの間をＡとすると、疑似フィール
ドのスミアによる影響は、１／６０秒標準駆動時のスミ
ア×２×（シャッター速度／６０）×（Ａ÷（Ｂ÷１０
））であるから、１／６０秒のシャッター速度の時は、 ０．０００１×２×（６０／６０）×（１６．２７
ｍｓｅｃ÷（３３３μｓｅｃ ÷１０））＝０．０９７
６３％ であり、１／２５０秒のシャッター速度の時は、 ０
．０００１×２×（２５０／６０）×（１６．２７ｍｓ
ｅｃ÷（３３３μｓｅｃ ÷１０））＝０．４０６８％ である。
【００１５】スミアは１％以下でないとＣＲＴ上に表示
される画像にフリッカが生じる。従って、１／５００秒
以下のシャッター速度ではフリッカが生じることになる
。
される画像にフリッカが生じる。従って、１／５００秒
以下のシャッター速度ではフリッカが生じることになる
。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、Ａフィ
ールドの電荷は垂直電荷転送路の不要電荷が掃き出され
てから直ちに垂直電荷転送路に転送され、またその直後
に蓄積部へ転送されるため、スミアの影響は非常に少な
い。しかし、Ｂフィールドの電荷においてはＡフィール
ドの電荷が垂直電荷転送路から蓄積部に転送された直後
に垂直電荷転送路に転送されるのでＢフィールドの電荷
は、Ａフィールドの電荷が蓄積部に存在している間は蓄
積部に転送することができず、その電荷が転送されてか
ら蓄積部に転送しなければならない。従って、Ｂフィー
ルドの電荷は垂直電荷転送路にほぼ１垂直偏向期間垂直
電荷転送路に置かなければならない。そのため、前述の
ように、スミアがＢフィールドにのみ影響を与えてしま
い、シャッター速度が速くなるとフリッカが生じるとい
う問題が存在した。
ールドの電荷は垂直電荷転送路の不要電荷が掃き出され
てから直ちに垂直電荷転送路に転送され、またその直後
に蓄積部へ転送されるため、スミアの影響は非常に少な
い。しかし、Ｂフィールドの電荷においてはＡフィール
ドの電荷が垂直電荷転送路から蓄積部に転送された直後
に垂直電荷転送路に転送されるのでＢフィールドの電荷
は、Ａフィールドの電荷が蓄積部に存在している間は蓄
積部に転送することができず、その電荷が転送されてか
ら蓄積部に転送しなければならない。従って、Ｂフィー
ルドの電荷は垂直電荷転送路にほぼ１垂直偏向期間垂直
電荷転送路に置かなければならない。そのため、前述の
ように、スミアがＢフィールドにのみ影響を与えてしま
い、シャッター速度が速くなるとフリッカが生じるとい
う問題が存在した。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明は、フレームインタライントランスファ方
式の電荷結合型撮像素子の各画素に蓄積された不要電荷
を、設定されたシャッター速度に応じた露光時間が得ら
れるように、第１のフィールドに該当する電荷を掃き出
した後に第２のフィールドに該当する電荷を掃き出し、
次いで、所定時間の後に第１のフィールドに該当する信
号電荷を垂直電荷転送路から蓄積部へ転送し、その後、
第２のフィールドに該当する信号電荷を垂直電荷転送路
へ転送し、第１のフィールドに該当する信号電荷が蓄積
部から読み出された後に第２のフィールドに該当する信
号電荷を、蓄積部へ転送し読み出すことによって疑似的
なフレームが得られる撮像装置において、前記第２のフ
ィールドに該当する信号電荷を垂直電荷転送路に転送し
た後に、オーバーフロードレインのための信号をＣＣＤ
の基板に連続して加えるよう構成したことを特徴とする
。
めに、本発明は、フレームインタライントランスファ方
式の電荷結合型撮像素子の各画素に蓄積された不要電荷
を、設定されたシャッター速度に応じた露光時間が得ら
れるように、第１のフィールドに該当する電荷を掃き出
した後に第２のフィールドに該当する電荷を掃き出し、
次いで、所定時間の後に第１のフィールドに該当する信
号電荷を垂直電荷転送路から蓄積部へ転送し、その後、
第２のフィールドに該当する信号電荷を垂直電荷転送路
へ転送し、第１のフィールドに該当する信号電荷が蓄積
部から読み出された後に第２のフィールドに該当する信
号電荷を、蓄積部へ転送し読み出すことによって疑似的
なフレームが得られる撮像装置において、前記第２のフ
ィールドに該当する信号電荷を垂直電荷転送路に転送し
た後に、オーバーフロードレインのための信号をＣＣＤ
の基板に連続して加えるよう構成したことを特徴とする
。
【００１８】
【作用】Ｂフィールドの信号電荷が垂直電荷転送路に存
在する間に、オーバーフロドレインのための電圧を、基
板に印加することにより、ＣＣＤの基板深部で発生する
スミアの影響を、極力低減することができる。
在する間に、オーバーフロドレインのための電圧を、基
板に印加することにより、ＣＣＤの基板深部で発生する
スミアの影響を、極力低減することができる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図とともに説明する
。
。
【００２０】図１は本実施例に係る撮像装置のブロック
を示す。ＣＣＤ１０は、被写体光学像を結像する受光面
にストライプ状のカラーフィルタを形成したフレームイ
ンタライン方式の電荷結合型撮像素子（ＦＩＴ−ＣＣＤ
）であり、その出力は、水平電荷転送路を介して出力さ
れる色信号を、タイミングパルス発生回路２４からのタ
イミングパルスに同期して相関二重サンプリング方式で
サンプリングするサンプルホールド回路１２に供給され
る。また、ＣＣＤ１０には、受光部用ドライバ１４と、
蓄積部用ドライバ１６と、水平転送路用ドライバ１８お
よび加算回路２９を介してオーバーフロードレイン（Ｏ
ＦＤ）のための直流バイアス電圧を加えるＯＦＤ電圧回
路３１と、基板電圧駆動回路２８（なお、この回路はオ
ーバフロードレイン方式の電子シャッターに用いる。Ｆ
ＩＴ−ＣＣＤ構成の垂直電荷転送路ＶＢＣＣＤを使用し
た掃き出し法を用いる場合はこの回路は必要としない）
が接続されている。この受光部用ドライバ１４はＣＣＤ
１０の垂直電荷転送路ＶＢＣＣＤを駆動するための４相
の駆動信号をタイミングパルス発生回路２４からの同期
信号に同期して発生する回路であり、蓄積部用ドライバ
１６はＣＣＤ１０の蓄積部の電荷転送路を駆動するため
の４相の駆動信号をタイミングパルス発生回路２４から
の同期信号に同期して発生する回路であり、水平転送路
用ドライバ１８はＣＣＤ１０の水平転送路を駆動するた
めの２相の駆動信号およびゲートを駆動するためのゲー
ト信号、リセット信号をタイミングパルス発生回路２４
からの同期信号に同期して発生する回路である。 そして、サンプルホールド回路１２には信号処理回路２
０が接続される。この信号処理回路２０はサンプルホー
ルド回路１２の出力信号に対して白バランス調整、γ補
正等の処理を行った後、輝度信号および色差信号を出力
する。また、エンコーダは信号処理回路２０の出力信号
を記録するための信号に変換する回路である。さらに、
システム制御回路は装置全体の制御を司り、電子シャッ
ター制御回路３０は電子シャッターのタイミングを制御
する。
を示す。ＣＣＤ１０は、被写体光学像を結像する受光面
にストライプ状のカラーフィルタを形成したフレームイ
ンタライン方式の電荷結合型撮像素子（ＦＩＴ−ＣＣＤ
）であり、その出力は、水平電荷転送路を介して出力さ
れる色信号を、タイミングパルス発生回路２４からのタ
イミングパルスに同期して相関二重サンプリング方式で
サンプリングするサンプルホールド回路１２に供給され
る。また、ＣＣＤ１０には、受光部用ドライバ１４と、
蓄積部用ドライバ１６と、水平転送路用ドライバ１８お
よび加算回路２９を介してオーバーフロードレイン（Ｏ
ＦＤ）のための直流バイアス電圧を加えるＯＦＤ電圧回
路３１と、基板電圧駆動回路２８（なお、この回路はオ
ーバフロードレイン方式の電子シャッターに用いる。Ｆ
ＩＴ−ＣＣＤ構成の垂直電荷転送路ＶＢＣＣＤを使用し
た掃き出し法を用いる場合はこの回路は必要としない）
が接続されている。この受光部用ドライバ１４はＣＣＤ
１０の垂直電荷転送路ＶＢＣＣＤを駆動するための４相
の駆動信号をタイミングパルス発生回路２４からの同期
信号に同期して発生する回路であり、蓄積部用ドライバ
１６はＣＣＤ１０の蓄積部の電荷転送路を駆動するため
の４相の駆動信号をタイミングパルス発生回路２４から
の同期信号に同期して発生する回路であり、水平転送路
用ドライバ１８はＣＣＤ１０の水平転送路を駆動するた
めの２相の駆動信号およびゲートを駆動するためのゲー
ト信号、リセット信号をタイミングパルス発生回路２４
からの同期信号に同期して発生する回路である。 そして、サンプルホールド回路１２には信号処理回路２
０が接続される。この信号処理回路２０はサンプルホー
ルド回路１２の出力信号に対して白バランス調整、γ補
正等の処理を行った後、輝度信号および色差信号を出力
する。また、エンコーダは信号処理回路２０の出力信号
を記録するための信号に変換する回路である。さらに、
システム制御回路は装置全体の制御を司り、電子シャッ
ター制御回路３０は電子シャッターのタイミングを制御
する。
【００２１】次に、実施例の回路の動作について説明す
る。実施例の回路の基本的な動作は先に述べた動作と同
じであり、信号蓄積期間以外の期間に蓄積された電荷は
不要であるからＡフィールドに関してはｔ１ のタイミ
ングでＡフィールドのフォトダイオードＰＤから垂直電
荷転送路ＶＢＣＣＤに転送し、次いでＢフィールドのフ
ォトダイオードＰＤからｔ２ のタイミングで垂直電荷
転送路ＶＢＣＣＤに転送する。垂直電荷転送路ＶＢＣＣ
Ｄに転送された電荷はｔ３ 、ｔ４ の間に受光部用ド
ライバ１４によりドレイン部３２、若しくは蓄積部３６
の方へ掃き出される。このようにして不要電荷を掃き出
した後にＡフィールドのフォトダイオードＰＤに蓄積さ
れた電荷をｔ５ のタイミングで垂直電荷転送路ＶＢＣ
ＣＤに転送し、ｔ６ 、ｔ７ の間に受光部用ドライバ
１４と蓄積部用ドライバ１６をともに動作させて蓄積部
３６へ転送する。このＡフィールドの信号はｔ９ 〜ｔ
１１の間に水平電荷転送路を介して外部へ出力される。 一方、ＢフィールドのフォトダイオードＰＤに蓄積され
た電荷はｔ８ のタイミングで垂直電荷転送路に転送し
、ｔ１２、ｔ１３の間に蓄積部３６へ転送する。そして
それはｔ１４、ｔ１５のタイミングで水平電荷転送路３
８を介して外部へ出力する。 しかし、先に述べたようにＢフィールドの信号は垂直電
荷転送路ＶＢＣＣＤに長時間待機するのでスミアが混入
する。そこで、Ｂフィールドの信号を垂直電荷転送路Ｖ
ＢＣＣＤに転送してから、蓄積部３６へ転送するまでの
間、水平ブランキング期間に、基板にオーバーフロード
レインのための電圧を基板電圧駆動回路２８から加え、
先に述べた■のスミアの影響を除去する。
る。実施例の回路の基本的な動作は先に述べた動作と同
じであり、信号蓄積期間以外の期間に蓄積された電荷は
不要であるからＡフィールドに関してはｔ１ のタイミ
ングでＡフィールドのフォトダイオードＰＤから垂直電
荷転送路ＶＢＣＣＤに転送し、次いでＢフィールドのフ
ォトダイオードＰＤからｔ２ のタイミングで垂直電荷
転送路ＶＢＣＣＤに転送する。垂直電荷転送路ＶＢＣＣ
Ｄに転送された電荷はｔ３ 、ｔ４ の間に受光部用ド
ライバ１４によりドレイン部３２、若しくは蓄積部３６
の方へ掃き出される。このようにして不要電荷を掃き出
した後にＡフィールドのフォトダイオードＰＤに蓄積さ
れた電荷をｔ５ のタイミングで垂直電荷転送路ＶＢＣ
ＣＤに転送し、ｔ６ 、ｔ７ の間に受光部用ドライバ
１４と蓄積部用ドライバ１６をともに動作させて蓄積部
３６へ転送する。このＡフィールドの信号はｔ９ 〜ｔ
１１の間に水平電荷転送路を介して外部へ出力される。 一方、ＢフィールドのフォトダイオードＰＤに蓄積され
た電荷はｔ８ のタイミングで垂直電荷転送路に転送し
、ｔ１２、ｔ１３の間に蓄積部３６へ転送する。そして
それはｔ１４、ｔ１５のタイミングで水平電荷転送路３
８を介して外部へ出力する。 しかし、先に述べたようにＢフィールドの信号は垂直電
荷転送路ＶＢＣＣＤに長時間待機するのでスミアが混入
する。そこで、Ｂフィールドの信号を垂直電荷転送路Ｖ
ＢＣＣＤに転送してから、蓄積部３６へ転送するまでの
間、水平ブランキング期間に、基板にオーバーフロード
レインのための電圧を基板電圧駆動回路２８から加え、
先に述べた■のスミアの影響を除去する。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、本発明によればＣＣＤの
基板深部で発生するスミアを極力低減することができる
ので、良好な疑似フレーム画像を得ることができる。
基板深部で発生するスミアを極力低減することができる
ので、良好な疑似フレーム画像を得ることができる。
【図１】本発明に係る撮像装置の回路ブロック図である
。
。
【図２】図１に示す撮像装置のタイムチャートである。
【図３】フレームインタライントランスファ方式の電荷
結合型固体撮像素子の構造図である。
結合型固体撮像素子の構造図である。
【図４】フレームインタライントランスファ方式の電荷
結合型固体撮像素子の画素部の断面構造図である。
結合型固体撮像素子の画素部の断面構造図である。
【図５】フレームインタライントランスファ方式の電荷
結合型固体撮像素子におけるスミアの発生を説明するた
めの図である。
結合型固体撮像素子におけるスミアの発生を説明するた
めの図である。
１０…ＣＣＤ
１２…サンプルホールド回路
１４…受光部用ドライバ
１６…蓄積部用ドライバ
１８…水平転送路用ドライバ
２０…信号処理回路
２４…タイミングパルス発生回路
２６…システム制御回路
２８…基板電圧駆動回路
３０…電子シャッター制御回路
Claims (3)
- 【請求項１】フレームインタライントランスファ方式の
電荷結合型撮像素子の各画素に蓄積された不要電荷を、
設定されたシャッター速度に応じた露光時間が得られる
ように、第１のフィールドに該当する電荷を掃き出した
後に第２のフィールドに該当する電荷を掃き出し、次い
で、所定時間の後に第１のフィールドに該当する信号電
荷を垂直電荷転送路から蓄積部へ転送し、その後、第２
のフィールドに該当する信号電荷を垂直電荷転送路へ転
送し、第１のフィールドに該当する信号電荷が蓄積部か
ら読み出された後に第２のフィールドに該当する信号電
荷を、蓄積部へ転送し読み出すことによって疑似的なフ
レームが得られる撮像装置において、前記第２のフィー
ルドに該当する信号電荷を垂直電荷転送路に転送した後
に、オーバーフロードレインのための信号をＣＣＤの基
板に連続して加えるよう構成したことを特徴とする撮像
装置。 - 【請求項２】請求項１記載の装置において、オーバーフ
ロードレインのための信号は、水平ブランキング期間に
加えるようにしたことを特徴とする撮像装置。 - 【請求項３】請求項１記載の装置において、オーバーフ
ロードレインのための信号は、第２のフィールドに該当
する信号電荷を垂直電荷転送路から蓄積部へ転送する以
前までに加えるようにしたことを特徴とする撮像装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3005254A JPH04237271A (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | 撮像装置 |
| US07/822,655 US5181101A (en) | 1991-01-21 | 1992-01-21 | Image sensing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3005254A JPH04237271A (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | 撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04237271A true JPH04237271A (ja) | 1992-08-25 |
Family
ID=11606087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3005254A Pending JPH04237271A (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | 撮像装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5181101A (ja) |
| JP (1) | JPH04237271A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100381532B1 (ko) * | 1998-07-28 | 2003-04-26 | 인텔 코오퍼레이션 | 파이프라인 방식의 디지털 비디오 포착 동안에 방전램프로부터 플리커 영향을 감소시키기 위한 방법 및 장치 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2975216B2 (ja) * | 1992-06-18 | 1999-11-10 | 三菱電機株式会社 | リニアイメージセンサ及びその駆動方式 |
| JPH0654259A (ja) * | 1992-07-31 | 1994-02-25 | Sony Corp | Ｆｉｔ型固体撮像装置 |
| US5598210A (en) * | 1995-02-15 | 1997-01-28 | Eastman Kodak Company | On chip driver for electric shuttering |
| JP3574602B2 (ja) * | 1999-12-27 | 2004-10-06 | ペンタックス株式会社 | ３次元画像入力装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61284183A (ja) * | 1985-06-10 | 1986-12-15 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | シヤツタ−機能を有する固体撮像装置 |
| JPS63105579A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-10 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| JPH0237884A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-07 | Nec Corp | 固体撮像素子の駆動方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2660585B2 (ja) * | 1989-10-06 | 1997-10-08 | 富士写真フイルム株式会社 | 撮像装置 |
-
1991
- 1991-01-21 JP JP3005254A patent/JPH04237271A/ja active Pending
-
1992
- 1992-01-21 US US07/822,655 patent/US5181101A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61284183A (ja) * | 1985-06-10 | 1986-12-15 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | シヤツタ−機能を有する固体撮像装置 |
| JPS63105579A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-10 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| JPH0237884A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-07 | Nec Corp | 固体撮像素子の駆動方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100381532B1 (ko) * | 1998-07-28 | 2003-04-26 | 인텔 코오퍼레이션 | 파이프라인 방식의 디지털 비디오 포착 동안에 방전램프로부터 플리커 영향을 감소시키기 위한 방법 및 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5181101A (en) | 1993-01-19 |
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