JPH0443423B2 - - Google Patents
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- JPH0443423B2 JPH0443423B2 JP59248828A JP24882884A JPH0443423B2 JP H0443423 B2 JPH0443423 B2 JP H0443423B2 JP 59248828 A JP59248828 A JP 59248828A JP 24882884 A JP24882884 A JP 24882884A JP H0443423 B2 JPH0443423 B2 JP H0443423B2
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、減衰器、分圧器等に用いられ少なく
とも１つの厚膜融解性装置を具えるプログラム可
能な厚膜回路網に関するものであり、またこのよ
うな厚膜融解性装置を製造する方法に関するもの
である。
とも１つの厚膜融解性装置を具えるプログラム可
能な厚膜回路網に関するものであり、またこのよ
うな厚膜融解性装置を製造する方法に関するもの
である。
融解性装置は周知であり、これらの正確な構造
は適用分野或いは回路中での使用状態に応じて決
まる。減衰器の減衰レベルを設定したり或いは分
圧器において微同調を達成したりする為には多く
の場合厚膜融解性装置を用いるのが好ましい。し
かし、従来の厚膜融解性装置には幾つかの欠点が
あつた。ある従来の厚膜融解性装置の抵抗値はあ
まりにも低く、他のある従来の装置はその材料に
制限があり、更に他のある従来の装置は薄膜型で
あつた。
は適用分野或いは回路中での使用状態に応じて決
まる。減衰器の減衰レベルを設定したり或いは分
圧器において微同調を達成したりする為には多く
の場合厚膜融解性装置を用いるのが好ましい。し
かし、従来の厚膜融解性装置には幾つかの欠点が
あつた。ある従来の厚膜融解性装置の抵抗値はあ
まりにも低く、他のある従来の装置はその材料に
制限があり、更に他のある従来の装置は薄膜型で
あつた。
精密な電気ヒユーズの代表的な例は米国特許第
3401452号明細書に記載されている。この米国特
許には、互いに離間したヒユーズ電極間に延在し
これら電極を互いに電気的に接続する導電性のヒ
ユーズ金属の層と、このヒユーズ金属の層に、密
接してこの層を被覆し、ヒユーズ金属が過負荷電
流によりとばされた後にこのヒユーズ金属を散逸
させてとばされた金属間に生じる傾向にあるアー
クを有効に抑圧するようにする電気絶縁性の釉薬
の層とを有する金属−釉薬複合ヒユーズ素子が記
載されている。この米国特許の装置の目的は定格
の断線電流で迅速且つ確実に断線せしめる精密な
小型電気ヒユーズを提供することにあつた。この
電気ヒユーズは長い作動期間に亘つてそのままの
状態に維持され、過負荷の場合にのみ破裂する。
これに対し本発明のヒユーズは回路をプログラミ
ングする目的の為に意識的にとばすものである。
本発明のヒユーズは上述した従来の米国特許に構
成上類似するも、数個の顕著な点で相違するもの
である。
3401452号明細書に記載されている。この米国特
許には、互いに離間したヒユーズ電極間に延在し
これら電極を互いに電気的に接続する導電性のヒ
ユーズ金属の層と、このヒユーズ金属の層に、密
接してこの層を被覆し、ヒユーズ金属が過負荷電
流によりとばされた後にこのヒユーズ金属を散逸
させてとばされた金属間に生じる傾向にあるアー
クを有効に抑圧するようにする電気絶縁性の釉薬
の層とを有する金属−釉薬複合ヒユーズ素子が記
載されている。この米国特許の装置の目的は定格
の断線電流で迅速且つ確実に断線せしめる精密な
小型電気ヒユーズを提供することにあつた。この
電気ヒユーズは長い作動期間に亘つてそのままの
状態に維持され、過負荷の場合にのみ破裂する。
これに対し本発明のヒユーズは回路をプログラミ
ングする目的の為に意識的にとばすものである。
本発明のヒユーズは上述した従来の米国特許に構
成上類似するも、数個の顕著な点で相違するもの
である。
本発明の目的は、プログラム可能な厚膜回路網
を提供することにある。
を提供することにある。
本発明は、プログラム可能な厚膜回路網におい
て、該厚膜回路網が少なくとも１つの厚膜融解性
装置を有し、該厚膜融解性装置は基板と、この基
板上にスクリーン印刷された誘電体釉薬の第１の
層と、この釉薬の第１の層上に堆積され且つこの
釉薬の第１の層をまたぐ幅狭セグメントを有する
融解性リンクのパターンの形態の厚膜導体と、前
記の釉薬の第１の層および前記の幅狭セグメント
の上に堆積された釉薬の第２の層とを具え、前記
の第２の層が前記の厚膜導体を閉じ込め、これに
より、前記の融解性リンクに与えられた高エネル
ギーが釉薬の前記の第２の層を破裂させ、厚膜導
体の導電材料をとばし、融解後の抵抗を高くする
ほうにしたことを特徴とする。
て、該厚膜回路網が少なくとも１つの厚膜融解性
装置を有し、該厚膜融解性装置は基板と、この基
板上にスクリーン印刷された誘電体釉薬の第１の
層と、この釉薬の第１の層上に堆積され且つこの
釉薬の第１の層をまたぐ幅狭セグメントを有する
融解性リンクのパターンの形態の厚膜導体と、前
記の釉薬の第１の層および前記の幅狭セグメント
の上に堆積された釉薬の第２の層とを具え、前記
の第２の層が前記の厚膜導体を閉じ込め、これに
より、前記の融解性リンクに与えられた高エネル
ギーが釉薬の前記の第２の層を破裂させ、厚膜導
体の導電材料をとばし、融解後の抵抗を高くする
ほうにしたことを特徴とする。
本発明によるプログラム可能な厚膜回路網は、
エネルギーに感応する少なくとも１つの精密小型
融解性装置を有している。このような融解性装置
は極めて低い初期抵抗値を有し、とばされた後に
は極めて高い抵抗値を有するようにする必要があ
る。本発明の目的は、融解後の抵抗値を１×1010
オームよりも高く、代表的には１×1013オームよ
りも高くするサンドイツチ型の構成を用いること
により達成される。サンドイツチ型の構成を用い
ないと、金属アレイの不完全な溶融や蒸発後の金
属の再堆積の為に融解後の抵抗値は１×105オー
ム程度に低くなるのが一般的である。
エネルギーに感応する少なくとも１つの精密小型
融解性装置を有している。このような融解性装置
は極めて低い初期抵抗値を有し、とばされた後に
は極めて高い抵抗値を有するようにする必要があ
る。本発明の目的は、融解後の抵抗値を１×1010
オームよりも高く、代表的には１×1013オームよ
りも高くするサンドイツチ型の構成を用いること
により達成される。サンドイツチ型の構成を用い
ないと、金属アレイの不完全な溶融や蒸発後の金
属の再堆積の為に融解後の抵抗値は１×105オー
ム程度に低くなるのが一般的である。
厚膜融解性装置は以下のようにして形成する。
誘電体釉薬の第１の層をアルミナ基板上にスクリ
ーン印刷し、この釉薬を空気乾燥させ、次にこの
釉薬を850℃〜1000℃で５〜10分間加熱する。次
に、所望のヒユーズパターンの形態の厚膜導体ペ
ーストを、このパターンの幅狭部分が前記の釉薬
の第１の層をまたぐように被着する。次に導体ペ
ーストを空気乾燥させる。次に釉薬の第２の層
（最終の層）を釉薬の第１の層および導体パター
ンの幅狭部分上に被着する。次に、釉薬の第１の
層と導体材料とを同時に800〜900℃で加熱する。
これにより得られたヒユーズ素子は、連続的な高
電流或いは瞬間的な高いサージエネルギーを受け
るととばされる（すなわち溶け去る）。融解作用
を生ぜしめるのに必要な電流或いはエネルギーは
金属導体の幅に依存する。
誘電体釉薬の第１の層をアルミナ基板上にスクリ
ーン印刷し、この釉薬を空気乾燥させ、次にこの
釉薬を850℃〜1000℃で５〜10分間加熱する。次
に、所望のヒユーズパターンの形態の厚膜導体ペ
ーストを、このパターンの幅狭部分が前記の釉薬
の第１の層をまたぐように被着する。次に導体ペ
ーストを空気乾燥させる。次に釉薬の第２の層
（最終の層）を釉薬の第１の層および導体パター
ンの幅狭部分上に被着する。次に、釉薬の第１の
層と導体材料とを同時に800〜900℃で加熱する。
これにより得られたヒユーズ素子は、連続的な高
電流或いは瞬間的な高いサージエネルギーを受け
るととばされる（すなわち溶け去る）。融解作用
を生ぜしめるのに必要な電流或いはエネルギーは
金属導体の幅に依存する。
サンドイツチ型の構成を用いると、幾つかの利
点が得られる。すなわち、基板は厚膜回路を支持
するいかなる材料にもすることができ、この点は
基板材料に制限が課せられている多くの従来の融
解性装置と相違する点である。また、釉薬は市販
されているあらゆる被覆材料を含む厚膜技術と適
合する無機誘電体とすることができる。導体はい
かなる貴金属或いは卑金属の導電材料にもまたは
抵抗性材料にもすることができる。ある条件の下
では釉薬の下側の層を省略することができる。こ
れは基板の材料の特性による。
点が得られる。すなわち、基板は厚膜回路を支持
するいかなる材料にもすることができ、この点は
基板材料に制限が課せられている多くの従来の融
解性装置と相違する点である。また、釉薬は市販
されているあらゆる被覆材料を含む厚膜技術と適
合する無機誘電体とすることができる。導体はい
かなる貴金属或いは卑金属の導電材料にもまたは
抵抗性材料にもすることができる。ある条件の下
では釉薬の下側の層を省略することができる。こ
れは基板の材料の特性による。
図面につき本発明を説明する。
第１図は、誘電体釉薬またはガラスより成る２
つの層間に幅狭な厚膜金属細条をはさんで形成し
た厚膜ヒユーズ装置を示す断面図である。ヒユー
ズ１０は、アルミナ基板１１上に誘電体釉薬１２
の層をスクリーン印刷により堆積することにより
形成される。基板１１は厚膜回路を支持するいか
なる材料にもすることができ、例えば凍石或いは
磁器被覆鋼材或いは酸化ベリリウムにすることが
できる。基板１１上に釉薬１２を堆積した後、こ
の釉薬を空気乾燥させ、次に850〜1000℃で10分
間加熱させる。
つの層間に幅狭な厚膜金属細条をはさんで形成し
た厚膜ヒユーズ装置を示す断面図である。ヒユー
ズ１０は、アルミナ基板１１上に誘電体釉薬１２
の層をスクリーン印刷により堆積することにより
形成される。基板１１は厚膜回路を支持するいか
なる材料にもすることができ、例えば凍石或いは
磁器被覆鋼材或いは酸化ベリリウムにすることが
できる。基板１１上に釉薬１２を堆積した後、こ
の釉薬を空気乾燥させ、次に850〜1000℃で10分
間加熱させる。
その後、第２図に示すパターン１５の形態の厚
膜導体ペースト（ヒユーズ素子）１３を、このパ
ターンの幅狭部分１５（その幅は代表的に0.004
インチ（約0.10mm）〜0.010インチ（約0.25mm）と
する）が釉薬１２の層をまたぐように被着する。
ヒユーズ端子部分１６は幅狭部分１５に対し直角
に延在するパツド或いは突起部の形態とし、これ
らを以つてヒユーズ電極を構成する。これらヒユ
ーズ端子部分１６は通常の端子１７と物理的且つ
電気的に接触させる。これにより高導電性の集中
路が得られる。端子１７をヒユーズ素子１３と異
なる材料とする場合には、誘電体釉薬１２の第１
層を堆積する前に端子１７の材料を基板にスクリ
ーン印刷により堆積して加熱するのが一般に望ま
しいことである。次に、上述したようにして被着
した厚膜導体ペースト１３を空気乾燥させる。釉
薬１２の第１層と導体パターンの幅狭部分１５と
の上に釉薬１４の第２（最終）層を被着する。次
に釉薬１４の第２層と導体ペースト１３とを一緒
に800〜900℃で加熱する。ヒユーズ素子１３はパ
ラジウム金とするのが好ましく、端子１７はパラ
ジウム銀とするのが好ましい。
膜導体ペースト（ヒユーズ素子）１３を、このパ
ターンの幅狭部分１５（その幅は代表的に0.004
インチ（約0.10mm）〜0.010インチ（約0.25mm）と
する）が釉薬１２の層をまたぐように被着する。
ヒユーズ端子部分１６は幅狭部分１５に対し直角
に延在するパツド或いは突起部の形態とし、これ
らを以つてヒユーズ電極を構成する。これらヒユ
ーズ端子部分１６は通常の端子１７と物理的且つ
電気的に接触させる。これにより高導電性の集中
路が得られる。端子１７をヒユーズ素子１３と異
なる材料とする場合には、誘電体釉薬１２の第１
層を堆積する前に端子１７の材料を基板にスクリ
ーン印刷により堆積して加熱するのが一般に望ま
しいことである。次に、上述したようにして被着
した厚膜導体ペースト１３を空気乾燥させる。釉
薬１２の第１層と導体パターンの幅狭部分１５と
の上に釉薬１４の第２（最終）層を被着する。次
に釉薬１４の第２層と導体ペースト１３とを一緒
に800〜900℃で加熱する。ヒユーズ素子１３はパ
ラジウム金とするのが好ましく、端子１７はパラ
ジウム銀とするのが好ましい。
これにより得られたヒユーズ素子１３は、充電
された電解コンデンサによつて与えられるような
瞬間的な高エネルギーのサージ或いは連続的な高
電流が流れると吹つとぶ、すなわち溶け去る。ヒ
ユーズ作用（融解作用）を生ぜしめるのに必要な
電流或いはエネルギーは金属導体１３の幅狭部分
１５の幅に依存する。適切な破裂を行わしめるの
に必要な代表的なエネルギーレベルは0.006イン
チ（約0.15mm）の幅で0.20インチ（約5.1mm）の長
さのパラジウム金ヒユーズ素子に対し約８〜10ジ
ユールである。
された電解コンデンサによつて与えられるような
瞬間的な高エネルギーのサージ或いは連続的な高
電流が流れると吹つとぶ、すなわち溶け去る。ヒ
ユーズ作用（融解作用）を生ぜしめるのに必要な
電流或いはエネルギーは金属導体１３の幅狭部分
１５の幅に依存する。適切な破裂を行わしめるの
に必要な代表的なエネルギーレベルは0.006イン
チ（約0.15mm）の幅で0.20インチ（約5.1mm）の長
さのパラジウム金ヒユーズ素子に対し約８〜10ジ
ユールである。
使用する釉薬１２，１４は厚膜技術と矛盾しな
い無機誘電体とすることができる。この材料には
市販されているあらゆる被覆材料を含む。厚膜導
体１３はいかなる貴金属或いは卑金属の導体材料
或いは抵抗性材料にもすることができる。導体パ
ターンはいかなる幾何学的な形状にまたいかなる
幅にもすることができる。
い無機誘電体とすることができる。この材料には
市販されているあらゆる被覆材料を含む。厚膜導
体１３はいかなる貴金属或いは卑金属の導体材料
或いは抵抗性材料にもすることができる。導体パ
ターンはいかなる幾何学的な形状にまたいかなる
幅にもすることができる。
最も好ましい基板１１の材料は96％アルミナセ
ラミツクである。これは厚膜回路網を構成する上
で最も一般的で価格の面で有効な材料である。そ
の他の配合のアルミナセラミツクや酸化ベリリウ
ムや凍石セラミツクをも用いることができた。
ラミツクである。これは厚膜回路網を構成する上
で最も一般的で価格の面で有効な材料である。そ
の他の配合のアルミナセラミツクや酸化ベリリウ
ムや凍石セラミツクをも用いることができた。
厚膜回路網における被覆或いは多層誘電体とし
て一般に用いられているような鉛−硼素−珪化物
の低温釉薬がヒユーズ素子１３の上下に堆積する
のに好ましい誘電体釉薬である。この誘電体釉薬
を被着する好適な方法は（シルク）スクリーン印
刷法である。釉薬１２より成る下側層の目的はヒ
ユーズ素子をセラミツク基板１１から熱的に分離
することにある。釉薬１４より成る上側層は発生
したエネルギーをヒユーズ素子１３内に閉じ込
め、上側の釉薬を破裂させる小爆発を生ぜしめる
ようにする。この破裂によりヒユーズ素子の蒸気
化金属を逃散させ、ヒユーズ素子自体の遮断を促
進させる。これにより本発明の特徴である高開路
抵抗が得られる。
て一般に用いられているような鉛−硼素−珪化物
の低温釉薬がヒユーズ素子１３の上下に堆積する
のに好ましい誘電体釉薬である。この誘電体釉薬
を被着する好適な方法は（シルク）スクリーン印
刷法である。釉薬１２より成る下側層の目的はヒ
ユーズ素子をセラミツク基板１１から熱的に分離
することにある。釉薬１４より成る上側層は発生
したエネルギーをヒユーズ素子１３内に閉じ込
め、上側の釉薬を破裂させる小爆発を生ぜしめる
ようにする。この破裂によりヒユーズ素子の蒸気
化金属を逃散させ、ヒユーズ素子自体の遮断を促
進させる。これにより本発明の特徴である高開路
抵抗が得られる。
ヒユーズ素子に対する好適な金属成分はあらゆ
る配合のパラジウム−金かまたはパラジウム−銀
とパラジウム−金との組合せである。パラジウム
−銀は低価格で一般の厚膜抵抗材料との両立性が
ある為にヒユーズ素子の端子パツド１７にとつて
好ましいものである。この厚膜抵抗材料はプログ
ラム可能な回路網を形成する場合に欠くことので
きないものである。
る配合のパラジウム−金かまたはパラジウム−銀
とパラジウム−金との組合せである。パラジウム
−銀は低価格で一般の厚膜抵抗材料との両立性が
ある為にヒユーズ素子の端子パツド１７にとつて
好ましいものである。この厚膜抵抗材料はプログ
ラム可能な回路網を形成する場合に欠くことので
きないものである。
パラジウム−金はビユーズ素子１３自体に対す
る好適な金属である。その理由は、パラジウム−
金は高開路抵抗を呈し、一旦とばされると高湿度
状態の下でも銀或いは銀含有合金の場合よりも金
属移動を受けない為である。パラジウム−銀およ
びパラジウム−金は双方共一般に市販されている
厚膜導体材料である。プラチナ−銀、プラチナ−
金或いは金のような他の厚膜導体材料も用いるこ
とができた。
る好適な金属である。その理由は、パラジウム−
金は高開路抵抗を呈し、一旦とばされると高湿度
状態の下でも銀或いは銀含有合金の場合よりも金
属移動を受けない為である。パラジウム−銀およ
びパラジウム−金は双方共一般に市販されている
厚膜導体材料である。プラチナ−銀、プラチナ−
金或いは金のような他の厚膜導体材料も用いるこ
とができた。
従つて、本発明は可溶性装置（ヒユーズ１０）
を提供するとともに、厚膜材料およびその技術を
用いてこの可溶性装置を製造する方法を提供する
ものである。ヒユーズ素子１３は極めて低い初期
抵抗値を有し、これがとばされた後には極めて高
い抵抗値を呈するようにする必要がある。本発明
の新規なサンドイツチ型の構成によれば、１×
1010オームを越え、代表的には１×1013オームよ
りも高い融解後抵抗が得られる。本発明のような
サンドイツチ型の構成にしないと、金属の融解が
不完全であるか或いは蒸気化後の金属の再堆積の
為に１×105オーム程度に低い融解後抵抗が一般
的となる。
を提供するとともに、厚膜材料およびその技術を
用いてこの可溶性装置を製造する方法を提供する
ものである。ヒユーズ素子１３は極めて低い初期
抵抗値を有し、これがとばされた後には極めて高
い抵抗値を呈するようにする必要がある。本発明
の新規なサンドイツチ型の構成によれば、１×
1010オームを越え、代表的には１×1013オームよ
りも高い融解後抵抗が得られる。本発明のような
サンドイツチ型の構成にしないと、金属の融解が
不完全であるか或いは蒸気化後の金属の再堆積の
為に１×105オーム程度に低い融解後抵抗が一般
的となる。
臨界的なすなわち正確さを果たす必要のあるパ
ラメータを有する電子回路を構成する場合には、
回路内のある構成素子を調整して回路内の他の構
成素子の誤差を補償する必要がある。調整用とし
て選択される構成素子はしばしば抵抗である。一
般的な調整技術には、ある範囲の値からある値の
抵抗を手で選択し、この抵抗を回路内に半田付す
るか或いは、所望の回路動作が得られるように調
整しうる可変抵抗またはトリマ抵抗を回路中に導
入する方法が含まれる。これらの方法は手間がか
かり、回路を高価にする傾向がある。
ラメータを有する電子回路を構成する場合には、
回路内のある構成素子を調整して回路内の他の構
成素子の誤差を補償する必要がある。調整用とし
て選択される構成素子はしばしば抵抗である。一
般的な調整技術には、ある範囲の値からある値の
抵抗を手で選択し、この抵抗を回路内に半田付す
るか或いは、所望の回路動作が得られるように調
整しうる可変抵抗またはトリマ抵抗を回路中に導
入する方法が含まれる。これらの方法は手間がか
かり、回路を高価にする傾向がある。
本発明の一適用例は、厚膜ヒユーズ素子を厚膜
抵抗と直列に形成し、得られた抵抗／ヒユーズ回
路網を電子回路内に設けた場合に適当なヒユーズ
素子を選択的にとばすことにより回路の動作を所
望動作に変えうるようにすることにある。第３図
に示す分圧器はその代表的な例である。
抵抗と直列に形成し、得られた抵抗／ヒユーズ回
路網を電子回路内に設けた場合に適当なヒユーズ
素子を選択的にとばすことにより回路の動作を所
望動作に変えうるようにすることにある。第３図
に示す分圧器はその代表的な例である。
すべてのヒユーズ素子FA〜FEは最初閉じられ
ており、 VOUT＝RT／R1＋RTVio が成立する。ここにRTは抵抗RA〜REを並列に接
続した回路の抵抗値である。
ており、 VOUT＝RT／R1＋RTVio が成立する。ここにRTは抵抗RA〜REを並列に接
続した回路の抵抗値である。
ヒユーズ素子FA〜FEのうちの適当な素子或い
はこれら素子の適当な組合せを開放させることに
より、ヒユーズ素子と直列の抵抗が回路から除外
され、これに応じてVOUTの値が変化する。例え
ば、VOUTの所望の値が回路から抵抗RDを除外す
ることにより得られるということが決定された場
合には、ブログラミング端子ＤおよびＦ間で大容
量コンデンサを放電させ、ヒユーズ素子FDをと
ばし、抵抗RDを回路から分離させる。この場合
VOUTは以下の通りに変化する。
はこれら素子の適当な組合せを開放させることに
より、ヒユーズ素子と直列の抵抗が回路から除外
され、これに応じてVOUTの値が変化する。例え
ば、VOUTの所望の値が回路から抵抗RDを除外す
ることにより得られるということが決定された場
合には、ブログラミング端子ＤおよびＦ間で大容
量コンデンサを放電させ、ヒユーズ素子FDをと
ばし、抵抗RDを回路から分離させる。この場合
VOUTは以下の通りに変化する。
VOUT＝RT1／R1＋RT1Vio
ここにRT1は抵抗RA，RB，RCおよびREのみの
並列回路の抵抗値である。
並列回路の抵抗値である。
このヒユーズ／抵抗回路網は第４図に示す反転
増幅器のような演算増幅器の利得を設定するのに
用いることができる。この増幅器の利得は以下の
ように入力抵抗および帰還抵抗によつて決定され
る。
増幅器のような演算増幅器の利得を設定するのに
用いることができる。この増幅器の利得は以下の
ように入力抵抗および帰還抵抗によつて決定され
る。
利得＝VO／Vio＝Rf／Ri
帰還抵抗Rfを第５図に示すように抵抗／ヒユ
ーズ回路網で置き換えることにより、適当なヒユ
ーズ素子のとばしによる利得のプログラムを行う
ことができる。
ーズ回路網で置き換えることにより、適当なヒユ
ーズ素子のとばしによる利得のプログラムを行う
ことができる。
上述した例では５つの抵抗／ヒユーズの組合せ
を並列にしたもののみを示したが、いかなる個数
の組合せをも用いうること明らかである。
を並列にしたもののみを示したが、いかなる個数
の組合せをも用いうること明らかである。
本発明の第３の例は、プログラム可能“０”パ
ツド型減衰器に適用する例である。
ツド型減衰器に適用する例である。
電話の分野では、到来ライン上の信号レベルを
平衡させるのに多くの“０”パツド型減衰器が用
いられている。これらの減衰器は可調整とする必
要があり、代表的には0.1dBの段階で０〜1.5dB
の動作範囲を包含するか或いは1dBの段階で０〜
15dBの動作範囲を包含する必要がある。
平衡させるのに多くの“０”パツド型減衰器が用
いられている。これらの減衰器は可調整とする必
要があり、代表的には0.1dBの段階で０〜1.5dB
の動作範囲を包含するか或いは1dBの段階で０〜
15dBの動作範囲を包含する必要がある。
Bourns社のような幾つかの会社はDIPスイツ
チ構造にこの種類の減衰器を装着したものをここ
数年導入している。これらの減衰器は比較的高価
であり、スイツチにこれらの減衰器を用いるのは
問題である。その理由は、減衰は通常一回のセツ
テイングで行われる為である。プログラム可能と
する技術によれば廉価な価格で同じ機能を達成し
うる。
チ構造にこの種類の減衰器を装着したものをここ
数年導入している。これらの減衰器は比較的高価
であり、スイツチにこれらの減衰器を用いるのは
問題である。その理由は、減衰は通常一回のセツ
テイングで行われる為である。プログラム可能と
する技術によれば廉価な価格で同じ機能を達成し
うる。
第６図は、２インチ（5.08cm）×0.5インチ
（1.27cm）の基板上に製造しうる０〜15dB減衰器
に対する可能なレイアウトを示す。このレイアウ
トは、プログラムを行う目的でリード線を上部か
ら突出させたシングル−イン−ライン型のパツケ
ージ（SIP）である。16個の抵抗（４個の平衡化
“０”パツド）のすべては基板の一方の面上にス
クリーン印刷により形成し、ヒユーズリンクは基
板の他方の面上にスクリーン印刷により形成す
る。この状態のモジユールでは減衰が行われな
い。1dBの減衰を得る為には、例えば1dBパツド
に対するヒユーズFAと残りの３つのパツドに対
するヒユーズFBとをとばす。他の値の減衰は最
初にヒユーズFAとヒユーズFBとの適当な組合せ
をとばすことにより得ることができる。この基本
構造は不平衡“０”パツド（π型構造）や平衡
“Ｈ”パツド或いは不平衡“Ｔ”パツドを形成す
るのにも用いることができる。
（1.27cm）の基板上に製造しうる０〜15dB減衰器
に対する可能なレイアウトを示す。このレイアウ
トは、プログラムを行う目的でリード線を上部か
ら突出させたシングル−イン−ライン型のパツケ
ージ（SIP）である。16個の抵抗（４個の平衡化
“０”パツド）のすべては基板の一方の面上にス
クリーン印刷により形成し、ヒユーズリンクは基
板の他方の面上にスクリーン印刷により形成す
る。この状態のモジユールでは減衰が行われな
い。1dBの減衰を得る為には、例えば1dBパツド
に対するヒユーズFAと残りの３つのパツドに対
するヒユーズFBとをとばす。他の値の減衰は最
初にヒユーズFAとヒユーズFBとの適当な組合せ
をとばすことにより得ることができる。この基本
構造は不平衡“０”パツド（π型構造）や平衡
“Ｈ”パツド或いは不平衡“Ｔ”パツドを形成す
るのにも用いることができる。
プログラミングは、第７図に示すように、充電
コンデンサと、ほぼワイヤー結線された一組のス
イツチ７６とを含む小型の制御ボツクス７０によ
り行うことができる。この制御ボツクス７０から
はケーブル７２およびコネクタ７４が延在する。
コネクタをモジユール７８の上部リード線に連結
し、適当な釦を押すことにより、減衰器を所望の
減衰率に迅速且つ容易にプログラミングしうる。
コンデンサと、ほぼワイヤー結線された一組のス
イツチ７６とを含む小型の制御ボツクス７０によ
り行うことができる。この制御ボツクス７０から
はケーブル７２およびコネクタ７４が延在する。
コネクタをモジユール７８の上部リード線に連結
し、適当な釦を押すことにより、減衰器を所望の
減衰率に迅速且つ容易にプログラミングしうる。
本発明の著しい制限点は２つある。第１の制限
点はヒユーズをとばす点を正確に得ることが困難
なことである。一般に、最小のエネルギーレベル
が決定されるも、最適な破裂を達成するにはこの
最小エネルギーレベルよりも充分に大きなエネル
ギーパルスが用いられる。第２の制限点は、釉薬
の上部層を介して破裂させるのが望ましい為、本
発明による装置は揮発性の雰囲気内で用いるのに
適していないということである。
点はヒユーズをとばす点を正確に得ることが困難
なことである。一般に、最小のエネルギーレベル
が決定されるも、最適な破裂を達成するにはこの
最小エネルギーレベルよりも充分に大きなエネル
ギーパルスが用いられる。第２の制限点は、釉薬
の上部層を介して破裂させるのが望ましい為、本
発明による装置は揮発性の雰囲気内で用いるのに
適していないということである。
第１図は、基板上に堆積した本発明の厚膜ヒユ
ーズ素子を示す断面図、第２図は、第１図の厚膜
ヒユーズ素子に用いうる導電パターンを示す平面
図、第３図は、本発明による厚膜ヒユーズ素子を
含むプログラム可能電圧調整器を示す回路図、第
４図は、標準的な反転演算増幅器を示す回路図、
第５図は、本発明を用いたプログラム可能演算増
幅器を示す回路図、第６図は、本発明を用いたプ
ログラム可能厚膜減衰器に対するレイアウトを示
す線図、第７図は、第６図の減衰器をプログラミ
ングする方法を示すブロツク線図である。 １０……ヒユーズ、１１……基板、１２，１４
……誘電体釉薬、１３……厚膜導体ペースト（ヒ
ユーズ素子）、１５……１３の幅狭部分、１６…
…ヒユーズ端子部分、１７……端子。
ーズ素子を示す断面図、第２図は、第１図の厚膜
ヒユーズ素子に用いうる導電パターンを示す平面
図、第３図は、本発明による厚膜ヒユーズ素子を
含むプログラム可能電圧調整器を示す回路図、第
４図は、標準的な反転演算増幅器を示す回路図、
第５図は、本発明を用いたプログラム可能演算増
幅器を示す回路図、第６図は、本発明を用いたプ
ログラム可能厚膜減衰器に対するレイアウトを示
す線図、第７図は、第６図の減衰器をプログラミ
ングする方法を示すブロツク線図である。 １０……ヒユーズ、１１……基板、１２，１４
……誘電体釉薬、１３……厚膜導体ペースト（ヒ
ユーズ素子）、１５……１３の幅狭部分、１６…
…ヒユーズ端子部分、１７……端子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ プログラム可能な厚膜回路網において、該厚
膜回路網が少なくとも１つの厚膜融解性装置を有
し、該厚膜融解性装置は基板と、この基板上にス
クリーン印刷された誘電体釉薬の第１の層と、こ
の釉薬の第１の層上に堆積され且つこの釉薬の第
１の層をまたぐ幅狭セグメントを有する融解性リ
ンクのパターンの形態の厚膜導体と、前記の釉薬
の第１の層および前記の幅狭セグメントの上に堆
積された釉薬の第２の層とを具え、前記の第２の
層が前記の厚膜導体を閉じ込め、これにより、前
記の融解性リンクに与えられた高エネルギーが釉
薬の前記の第２の層を破裂させ、厚膜導体の導電
材料をとばし、融解後の抵抗を高くするようにし
たことを特徴とするプログラム可能な厚膜回路
網。 ２ プログラム可能な厚膜回路網に用いる厚膜融
解性装置を製造するに当たり、 電気的に絶縁性の基板を備える工程と、 厚膜導体端子パツドをヒユーズ素子と一体な部
分として、或いはヒユーズ素子材料以外の材料が
端子に対し用いられている場合にはヒユーズ素子
とは別個に被着する工程と、 誘電体釉薬の第１の層を前記の基板上にスクリ
ーン印刷する工程と、 誘電体釉薬の前記の第１の層を空気乾燥させる
工程と、 誘電体釉薬の前記の第１の層を850〜1000℃で
５〜10分間加熱する工程と、 厚膜導体ペーストを融解性リンクのパターンの
形態で前記の基板と、誘電体釉薬の前記の第１の
層とに被着し、融解性リンクのパターンの幅狭部
分が誘電体釉薬の前記の第１の層をまたぐように
する工程と、 前記の厚膜導体ペーストを空気乾燥させる工程
と、 前記の誘電体釉薬の第２の層を誘電体釉薬の前
記の第１の層および融解性リンクのパターンの前
記の幅狭部分の上にこの幅狭部分を閉じ込めるよ
うに被着し、これにより、ヒユーズ素子に与えら
れた高エネルギーが誘電体釉薬の前記の第２の層
を破裂させ、導体材料をとばし、融解後の抵抗を
高くするようにする工程と、 誘電体釉薬の前記の第２の層と前記の導体材料
とを800〜900℃で同時加熱する工程とを行うこと
を特徴とするプログラム可能な厚膜回路網に用い
る厚膜融解性装置の製造方法。 ３ 特許請求の範囲２に記載の方法において、誘
電体釉薬の第１の層を堆積する前に、第２の誘電
性材料の第２の厚膜導体ペーストを端子パツドの
形態で前記の基板上に堆積し、前記の端子パツド
を加熱することを特徴とするプログラム可能な厚
膜回路網に用いる厚膜融解性装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/555,847 US4626818A (en) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | Device for programmable thick film networks |
| US555847 | 1983-11-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60157247A JPS60157247A (ja) | 1985-08-17 |
| JPH0443423B2 true JPH0443423B2 (ja) | 1992-07-16 |
Family
ID=24218845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59248828A Granted JPS60157247A (ja) | 1983-11-28 | 1984-11-27 | プログラム可能な厚膜回路網 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4626818A (ja) |
| EP (1) | EP0143493B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60157247A (ja) |
| DE (1) | DE3484731D1 (ja) |
Families Citing this family (53)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5182538A (en) * | 1985-11-07 | 1993-01-26 | Limitor Ag | Bimetal thermoswitch |
| DE3539425A1 (de) * | 1985-11-07 | 1987-05-14 | Limitor Ag | Thermobimetallschalter |
| US4771260A (en) * | 1987-03-24 | 1988-09-13 | Cooper Industries, Inc. | Wire bonded microfuse and method of making |
| US4763228A (en) * | 1987-11-20 | 1988-08-09 | Union Carbide Corporation | Fuse assembly for solid electrolytic capacitor |
| US5204799A (en) * | 1990-03-22 | 1993-04-20 | Gpt Limited | Protective arrangement for telecommunications line interface circuit |
| US5097246A (en) * | 1990-04-16 | 1992-03-17 | Cooper Industries, Inc. | Low amperage microfuse |
| GB2255455A (en) * | 1991-04-22 | 1992-11-04 | Electronic Components Ltd | Fuse |
| IT1249299B (it) * | 1991-04-30 | 1995-02-22 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuito integrato con componenti passivi trimmabili |
| US5097247A (en) * | 1991-06-03 | 1992-03-17 | North American Philips Corporation | Heat actuated fuse apparatus with solder link |
| DE4222278C1 (de) * | 1992-07-07 | 1994-03-31 | Roederstein Kondensatoren | Verfahren zur Herstellung elektrischer Dickschichtsicherungen |
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| US5790008A (en) * | 1994-05-27 | 1998-08-04 | Littlefuse, Inc. | Surface-mounted fuse device with conductive terminal pad layers and groove on side surfaces |
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