JPH04348030A - 傾斜エッチング法 - Google Patents
傾斜エッチング法Info
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- JPH04348030A JPH04348030A JP3213170A JP21317091A JPH04348030A JP H04348030 A JPH04348030 A JP H04348030A JP 3213170 A JP3213170 A JP 3213170A JP 21317091 A JP21317091 A JP 21317091A JP H04348030 A JPH04348030 A JP H04348030A
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- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、傾斜エッチング（Ｓｌ
ｏｐｅ ｅｔｃｈｉｎｇ）法に関し、特に、半導体素
子の製造工程中パターン形成時、パターン端縁の傾斜角
度を緩慢に作って工程有効範囲（ｓｔｅｐ ｃｏｖｅ
ｒａｇｅ）が向上できるようにしたものである。
ｏｐｅ ｅｔｃｈｉｎｇ）法に関し、特に、半導体素
子の製造工程中パターン形成時、パターン端縁の傾斜角
度を緩慢に作って工程有効範囲（ｓｔｅｐ ｃｏｖｅ
ｒａｇｅ）が向上できるようにしたものである。
【０００２】
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】通常、半
導体素子の製造工程中、所望のパターンを形成するため
には、フォト工程及びエッチング工程を実施しなければ
ならない。前記エッチング工程は大別して乾式エッチン
グ法と湿式エッチング法の２種類に区分され、場合によ
り適切に選択使用される。一般的に乾式エッチング（Ｄ
ｒｙ Ｅｔｃｈｉｎｇ）法の一種であるＲＩＥ（Ｒｅ
ａｃｔｉｖｅＩｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）方法は、化学
溶液を使用する湿式エッチングに比べて工程上の便利性
のため、その応用分野が拡大している。しかし、パター
ン形成時従来のＲＩＥ法を使用すれば、垂直エッチング
のみ可能であり、エッチングされた蒸着膜のパターンは
その端縁の角度が約９０度の形態になる。
導体素子の製造工程中、所望のパターンを形成するため
には、フォト工程及びエッチング工程を実施しなければ
ならない。前記エッチング工程は大別して乾式エッチン
グ法と湿式エッチング法の２種類に区分され、場合によ
り適切に選択使用される。一般的に乾式エッチング（Ｄ
ｒｙ Ｅｔｃｈｉｎｇ）法の一種であるＲＩＥ（Ｒｅ
ａｃｔｉｖｅＩｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）方法は、化学
溶液を使用する湿式エッチングに比べて工程上の便利性
のため、その応用分野が拡大している。しかし、パター
ン形成時従来のＲＩＥ法を使用すれば、垂直エッチング
のみ可能であり、エッチングされた蒸着膜のパターンは
その端縁の角度が約９０度の形態になる。
【０００３】前記通常のＲＩＥ方法を利用した従来のパ
ターン形成工程を図１乃至図４を参照して説明する。図
１のように、基板（１）上にパターンを形成するため、
エッチングしようとする所定のパターン形成用膜（２）
を蒸着し、その上にフォトレジスト（３）を塗布したの
ち、所定のパターンが印刷されたフォトマスクを密着整
列（Ｃｏｎｔａｃｔ Ａｌｉｇｎ）した状態で紫外線
を照射して図２のようなフォトレジストパターン膜（３
ａ）を形成する。その後、図３のように、非等方性乾式
エッチング法であるＲＩＥ法を使用してエッチングしよ
うとするパターン形成用膜（２）をエッチングしたのち
、フォトレジストパターン膜（３ａ）を除去すると、図
４のように、角の角度が９０度であるパターン膜（２ａ
）が形成される。
ターン形成工程を図１乃至図４を参照して説明する。図
１のように、基板（１）上にパターンを形成するため、
エッチングしようとする所定のパターン形成用膜（２）
を蒸着し、その上にフォトレジスト（３）を塗布したの
ち、所定のパターンが印刷されたフォトマスクを密着整
列（Ｃｏｎｔａｃｔ Ａｌｉｇｎ）した状態で紫外線
を照射して図２のようなフォトレジストパターン膜（３
ａ）を形成する。その後、図３のように、非等方性乾式
エッチング法であるＲＩＥ法を使用してエッチングしよ
うとするパターン形成用膜（２）をエッチングしたのち
、フォトレジストパターン膜（３ａ）を除去すると、図
４のように、角の角度が９０度であるパターン膜（２ａ
）が形成される。
【０００４】しかしながら、以上のような従来のＲＩＥ
法を利用したパターン形成は、図５の説明図のように、
プロセスインテグレーション（Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｉｎ
ｔｅｇｔａｔｉｏｎ）において、ＲＩＥ法でエッチング
されたパターン膜（２ａ）の上方に形成される１次上方
蒸着膜（５）の約９０度の角部分で、工程有効範囲（図
５の“Ｋ”部分）が薄くなる。これによって、ＲＩＥ法
で形成したパターン膜（２ａ）と１次上方蒸着膜（５）
の上に形成する２次上方蒸着膜（６）とがショート欠陥
（Ｓｈｏｒｔ ｆａｉｌｕｒｅ）を起すので、素子の
生産率を減少させる問題点があった。
法を利用したパターン形成は、図５の説明図のように、
プロセスインテグレーション（Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｉｎ
ｔｅｇｔａｔｉｏｎ）において、ＲＩＥ法でエッチング
されたパターン膜（２ａ）の上方に形成される１次上方
蒸着膜（５）の約９０度の角部分で、工程有効範囲（図
５の“Ｋ”部分）が薄くなる。これによって、ＲＩＥ法
で形成したパターン膜（２ａ）と１次上方蒸着膜（５）
の上に形成する２次上方蒸着膜（６）とがショート欠陥
（Ｓｈｏｒｔ ｆａｉｌｕｒｅ）を起すので、素子の
生産率を減少させる問題点があった。
【０００５】また、従来の湿式エッチング法を利用した
パターン形成工程を図６乃至図９を参照して説明する。 図６のように、基板（７）上にエッチングしようとする
パターン形成用膜（８）を蒸着し、その上にフォトレジ
スト（９）を塗布したのち、所定のパターンが印刷され
たフォトマスク（１０）を利用して紫外線で露光して前
記フォトレジスト（９）を現像する。これによって図７
のようなフォトレジストパターン膜（９ａ）が形成され
る。その後、図８のように湿式エッチング工程を実施す
る。この時、パターン形成用膜（８）は等方性エッチン
グになる。なぜならば、湿式エッチング法によれば、Ｖ
Ｓ ［フォトレジスト（１０）とパターン形成用膜（８
）の界面から表面に平行な方向への蝕刻速度］とＶＤ
［材料の表面の垂直方向への蝕刻速度］がほとんど同じ
ためである（ＶＳ ＝ＶＤ ）。したがって、パターン
膜（８ａ）の側面（端縁側面）が約４５度の角度で形成
される。ついでフォトレジストパターン膜（９ａ）を除
去すると、図９のように、基板（１）上に所望のパター
ン膜（８ａ）が形成される。
パターン形成工程を図６乃至図９を参照して説明する。 図６のように、基板（７）上にエッチングしようとする
パターン形成用膜（８）を蒸着し、その上にフォトレジ
スト（９）を塗布したのち、所定のパターンが印刷され
たフォトマスク（１０）を利用して紫外線で露光して前
記フォトレジスト（９）を現像する。これによって図７
のようなフォトレジストパターン膜（９ａ）が形成され
る。その後、図８のように湿式エッチング工程を実施す
る。この時、パターン形成用膜（８）は等方性エッチン
グになる。なぜならば、湿式エッチング法によれば、Ｖ
Ｓ ［フォトレジスト（１０）とパターン形成用膜（８
）の界面から表面に平行な方向への蝕刻速度］とＶＤ
［材料の表面の垂直方向への蝕刻速度］がほとんど同じ
ためである（ＶＳ ＝ＶＤ ）。したがって、パターン
膜（８ａ）の側面（端縁側面）が約４５度の角度で形成
される。ついでフォトレジストパターン膜（９ａ）を除
去すると、図９のように、基板（１）上に所望のパター
ン膜（８ａ）が形成される。
【０００６】しかし、このような従来の湿式蝕刻法を利
用したパターン膜形成は、図１０の説明図のように、湿
式エッチング法でエッチング形成されるパターン膜（８
ａ）の約４５度の側面部分で、この上に形成する１次上
方蒸着膜（１１）の工程有効範囲が不良になる。これは
前記パターン膜（８ａ）と１次上方蒸着膜（１１）の上
に形成する２次上方蒸着膜（１２）がショート欠陥（図
１０の“Ｌ”部分）を起こす。特にパターン膜（８ａ）
と２次上方蒸着膜（１２）とが金属であり、かつ１次上
方蒸着膜（１１）が絶縁膜である場合、前記“Ｌ”部分
で２次上方蒸着膜（１２）との絶縁破壊現象（ｂｒｅａ
ｋｄｏｗｎ）が発生するので、素子製造時収率を減少す
る原因になる。
用したパターン膜形成は、図１０の説明図のように、湿
式エッチング法でエッチング形成されるパターン膜（８
ａ）の約４５度の側面部分で、この上に形成する１次上
方蒸着膜（１１）の工程有効範囲が不良になる。これは
前記パターン膜（８ａ）と１次上方蒸着膜（１１）の上
に形成する２次上方蒸着膜（１２）がショート欠陥（図
１０の“Ｌ”部分）を起こす。特にパターン膜（８ａ）
と２次上方蒸着膜（１２）とが金属であり、かつ１次上
方蒸着膜（１１）が絶縁膜である場合、前記“Ｌ”部分
で２次上方蒸着膜（１２）との絶縁破壊現象（ｂｒｅａ
ｋｄｏｗｎ）が発生するので、素子製造時収率を減少す
る原因になる。
【０００７】従って、本発明の目的は上述の欠点を解消
し、等方性エッチングのみが可能な従来の湿式エッチン
グ工程に所定の溶液のディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）
工程を付加して、フォト及びエッチング工程を通じたパ
ターン膜の側面（端縁側面）が緩慢な傾斜側面になるよ
うにパターン形成用膜をエッチングすることができる傾
斜エッチング法を提供することにある。また本発明の他
の目的は乾式エッチング法である従来のＲＩＥ工程時に
使用されるエッチングガスに所定のガスを追加して、フ
ォト及びエッチング工程を通じたパターン膜の側面（端
縁側面）が緩慢な傾斜側面になるようにパターン形成用
膜をエッチングすることができる傾斜エッチング法を提
供することにある。
し、等方性エッチングのみが可能な従来の湿式エッチン
グ工程に所定の溶液のディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）
工程を付加して、フォト及びエッチング工程を通じたパ
ターン膜の側面（端縁側面）が緩慢な傾斜側面になるよ
うにパターン形成用膜をエッチングすることができる傾
斜エッチング法を提供することにある。また本発明の他
の目的は乾式エッチング法である従来のＲＩＥ工程時に
使用されるエッチングガスに所定のガスを追加して、フ
ォト及びエッチング工程を通じたパターン膜の側面（端
縁側面）が緩慢な傾斜側面になるようにパターン形成用
膜をエッチングすることができる傾斜エッチング法を提
供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明によれば、所定のパターン膜を形成するた
めにパターン形成用膜を湿式エッチングする工程におい
て、基板上にパターン形成用膜を形成する工程；前記パ
ターン形成用膜エッチング溶液と蒸溜水とを所定の比率
で混合して作ったディッピング溶液にディッピングさせ
て表面を多孔性（ｐｏｒｏｕｓ）とした状態で作るため
の工程；前記ディッピング処理されたパターン形成用膜
上にフォトレジスト及び所定のパターンが印刷されたフ
ォトマスクを塗布したのち、前記フォトマスクを紫外線
で露光現像してフォトレジストパターン膜を形成する工
程；及び前記エッチング溶液を利用して前記パターン形
成用膜を湿式エッチングして所望のパターン膜を形成す
る工程；を順次含む傾斜エッチング法が提供される。
めに、本発明によれば、所定のパターン膜を形成するた
めにパターン形成用膜を湿式エッチングする工程におい
て、基板上にパターン形成用膜を形成する工程；前記パ
ターン形成用膜エッチング溶液と蒸溜水とを所定の比率
で混合して作ったディッピング溶液にディッピングさせ
て表面を多孔性（ｐｏｒｏｕｓ）とした状態で作るため
の工程；前記ディッピング処理されたパターン形成用膜
上にフォトレジスト及び所定のパターンが印刷されたフ
ォトマスクを塗布したのち、前記フォトマスクを紫外線
で露光現像してフォトレジストパターン膜を形成する工
程；及び前記エッチング溶液を利用して前記パターン形
成用膜を湿式エッチングして所望のパターン膜を形成す
る工程；を順次含む傾斜エッチング法が提供される。
【０００９】また本発明によれば、所定のパターン膜を
形成するためにパターン形成用膜をＲＩＥ法で乾式エッ
チングする工程において、基板上にパターン形成用膜を
形成する工程；前記パターン形成用膜上にフォトレジス
トを塗布し、所定のパターンが印刷されたフォトマスク
を、前記フォトレジスト表面上方に所定の間隔離間させ
た部位に位置させたのち、前記フォトマスクを紫外線で
露光し、フォトレジストを現像してフォトレジストパタ
ーン膜を形成する工程；及びエッチングガスとＯ２ ガ
スを所定の比率で混合して作ったガスを利用して前記パ
ターン形成用膜をＲＩＥ法でエッチングするための工程
を順次含む傾斜エッチング法が提供される。
形成するためにパターン形成用膜をＲＩＥ法で乾式エッ
チングする工程において、基板上にパターン形成用膜を
形成する工程；前記パターン形成用膜上にフォトレジス
トを塗布し、所定のパターンが印刷されたフォトマスク
を、前記フォトレジスト表面上方に所定の間隔離間させ
た部位に位置させたのち、前記フォトマスクを紫外線で
露光し、フォトレジストを現像してフォトレジストパタ
ーン膜を形成する工程；及びエッチングガスとＯ２ ガ
スを所定の比率で混合して作ったガスを利用して前記パ
ターン形成用膜をＲＩＥ法でエッチングするための工程
を順次含む傾斜エッチング法が提供される。
【００１０】
【実 施 例】本発明の第１実施例を図１１乃至図
１７を参照して説明する。図１１のように、基板（１３
）上にパターン形成用膜（１４）を蒸着（ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）したのち、前記パターン形成用膜（１４）を
エッチングするためのエッチング溶液（ｅｔｃｈａｎｔ
）と蒸溜水を所定の比率で混合して（１：１０〜１：１
００）作ったディッピング溶液に前記パターン形成用膜
（１４）を浸漬して、前記パターン形成用膜（１４）の
表面を図１２のような多孔性状態とする。ついで、図１
３のようにフォトレジスト（１５）を所定の厚さで塗布
したのち、その上面に、図１４のように所定の所望のパ
ターンが印刷されたフォトマスク（１６）を塗布し、該
フォトマスク（１６）と該フォトレジスト（１５）とを
紫外線で露光し、前記フォトレジスト（１５）を現像し
て図１５のようなフォトレジストパターン膜（１５ａ）
を形成する。
１７を参照して説明する。図１１のように、基板（１３
）上にパターン形成用膜（１４）を蒸着（ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）したのち、前記パターン形成用膜（１４）を
エッチングするためのエッチング溶液（ｅｔｃｈａｎｔ
）と蒸溜水を所定の比率で混合して（１：１０〜１：１
００）作ったディッピング溶液に前記パターン形成用膜
（１４）を浸漬して、前記パターン形成用膜（１４）の
表面を図１２のような多孔性状態とする。ついで、図１
３のようにフォトレジスト（１５）を所定の厚さで塗布
したのち、その上面に、図１４のように所定の所望のパ
ターンが印刷されたフォトマスク（１６）を塗布し、該
フォトマスク（１６）と該フォトレジスト（１５）とを
紫外線で露光し、前記フォトレジスト（１５）を現像し
て図１５のようなフォトレジストパターン膜（１５ａ）
を形成する。
【００１１】ついで、図１６のようにエッチング溶液を
利用して前記パターン形成用膜（１４）を湿式エッチン
グすると、パターン形成用膜（１４）の表面がディッピ
ング処理によって多孔性状態であるので、ＶＳ ［フォ
トレジスト（１５）とパターン形成用膜（１４）の表面
に垂直な方向へのエッチング速度］はより速くなる。パ
ターン膜（１４ａ）の側面角度としては約１５〜２５度
が適合し、正確な値はディッピング溶液の濃度とディッ
ピング時間、パターン形成用膜の種類、エッチング溶液
の種類、エッチング温度等によって決められる。ついで
、フォトレジストパターン膜（１５ａ）を除去すれば、
基板（１３）上に図１７のように所定のパターン膜（１
４ａ）が生成される。
利用して前記パターン形成用膜（１４）を湿式エッチン
グすると、パターン形成用膜（１４）の表面がディッピ
ング処理によって多孔性状態であるので、ＶＳ ［フォ
トレジスト（１５）とパターン形成用膜（１４）の表面
に垂直な方向へのエッチング速度］はより速くなる。パ
ターン膜（１４ａ）の側面角度としては約１５〜２５度
が適合し、正確な値はディッピング溶液の濃度とディッ
ピング時間、パターン形成用膜の種類、エッチング溶液
の種類、エッチング温度等によって決められる。ついで
、フォトレジストパターン膜（１５ａ）を除去すれば、
基板（１３）上に図１７のように所定のパターン膜（１
４ａ）が生成される。
【００１２】このように、上記の工程によれば、約１５
〜２５度の側面角を有するパターン膜を作ることができ
るので、従来の湿式エッチング法により作られた約４５
度の側面角を有するパターン膜を使用する場合に発生す
る工程有効範囲の不良及び絶縁破壊現象（ｂｒｅａｋ
ｄｏｗｎ）によるショート欠陥を防止できる。したが
って、半導体素子製造の収率を向上でき、それと共に信
頼性を向上できる。
〜２５度の側面角を有するパターン膜を作ることができ
るので、従来の湿式エッチング法により作られた約４５
度の側面角を有するパターン膜を使用する場合に発生す
る工程有効範囲の不良及び絶縁破壊現象（ｂｒｅａｋ
ｄｏｗｎ）によるショート欠陥を防止できる。したが
って、半導体素子製造の収率を向上でき、それと共に信
頼性を向上できる。
【００１３】ついで、本発明による第２実施例を図１８
乃至図２１を参照して説明する。まず、図１８のように
、基板（１７）上にパターン形成用膜（１８）を蒸着し
、その上面にフォトレジスト（１９）を塗布したのち、
前記フォトレジスト（１９）の上方に１μｍ乃至５０μ
ｍ程度離れた部位に、所定のパターンが印刷されたフォ
トマスク（２０）を近接配列（ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ
ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）する。該状態で前記フォトマスク
（２０）とフォトレジスト（１９）とを紫外線で現象さ
せてフォトマスク（２０）上に印刷された角部分で紫外
線が散乱されるようにする。これによって図１９のよう
に緩慢な傾斜（ｓｌｏｐｅ）側面のフォトレジストパタ
ーン膜（９ａ）が形成される。ついで図２０のようにＲ
ＩＥ工程を実施する。この時エッチングしようとするパ
ターン形成用膜（１８）の種類に応じて使用するエッチ
ングガスに、Ｏ２ ガスを約２〜５０ＳＣＣＭほど混合
してエッチングすれば、Ｏ２ ガスはフォトレジストパ
ターン膜（１９ａ）をエッチングする役割をし、それに
よりエッチングしようとするパターン形成用膜（１８）
がエッチングされると共にフォトレジストパターン膜（
１９ａ）がエッチングされる。
乃至図２１を参照して説明する。まず、図１８のように
、基板（１７）上にパターン形成用膜（１８）を蒸着し
、その上面にフォトレジスト（１９）を塗布したのち、
前記フォトレジスト（１９）の上方に１μｍ乃至５０μ
ｍ程度離れた部位に、所定のパターンが印刷されたフォ
トマスク（２０）を近接配列（ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ
ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）する。該状態で前記フォトマスク
（２０）とフォトレジスト（１９）とを紫外線で現象さ
せてフォトマスク（２０）上に印刷された角部分で紫外
線が散乱されるようにする。これによって図１９のよう
に緩慢な傾斜（ｓｌｏｐｅ）側面のフォトレジストパタ
ーン膜（９ａ）が形成される。ついで図２０のようにＲ
ＩＥ工程を実施する。この時エッチングしようとするパ
ターン形成用膜（１８）の種類に応じて使用するエッチ
ングガスに、Ｏ２ ガスを約２〜５０ＳＣＣＭほど混合
してエッチングすれば、Ｏ２ ガスはフォトレジストパ
ターン膜（１９ａ）をエッチングする役割をし、それに
よりエッチングしようとするパターン形成用膜（１８）
がエッチングされると共にフォトレジストパターン膜（
１９ａ）がエッチングされる。
【００１４】この時、Ｏ２ ガスの流量（ｆｌｏｗ
ｒａｔｅ）は、フォトレジストパターン膜（１８ａ）の
エッチング速度に大きい影響を及ぼすから結局パターン
膜（１８ａ）の側面角度を決める。即ち、Ｏ２ ガスの
流量はエッチングしようとするパターン形成用膜（１８
）の種類とフォトレジスト（１９）の種類及び厚さによ
って変わる。これによって図２０のように、フォトレジ
ストパターン膜（１９ａ）とパターン形成用膜（１８）
とが共にエッチングされるから、図２１のように面傾斜
角が約１５〜２５度である形態のパターン膜（１７ａ）
を作ることができる。即ち本実施例では、フォトマスク
（２０）をフォトレジスト（１９）が塗布されたサンプ
ル表面から１〜５０μｍほど離れた上方部位に配置し、
紫外線をフォトマスク（２０）全体に照射し、傾斜側面
を有するフォトレジストパターン膜（１９ａ）を形成す
る。 次いで、前記サンプルＲＩＥ法でエッチングして緩慢な
側面角度のパターン膜（１８ａ）を形成する。
ｒａｔｅ）は、フォトレジストパターン膜（１８ａ）の
エッチング速度に大きい影響を及ぼすから結局パターン
膜（１８ａ）の側面角度を決める。即ち、Ｏ２ ガスの
流量はエッチングしようとするパターン形成用膜（１８
）の種類とフォトレジスト（１９）の種類及び厚さによ
って変わる。これによって図２０のように、フォトレジ
ストパターン膜（１９ａ）とパターン形成用膜（１８）
とが共にエッチングされるから、図２１のように面傾斜
角が約１５〜２５度である形態のパターン膜（１７ａ）
を作ることができる。即ち本実施例では、フォトマスク
（２０）をフォトレジスト（１９）が塗布されたサンプ
ル表面から１〜５０μｍほど離れた上方部位に配置し、
紫外線をフォトマスク（２０）全体に照射し、傾斜側面
を有するフォトレジストパターン膜（１９ａ）を形成す
る。 次いで、前記サンプルＲＩＥ法でエッチングして緩慢な
側面角度のパターン膜（１８ａ）を形成する。
【００１５】
【発明の作用及び効果】以上のように、上記の工程によ
れば、ＲＩＥ法でパターン形成用膜を傾斜エッチングす
ることができるので、プロセスインテグレーション後、
パターン膜の角で発生し易い工程有効範囲の不良及びシ
ョート欠陥が防止できる。したがって素子の収率を高め
ることができる。また、従来垂直エッチング（ａｎｉｓ
ｔｒｏｐｙ ｅｔｃｈｉｎｇ）工程のみに使用されて
いたＲＩＥ法で傾斜エッチングが可能になり、それによ
り化学溶液を利用して湿式エッチング工程をＲＩＥ法を
利用した乾式エッチング工程と代替することが可能にな
る。したがって、製造工程上の繁雑性が解消でき、時間
とコスト及び生産性を高めることができる。
れば、ＲＩＥ法でパターン形成用膜を傾斜エッチングす
ることができるので、プロセスインテグレーション後、
パターン膜の角で発生し易い工程有効範囲の不良及びシ
ョート欠陥が防止できる。したがって素子の収率を高め
ることができる。また、従来垂直エッチング（ａｎｉｓ
ｔｒｏｐｙ ｅｔｃｈｉｎｇ）工程のみに使用されて
いたＲＩＥ法で傾斜エッチングが可能になり、それによ
り化学溶液を利用して湿式エッチング工程をＲＩＥ法を
利用した乾式エッチング工程と代替することが可能にな
る。したがって、製造工程上の繁雑性が解消でき、時間
とコスト及び生産性を高めることができる。
【図１】図２乃至図４と共に従来の湿式エッチング法を
利用したパターン形成工程を説明するための断面図であ
る。
利用したパターン形成工程を説明するための断面図であ
る。
【図２】フォトレジストパターン膜を形状した状態の断
面図である。
面図である。
【図３】パターン形成用膜をエッチングした後の状態の
断面図である。
断面図である。
【図４】フォトレジストパターン膜を除去した後の状態
の断面図である。
の断面図である。
【図５】従来の湿式エッチング法で形成したパターン膜
の角に発生するショート欠陥の状態を示した説明図であ
る。
の角に発生するショート欠陥の状態を示した説明図であ
る。
【図６】図７乃至図９と共に従来のＲＩＥ法を利用した
パターン膜形成工程を説明するための断面図である。
パターン膜形成工程を説明するための断面図である。
【図７】フォトレジストパターン膜を形成した状態の断
面図である。
面図である。
【図８】パターン形成用膜をエッチングした後の状態の
断面図である。
断面図である。
【図９】フォトレジストパターン膜を除去した後の状態
の断面図である。
の断面図である。
【図１０】従来のＲＩＥ法によって形成したパターン膜
の角部分で発生する工程有効範囲の不良及びショート欠
陥の状態を示した説明図である。
の角部分で発生する工程有効範囲の不良及びショート欠
陥の状態を示した説明図である。
【図１１】図１２乃至図１７と共に本発明による湿式エ
ッチング法を利用したパターン形成工程を説明するため
の断面図である。
ッチング法を利用したパターン形成工程を説明するため
の断面図である。
【図１２】ディッピング工程で多孔性状態となったパタ
ーン形成用膜を示した断面図である。
ーン形成用膜を示した断面図である。
【図１３】フォトレジスト塗布後の状態を示す断面図で
ある。
ある。
【図１４】紫外線露光時の状態を示す断面図である。
【図１５】フォトレジストパターン膜を形成した状態の
断面図である。
断面図である。
【図１６】パターン形成用膜をエッチングした後の状態
の断面図である。
の断面図である。
【図１７】フォトレジストパターン膜を除去した後の状
態の断面図である。
態の断面図である。
【図１８】図１９乃至図２１と共に本発明によるＲＩＥ
法を利用したパターン膜形成工程を説明するための断面
図である。
法を利用したパターン膜形成工程を説明するための断面
図である。
【図１９】フォトレジストパターン膜を形成した状態の
断面図である。
断面図である。
【図２０】ＲＩＥ工程実施後の状態の断面図である。
【図２１】フォトレジストパターン膜を除去した後の状
態の断面図である。
態の断面図である。
１３，１７ 基板、１４，１８ パターン形成用膜
、１４ａ，１８ａ パターン膜、１５，１９ フォ
トレジスト、１５ａ，１９ａ フォトレジストパター
ン膜、１６，２０ フォトマスク。
、１４ａ，１８ａ パターン膜、１５，１９ フォ
トレジスト、１５ａ，１９ａ フォトレジストパター
ン膜、１６，２０ フォトマスク。
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上にパターン形成用膜を蒸着する
工程；前記パターン形成用膜の種類に相応する湿式エッ
チング用エッチング溶液を蒸溜水と所定の比率で混合し
てディッピング溶液を作り、前記パターン形成用膜を該
ディッピング溶液に所定の時間ディッピングさせる工程
；前記ディッピング処理されたパターン形成用膜上にフ
ォトレジスト及び所定のパターンが印刷されたフォトマ
スクを塗布したのち、これらを現像してフォトレジスト
パターン膜を形成する工程；及び前記エッチング溶液を
利用して前記パターン形成用膜を湿式エッチングして所
望の側面傾斜角を有するパターン膜を形成したのち、前
記フォトレジストパターン膜を除去する工程；を順次含
むことを特徴とする傾斜エッチング法。 - 【請求項２】 前記ディッピング溶液は、前記エッチ
ング溶液を蒸溜水と１：１０〜１：１００の比率で混合
して作ることを特徴とする請求項１記載の傾斜エッチン
グ法。 - 【請求項３】 基板上にパターン形成用膜を蒸着する
工程；前記パターン形成用膜上フォトレジストを塗布す
る工程；前記フォトレジスト表面から上方に所定の距離
ほど離れた部位に所定のパターンが印刷されたフォトマ
スクを配置したのち、前記フォトレジスト及びフォトマ
スクを現像してフォトレジストパターン膜を形成する工
程；及び前記パターン形成用膜の種類に相応する乾式エ
ッチング用エッチングガスにＯ２ ガスを所定の量混合
して他のガスを作り、これを利用して前記パターン形成
用膜を前記フォトレジストパターン膜と共にＲＩＥ法で
エッチングして所望の側面傾斜角を有するパターン膜を
形成したのち、残余のフォトレジストパターン膜を除去
する工程；を順次含むことを特徴とする傾斜エッチング
法。 - 【請求項４】 前記フォトマスクをフォトレジスト表
面より上方に１μｍ〜５０μｍほど離れた部位に配置し
たのち、現像工程を実施することを特徴とする請求項３
記載の傾斜エッチング法。 - 【請求項５】 前記エッチングガスに混合するＯ２
ガス量は、２〜５０ＳＣＣＭであることを特徴とする請
求項３記載の傾斜エッチング法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1990P11650 | 1990-07-31 | ||
| KR1990P11649 | 1990-07-31 | ||
| KR1019900011649A KR930008128B1 (ko) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 습식 식각법을 이용한 경사식각방법 |
| KR1019900011650A KR950003230B1 (ko) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | Rie법을 이용한 경사식각 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04348030A true JPH04348030A (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=26628311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3213170A Pending JPH04348030A (ja) | 1990-07-31 | 1991-07-31 | 傾斜エッチング法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5409566A (ja) |
| EP (1) | EP0469370A3 (ja) |
| JP (1) | JPH04348030A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106449398A (zh) * | 2016-10-27 | 2017-02-22 | 安徽富芯微电子有限公司 | 减少光刻湿法腐蚀钻蚀的工艺方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3305415B2 (ja) * | 1992-06-18 | 2002-07-22 | キヤノン株式会社 | 半導体装置、インクジェットヘッド、および画像形成装置 |
| US6086777A (en) * | 1998-07-02 | 2000-07-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Tantalum barrier metal removal by using CF4 /o2 plasma dry etch |
| JP2002062665A (ja) * | 2000-08-16 | 2002-02-28 | Koninkl Philips Electronics Nv | 金属膜の製造方法、該金属膜を有する薄膜デバイス、及び該薄膜デバイスを備えた液晶表示装置 |
| TWI513993B (zh) | 2013-03-26 | 2015-12-21 | Ind Tech Res Inst | 三軸磁場感測器、製作磁場感測結構的方法與磁場感測電路 |
| CN105990472A (zh) * | 2015-02-04 | 2016-10-05 | 深圳市立洋光电子有限公司 | 一种硅衬底led发光芯片的表面处理方法 |
| JP2016219452A (ja) * | 2015-05-14 | 2016-12-22 | 富士通株式会社 | 多層基板及び多層基板の製造方法 |
Citations (2)
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| JPS5984529A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-16 | Nippon Denso Co Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS6016428A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体のエツチング方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS5217995B2 (ja) * | 1972-02-18 | 1977-05-19 | ||
| US3833434A (en) * | 1973-02-20 | 1974-09-03 | Hitachi Ltd | Method of forming multi-layer interconnections |
| US4075367A (en) * | 1976-03-18 | 1978-02-21 | Ncr Corporation | Semiconductor processing of silicon nitride |
| EP0096096B1 (de) * | 1982-06-14 | 1987-09-16 | Ibm Deutschland Gmbh | Verfahren zur Einstellung des Kantenwinkels in Polysilicium |
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| US4698132A (en) * | 1986-09-30 | 1987-10-06 | Rca Corporation | Method of forming tapered contact openings |
| DE3686721D1 (de) * | 1986-10-08 | 1992-10-15 | Ibm | Verfahren zur herstellung einer kontaktoeffnung mit gewuenschter schraege in einer zusammengesetzten schicht, die mit photoresist maskiert ist. |
| US4698128A (en) * | 1986-11-17 | 1987-10-06 | Motorola, Inc. | Sloped contact etch process |
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| US4912022A (en) * | 1988-12-27 | 1990-03-27 | Motorola, Inc. | Method for sloping the profile of an opening in resist |
| US5057186A (en) * | 1989-07-28 | 1991-10-15 | At&T Bell Laboratories | Method of taper-etching with photoresist adhesion layer |
| US4956035A (en) * | 1989-08-01 | 1990-09-11 | Rd Chemical Company | Composition and process for promoting adhesion on metal surfaces |
-
1991
- 1991-07-15 EP EP19910111771 patent/EP0469370A3/en not_active Ceased
- 1991-07-31 JP JP3213170A patent/JPH04348030A/ja active Pending
-
1993
- 1993-09-24 US US08/126,023 patent/US5409566A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5984529A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-16 | Nippon Denso Co Ltd | パタ−ン形成方法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0469370A3 (en) | 1992-09-09 |
| US5409566A (en) | 1995-04-25 |
| EP0469370A2 (en) | 1992-02-05 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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