JPS60117717A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS60117717A JPS60117717A JP22582083A JP22582083A JPS60117717A JP S60117717 A JPS60117717 A JP S60117717A JP 22582083 A JP22582083 A JP 22582083A JP 22582083 A JP22582083 A JP 22582083A JP S60117717 A JPS60117717 A JP S60117717A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明は半導体装置の製造方法に関し、特に不純物を被
拡散部に液体状で塗布し、この塗布形成膜から不純物を
拡散するいわゆるスピンオン拡散法に関するものである
。
拡散部に液体状で塗布し、この塗布形成膜から不純物を
拡散するいわゆるスピンオン拡散法に関するものである
。
半導体ウェハーに、アンチモン（ｓｂ）拡散層を−形成
する方法として、三塩化アンチモン、二酸化シリコンお
よびエタノールを主成分とするスピンオンソース塗布液
をスピンオン塗布して、Ｓｂを熱拡散する方法がある。
する方法として、三塩化アンチモン、二酸化シリコンお
よびエタノールを主成分とするスピンオンソース塗布液
をスピンオン塗布して、Ｓｂを熱拡散する方法がある。
このようなＳｂスピンオン拡散においては、熱拡散後の
拡散層抵抗は、半導体ウェハーの被拡散部分表面に有在
する薄い酸化膜の厚さはもとよシのこと、その表面状態
にも大きく影響される。例えは、半導体ウェハーの前処
理洗浄として一般的に用いられて込るアンモニアと過酸
化水素系の洗浄処理を、このスピンオンソースの塗布前
処理として行なった場合、半導体ウェハーの被拡散部分
のシリコン表面には、アンモニアイオン（Ｎｌ１４）が
付着しており、このアンモニアイオンは、スピンオン塗
布液と反応してバリア層を形成し、この結果、拡散層抵
抗金高くするという問題があった。
拡散層抵抗は、半導体ウェハーの被拡散部分表面に有在
する薄い酸化膜の厚さはもとよシのこと、その表面状態
にも大きく影響される。例えは、半導体ウェハーの前処
理洗浄として一般的に用いられて込るアンモニアと過酸
化水素系の洗浄処理を、このスピンオンソースの塗布前
処理として行なった場合、半導体ウェハーの被拡散部分
のシリコン表面には、アンモニアイオン（Ｎｌ１４）が
付着しており、このアンモニアイオンは、スピンオン塗
布液と反応してバリア層を形成し、この結果、拡散層抵
抗金高くするという問題があった。
この問題を解決するための従来の手法としては、スピン
オンソース塗布の前洗浄処理として■硝酸＠酸洗浄また
は硫酸過酸化水素等の酸系洗浄を採用する、おるいは■
アンモニア過酸化水素洗浄後に希釈弗酸処理を行なうが
採用されてきた。これらの従来手法の問題点としては、
■については、腐食性の酸性の洗浄液を１００〜１５０
’０前後の高温−で使用するため、安全性と装置保守の
面で難点があシ、■については、弗酸処理時に表面が活
性化して、弗酸液中の汚れ、ゴミを半導体ウェハーに吸
着するという問題があった。スピンオンソース塗布前の
半導体ウェハー表面の清浄度は特に重要であシ、半導体
ウェハー表面全汚染させやすい。
オンソース塗布の前洗浄処理として■硝酸＠酸洗浄また
は硫酸過酸化水素等の酸系洗浄を採用する、おるいは■
アンモニア過酸化水素洗浄後に希釈弗酸処理を行なうが
採用されてきた。これらの従来手法の問題点としては、
■については、腐食性の酸性の洗浄液を１００〜１５０
’０前後の高温−で使用するため、安全性と装置保守の
面で難点があシ、■については、弗酸処理時に表面が活
性化して、弗酸液中の汚れ、ゴミを半導体ウェハーに吸
着するという問題があった。スピンオンソース塗布前の
半導体ウェハー表面の清浄度は特に重要であシ、半導体
ウェハー表面全汚染させやすい。
前記手法■は手法■に比べて、ロセット欠陥など、外観
上、品質上の問題を生じやすい。
上、品質上の問題を生じやすい。
本発明は生産装置としてよ）管理の谷易な前記手法■に
着目し、従って、不発明の目的は、アンモニア過酸水素
洗浄後に半導体表面に付着するアンモニアイオンを、半
導体表面を汚染することなく除去することにある。
着目し、従って、不発明の目的は、アンモニア過酸水素
洗浄後に半導体表面に付着するアンモニアイオンを、半
導体表面を汚染することなく除去することにある。
本発明は、スピンオンソース塗布前洗浄としてのアンモ
ニア過酸化水素洗浄を行なった後、半導体ウェハーを飽
和弗酸蒸気中に晒すことによシ。
ニア過酸化水素洗浄を行なった後、半導体ウェハーを飽
和弗酸蒸気中に晒すことによシ。
表面に付着したアンモニア、イオンを中和し、シ、かる
後、水洗処理することによシこれを洗い流すことを特６
１（と−Ｊる。
後、水洗処理することによシこれを洗い流すことを特６
１（と−Ｊる。
本発明によＪしは、弗酸液中に、半導体ウェハーを浸す
ことなく、アンモニア過酸化水素洗浄後の付層アンモニ
アイオンを除去することができるので、従来手法で問題
のあった弗酸液中リゴミによる半導体ウェハーの汚染が
回避でき、スピンオン拡散特有のロセット欠陥等の外観
上の問題が大巾に軽減できる。
ことなく、アンモニア過酸化水素洗浄後の付層アンモニ
アイオンを除去することができるので、従来手法で問題
のあった弗酸液中リゴミによる半導体ウェハーの汚染が
回避でき、スピンオン拡散特有のロセット欠陥等の外観
上の問題が大巾に軽減できる。
以下、不発ＩＪＩＪ （１）実施例につき、図面を参照
して絹、明する。
して絹、明する。
第１〜第３図は、不発明の一実施例を示す断面工程図で
ある。
ある。
まず、第１図にボす如く、半導体ウェハー１の表面に絶
縁膜である酸化膜２を形成し、フォトエツチング技術に
よって被拡散部３の酸化ｊ莫２を選択的に除去する。
縁膜である酸化膜２を形成し、フォトエツチング技術に
よって被拡散部３の酸化ｊ莫２を選択的に除去する。
次いで、該半導体ウェハーをアンモニア過酸化水素系の
洗浄液によシ洗浄前処理ケ行なう。これによって、第２
図に示す如く、ウェハー表面にアンモニアイオンの伺着
層４が形成される。
洗浄液によシ洗浄前処理ケ行なう。これによって、第２
図に示す如く、ウェハー表面にアンモニアイオンの伺着
層４が形成される。
次いで、例えば密閉可能な容器の底部に弗酸液を入れ、
その容器内に弗酸蒸気を飽オロさせて、該半纏体ウェノ
・−を適当なキャリア等に並べ、この密閉容器中に２０
分前後の量大れる。これによって、第２図の示す如く、
弗酸の蒸気５がアンモニアイオンの付着層５ｆ：中和す
る。その後、該半導体ウェノ・−を水洗処理すれば、第
３図に示Ｊ−如く、アンモニアイオンの付着層は除去さ
れる。しかる後は、通常の手法により、スピンメン拡販
ソースの塗布拡散全行なう。
その容器内に弗酸蒸気を飽オロさせて、該半纏体ウェノ
・−を適当なキャリア等に並べ、この密閉容器中に２０
分前後の量大れる。これによって、第２図の示す如く、
弗酸の蒸気５がアンモニアイオンの付着層５ｆ：中和す
る。その後、該半導体ウェノ・−を水洗処理すれば、第
３図に示Ｊ−如く、アンモニアイオンの付着層は除去さ
れる。しかる後は、通常の手法により、スピンメン拡販
ソースの塗布拡散全行なう。
以上説明したように、不発明に係るスピンオンソース塗
布前のウェ／％−ス処理方法によれは、スピンオンソー
ス塗布前処理洗浄として、比較的装置管理の答易なアン
モニア過酸化水素系の洗ｌｐ法方法を使用する場合に、
拡散のノ＜リアの原因となる付着アンモニアイオン層を
、半導体ウエノ為−スを汚染することなく除去すること
ができ、スピンオン拡散特有の外観上の問題、例えば、
ロセ、、ト欠陥など、を大巾に軽減でき有効である。
布前のウェ／％−ス処理方法によれは、スピンオンソー
ス塗布前処理洗浄として、比較的装置管理の答易なアン
モニア過酸化水素系の洗ｌｐ法方法を使用する場合に、
拡散のノ＜リアの原因となる付着アンモニアイオン層を
、半導体ウエノ為−スを汚染することなく除去すること
ができ、スピンオン拡散特有の外観上の問題、例えば、
ロセ、、ト欠陥など、を大巾に軽減でき有効である。
第１乃至第３図は本発明の一実施例を工程順に示した断
面図である。 １・・・・半ｉ、＋ｆ、体基板、２・・・・・岐化腺、
３ ・・破波１１（部、４・・・・・・アンモニアイオ
ン付層層、５・・・・・弗酸蒸気。
面図である。 １・・・・半ｉ、＋ｆ、体基板、２・・・・・岐化腺、
３ ・・破波１１（部、４・・・・・・アンモニアイオ
ン付層層、５・・・・・弗酸蒸気。
Claims (1)
- 不純物拡散源を塗布し、熱処理を加えることによって不
純物拡散層を半導体基体内に形成する工程を有する半導
体装置の製造方法において、不純物拡散源の塗布前処理
として、半導体基体を弗化水素酸蒸気中に晒し、しかる
後水洗することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22582083A JPS60117717A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22582083A JPS60117717A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60117717A true JPS60117717A (ja) | 1985-06-25 |
Family
ID=16835309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22582083A Pending JPS60117717A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60117717A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0496329A (ja) * | 1990-08-14 | 1992-03-27 | Kawasaki Steel Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP22582083A patent/JPS60117717A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0496329A (ja) * | 1990-08-14 | 1992-03-27 | Kawasaki Steel Corp | 半導体装置の製造方法 |
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