JPH0432557B2 - - Google Patents
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- JPH0432557B2 JPH0432557B2 JP1323019A JP32301989A JPH0432557B2 JP H0432557 B2 JPH0432557 B2 JP H0432557B2 JP 1323019 A JP1323019 A JP 1323019A JP 32301989 A JP32301989 A JP 32301989A JP H0432557 B2 JPH0432557 B2 JP H0432557B2
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- etching
- pattern
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- glaze layer
- etched
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明はパターン形成方法に関する。[Detailed description of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to a pattern forming method.
（従来の技術）
たとえばAl配線パターンをエツチングにより
形成することはよく知られている。これはセラミ
ツク製の基板の表面にAlを蒸着又はスパツタに
より薄膜に形成し、これをフオトエツチング処理
によつて、所望のパターンどおりとする方法であ
る。(Prior Art) For example, it is well known that an Al wiring pattern is formed by etching. This is a method in which a thin film of Al is formed on the surface of a ceramic substrate by vapor deposition or sputtering, and then a desired pattern is formed by photoetching the film.
（発明が解決しようとする問題点）
ところで、一般に基板の表面のパターンをエツ
チングによつて形成しようとするとき、その端部
のパターンを他の部分のパターンと同時にエツチ
ングによつて形成する場合、端部のパターンは、
中央部のパターンよりもエツチンググレートが大
きい。(Problems to be Solved by the Invention) Generally speaking, when a pattern on the surface of a substrate is to be formed by etching, a pattern at the end of the substrate is formed by etching at the same time as a pattern in other parts. The pattern at the end is
The etching rate is larger than the pattern in the center.
その原因として、蒸着又はスパツタにより薄膜
を形成する場合、基板の端部より中央部の方がよ
り厚く成膜される傾向にあること、及び複数の基
板を互いに接近させて配置してエツチングする場
合、基板の中央部はその端部に比較してエツチン
グ液の当接量が少ないことが考えられる。 This is because when thin films are formed by vapor deposition or sputtering, the film tends to be thicker at the center than at the edges of the substrate, and when multiple substrates are placed close to each other for etching. It is conceivable that the amount of etching liquid that comes into contact with the central portion of the substrate is smaller than that with the edge portions.
そのため基板上の中央部のパターンが形成され
るようにエツチング条件を定めたとすると、端部
のパターンが必要以上にエツチングされてしま
い、場合によつてはそのパターンが切断してしま
うことがある。 Therefore, if etching conditions are set so that a pattern is formed at the center of the substrate, the pattern at the edges will be etched more than necessary, and in some cases, the pattern may be cut off.
特に端部に中央部のパターンよりも密のパター
ンを形成しようとするときは、その端部における
パターンの切断は顕著に発生する。 Particularly when attempting to form a pattern at the edges that is denser than the pattern at the center, the pattern is noticeably cut at the edges.
この発明は、基板の表面の端部と、端部以外の
他の部分とにパターンを同時にエツチングによつ
て形成する場合でも、端部と他の部分とにおける
両パターンの形成を確実にすることを目的とす
る。 The present invention is to ensure that both patterns are formed at the edge and other parts even when patterns are simultaneously formed on the edge and other parts of the surface of the substrate by etching. With the goal.
（問題点を解決するための手段）
この発明は、基板の表面の端部にグレーズ層を
設け、このグレーズ層の表面とグレーズ層以外の
基板のセラミツク部分に、同時にパターンをエツ
チングによつて形成することを特徴とする。(Means for Solving the Problems) This invention provides a glaze layer at the edge of the surface of a substrate, and simultaneously forms a pattern on the surface of this glaze layer and on the ceramic portion of the substrate other than the glaze layer by etching. It is characterized by
（作用）
同じエツチング条件でも、セラミツク製の基板
の表面のAlをエツチングするときと、その基板
上のグレーズ層の表面のAlをエツチングすると
きとでは、エツチンググレートが異なる。(Function) Even under the same etching conditions, the etching rate is different when etching Al on the surface of a ceramic substrate and when etching Al on the surface of the glaze layer on the substrate.
これを具体例をあげて説明すると、厚さ１〜
2μmのAlについては、セラミツク製の基板の表
面におけるエツチングレートは、グレーズ層の表
面におけるそれよりも、約20％大きくなる。 To explain this with a specific example, the thickness is 1~
For 2 μm Al, the etching rate at the surface of the ceramic substrate is approximately 20% greater than that at the surface of the glaze layer.
第１図はAlのエツチング速度特性図を示し、
厚さ2μmのAlを、リン酸系エツチング液（液温
40℃）でエツチングしたときの、エツチング時間
に対するエツチングされたAlの厚さを示したも
のである。 Figure 1 shows the etching rate characteristics of Al.
Al with a thickness of 2 μm was etched using a phosphoric acid etching solution (solution temperature
This figure shows the thickness of etched Al versus etching time when etching was performed at 40°C.
これからも、セラミツク基板上のAlがグレー
ズ層上のそれよりも、多くエツチングされている
ことが理解される。これはセラミツク基板上の
Alの表面が凹凸で、エツチング液との当接面積
が大きいので、エツチングが速くすすむことに起
因するものと考えられる。 It can be seen from this that more Al on the ceramic substrate is etched than on the glaze layer. This is on a ceramic substrate
This is thought to be due to the fact that the surface of Al is uneven and has a large contact area with the etching solution, so etching progresses quickly.
一方セラミツク基板上のパターンが同じであつ
ても、基板の端部よりも中央部分に向かう程、エ
ツチング時間は増大することは前述した。第２図
はAl配線について端部からの距離に対するエツ
チング時間を示す特性図である。 On the other hand, as mentioned above, even if the pattern on the ceramic substrate is the same, the etching time increases toward the center of the substrate rather than the edges. FIG. 2 is a characteristic diagram showing the etching time versus the distance from the end of the Al wiring.
エツチング液は前述したものと同じものを使用
した。同じ幅のAl部分をエツチングするのに、
端部側では中央部分よりもエツチング時間は、約
20％短くなることが同図から理解される。 The same etching solution as described above was used. To etch Al parts of the same width,
The etching time on the edge side is approximately
It can be seen from the figure that the length is 20% shorter.
したがつて粗密のパターンが混じり合う場合、
表面の端部に、エツチングレートの小さいグレー
ズ層を設け、その表面で密のパターンをエツチン
グすれば、密のパターンのエツチングされるAl
の量は抑制され、基板の表面の他の部分における
粗のパターンとともに、同時に最適にエツチング
できるようになる。 Therefore, when coarse and dense patterns are mixed,
If a glaze layer with a small etching rate is provided at the edge of the surface and a dense pattern is etched on that surface, the Al
The amount of etch is suppressed, allowing optimal etching at the same time as a coarse pattern on other parts of the surface of the substrate.
（実施例）
第３図はこの発明の実施例方法を示すもので、
セラミツク、たとえばアルミナセラツミツク製の
基板１の表面にAl配線パターンをエツチングで
形成するのに、パターン間隔が微細な（密の）配
線部２を形成するとき、その配線部２は、基板１
上の端部に予め形成したグレーズ層３の表面に形
成する。(Example) FIG. 3 shows an example method of this invention.
When an Al wiring pattern is formed by etching on the surface of a substrate 1 made of ceramic, for example, alumina ceramic, and a wiring portion 2 with fine (dense) pattern spacing is formed, the wiring portion 2 is formed on the substrate 1.
It is formed on the surface of the glaze layer 3 previously formed on the upper end.
具体的には、密の配線部２の形成予定位置であ
る端部に、予めグレーズ層３を形成しておき、つ
いで基板１の表面（グレーズ層３の表面も含む。）
にAlの薄膜を形成してから、フオトエツチング
により配線部２を、パターン間隔が粗の配線部４
と同時に形成すればよい。 Specifically, the glaze layer 3 is formed in advance at the end portion where the dense wiring portion 2 is planned to be formed, and then the surface of the substrate 1 (including the surface of the glaze layer 3) is formed.
After forming a thin film of Al, the wiring part 2 is formed by photo-etching, and the wiring part 4 with a coarse pattern spacing is formed by photo-etching.
They may be formed at the same time.
配線部２におけるエツチング量は、配線部４の
それより少ないので、配線部２が所定の線幅にエ
ツチングされる頃には、配線部４も所定の線幅に
エツチングされるようになり、したがつて両配線
部２，４は最適にエツチングされることになる。 Since the amount of etching in the wiring part 2 is smaller than that in the wiring part 4, by the time the wiring part 2 is etched to a predetermined line width, the wiring part 4 is also etched to a predetermined line width. As a result, both wiring portions 2 and 4 are etched optimally.
なおここに使用できるグレーズ層としては、そ
の組成が、SiO2，MgO2，Zr2O3系のものが好適
である。また以上の説明はパターンの形成対象と
してAlの場合について説明したが、Cu，Auなど
についても同様の効果が得られることが確認され
ている。 The glaze layer that can be used here preferably has a composition of SiO 2 , MgO 2 , and Zr 2 O 3 . Furthermore, although the above description has been made regarding the case of Al as the pattern formation target, it has been confirmed that similar effects can be obtained with Cu, Au, and the like.
（発明の効果）
以上詳述したようにこの発明によれば、基板表
面にパターンをエツチングによつて形成する場
合、基板表面の端部にグレーズ層を設け、その表
面及びグレーズ層以外の表面のパターンを、同時
にエツチングによつて形成するようにしたので、
基板表面のすべてのパターンを同時にかつ最適に
エツチングできる効果を奏する。(Effects of the Invention) As detailed above, according to the present invention, when a pattern is formed on the surface of a substrate by etching, a glaze layer is provided at the edge of the substrate surface, and the surface of the glaze layer and the surface other than the glaze layer are Since the pattern was formed by etching at the same time,
The effect is that all patterns on the substrate surface can be etched simultaneously and optimally.
第１図、第２図はエツチング速度を示す特性
図、第３図はこの発明の実施例方法を説明するた
めの基板の平面図である。
１……基板、２……パターン間隔が微細な配線
部、３……グレーズ層、４……パターン間隔が粗
い配線部。
FIGS. 1 and 2 are characteristic diagrams showing the etching rate, and FIG. 3 is a plan view of a substrate for explaining an embodiment of the method of the present invention. 1...Substrate, 2...Wiring portion with fine pattern spacing, 3...Glaze layer, 4... Wiring portion with coarse pattern spacing.
Claims (1)
チングによつて形成する方法において、 前記基板の表面の端部にグレーズ層を設け、前
記グレーズ層の表面と前記グレーズ層以外の表面
とに、パターンを同時にエツチングによつて形成
することを特徴とするパターン形成方法。[Claims] 1. A method of forming a pattern on the surface of a ceramic substrate by etching, wherein a glaze layer is provided at the end of the surface of the substrate, and the surface of the glaze layer and the surface other than the glaze layer are and a pattern forming method characterized in that the pattern is simultaneously formed by etching.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32301989A JPH02216890A (en) | 1984-04-28 | 1989-12-13 | Forming method for pattern |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8757484A JPS60231386A (en) | 1984-04-28 | 1984-04-28 | Method of forming pattern |
| JP32301989A JPH02216890A (en) | 1984-04-28 | 1989-12-13 | Forming method for pattern |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8757484A Division JPS60231386A (en) | 1984-04-28 | 1984-04-28 | Method of forming pattern |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02216890A JPH02216890A (en) | 1990-08-29 |
| JPH0432557B2 true JPH0432557B2 (en) | 1992-05-29 |
Family
ID=26428828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32301989A Granted JPH02216890A (en) | 1984-04-28 | 1989-12-13 | Forming method for pattern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02216890A (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60231386A (en) * | 1984-04-28 | 1985-11-16 | ロ−ム株式会社 | Method of forming pattern |
-
1989
- 1989-12-13 JP JP32301989A patent/JPH02216890A/en active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60231386A (en) * | 1984-04-28 | 1985-11-16 | ロ−ム株式会社 | Method of forming pattern |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02216890A (en) | 1990-08-29 |
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Legal Events
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