JPH04291923A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04291923A JPH04291923A JP8144191A JP8144191A JPH04291923A JP H04291923 A JPH04291923 A JP H04291923A JP 8144191 A JP8144191 A JP 8144191A JP 8144191 A JP8144191 A JP 8144191A JP H04291923 A JPH04291923 A JP H04291923A
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- vapor deposition
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- deposition film
- film
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Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 abstract description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 12
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002925 chemical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ケミカルベーパーデ
ポジションにより形成された膜をエッチングする際に、
そのエッチング不良を防止する製造方法に関するもので
ある。
ポジションにより形成された膜をエッチングする際に、
そのエッチング不良を防止する製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の半導体装置の製造方法を示
す断面図であり、図において、１はシリコン基板、２は
ソース電極用のコンタクト穴、３はゲート電極用のポリ
シリコン膜、４はシリコン基板１とポリシリコン膜３を
絶縁する酸化膜、５はポリシリコン膜３とソース電極用
のアルミ層６を絶縁するケミカルベーパーデポジション
膜である。
す断面図であり、図において、１はシリコン基板、２は
ソース電極用のコンタクト穴、３はゲート電極用のポリ
シリコン膜、４はシリコン基板１とポリシリコン膜３を
絶縁する酸化膜、５はポリシリコン膜３とソース電極用
のアルミ層６を絶縁するケミカルベーパーデポジション
膜である。
【０００３】次に、従来の製造方法について説明する。
まず、シリコン基板１上に酸化膜４およびポリシリコン
膜３を形成した後、ソース電極用のコンタクト穴２を開
けるために写真製版工程を実施する。そして写真製版工
程完了後、当該工程において使用したフォトレジストが
ポリシリコン膜３上に残留しないようにするため、ケミ
カルベーパデポジション膜５を形成する前に、シリコン
ウエハを処理液に浸し全表面をクリーンな状態にする。 その後、ケミカルベーパデポジション膜５を形成し、さ
らにこのケミカルベーパデポジション膜５にコンタクト
穴２を開けるため写真製版工程を施し、ソース電極用の
コンタクト穴２開け作業を完了する。最後にソース電極
用のアルミ層６をシリコンウエハ表面に形成する。
膜３を形成した後、ソース電極用のコンタクト穴２を開
けるために写真製版工程を実施する。そして写真製版工
程完了後、当該工程において使用したフォトレジストが
ポリシリコン膜３上に残留しないようにするため、ケミ
カルベーパデポジション膜５を形成する前に、シリコン
ウエハを処理液に浸し全表面をクリーンな状態にする。 その後、ケミカルベーパデポジション膜５を形成し、さ
らにこのケミカルベーパデポジション膜５にコンタクト
穴２を開けるため写真製版工程を施し、ソース電極用の
コンタクト穴２開け作業を完了する。最後にソース電極
用のアルミ層６をシリコンウエハ表面に形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の製造方法は上記
の様であり、ケミカルベーパデポジション膜５を形成す
る前段階において、ポリシリコン膜３および酸化膜４に
コンタクト穴開け用の写真製版工程があるために、シリ
コンウエハを処理液に浸しフォトレジストの残留を防止
する必要があった。しかし、処理液に浸けることで、フ
ォトレジスト以外の異物の付着および水分残りを招き、
ケミカルベーパデポジション膜５が部分的に正常な形成
がなされず、コンタクト穴２の開け作業を行った際にエ
ッチング不良を起こす問題点があった。
の様であり、ケミカルベーパデポジション膜５を形成す
る前段階において、ポリシリコン膜３および酸化膜４に
コンタクト穴開け用の写真製版工程があるために、シリ
コンウエハを処理液に浸しフォトレジストの残留を防止
する必要があった。しかし、処理液に浸けることで、フ
ォトレジスト以外の異物の付着および水分残りを招き、
ケミカルベーパデポジション膜５が部分的に正常な形成
がなされず、コンタクト穴２の開け作業を行った際にエ
ッチング不良を起こす問題点があった。
【０００５】この発明は上記の様な問題点を解消するた
めになされたものであり、ケミカルベーパデポジション
膜にコンタクト穴開けを行う工程において、エッチング
不良の防止が可能な半導体装置の製造方法を提供できる
。
めになされたものであり、ケミカルベーパデポジション
膜にコンタクト穴開けを行う工程において、エッチング
不良の防止が可能な半導体装置の製造方法を提供できる
。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置の製造方法は、シリコン基板上にケミカルベーパデポ
ジション膜を形成する工程において、シリコン基板の表
面上を熱処理によりクリーンな状態にすることを特徴と
するものである。
置の製造方法は、シリコン基板上にケミカルベーパデポ
ジション膜を形成する工程において、シリコン基板の表
面上を熱処理によりクリーンな状態にすることを特徴と
するものである。
【０００７】
【作用】この発明の半導体装置の製造方法においては、
写真製版工程後の処理液によるフォトレジスト除去の際
に付着する異物および処理液洗浄水の脱水不足による水
分残りを、熱処理工程により除去し、ケミカルベーパデ
ポジション膜を均一に形成することによって、その後の
エッチングの不良を防止する。
写真製版工程後の処理液によるフォトレジスト除去の際
に付着する異物および処理液洗浄水の脱水不足による水
分残りを、熱処理工程により除去し、ケミカルベーパデ
ポジション膜を均一に形成することによって、その後の
エッチングの不良を防止する。
【０００８】
［実施例１］図１はこの発明の一実施例に係る半導体装
置の製造方法を説明するための断面図である。図におい
て、１〜６は上記従来の構成部分（図２）と同様であっ
て、１はシリコン基板、２はソース電極用のコンタクト
穴、３はゲート電極用のポリシリコン膜、４はシリコン
基板１とポリシリコン膜３を絶縁するための酸化膜、５
はポリシリコン膜３とソース電極用のアルミ層６を絶縁
するケミカルベーパーデポジション膜である。７は熱処
理工程によってシリコンウエハ上に形成される熱酸化膜
であり、この熱酸化膜７上にケミカルベーパデポジショ
ン膜５が形成される。
置の製造方法を説明するための断面図である。図におい
て、１〜６は上記従来の構成部分（図２）と同様であっ
て、１はシリコン基板、２はソース電極用のコンタクト
穴、３はゲート電極用のポリシリコン膜、４はシリコン
基板１とポリシリコン膜３を絶縁するための酸化膜、５
はポリシリコン膜３とソース電極用のアルミ層６を絶縁
するケミカルベーパーデポジション膜である。７は熱処
理工程によってシリコンウエハ上に形成される熱酸化膜
であり、この熱酸化膜７上にケミカルベーパデポジショ
ン膜５が形成される。
【０００９】次に、上記実施例の製造方法について説明
する。まず、シリコン基板１上に酸化膜４およびポリシ
リコン膜３を形成した後、ソース電極用のコンタクト穴
２を開けるための写真製版工程を実施する。そして写真
製版工程完了後、当該工程において使用したフォトレジ
ストがポリシリコン膜３上に残留しないようにするため
、処理液に浸しシリコンウエハ全表面をクリーンな状態
にする。ここまでは従来の製造工程と同一である。しか
しながら、上記処理液によるフォトレジスト残留防止処
理を行った際には、シリコンウエハ表面に、フォトレジ
スト以外の処理液中に存在する異物が多数付着し、また
遠心脱水装置による処理液洗浄水がコンタクト穴２の段
差部に残りやすい状態になっている。そこで本実施例に
おいて、処理液によるフォトレジスト残留防止後に熱処
理工程を追加する。ここでの熱処理としては、酸素ガス
のみを使用し、７００℃〜９００℃の温度で２０分〜３
０分の処理を行うことで、シリコンウエハの電気特性に
強い影響を与えることなく、かつ異物および水分を除去
することができる。更に、その後ケミカルベーパデポジ
ション膜５を均一に形成することができ、エッチング不
良を防止することになる。そして、コンタクト穴２用の
写真製版工程を実施し、ソース電極用のコンタクト穴２
の穴開け作業を完了する。最後にソース電極用のアルミ
層をシリコンウエハ表面に形成する。
する。まず、シリコン基板１上に酸化膜４およびポリシ
リコン膜３を形成した後、ソース電極用のコンタクト穴
２を開けるための写真製版工程を実施する。そして写真
製版工程完了後、当該工程において使用したフォトレジ
ストがポリシリコン膜３上に残留しないようにするため
、処理液に浸しシリコンウエハ全表面をクリーンな状態
にする。ここまでは従来の製造工程と同一である。しか
しながら、上記処理液によるフォトレジスト残留防止処
理を行った際には、シリコンウエハ表面に、フォトレジ
スト以外の処理液中に存在する異物が多数付着し、また
遠心脱水装置による処理液洗浄水がコンタクト穴２の段
差部に残りやすい状態になっている。そこで本実施例に
おいて、処理液によるフォトレジスト残留防止後に熱処
理工程を追加する。ここでの熱処理としては、酸素ガス
のみを使用し、７００℃〜９００℃の温度で２０分〜３
０分の処理を行うことで、シリコンウエハの電気特性に
強い影響を与えることなく、かつ異物および水分を除去
することができる。更に、その後ケミカルベーパデポジ
ション膜５を均一に形成することができ、エッチング不
良を防止することになる。そして、コンタクト穴２用の
写真製版工程を実施し、ソース電極用のコンタクト穴２
の穴開け作業を完了する。最後にソース電極用のアルミ
層をシリコンウエハ表面に形成する。
【００１０】
［実施例２］上記実施例では、熱処理時に酸素ガスのみ
を使用したが、本実施例においては、酸素ガスおよび水
素ガスを用いて処理時間を短くすることにより同様の効
果を達成できる。 ［実施例３］この実施例では、特に膜質の均一性を要求
される場合、製造方法計画段階において前工程に熱処理
工程を組合せることにより膜質の均一化が期待できる。
を使用したが、本実施例においては、酸素ガスおよび水
素ガスを用いて処理時間を短くすることにより同様の効
果を達成できる。 ［実施例３］この実施例では、特に膜質の均一性を要求
される場合、製造方法計画段階において前工程に熱処理
工程を組合せることにより膜質の均一化が期待できる。
【００１１】
【発明の効果】以上のように、この発明によればケミカ
ルベーパデポジション膜形成前に熱処理を行うことによ
って、シリコンウエハ表面より異物および水分を除去す
ることができ、かつケミカルベーパデポジション膜質均
一化の効果が得られ、エッチング不良を防止することが
できる。
ルベーパデポジション膜形成前に熱処理を行うことによ
って、シリコンウエハ表面より異物および水分を除去す
ることができ、かつケミカルベーパデポジション膜質均
一化の効果が得られ、エッチング不良を防止することが
できる。
【図１】この発明の一実施例に係る半導体装置の製造方
法を説明するための断面図である。
法を説明するための断面図である。
【図２】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
断面図である。
断面図である。
１ シリコン基板
２ コンタクト穴
３ ポリシリコン膜
４ 酸化膜
５ ケミカルベーパデポジション膜６ ア
ルミ層 ７ 熱酸化膜
ルミ層 ７ 熱酸化膜
Claims (1)
- 【請求項１】 シリコン基板上にケミカルベーパデポ
ジション膜を形成する工程において、シリコン基板の表
面上を熱処理によりクリーンな状態にすることを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8144191A JPH04291923A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8144191A JPH04291923A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04291923A true JPH04291923A (ja) | 1992-10-16 |
Family
ID=13746484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8144191A Pending JPH04291923A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04291923A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02140927A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-30 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-03-20 JP JP8144191A patent/JPH04291923A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02140927A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-30 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
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