JPH04346429A - ウエーハ外周の鏡面面取り装置 - Google Patents
ウエーハ外周の鏡面面取り装置Info
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- JPH04346429A JPH04346429A JP3148231A JP14823191A JPH04346429A JP H04346429 A JPH04346429 A JP H04346429A JP 3148231 A JP3148231 A JP 3148231A JP 14823191 A JP14823191 A JP 14823191A JP H04346429 A JPH04346429 A JP H04346429A
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 22
- 239000002002 slurry Substances 0.000 abstract description 4
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
- B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
- B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B9/065—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
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- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエーハの外周を鏡面
面取りする装置に関する。
面取りする装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの基板として用いられる
半導体ウエーハは、例えばシリコン等の単結晶インゴッ
トをその棒軸に対して直角方向にスライスし、スライス
して得られたものに、面取り、ラッピング、エッチング
、アニーリング、ポリッシング等の処理を施すことによ
って得られる。
半導体ウエーハは、例えばシリコン等の単結晶インゴッ
トをその棒軸に対して直角方向にスライスし、スライス
して得られたものに、面取り、ラッピング、エッチング
、アニーリング、ポリッシング等の処理を施すことによ
って得られる。
【0003】ところで、上述のようにして得られる半導
体ウエーハは、エッジのチッピング防止等のために、そ
の外周縁が面取りされるが、最近では特に鏡面面取りさ
れる傾向にある。
体ウエーハは、エッジのチッピング防止等のために、そ
の外周縁が面取りされるが、最近では特に鏡面面取りさ
れる傾向にある。
【0004】上記鏡面面取りは、例えば図7に示すよう
に、吸着盤101に吸着されて矢印方向に回転される半
導体ウエーハWの外周に、スラリーを加注し、且つ研磨
布を貼設した回転円板111を矢印方向に回転させなが
ら押圧することによってなされ、該回転円板111の傾
角を変えることによって、例えば図8に示すように半導
体ウエーハWの外周縁は研磨面a,b,c,d,eから
成る断面多角形状に面取りされる。
に、吸着盤101に吸着されて矢印方向に回転される半
導体ウエーハWの外周に、スラリーを加注し、且つ研磨
布を貼設した回転円板111を矢印方向に回転させなが
ら押圧することによってなされ、該回転円板111の傾
角を変えることによって、例えば図8に示すように半導
体ウエーハWの外周縁は研磨面a,b,c,d,eから
成る断面多角形状に面取りされる。
【0005】ところで、従来、図8に示す断面多角形状
の面取りを効率良く行なうために、研磨面a,b,cを
得るための回転円板111を所定の角度だけ傾斜させて
複数用意し、研磨面a,b,cが得られた後に半導体ウ
エーハWを反転し、この反転された半導体ウエーハWに
対して面取り加工を施して残りの研磨面d,eを得る方
法が採られていた。
の面取りを効率良く行なうために、研磨面a,b,cを
得るための回転円板111を所定の角度だけ傾斜させて
複数用意し、研磨面a,b,cが得られた後に半導体ウ
エーハWを反転し、この反転された半導体ウエーハWに
対して面取り加工を施して残りの研磨面d,eを得る方
法が採られていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の面取り方法では、装置が複雑化する上、研磨布の寿
命が短く、しかも断面多角形状の面取りしか行なえず、
面取り断面形状を滑らかな円弧状とすることができない
という問題があった。又、半導体ウエーハWの両面を吸
着すると、製品面を含む両面に吸着傷が残り、好ましく
ない結果を招くという問題もあった。
来の面取り方法では、装置が複雑化する上、研磨布の寿
命が短く、しかも断面多角形状の面取りしか行なえず、
面取り断面形状を滑らかな円弧状とすることができない
という問題があった。又、半導体ウエーハWの両面を吸
着すると、製品面を含む両面に吸着傷が残り、好ましく
ない結果を招くという問題もあった。
【0007】本発明は上記問題に鑑みてなされたもので
、その目的とする処は、ウエーハの片面を吸着保持する
だけで該ウエーハの外周を断面円弧状の滑らかな曲面に
鏡面面取りすることができるとともに、研磨布の寿命延
長を図ることができる構造単純でコンパクトなウエーハ
外周の鏡面面取り装置を提供することにある。
、その目的とする処は、ウエーハの片面を吸着保持する
だけで該ウエーハの外周を断面円弧状の滑らかな曲面に
鏡面面取りすることができるとともに、研磨布の寿命延
長を図ることができる構造単純でコンパクトなウエーハ
外周の鏡面面取り装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく本
発明は、研磨布を貼設して成る回転定盤と、該回転定盤
の回転軸方向及びこれに直交する方向に移動自在であっ
て、回転定盤の回転軸に直交する軸回りに回動可能で、
且つ回動軸に直交する軸回りに回転可能に支持された吸
着盤と、前記回転定盤及び吸着盤の駆動手段と、吸着盤
にウエーハを吸着せしめる吸着手段を含んでウエーハ外
周の鏡面面取り装置を構成したことをその特徴とする。
発明は、研磨布を貼設して成る回転定盤と、該回転定盤
の回転軸方向及びこれに直交する方向に移動自在であっ
て、回転定盤の回転軸に直交する軸回りに回動可能で、
且つ回動軸に直交する軸回りに回転可能に支持された吸
着盤と、前記回転定盤及び吸着盤の駆動手段と、吸着盤
にウエーハを吸着せしめる吸着手段を含んでウエーハ外
周の鏡面面取り装置を構成したことをその特徴とする。
【0009】
【作用】吸着手段によってウエーハを吸着盤に吸着せし
め、該吸着盤をその中心軸回りに回転させながら回転定
盤に対して移動させ、これに吸着されたウエーハの外周
を、回転する回転定盤の研磨布に押圧し、スラリーを加
注しつつ、当該吸着盤を連続的に回動させながらこれを
徐々に傾斜させれば、ウエーハは、その片面のみが吸着
された状態で、その外周縁を研磨布によって滑らかな円
弧状断面に鏡面面取りされる。このとき、大径の回転定
盤に貼着された研磨布は、その広い範囲が面取り加工に
供されるため、急激な劣化が防がれ、その寿命延長が図
られる。
め、該吸着盤をその中心軸回りに回転させながら回転定
盤に対して移動させ、これに吸着されたウエーハの外周
を、回転する回転定盤の研磨布に押圧し、スラリーを加
注しつつ、当該吸着盤を連続的に回動させながらこれを
徐々に傾斜させれば、ウエーハは、その片面のみが吸着
された状態で、その外周縁を研磨布によって滑らかな円
弧状断面に鏡面面取りされる。このとき、大径の回転定
盤に貼着された研磨布は、その広い範囲が面取り加工に
供されるため、急激な劣化が防がれ、その寿命延長が図
られる。
【0010】又、当該鏡面面取り装置は、単一の吸着盤
を有し、ウエーハの反転装置等も不要であるため、構造
単純で、且つコンパクトに構成され得る。
を有し、ウエーハの反転装置等も不要であるため、構造
単純で、且つコンパクトに構成され得る。
【0011】
【実施例】以下に本発明の一実施例を添付図面に基づい
て説明する。
て説明する。
【0012】図1は本発明に係る鏡面面取り装置の側面
図、図2は図1のA−A線断面図、図3は図1の矢視B
−B線方向の図である。
図、図2は図1のA−A線断面図、図3は図1の矢視B
−B線方向の図である。
【0013】図において、1はその上面に研磨布2を貼
設して成る回転定盤であって、これは不図示の駆動源に
よってZ軸(垂直軸)に平行な回転軸L1回りに矢印θ
XY方向に回転駆動される。
設して成る回転定盤であって、これは不図示の駆動源に
よってZ軸(垂直軸)に平行な回転軸L1回りに矢印θ
XY方向に回転駆動される。
【0014】又、上記回転定盤1の上方には、左右のガ
イドレール4,4が互いに平行、且つ水平に設置されて
おり、該ガイドレール4,4には吸着盤ユニット5がガ
イドレール4,4に沿ってX軸方向に移動自在に支持さ
れている。即ち、吸着盤ユニット5の下方が開口するチ
ャンネル状の枠体6は、これの前後及び左右に支承され
た計4つのローラ7…を介してガイドレール4,4に移
動自在に支持されており、該枠体6の中央部には加圧シ
リンダ8が垂直に固設されている。そして、レール4,
4の一端には駆動モータM1が固設されており、該駆動
モータM1によって回転駆動されるボールネジ軸9の先
部には枠体6が結着されており、駆動モータM1の駆動
によって吸着盤ユニット5はガイドレール4,4に沿っ
てX軸方向に移動せしめられる。
イドレール4,4が互いに平行、且つ水平に設置されて
おり、該ガイドレール4,4には吸着盤ユニット5がガ
イドレール4,4に沿ってX軸方向に移動自在に支持さ
れている。即ち、吸着盤ユニット5の下方が開口するチ
ャンネル状の枠体6は、これの前後及び左右に支承され
た計4つのローラ7…を介してガイドレール4,4に移
動自在に支持されており、該枠体6の中央部には加圧シ
リンダ8が垂直に固設されている。そして、レール4,
4の一端には駆動モータM1が固設されており、該駆動
モータM1によって回転駆動されるボールネジ軸9の先
部には枠体6が結着されており、駆動モータM1の駆動
によって吸着盤ユニット5はガイドレール4,4に沿っ
てX軸方向に移動せしめられる。
【0015】更に、上記加圧シリンダ8の下方へ延出す
るロッド8aには、支持部材10がZ軸方向に上下動自
在に支持されており、該支持部材10の上部10a…は
、図2に示すように、前記枠体6のガイド溝6a…に下
方から上下摺動自在に嵌合している。従って、加圧シリ
ンダ8の駆動によって支持部材10は枠体6にガイドさ
れながらZ軸方向に上下動せしめられる。
るロッド8aには、支持部材10がZ軸方向に上下動自
在に支持されており、該支持部材10の上部10a…は
、図2に示すように、前記枠体6のガイド溝6a…に下
方から上下摺動自在に嵌合している。従って、加圧シリ
ンダ8の駆動によって支持部材10は枠体6にガイドさ
れながらZ軸方向に上下動せしめられる。
【0016】そして、この支持部材10には、吸着盤1
1が前記回転定盤1の回転軸L1に直交する軸L2回り
に回動自在であって、且つ軸L2に直交する軸L3回り
に回転自在に支持されている。即ち、吸着盤11は支持
部材10の下部にY軸方向に平行に架設された回動軸1
2に支持されており、回動軸12がサーボモータM2に
よって回動されることによって、吸着盤11は軸L2を
中心にθZX方向に回動(傾転)せしめられる。又、図
2に示すように、回動軸12の中央ボス部12aには、
回転軸13が回転自在に貫通しており、該回転軸13の
一端に吸着盤11が支持されている。そして、回転軸1
3が駆動モータM3によって回転駆動されると、吸着盤
11は軸L3回りにθXYZ方向に回転駆動される。尚
、吸着盤11には、ウエーハWを真空吸着すべき不図示
の吸着手段が設けられている。
1が前記回転定盤1の回転軸L1に直交する軸L2回り
に回動自在であって、且つ軸L2に直交する軸L3回り
に回転自在に支持されている。即ち、吸着盤11は支持
部材10の下部にY軸方向に平行に架設された回動軸1
2に支持されており、回動軸12がサーボモータM2に
よって回動されることによって、吸着盤11は軸L2を
中心にθZX方向に回動(傾転)せしめられる。又、図
2に示すように、回動軸12の中央ボス部12aには、
回転軸13が回転自在に貫通しており、該回転軸13の
一端に吸着盤11が支持されている。そして、回転軸1
3が駆動モータM3によって回転駆動されると、吸着盤
11は軸L3回りにθXYZ方向に回転駆動される。尚
、吸着盤11には、ウエーハWを真空吸着すべき不図示
の吸着手段が設けられている。
【0017】次に、本鏡面面取り装置によるウエーハW
の面取り作業を図4に基づいて説明する。
の面取り作業を図4に基づいて説明する。
【0018】不図示の吸着手段によって吸着盤11にウ
エーハWを吸着せしめ、モータM1を駆動してユニット
5をレール4,4に沿ってX軸方向に移動せしめて図4
の右端に示すように回転定盤1の径方向外方へ位置せし
める。これと同時に、加圧シリンダ8とサーボモータM
2及び駆動モータM3を駆動し、図4の右端に示すよう
に、吸着盤11及びこれに吸着されたウエーハWを軸L
2回りに回動せしめ、スラリーを加注しつ、ウエーハW
の吸着面側の外周縁を、不図示の駆動手段によって軸L
1回りに回転駆動されている回転定盤1の研磨布2の外
端部近傍に所定の圧力で押圧する。
エーハWを吸着せしめ、モータM1を駆動してユニット
5をレール4,4に沿ってX軸方向に移動せしめて図4
の右端に示すように回転定盤1の径方向外方へ位置せし
める。これと同時に、加圧シリンダ8とサーボモータM
2及び駆動モータM3を駆動し、図4の右端に示すよう
に、吸着盤11及びこれに吸着されたウエーハWを軸L
2回りに回動せしめ、スラリーを加注しつ、ウエーハW
の吸着面側の外周縁を、不図示の駆動手段によって軸L
1回りに回転駆動されている回転定盤1の研磨布2の外
端部近傍に所定の圧力で押圧する。
【0019】ここで、ウエーハWの研磨布2への押圧力
を図5に示す説明図に基づいて算出する。
を図5に示す説明図に基づいて算出する。
【0020】即ち、図5に示すように、加圧シリンダ8
の上室圧をP1、下室圧をP2、ピストン受圧面積をS
、ピストン系の自重をW1、ウエーハWが研磨布2から
受ける反力をF1とすれば、力の釣合より次式が成り立
つ。
の上室圧をP1、下室圧をP2、ピストン受圧面積をS
、ピストン系の自重をW1、ウエーハWが研磨布2から
受ける反力をF1とすれば、力の釣合より次式が成り立
つ。
【0021】
【数1】F1−W1=S(P1−P2) ……(1)
【0022】
【数2】∴F1=W1+S(P1−P2) ……(2
)然るに、ウエーハWの研磨布2への押圧力の大きさは
、該ウエーハWが研磨布2から受ける反力F1(絶対値
)に等しいため、この押圧力が(2)式にて表わされる
F1になるようにP1とP2を制御すれば良い。
)然るに、ウエーハWの研磨布2への押圧力の大きさは
、該ウエーハWが研磨布2から受ける反力F1(絶対値
)に等しいため、この押圧力が(2)式にて表わされる
F1になるようにP1とP2を制御すれば良い。
【0023】而して、上記状態から駆動モータM1、加
圧シリンダ8及びサーボモータM2を駆動制御し、吸着
盤ユニット5を図4の矢印X方向に移動させながら、吸
着盤11を回動軸12を中心にθZX方向に連続的に回
動させ、ウエーハWをその外周縁が研磨布2上に所定の
圧力で押圧される状態に保ったまま、該ウエーハWをこ
れの研磨布2への当接点を支点として回動させれば、当
該ウエーハWはその片面のみが吸着された状態で、その
外周縁が研磨布2によって図6に示すような滑らかな円
弧状断面に鏡面面取りされる。このとき、大径の回転定
盤1に貼着された研磨布2は、その広い範囲が面取り加
工に供されるため、急激な劣化が防がれ、その寿命延長
が図られる。尚、ウエーハWの吸着面の微少傷は、後加
工によって除去される。
圧シリンダ8及びサーボモータM2を駆動制御し、吸着
盤ユニット5を図4の矢印X方向に移動させながら、吸
着盤11を回動軸12を中心にθZX方向に連続的に回
動させ、ウエーハWをその外周縁が研磨布2上に所定の
圧力で押圧される状態に保ったまま、該ウエーハWをこ
れの研磨布2への当接点を支点として回動させれば、当
該ウエーハWはその片面のみが吸着された状態で、その
外周縁が研磨布2によって図6に示すような滑らかな円
弧状断面に鏡面面取りされる。このとき、大径の回転定
盤1に貼着された研磨布2は、その広い範囲が面取り加
工に供されるため、急激な劣化が防がれ、その寿命延長
が図られる。尚、ウエーハWの吸着面の微少傷は、後加
工によって除去される。
【0024】又、当該鏡面面取り装置は、単一の吸着盤
11を有し、ウエーハWの反転装置等も不要であるため
、構造単純でコンパクトに構成され得る。
11を有し、ウエーハWの反転装置等も不要であるため
、構造単純でコンパクトに構成され得る。
【0025】
【発明の効果】以上の説明で明らかな如く、本発明によ
れば、研磨布を貼設して成る回転定盤と、該回転定盤の
回転軸方向及びこれに直交する方向に移動自在であって
、回転定盤の回転軸に直交する軸回りに回動可能で、且
つ回動軸に直交する軸回りに回転可能に支持された吸着
盤と、前記回転定盤及び吸着盤の駆動手段と、吸着盤に
ウエーハを吸着せしめる吸着手段を含んで構成されるウ
エーハ外周の鏡面面取り装置を構成したため、ウエーハ
の片面を吸着保持するだけで該ウエーハの外周を断面円
弧状の滑らかな曲面に鏡面面取りすることができるとと
もに、研磨布の寿命延長及び当該鏡面面取り装置の構造
単純化・コンパクト化を図ることができるという効果が
得られる。
れば、研磨布を貼設して成る回転定盤と、該回転定盤の
回転軸方向及びこれに直交する方向に移動自在であって
、回転定盤の回転軸に直交する軸回りに回動可能で、且
つ回動軸に直交する軸回りに回転可能に支持された吸着
盤と、前記回転定盤及び吸着盤の駆動手段と、吸着盤に
ウエーハを吸着せしめる吸着手段を含んで構成されるウ
エーハ外周の鏡面面取り装置を構成したため、ウエーハ
の片面を吸着保持するだけで該ウエーハの外周を断面円
弧状の滑らかな曲面に鏡面面取りすることができるとと
もに、研磨布の寿命延長及び当該鏡面面取り装置の構造
単純化・コンパクト化を図ることができるという効果が
得られる。
【図1】本発明に係る鏡面面取り装置の側面図である。
【図2】図1のA−A線断面図である。
【図3】図1の矢視B−B線方向の図である。
【図4】本発明に係る鏡面面取り装置の作用説明図であ
る。
る。
【図5】ウエーハの押圧力を算出するための説明図であ
る。
る。
【図6】本発明に係る鏡面面取り装置によって面取りさ
れたウエーハの部分断面図である。
れたウエーハの部分断面図である。
【図7】従来の面取り方法を示す斜視図である。
【図8】従来の方法によって面取りされたウエーハの部
分断面図である。
分断面図である。
1 回転定盤
2 研磨布
5 吸着盤ユニット
8 加圧シリンダ
11 吸着盤
M1 駆動モータ
M2 サーボモータ
M3 駆動モータ
L1 回転定盤の回転軸
L2 吸着盤の回動軸
L3 吸着盤の回転軸
W ウエーハ
Claims (1)
- 【請求項1】 研磨布を貼設して成る回転定盤と、該
回転定盤の回転軸方向及びこれに直交する方向に移動自
在であって、回転定盤の回転軸に直交する軸回りに回動
可能で、且つ回動軸に直交する軸回りに回転可能に支持
された吸着盤と、前記回転定盤及び吸着盤の駆動手段と
、吸着盤にウエーハを吸着せしめる吸着手段を含んで構
成されることを特徴とするウエーハ外周の鏡面面取り装
置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3148231A JP2719855B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | ウエーハ外周の鏡面面取り装置 |
EP19920303532 EP0515036A3 (en) | 1991-05-24 | 1992-04-21 | An apparatus for chamfering the peripheral edge of a wafer to specular finish |
US08/122,941 US5514025A (en) | 1991-05-24 | 1993-09-20 | Apparatus and method for chamfering the peripheral edge of a wafer to specular finish |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3148231A JP2719855B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | ウエーハ外周の鏡面面取り装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04346429A true JPH04346429A (ja) | 1992-12-02 |
JP2719855B2 JP2719855B2 (ja) | 1998-02-25 |
Family
ID=15448204
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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