JPH04288900A - 回路試験装置 - Google Patents
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- JPH04288900A JPH04288900A JP3309804A JP30980491A JPH04288900A JP H04288900 A JPH04288900 A JP H04288900A JP 3309804 A JP3309804 A JP 3309804A JP 30980491 A JP30980491 A JP 30980491A JP H04288900 A JPH04288900 A JP H04288900A
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- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 13
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は回路試験の分野に関し、
より詳細には、部品の存在、はんだ接合箇所の存在ある
いはボンドワイヤの存在や状態を確認するための、製造
されたプリント回路アセンブリーの品質管理試験に関す
る。
より詳細には、部品の存在、はんだ接合箇所の存在ある
いはボンドワイヤの存在や状態を確認するための、製造
されたプリント回路アセンブリーの品質管理試験に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】プリント回路基板の使用と複雑さが増す
につれて、製造後に適正な動作を確実にするためにこの
ようなパッケージを試験する必要性もまた増してきた。 基本的にこの形態の品質管理のために２種類のプリント
回路基板試験技術が開発された。すなわち、機能試験技
術といわゆるインサーキット試験技術である。
につれて、製造後に適正な動作を確実にするためにこの
ようなパッケージを試験する必要性もまた増してきた。 基本的にこの形態の品質管理のために２種類のプリント
回路基板試験技術が開発された。すなわち、機能試験技
術といわゆるインサーキット試験技術である。
【０００３】機能試験技術においては周知のデジタルパ
ターンが回路入力に印加され、回路出力と期待される出
力との比較が行われる。実際の出力と予想される出力の
差は回路動作の表示を提供する。残念ながらこの技術は
回路の動作全体を知りたいときにのみ有用である。全体
的な回路の動作とは別にプリント回路基板に組み付けら
れた個々の回路素子あるいは素子群を試験することが必
要である場合が非常に多い。
ターンが回路入力に印加され、回路出力と期待される出
力との比較が行われる。実際の出力と予想される出力の
差は回路動作の表示を提供する。残念ながらこの技術は
回路の動作全体を知りたいときにのみ有用である。全体
的な回路の動作とは別にプリント回路基板に組み付けら
れた個々の回路素子あるいは素子群を試験することが必
要である場合が非常に多い。
【０００４】インサーキット試験技術においては、試験
は回路の他の部分から絶縁された回路素子について行わ
れる。インサーキット試験技術は一般にあらかじめ選択
されたデジタルパターンの個々の回路素子への印加、い
わゆる被試験装置（ＤＵＴ）、およびＤＵＴのレスポン
スと期待されるレスポンスとの比較からなる。試験され
る回路素子は通常プリント回路基板上の他の回路素子に
接続されているため、“上流の”回路素子あるいは論理
装置から加えられるデジタルパターンあるいは信号を過
励振する必要がある場合がある。上流の論理装置は出力
が通常ＤＵＴの入力を励振する装置である。過励振信号
は回路中の選択された場所に重畳される信号である。
は回路の他の部分から絶縁された回路素子について行わ
れる。インサーキット試験技術は一般にあらかじめ選択
されたデジタルパターンの個々の回路素子への印加、い
わゆる被試験装置（ＤＵＴ）、およびＤＵＴのレスポン
スと期待されるレスポンスとの比較からなる。試験され
る回路素子は通常プリント回路基板上の他の回路素子に
接続されているため、“上流の”回路素子あるいは論理
装置から加えられるデジタルパターンあるいは信号を過
励振する必要がある場合がある。上流の論理装置は出力
が通常ＤＵＴの入力を励振する装置である。過励振信号
は回路中の選択された場所に重畳される信号である。
【０００５】単一のプリント回路基板に取り付けられた
いくつかの個別の回路素子に多重の同時インサーキット
試験を行うために、米国特許４，５８８，９４５号に開
示するもののような試験装置が開発された。このような
装置においてはあらかじめ取り付けられた回路素子を有
するプリント回路基板がいわゆる触針台に取り付けられ
る。それぞれの触針はＤＵＴのリード線にあらかじめ選
択された信号を提供する、あるいはＤＵＴのリード線か
ら出力信号を受け取る個々のプローブとして働く。前記
の特許に説明するように、コントローラモジュールがさ
まざまなドライバーモジュールを介して多数のＤＵＴリ
ード線に多数のあらかじめ発生した信号パターンを加え
る。ＤＵＴのレスポンスがセンサーモジュールを介して
受け取られ、期待されるレスポンスと比較される。米国
特許４，５８８，９４５号ではインサーキット試験中に
このようなＤＵＴや上流の装置へのダメージを防止する
方法と装置を開示している。
いくつかの個別の回路素子に多重の同時インサーキット
試験を行うために、米国特許４，５８８，９４５号に開
示するもののような試験装置が開発された。このような
装置においてはあらかじめ取り付けられた回路素子を有
するプリント回路基板がいわゆる触針台に取り付けられ
る。それぞれの触針はＤＵＴのリード線にあらかじめ選
択された信号を提供する、あるいはＤＵＴのリード線か
ら出力信号を受け取る個々のプローブとして働く。前記
の特許に説明するように、コントローラモジュールがさ
まざまなドライバーモジュールを介して多数のＤＵＴリ
ード線に多数のあらかじめ発生した信号パターンを加え
る。ＤＵＴのレスポンスがセンサーモジュールを介して
受け取られ、期待されるレスポンスと比較される。米国
特許４，５８８，９４５号ではインサーキット試験中に
このようなＤＵＴや上流の装置へのダメージを防止する
方法と装置を開示している。
【０００６】残念ながら、インサーキット試験技術は実
施するには非常に高価なものである。部品の存在といっ
た基本的な回路情報を判定するのにこのような高度な技
術は必要を認められない。プリント回路基板上の短絡や
断線、部品の欠如、場合によっては接続ピンの曲がり等
を判定するための、より簡単で安価な技術が提案されて
いる。米国特許４，７７９，０４１号でＷｉｌｌｉａｍ
ｓｏｎ，Ｊｒ．がこのようなシステムを開示している。 この特許では電流パルスが試験される半導体装置の１つ
の入力に与えられる。電流パルスの印加によって入力と
接地リード線の間に存在するダイオード接合の順方向バ
イアスが起こる。この装置の別のリード線に試験電流が
印加され、こん装置の固有抵抗に電圧降下が発生する。 試験電流の印加によって第１の電流パルスが与えられた
入力の電圧が低下する。この電圧の低下が検出されると
それは装置の存在を示すだけでなく、この装置の入出力
端子、さらに接地端子が適正に接続されていることをも
示す。
施するには非常に高価なものである。部品の存在といっ
た基本的な回路情報を判定するのにこのような高度な技
術は必要を認められない。プリント回路基板上の短絡や
断線、部品の欠如、場合によっては接続ピンの曲がり等
を判定するための、より簡単で安価な技術が提案されて
いる。米国特許４，７７９，０４１号でＷｉｌｌｉａｍ
ｓｏｎ，Ｊｒ．がこのようなシステムを開示している。 この特許では電流パルスが試験される半導体装置の１つ
の入力に与えられる。電流パルスの印加によって入力と
接地リード線の間に存在するダイオード接合の順方向バ
イアスが起こる。この装置の別のリード線に試験電流が
印加され、こん装置の固有抵抗に電圧降下が発生する。 試験電流の印加によって第１の電流パルスが与えられた
入力の電圧が低下する。この電圧の低下が検出されると
それは装置の存在を示すだけでなく、この装置の入出力
端子、さらに接地端子が適正に接続されていることをも
示す。
【０００７】このような純粋に電気的な技術を伴う問題
として、試験される装置を含む回路基板上の並列電気パ
スの電位の問題がある。このような並列パスは隣接する
パスに誘導電流を発生することがあり、この誘導電流は
信号干渉を起こして試験される状態についての誤った表
示を引き起こすことがある。このような並列パスの問題
を防止する、被試験装置に関する基本情報を判定する簡
単なシステムが必要とされている。
として、試験される装置を含む回路基板上の並列電気パ
スの電位の問題がある。このような並列パスは隣接する
パスに誘導電流を発生することがあり、この誘導電流は
信号干渉を起こして試験される状態についての誤った表
示を引き起こすことがある。このような並列パスの問題
を防止する、被試験装置に関する基本情報を判定する簡
単なシステムが必要とされている。
【０００８】
【発明の目的】本発明は、半導体装置などの被試験装置
を試験する場合において、基本的な情報を判定すること
のできる試験システムを提供することを目的とする。
を試験する場合において、基本的な情報を判定すること
のできる試験システムを提供することを目的とする。
【０００９】
【発明の概要】本発明の利点はダイオードが形成された
半導体装置を解析するための方法と装置において達成さ
れる。広義には本発明は半導体装置を電磁放射線で照射
し、一方で半導体装置に含まれるダイオードからの漏れ
電流出力をモニターするものである。半導体装置が存在
し、プリント回路基板に適正にはんだ付けされている場
合、この照射の過程において漏れ電流の増大が見られる
。漏れ電流の増大はまた試験されているピンと接地ピン
の両方に損傷のないボンドワイヤが存在することを表す
ものである。本発明は、その好適な形態においてはダイ
オードを逆方向にバイアスするための、ダイオードに電
気的に接続された電圧源、ダイオードからの漏れ電流を
モニターするために接続された電流モニター、および半
導体装置に入射する電磁放射線を提供するように配置さ
れた電磁放射線発生器を含む。電磁放射線はＸ線等の電
離放射線であることが好適である。しかし、けい光源、
白熱光源、レーザー源、あるいは放射性線源といった他
の形態の電磁放射線を用いることもできる。別の実施例
では半導体装置はまず電磁放射線にさらされ、その後ダ
イオードが逆方向にバイアスされる。
半導体装置を解析するための方法と装置において達成さ
れる。広義には本発明は半導体装置を電磁放射線で照射
し、一方で半導体装置に含まれるダイオードからの漏れ
電流出力をモニターするものである。半導体装置が存在
し、プリント回路基板に適正にはんだ付けされている場
合、この照射の過程において漏れ電流の増大が見られる
。漏れ電流の増大はまた試験されているピンと接地ピン
の両方に損傷のないボンドワイヤが存在することを表す
ものである。本発明は、その好適な形態においてはダイ
オードを逆方向にバイアスするための、ダイオードに電
気的に接続された電圧源、ダイオードからの漏れ電流を
モニターするために接続された電流モニター、および半
導体装置に入射する電磁放射線を提供するように配置さ
れた電磁放射線発生器を含む。電磁放射線はＸ線等の電
離放射線であることが好適である。しかし、けい光源、
白熱光源、レーザー源、あるいは放射性線源といった他
の形態の電磁放射線を用いることもできる。別の実施例
では半導体装置はまず電磁放射線にさらされ、その後ダ
イオードが逆方向にバイアスされる。
【００１０】
【実施例】図１には、たとえば製造過程において半導体
装置を解析するための新規の装置を示し、その全体を１
０とする。半導体装置１２はプリント回路基板１４にあ
らかじめ取りつけられている。分析される装置はダイオ
ード１６を含む。ダイオード１６は通常、集積回路型装
置の基板と入力（保護ダイオード）あるいは出力（寄生
ダイオード）の間に形成される保護ダイオードである。
装置を解析するための新規の装置を示し、その全体を１
０とする。半導体装置１２はプリント回路基板１４にあ
らかじめ取りつけられている。分析される装置はダイオ
ード１６を含む。ダイオード１６は通常、集積回路型装
置の基板と入力（保護ダイオード）あるいは出力（寄生
ダイオード）の間に形成される保護ダイオードである。
【００１１】装置１２はテスター１８によって解析され
ている。テスター１８は機能テスターあるいはインサー
キットテスターの一部を形成することができ、あるいは
本発明にしたがって構成された独立したテスターとする
こともできる。テスター１８はスイッチ２２を介してダ
イオード１６に電気的に接続されたバッテリーあるいは
電圧源２０を含む。電流は電圧源２０とダイオード１６
の間の電気的接続において適当な方法あるいは装置でモ
ニターされる。この実施例では電流は電流検知抵抗器２
４を用いてモニターされる。抵抗器２４を流れる電流は
抵抗器２４の電圧を電圧計２５を用いて測定することに
よって検出される。測定された電圧はこの発明にしたが
って電流をモニターするコントローラ２６に与えられる
。コントローラ２６はスイッチ２２の動作を制御し、そ
れによってダイオード１６に印加される電圧を制御する
。この実施例では電圧がダイオード１６に印加されると
き、このダイオードは逆方向にバイアスされる。
ている。テスター１８は機能テスターあるいはインサー
キットテスターの一部を形成することができ、あるいは
本発明にしたがって構成された独立したテスターとする
こともできる。テスター１８はスイッチ２２を介してダ
イオード１６に電気的に接続されたバッテリーあるいは
電圧源２０を含む。電流は電圧源２０とダイオード１６
の間の電気的接続において適当な方法あるいは装置でモ
ニターされる。この実施例では電流は電流検知抵抗器２
４を用いてモニターされる。抵抗器２４を流れる電流は
抵抗器２４の電圧を電圧計２５を用いて測定することに
よって検出される。測定された電圧はこの発明にしたが
って電流をモニターするコントローラ２６に与えられる
。コントローラ２６はスイッチ２２の動作を制御し、そ
れによってダイオード１６に印加される電圧を制御する
。この実施例では電圧がダイオード１６に印加されると
き、このダイオードは逆方向にバイアスされる。
【００１２】コントローラ２６はまた電磁放射線発生器
３０を制御する。この実施例では発生器３０は試験され
る半導体装置１２に入射し、他の装置には入射しない電
磁放射線を提供するように配置されている。電磁放射線
源を平行調整することによって照射されるＤＵＴを分離
することができる。
３０を制御する。この実施例では発生器３０は試験され
る半導体装置１２に入射し、他の装置には入射しない電
磁放射線を提供するように配置されている。電磁放射線
源を平行調整することによって照射されるＤＵＴを分離
することができる。
【００１３】アナライザ１０はプリント回路基板にあら
かじめ取り付けられた半導体装置について、部品の存在
とリード線が適正に接続されているかどうかを検出する
のに用いられる。このような検出あるいは解析はダイオ
ード１６に逆バイアスを印加し、装置１２を電磁放射線
で照射しつつ漏れ電流をモニターすることによって達成
される。部品が存在する場合、あるいは電気的接続が適
正になされている場合電磁放射線の発生と同時に漏れ電
流が増大する。本発明の一実施例において、装置１２に
加えられた電磁放射線はＸ線等の電離放射線である。特
に好適な一実施例において、加えられたＸ線は１０から
２０キロ電子ボルトの範囲の強さを有するが、それより
高いエネルギーのＸ線を用いることもできる。本発明の
また別の実施例では、電磁放射線はけい光源や白熱光源
からのもののように可視の赤外線、あるいは紫外線光か
らなる。このような光源が用いられる場合には装置１２
は透明なケーシングを有していなければならず、半導体
装置において通常みられる不透明なケーシングを持つも
のであってはならないことに注意を要する。
かじめ取り付けられた半導体装置について、部品の存在
とリード線が適正に接続されているかどうかを検出する
のに用いられる。このような検出あるいは解析はダイオ
ード１６に逆バイアスを印加し、装置１２を電磁放射線
で照射しつつ漏れ電流をモニターすることによって達成
される。部品が存在する場合、あるいは電気的接続が適
正になされている場合電磁放射線の発生と同時に漏れ電
流が増大する。本発明の一実施例において、装置１２に
加えられた電磁放射線はＸ線等の電離放射線である。特
に好適な一実施例において、加えられたＸ線は１０から
２０キロ電子ボルトの範囲の強さを有するが、それより
高いエネルギーのＸ線を用いることもできる。本発明の
また別の実施例では、電磁放射線はけい光源や白熱光源
からのもののように可視の赤外線、あるいは紫外線光か
らなる。このような光源が用いられる場合には装置１２
は透明なケーシングを有していなければならず、半導体
装置において通常みられる不透明なケーシングを持つも
のであってはならないことに注意を要する。
【００１４】図１に示す装置の動作を考察する前に、こ
こで使用するものに適当な波長のＸ線および必要な光源
の強さについて述べておくことが有益であるかも知れな
い。まず使用すべき適当な波長のＸ線について考える。 次に掲げる表１、表２および表３は吸収される光子の部
分に関する波長とエネルギー、入射する光子あたりの吸
収されるエネルギー、および１ÅのＸ線の場合と比較し
た吸収エネルギーを示すものである。これらの表は、半
導体装置に用いられるシリコンウェハの厚さは通常２５
０μｍであり、この集積回路パッケージの上半分の厚さ
は０．０５インチ（１，２７０μｍ）であるという仮定
に基づいて作成された。パッケージ材料の組成とＸ線吸
収特性には非常にばらつきが多い。しかし、このような
吸収特性は炭素とアルミニウムの値の間にあることが多
い。すなわちパッケージのケーシングによる吸収は炭素
より多く、アルミニウムより少ない。ここでエネルギー
の妥当な部分がパッケージのケーシングを通過し、シリ
コンダイ中で吸収されるようなエネルギーの選定が目的
であることに注意することが重要である。表１、表２お
よび表３から、１０から２０ｋｅＶのＸ線はともにシリ
コンによって強く吸収され、炭素をかなりよく通過する
ことがわかるであろう。２０ｋｅＶではＸ線の約４０％
が１，２７０μｍのアルミニウムを通過する。。Ｘ線の
エネルギーが高いほどよくアルミニウムを通過するが、
このようなＸ線はシリコンダイにはごくわずかしか吸収
されない。表１、表２および表３に示した値は次の吸収
式から導かれた。Ｘ線ビームの減衰は次のように与えら
れる。
こで使用するものに適当な波長のＸ線および必要な光源
の強さについて述べておくことが有益であるかも知れな
い。まず使用すべき適当な波長のＸ線について考える。 次に掲げる表１、表２および表３は吸収される光子の部
分に関する波長とエネルギー、入射する光子あたりの吸
収されるエネルギー、および１ÅのＸ線の場合と比較し
た吸収エネルギーを示すものである。これらの表は、半
導体装置に用いられるシリコンウェハの厚さは通常２５
０μｍであり、この集積回路パッケージの上半分の厚さ
は０．０５インチ（１，２７０μｍ）であるという仮定
に基づいて作成された。パッケージ材料の組成とＸ線吸
収特性には非常にばらつきが多い。しかし、このような
吸収特性は炭素とアルミニウムの値の間にあることが多
い。すなわちパッケージのケーシングによる吸収は炭素
より多く、アルミニウムより少ない。ここでエネルギー
の妥当な部分がパッケージのケーシングを通過し、シリ
コンダイ中で吸収されるようなエネルギーの選定が目的
であることに注意することが重要である。表１、表２お
よび表３から、１０から２０ｋｅＶのＸ線はともにシリ
コンによって強く吸収され、炭素をかなりよく通過する
ことがわかるであろう。２０ｋｅＶではＸ線の約４０％
が１，２７０μｍのアルミニウムを通過する。。Ｘ線の
エネルギーが高いほどよくアルミニウムを通過するが、
このようなＸ線はシリコンダイにはごくわずかしか吸収
されない。表１、表２および表３に示した値は次の吸収
式から導かれた。Ｘ線ビームの減衰は次のように与えら
れる。
【００１５】
【数１】
【００１６】ここでＣＯ ＝２．２５ｍ−１であり、Ｂ
Ｏ は最も明るい素子と１Å以下の波長を除いては無視
することができる。σＡ とσＬ はそれぞれ“原子吸
収係数”および“吸収係数と呼ばれる。
Ｏ は最も明るい素子と１Å以下の波長を除いては無視
することができる。σＡ とσＬ はそれぞれ“原子吸
収係数”および“吸収係数と呼ばれる。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【表２】
【００１９】
【表３】
【００２０】次に、すべての少数キャリアが捕獲に利用
可能である、すなわち再結合が起こらないものと仮定し
て、逆バイアスダイオード、すなわちダイオード１６中
に５００ｎＡの漏れ電流を発生するのに要するＸ線束に
ついて考察する。シリコンダイの寸法が１，２７０μｍ
（長さ）×１，２７０μｍ（幅）×２５０μｍ（厚さ）
であり、さらにこのようなシリコンダイがそのＸ線吸収
が厚さ１，２７０μｍのグラファイト層のＸ線吸収に等
しいケーシングによって覆われていると仮定する。表１
と表２から、上記の仮定に基づいて１０ｋｅＶのＸ線に
ついては約０．４３３のＸ線ビームエネルギーが半導体
のダイの上に蓄積されることがわかる。５００ｎＡの電
流は１秒あたり約３．１２×１０１２の少数キャリアに
相当する。量子効率が１である場合、シリコンダイによ
って吸収された１０ｋｅＶのそれぞれの光子は１０ｋｅ
Ｖ／３．８４ｅＶあるいは２．６３×１０３ の正孔対
を発生する。その結果、パッケージの表面には毎秒２．
７４×１０９ の入射光子が必要となる。このレベルの
入射光子はパッケージ表面上の１．７０×１０１５／平
方メートルの光子束に対応する。１０ｋｅＶにおいて１
平方メートルあたり１０１２の光子は約８０ｍＲの線量
に対応する。したがって、１０ｋｅＶで１３６Ｒ／ｓ以
上を供給することのできるＸ線源は本発明の目的に対し
て十分である。この大きさの線量率は通常の広帯域の産
業用Ｘ線源のアノードの近くで容易に得ることができる
。次に説明する測定においてはカリフォルニア州パロア
ルトのＨｅｗｌｅｔｔ Ｐａｃｋａｒｄの製造販売す
るＦＡＸＩＴＲＯＮ ８０５Ｘ線源が用いられた。
可能である、すなわち再結合が起こらないものと仮定し
て、逆バイアスダイオード、すなわちダイオード１６中
に５００ｎＡの漏れ電流を発生するのに要するＸ線束に
ついて考察する。シリコンダイの寸法が１，２７０μｍ
（長さ）×１，２７０μｍ（幅）×２５０μｍ（厚さ）
であり、さらにこのようなシリコンダイがそのＸ線吸収
が厚さ１，２７０μｍのグラファイト層のＸ線吸収に等
しいケーシングによって覆われていると仮定する。表１
と表２から、上記の仮定に基づいて１０ｋｅＶのＸ線に
ついては約０．４３３のＸ線ビームエネルギーが半導体
のダイの上に蓄積されることがわかる。５００ｎＡの電
流は１秒あたり約３．１２×１０１２の少数キャリアに
相当する。量子効率が１である場合、シリコンダイによ
って吸収された１０ｋｅＶのそれぞれの光子は１０ｋｅ
Ｖ／３．８４ｅＶあるいは２．６３×１０３ の正孔対
を発生する。その結果、パッケージの表面には毎秒２．
７４×１０９ の入射光子が必要となる。このレベルの
入射光子はパッケージ表面上の１．７０×１０１５／平
方メートルの光子束に対応する。１０ｋｅＶにおいて１
平方メートルあたり１０１２の光子は約８０ｍＲの線量
に対応する。したがって、１０ｋｅＶで１３６Ｒ／ｓ以
上を供給することのできるＸ線源は本発明の目的に対し
て十分である。この大きさの線量率は通常の広帯域の産
業用Ｘ線源のアノードの近くで容易に得ることができる
。次に説明する測定においてはカリフォルニア州パロア
ルトのＨｅｗｌｅｔｔ Ｐａｃｋａｒｄの製造販売す
るＦＡＸＩＴＲＯＮ ８０５Ｘ線源が用いられた。
【００２１】発生器３０にＦＡＸＩＴＲＯＮ ８０５
を、電圧源２０に２ボルト電源を、また抵抗器２４に１
０メガオームの抵抗器を用いて、２つの７４Ｓ００に半
導体装置と１つの７４ＬＳ００半導体に関して抵抗器２
４の電圧が読み取られた。アノード電位が増大するにつ
れて以下のような抵抗器２４の電圧の変化が見られた。
を、電圧源２０に２ボルト電源を、また抵抗器２４に１
０メガオームの抵抗器を用いて、２つの７４Ｓ００に半
導体装置と１つの７４ＬＳ００半導体に関して抵抗器２
４の電圧が読み取られた。アノード電位が増大するにつ
れて以下のような抵抗器２４の電圧の変化が見られた。
【００２２】
【表４】
【００２３】電源２０はシールド被覆されたツイストペ
ヤ配線を用いてダイオード１６に電気的に接続されてい
ることが好適である。商用アプリケーションでは光源は
より明るく、また作用距離は長くすることが好適ではあ
る。さらにシールド被覆ツイストペア配線が好適ではあ
るが、シールド被覆とインピーダンス制御の両方を提供
する同軸ケーブルのような他の送電線を用いることもで
きる。
ヤ配線を用いてダイオード１６に電気的に接続されてい
ることが好適である。商用アプリケーションでは光源は
より明るく、また作用距離は長くすることが好適ではあ
る。さらにシールド被覆ツイストペア配線が好適ではあ
るが、シールド被覆とインピーダンス制御の両方を提供
する同軸ケーブルのような他の送電線を用いることもで
きる。
【００２４】さらにダイオードに電圧を印加する前に半
導体装置を電磁放射線でポンピングすることによってよ
り高い漏れ電流が達成されることがわかった。２ボルト
の直流電圧を印加する前に装置１２を電磁放射線、すな
わちＸ線に３０秒から６０秒さらすことによって抵抗器
２４の電圧がより高くなることがわかった。このような
、まず半導体装置を電磁放射線にさらし、その後ダイオ
ードを逆方向にバイアスする動作はコントローラ２６を
用いて行うことができる。コントローラ２６は始めに発
生器３０を起動し、その後スイッチ２２を起動して適当
な電圧をダイオード１６に印加する。
導体装置を電磁放射線でポンピングすることによってよ
り高い漏れ電流が達成されることがわかった。２ボルト
の直流電圧を印加する前に装置１２を電磁放射線、すな
わちＸ線に３０秒から６０秒さらすことによって抵抗器
２４の電圧がより高くなることがわかった。このような
、まず半導体装置を電磁放射線にさらし、その後ダイオ
ードを逆方向にバイアスする動作はコントローラ２６を
用いて行うことができる。コントローラ２６は始めに発
生器３０を起動し、その後スイッチ２２を起動して適当
な電圧をダイオード１６に印加する。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明を用いるこ
とにより、簡単な構成で半導体装置等の被試験装置に関
する基本的事項を試験することができる。
とにより、簡単な構成で半導体装置等の被試験装置に関
する基本的事項を試験することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す概略図である。
１４：プリント回路基板 １８：テスタ
ー２５：電圧計
ー２５：電圧計
Claims (2)
- 【請求項１】ダイオードを逆バイアスするための電圧源
と、前記ダイオードからの漏れ電流を検出する電流検出
器と、前記ダイオードを含む半導体装置に電磁放射線入
力を提供する電磁放射線発生器と、を備えて成る回路試
験装置。 - 【請求項２】ダイオードからの漏れ電流を検出する電流
検出器と、前記ダイオードを含む半導体装置に電磁放射
線入力を提供する電磁放射線発生器と、を備えて成る回
路試験装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/605,289 US5111137A (en) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | Method and apparatus for the detection of leakage current |
| US605289 | 2000-06-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04288900A true JPH04288900A (ja) | 1992-10-13 |
| JP3285913B2 JP3285913B2 (ja) | 2002-05-27 |
Family
ID=24423044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30980491A Expired - Fee Related JP3285913B2 (ja) | 1990-10-29 | 1991-10-29 | 回路試験装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5111137A (ja) |
| EP (1) | EP0483983B1 (ja) |
| JP (1) | JP3285913B2 (ja) |
| DE (1) | DE69125571T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11183548A (ja) * | 1997-12-17 | 1999-07-09 | Nec Eng Ltd | Ｉｃ接続試験方法 |
| WO2019244465A1 (ja) * | 2018-06-21 | 2019-12-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子の信頼性評価装置および半導体素子の信頼性評価方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5557209A (en) * | 1990-12-20 | 1996-09-17 | Hewlett-Packard Company | Identification of pin-open faults by capacitive coupling through the integrated circuit package |
| US5625292A (en) * | 1990-12-20 | 1997-04-29 | Hewlett-Packard Company | System for measuring the integrity of an electrical contact |
| US5469064A (en) * | 1992-01-14 | 1995-11-21 | Hewlett-Packard Company | Electrical assembly testing using robotic positioning of probes |
| JP3214766B2 (ja) * | 1992-08-06 | 2001-10-02 | アジレント・テクノロジーズ・インク | 接続検査のための装置 |
| US5420500A (en) * | 1992-11-25 | 1995-05-30 | Hewlett-Packard Company | Pacitive electrode system for detecting open solder joints in printed circuit assemblies |
| WO1994016337A1 (en) * | 1992-12-31 | 1994-07-21 | United Technologies Corporation | Non-contact current injection apparatus and method for use with linear bipolar circuits |
| US7474115B1 (en) * | 2004-12-28 | 2009-01-06 | Dupont Displays, Inc. | Organic electronic device display defect detection |
| CN101320076B (zh) * | 2008-07-23 | 2011-03-23 | 潘敏智 | 一种快恢复二极管的反向动态漏电流测试方法及测试电路 |
| US9778310B2 (en) | 2010-11-05 | 2017-10-03 | Kelsey-Hayes Company | Apparatus and method for detection of solenoid current |
| US10551423B1 (en) | 2015-01-13 | 2020-02-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | System and method for simultaneous testing of radiation, environmental and electrical reliability of multiple semiconductor electrical devices |
| FR3068781A1 (fr) | 2017-07-06 | 2019-01-11 | Ateq | Procede de detection de fuite d'une piece creuse et installation pour la mise en œuvre d'un tel procede |
| FR3073623B1 (fr) | 2017-11-16 | 2019-11-08 | Ateq | Installation et procede de detection et de localisation de fuite dans un circuit de transport d'un fluide, notamment d'un aeronef |
| WO2020047349A1 (en) | 2018-08-31 | 2020-03-05 | Ateq Corporation | Battery leak test device and methods |
| FR3092171B1 (fr) | 2019-01-29 | 2021-04-30 | Ateq | Système de détection de fuite par gaz traceur et utilisation correspondante. |
| FR3106661B1 (fr) | 2020-01-28 | 2022-01-21 | Ateq | Dispositif de détection de fuites |
| CN112924840B (zh) * | 2021-02-26 | 2023-09-12 | 航天科工防御技术研究试验中心 | 发光二极管失效定位方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4575676A (en) * | 1983-04-04 | 1986-03-11 | Advanced Research And Applications Corporation | Method and apparatus for radiation testing of electron devices |
| US4588945A (en) * | 1983-06-13 | 1986-05-13 | Hewlett-Packard Company | High throughput circuit tester and test technique avoiding overdriving damage |
| US4588950A (en) * | 1983-11-15 | 1986-05-13 | Data Probe Corporation | Test system for VLSI digital circuit and method of testing |
| US4588946A (en) * | 1983-12-30 | 1986-05-13 | At&T Bell Laboratories | Method for measuring current at a p-n junction |
| US4712063A (en) * | 1984-05-29 | 1987-12-08 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method and apparatus for measuring areas of photoelectric cells and photoelectric cell performance parameters |
| US4698587A (en) * | 1985-03-28 | 1987-10-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method of characterizing critical timing paths and analyzing timing related failure modes in very large scale integrated circuits |
| US4644264A (en) * | 1985-03-29 | 1987-02-17 | International Business Machines Corporation | Photon assisted tunneling testing of passivated integrated circuits |
| JPS61267336A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の検査方法および検査装置 |
| US4779041A (en) * | 1987-05-20 | 1988-10-18 | Hewlett-Packard Company | Integrated circuit transfer test device system |
| US4870352A (en) * | 1988-07-05 | 1989-09-26 | Fibertek, Inc. | Contactless current probe based on electron tunneling |
-
1990
- 1990-10-29 US US07/605,289 patent/US5111137A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-10-07 DE DE69125571T patent/DE69125571T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-10-07 EP EP91309151A patent/EP0483983B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-10-29 JP JP30980491A patent/JP3285913B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11183548A (ja) * | 1997-12-17 | 1999-07-09 | Nec Eng Ltd | Ｉｃ接続試験方法 |
| WO2019244465A1 (ja) * | 2018-06-21 | 2019-12-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子の信頼性評価装置および半導体素子の信頼性評価方法 |
| JPWO2019244465A1 (ja) * | 2018-06-21 | 2020-09-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子の信頼性評価装置および半導体素子の信頼性評価方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69125571D1 (de) | 1997-05-15 |
| US5111137A (en) | 1992-05-05 |
| JP3285913B2 (ja) | 2002-05-27 |
| EP0483983A3 (en) | 1992-09-23 |
| EP0483983B1 (en) | 1997-04-09 |
| EP0483983A2 (en) | 1992-05-06 |
| DE69125571T2 (de) | 1997-07-17 |
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