JPH04348611A - パルス発生回路 - Google Patents

パルス発生回路

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Publication number
JPH04348611A
JPH04348611A JP3120617A JP12061791A JPH04348611A JP H04348611 A JPH04348611 A JP H04348611A JP 3120617 A JP3120617 A JP 3120617A JP 12061791 A JP12061791 A JP 12061791A JP H04348611 A JPH04348611 A JP H04348611A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power supply
supply voltage
signal
channel mosfet
output
Prior art date
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Pending
Application number
JP3120617A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazumi Fujito
藤戸 一三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Kyushu Ltd filed Critical NEC Kyushu Ltd
Priority to JP3120617A priority Critical patent/JPH04348611A/ja
Publication of JPH04348611A publication Critical patent/JPH04348611A/ja
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  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はパルス発生回路に関し、
特に、1パルス信号入力に対応して、相互にアクティブ
期間の異なる複数のパルス信号を出力するパルス発生回
路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の、この種のパルス発生回路の回路
図を図3に示す。また、図4に示されるのは、この従来
のパルス発生回路の動作を示すタイミング図である。
【0003】図3に示されるように、このパルス発生回
路はインバータ14および17〜21と、NAND回路
15および16とにより構成されており、入力信号φが
ハイレベルの時には、出力信号φA はハイレベル、出
力信号φB はロウレベルとなっている。
【0004】入力信号φがハイレベルからロウレベルに
変化する時には、出力信号φA は、NAND回路15
およびインバータ17による信号伝播時間を介して、時
間T1 だけ遅延してロウレベルに変化し、また、出力
信号φB は、インバータ18、19および20とNA
ND回路16による信号伝播時間を介して、出力信号φ
A よりも更に時間T2 だけ遅延してハイレベルに変
化する。同様に、入力信号φがロウレベルからハイレベ
ルに変化する時には、出力信号φB は、時間T1 だ
け遅延してロウレベルに変化し、出力信号φA は、出
力信号φB よりも更に時間T2 だけ遅延してハイレ
ベルに変化する。この場合における入力信号φ、出力信
号φA およびφB のタイミング関係は、図4のタイ
ミング図に明示されているとうりである。
【0005】以上のように、従来のパルス発生回路にお
いては、入力信号φに対応して、出力信号φA および
φB は、時間帯T2 の間においては、共にロウレベ
ルの状態を保持しており、相互にハイレベルの状態とな
ることはない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のパルス
発生回路においては、その出力信号を他の論理回路に対
する制御信号として用いた場合には、出力信号が共にア
クティブでない時間区間を長くとると、出力信号のアク
ティブ期間が短かくなり、電源電圧が低電圧の状態にお
いては、前記論理回路を高周波にて動作させることが困
難となる。
【0007】また、逆に、出力信号が共にアクティブで
ない期間が短かくなると、前記論理回路内の過渡特性に
より、パルス発生回路の出力信号が、論理回路内で共に
アクティブである期間が存在するようになる。この場合
、電源電圧が高くなると、論理回路を構成するトランジ
スタの信号伝播時間が短かくなるため、前述の出力信号
が共にアクティブである期間に、論理回路内でデータの
突抜けなどの誤動作が発生する。
【0008】このように、従来のパルス発生回路におい
ては、その出力信号を他の論理回路の制御信号として使
用する場合、低電圧動作時においては、出力信号が共に
アクティブでない時間帯を短かくし、高電圧動作時にお
いては、出力信号が共にアクティブでない時間帯を長く
する方がよいという、相互に、相反する条件が要求され
るという欠点がある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明のパルス発生回路
は、入力パルス信号を受けて、半導体回路素子の信号伝
播時間に起因する遅延特性を利用し、相互にアクティブ
の状態となる時間帯が異なる複数のパルス信号を生成し
て出力するパルス発生回路において、電源電圧のレベル
変動を検出して、所定のレベル検出信号を出力する電源
電圧検出回路と、前記レベル検出信号の入力に対応して
、前記入力パルス信号に対する半導体回路素子の信号伝
播時間に起因する遅延特性を、適宜に切替制御する手段
とを備えて構成される。
【0010】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
【0011】図1は本発明の一実施例を示すブロック図
である。図1に示されるように、本実施例は、インバー
タ1、3、8および10〜12と、NAND回路2およ
び9と、PチャネルMOSFET4と、NチャネルMO
SFET5〜7と、電源電圧検出回路13とを備えて構
成される。また、図2(a)および(b)に示されるの
は、本実施例の動作を示す入出力信号のタイミング図で
ある。
【0012】図1において、電源電圧の高い場合には、
電源電圧検出回路13において当該電源電圧レベルが検
出されており、電源電圧検出回路13の出力はロウレベ
ルにて出力され、NチャネルMOSFET7のゲートに
入力される。これにより、NチャネルMOSFET7は
オフ状態となり、PチャネルMOSFET4およびNチ
ャネルMOSFET5のみが動作状態となって、これら
のMOSFETによりインバータが構成される。
【0013】従って、入力信号φがハイレベルの時には
、出力信号φA はハイレベル、出力信号φB はロウ
レベルとなり、また、入力信号φがロウレベルに変化す
ると、出力信号φA は、NAND回路2およびインバ
ータ3の信号伝播時間を介して、時間T1 だけ遅延し
てロウレベルとなり、出力信号φB は、NAND回路
9およびインバータ8および9と、PチャネルMOSF
ET4およびNチャネルMOSFET5により構成され
るインバータの信号伝播時間を介して、出力信号φA 
より更に時間T2 だけ遅延してハイレベルとなる。同
様に、入力信号φがロウレベルからハイレベルに変化す
ると、出力信号φB は、時間T1 だけ遅延してロウ
レベルとなり、出力信号φA は、出力信号φB より
更に時間T2 だけ遅延してハイレベルとなる。この時
、出力信号φA およびφB が、それぞれ個別にハイ
レベルの状態にある時間帯は、図2(a)に示されるよ
うに、時間帯T3 である。
【0014】次に、電源電圧が低電圧の状態においては
、電源電圧検出回路13の出力はハイレベルとなり、N
チャネルMOSFET7はオンの状態となって、Pチャ
ネルMOSFET4、NチャネルMOSFET5、6お
よび7によりインバータが構成される。このインバータ
は、前述の電源電圧が高電圧の場合に比較して、出力が
ロウレベルに変化する時の能力が向上されており、信号
伝播時間が短かい特性を有している。この場合における
入出力信号φ、φA およびφB のタイミング関係は
、図2(b)に示されるとうりである。即ち、入力信号
φがハイレベルからロウレベルに変化する場合には、前
述のインバータの信号伝播時間の短縮により、出力信号
φB の出力信号φAに対する遅延時間T2aは、前記
遅延時間T2 よりも小さくなり、出力信号φB がハ
イレベルの状態にある時間帯T3aは、前記時間帯T3
 よりも大きくなる。
【0015】以上の動作により、出力信号φB は、電
源電圧が低下した場合には、ハイレベルにある時間帯を
長くし、出力信号φA およびφB を他の論理回路の
制御信号として用いた場合に、より高周波における動作
を容易にすることができるとともに、電源電圧が高くな
った場合には、出力信号φA およびφB が共にロウ
レベルである時間帯を長くして、前述の論理回路の誤動
作を防止することが可能となる。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、相互に
異なる複数のパルス信号を発生するパルス発生回路にお
いて、電源電圧の変動に対応して、出力パルス信号のア
クティブである時間帯を切替制御することにより、この
パルス信号を他の論理回路に対する制御信号として用い
た場合に、当該論理回路の動作電源電圧範囲を拡大させ
、より安定した機能を発揮させることができるという効
果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す回路図である。
【図2】本実施例の動作を示す信号のタイミング図であ
る。
【図3】従来例を示す回路図である。
【図4】従来例の動作を示す信号のタイミング図である
【符号の説明】
1、3、8、10〜12、14、17〜21    イ
ンバータ 2、9、15、16    NAND回路4    P
チャネルMOSFET 5〜7    NチャネルMOSFET13    電
源電圧検出回路

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  入力パルス信号を受けて、半導体回路
    素子の信号伝播時間に起因する遅延特性を利用し、相互
    にアクティブの状態となる時間帯が異なる複数のパルス
    信号を生成して出力するパルス発生回路において、電源
    電圧のレベル変動を検出して、所定のレベル検出信号を
    出力する電源電圧検出回路と、前記レベル検出信号の入
    力に対応して、前記入力パルス信号に対する半導体回路
    素子の信号伝播時間に起因する遅延特性を、適宜に切替
    制御する手段と、を備えることを特徴とするパルス発生
    回路。
JP3120617A 1991-05-27 1991-05-27 パルス発生回路 Pending JPH04348611A (ja)

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JP3120617A JPH04348611A (ja) 1991-05-27 1991-05-27 パルス発生回路

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JP3120617A JPH04348611A (ja) 1991-05-27 1991-05-27 パルス発生回路

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JPH04348611A true JPH04348611A (ja) 1992-12-03

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ID=14790679

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JP3120617A Pending JPH04348611A (ja) 1991-05-27 1991-05-27 パルス発生回路

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JP (1) JPH04348611A (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60180321A (ja) * 1984-02-28 1985-09-14 Nec Corp クロック信号発生回路
JPH03102911A (ja) * 1989-09-18 1991-04-30 Nec Corp クロック信号発生回路

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60180321A (ja) * 1984-02-28 1985-09-14 Nec Corp クロック信号発生回路
JPH03102911A (ja) * 1989-09-18 1991-04-30 Nec Corp クロック信号発生回路

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Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19970805