JPH04291809A - 発振制御回路 - Google Patents
発振制御回路Info
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- JPH04291809A JPH04291809A JP3056738A JP5673891A JPH04291809A JP H04291809 A JPH04291809 A JP H04291809A JP 3056738 A JP3056738 A JP 3056738A JP 5673891 A JP5673891 A JP 5673891A JP H04291809 A JPH04291809 A JP H04291809A
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/027—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
- H03K3/03—Astable circuits
- H03K3/0307—Stabilisation of output, e.g. using crystal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/01—Details
- H03K3/014—Modifications of generator to ensure starting of oscillations
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
回路の発振出力を後段回路に伝える場合、発振回路を構
成する発振用CMOSインバ―タの出力に出力用CMO
Sインバータを接続し、この出力用CMOSインバータ
の出力に後段回路を接続している。この種の回路におい
て、従来は、両CMOSインバ―タの反転電位は同一で
あった。
発振開始時における微少振幅の発振出力が出力用CMO
Sインバータで反転され、その反転出力により後段回路
が動作状態になる。そのため、後段回路で生じるノイズ
の影響で発振動作が不安定となり、微少振幅の発振動作
から通常振幅の発振動作への移行が妨げられるという問
題点があった。
には後段回路が動作せず、振幅が一定以上の大きさにな
ってから後段回路が動作を開始する発振制御回路を提供
することである。
回路は、第1CMOSインバータとこの第1CMOSイ
ンバータに並列に接続された水晶振動子とを有する発振
回路と、上記第1CMOSインバータの第1反転電位よ
りも低い第2反転電位を有し、上記第1CMOSインバ
ータからの発振信号を入力とする第2CMOSインバー
タと、上記第1反転電位よりも高い第3反転電位を有し
、上記発振信号を入力とする第3CMOSインバータと
、上記第2CMOSインバータおよび上記第3CMOS
インバータの出力を入力とし、上記発振信号の発振電位
が上記第2反転電位と上記第3反転電位との間にあると
きには出力がハイインピーダンス状態となり、上記発振
電位が上記第2反転電位よりも低いときと上記発振電位
が上記第3反転電位よりも高いときとでは互いに異なっ
た論理値を出力する論理出力回路とからなる。また、上
記発振電位が上記第2反転電位と上記第3反転電位との
間にあるときに上記論理出力回路の出力を短絡する出力
制御回路を設けてもよい。
例を示した電気回路図である。
インバータ)は、図2(A)に示すような入出力特性(
伝達特性)を有しており、その反転電位(論理しきい電
圧)は2.5ボルトである。ここでいう反転電位とは、
入出力特性における立ち下がり開始入力電圧と立ち下が
り終了入力電圧との中点の入力電圧であり、通常は出力
電圧が電源電圧(5ボルト)の半分(2.5ボルト)の
ときの入力電圧である。なお、後述のCMOSインバー
タIV1およびIV2を除いて、その他のゲート回路等
についても、実質的にインバータとして機能する部分は
図2(A)に示すような入出力特性(伝達特性)を有し
、その反転電位(論理しきい電圧)は2.5ボルトとす
る。QZは水晶振動子、R1は帰還抵抗、C1およびC
2はキャパシタである。以上の回路要素により発振回路
が構成される。
インバータ)は、図2(B)に示すような入出力特性を
有しており、その反転電位は2.0ボルトである。CM
OSインバータIV2(第3CMOSインバータ)は、
図2(C)に示すような入出力特性を有しており、その
反転電位は3.0ボルトである。
T2はPチャンネルMOSトランジスタであり、これら
により論理出力回路LOPが構成される。この論理出力
回路LOPの出力には後段回路LAが接続されている。
、ND1はCMOSナンドゲートである。Nチャンネル
MOSトランジスタT3は、CMOSインバータIV4
の論理出力値が“1”のときに、MOSトランジスタT
1およびT2の出力を短絡するものである。これらのC
MOSインバータIV3、IV4、CMOSナンドゲー
トND1およびMOSトランジスタT3により、出力制
御回路OCRが構成される。
回路、MOSトランジスタ、後段回路LAは、同一のI
Cチップ内に収められている。
イムチャートを参照して説明する。
、図1の“a”、“b”および“c”点にそれぞれ対応
したものである。
CMOSインバータIV0からは微少振幅の発振信号が
生じる。この発振信号の振幅はしだいに増大するが、そ
の発振電位がCMOSインバータIV1の反転電位(2
.0ボルト)とCMOSインバータIV2の反転電位(
3.0ボルト)との間にあるときは、CMOSインバー
タIV1の論理出力値は“0”に、CMOSインバータ
IV2の論理出力値は“1”に保持される。したがって
、MOSトランジスタT1およびT2はオフ状態となり
、論理出力回路LOPの出力はハイインピ―ダンス状態
となる。一方、ナンドゲートND1の出力論理値は“0
”、CMOSインバータIV4の論理出力値は“1”で
あるため、MOSトランジスタT3はオン状態に保持さ
れる。したがって、論理出力回路LOPの出力はMOS
トランジスタT3を通して短絡されている。
タIV1の反転電位(2.0ボルト)またはCMOSイ
ンバータIV2の反転電位(3.0ボルト)を越えると
、MOSトランジスタT1またはT2はオン状態となる
。一方、ナンドゲートND1の出力論理値は“1”、C
MOSインバータIV4の論理出力値は“0”となるた
め、MOSトランジスタT3はオフ状態となる。したが
って、図3(C)に示すように、CMOSインバータI
V0から生じる発振信号にしたがって、論理出力回路L
OPからは論理値“0”と“1”とが交互に出力される
。この出力(クロック信号)により後段回路LAが動作
状態になる。後段回路LAが動作することによりノイズ
が発生するが、このときには発振信号の振幅が十分大き
くなっているので、発振動作が妨げられることはない。
3をNチャンネルのもので構成したが、CMOSインバ
ータIV4の論理出力値と反対の論理値を用いることに
より、Pチャンネルのもので構成してもよい。
信号の振幅が一定以上の大きさになってから後段回路が
動作を開始する。したがって、後段回路で生じるノイズ
の影響で発振動作が妨げられることがない。
ータの入出力特性(伝達特性)を示した特性図である。
ャートである。
Claims (2)
- 【請求項1】 第1CMOSインバータとこの第1C
MOSインバータに並列に接続された水晶振動子とを有
する発振回路と、上記第1CMOSインバータの第1反
転電位よりも低い第2反転電位を有し、上記第1CMO
Sインバータからの発振信号を入力とする第2CMOS
インバータと、上記第1反転電位よりも高い第3反転電
位を有し、上記発振信号を入力とする第3CMOSイン
バータと、上記第2CMOSインバータおよび上記第3
CMOSインバータの出力を入力とし、上記発振信号の
発振電位が上記第2反転電位と上記第3反転電位との間
にあるときには出力がハイインピーダンス状態となり、
上記発振電位が上記第2反転電位よりも低いときと上記
発振電位が上記第3反転電位よりも高いときとでは互い
に異なった論理値を出力する論理出力回路とからなる発
振制御回路。 - 【請求項2】 第1CMOSインバータとこの第1C
MOSインバータに並列に接続された水晶振動子とを有
する発振回路と、上記第1CMOSインバータの第1反
転電位よりも低い第2反転電位を有し、上記第1CMO
Sインバータからの発振信号を入力とする第2CMOS
インバータと、上記第1反転電位よりも高い第3反転電
位を有し、上記発振信号を入力とする第3CMOSイン
バータと、上記第2CMOSインバータおよび上記第3
CMOSインバータの出力を入力とし、上記発振信号の
発振電位が上記第2反転電位と上記第3反転電位との間
にあるときには出力がハイインピーダンス状態となり、
上記発振電位が上記第2反転電位よりも低いときと上記
発振電位が上記第3反転電位よりも高いときとでは互い
に異なった論理値を出力する論理出力回路と、上記発振
電位が上記第2反転電位と上記第3反転電位との間にあ
るときに上記論理出力回路の出力を短絡する出力制御回
路とからなる発振制御回路。
Priority Applications (2)
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---|---|---|---|
JP3056738A JP2551871B2 (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 発振制御回路 |
US07/843,795 US5187453A (en) | 1991-03-20 | 1992-02-26 | Oscillation control circuit |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04291809A true JPH04291809A (ja) | 1992-10-15 |
JP2551871B2 JP2551871B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=13035868
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3056738A Expired - Lifetime JP2551871B2 (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 発振制御回路 |
Country Status (2)
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JP (1) | JP2551871B2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
JPH02228106A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-11 | Nec Corp | 発振器内蔵半導体集積回路 |
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- 1991-03-20 JP JP3056738A patent/JP2551871B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-02-26 US US07/843,795 patent/US5187453A/en not_active Expired - Fee Related
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