JPH04305954A - 製造プロセスを試験する装置と方法 - Google Patents
製造プロセスを試験する装置と方法Info
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- JPH04305954A JPH04305954A JP3120030A JP12003091A JPH04305954A JP H04305954 A JPH04305954 A JP H04305954A JP 3120030 A JP3120030 A JP 3120030A JP 12003091 A JP12003091 A JP 12003091A JP H04305954 A JPH04305954 A JP H04305954A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/305—Contactless testing using electron beams
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- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は全般的に半導体の処理
、更に具体的に云えば、半導体集積回路を試験する方法
と装置に関する。
、更に具体的に云えば、半導体集積回路を試験する方法
と装置に関する。
【0002】
【従来の技術及び課題】半導体を製造する時の重要な一
面は、設計仕様が満されていることを確かめる為、並び
にウェーハ処理の欠陥の源を隔離する為に、回路構造を
試験することである。一般的に、製造中に各々の層又は
製造工程を試験することは非実用的である。その為の時
間と費用の為、プロセス中の試験は限られたことしかで
きない。利用し得るプロセス中の試験方法は、限られた
情報しか得られず、これは時間的にも合わないし、不適
切でもある。特に、従来の方法は欠陥密度(即ちチップ
上にある不良装置の百分率)に関する情報が得られない
。完全な製造後に回路上で行なわれる回路試験構造は、
誤まりが発生したレベルを決定するのが困難である為に
、処理及び設計の誤まりに関する情報が更に限られてい
る。
面は、設計仕様が満されていることを確かめる為、並び
にウェーハ処理の欠陥の源を隔離する為に、回路構造を
試験することである。一般的に、製造中に各々の層又は
製造工程を試験することは非実用的である。その為の時
間と費用の為、プロセス中の試験は限られたことしかで
きない。利用し得るプロセス中の試験方法は、限られた
情報しか得られず、これは時間的にも合わないし、不適
切でもある。特に、従来の方法は欠陥密度(即ちチップ
上にある不良装置の百分率)に関する情報が得られない
。完全な製造後に回路上で行なわれる回路試験構造は、
誤まりが発生したレベルを決定するのが困難である為に
、処理及び設計の誤まりに関する情報が更に限られてい
る。
【0003】従来の1つの試験方法は、歯と一体のプロ
ーブ・バッドとが交互になったくし形試験構造を半導体
ウェーハの上にのせるものであった。試験構造は集積回
路を製造する間に組上げるか、或いは別個のパイロット
・ウェーハの上に組立て、その構造とそれに要求される
複雑さとを反映する様にする。一旦集積回路が完成する
と、機械的なプローブ試験装置を使って、試験構造にあ
るプローブ・パッドと接触し、電気的に読出す。この読
出しによっては、合格/不合格の表示程度のことしか得
られず、欠陥の場所の情報は得られない。更に、機械的
なプローブ試験装置を使うには、試験構造とプローブの
間の接触の為のプローブ・パッドを使うことを必要とす
る。プローブ・パッドは、プローブの寸法の為に、試験
構造自体よりも可成り余分のスペースを必要とする場合
が多い為、貴重なウェーハ表面の場所が本質的に浪費さ
れることになる。
ーブ・バッドとが交互になったくし形試験構造を半導体
ウェーハの上にのせるものであった。試験構造は集積回
路を製造する間に組上げるか、或いは別個のパイロット
・ウェーハの上に組立て、その構造とそれに要求される
複雑さとを反映する様にする。一旦集積回路が完成する
と、機械的なプローブ試験装置を使って、試験構造にあ
るプローブ・パッドと接触し、電気的に読出す。この読
出しによっては、合格/不合格の表示程度のことしか得
られず、欠陥の場所の情報は得られない。更に、機械的
なプローブ試験装置を使うには、試験構造とプローブの
間の接触の為のプローブ・パッドを使うことを必要とす
る。プローブ・パッドは、プローブの寸法の為に、試験
構造自体よりも可成り余分のスペースを必要とする場合
が多い為、貴重なウェーハ表面の場所が本質的に浪費さ
れることになる。
【0004】別の試験構造が、1989年3月22日に
マハント・シェッティー他の名前で出願された発明の名
称「走査形電子顕微鏡を基本としたパラメータ試験方法
及び装置」と云う係属中の米国特許出願通し番号第32
7,080号に記載されている。この試験構造では、走
査形電子顕微鏡が発生する電子ビームの照準を試験構造
に合わせる。この試験構造は、構造の格子の中に形成さ
れた複数個のアイランドを有する。アイランドから放出
された2次電子をモニタに表示する。この情報は、アイ
ランドから放出された2次電子の強度を比較することに
より、アイランドが格子から電気的に分離しているか或
いはそれに短絡しているかどうかを検出することができ
る。
マハント・シェッティー他の名前で出願された発明の名
称「走査形電子顕微鏡を基本としたパラメータ試験方法
及び装置」と云う係属中の米国特許出願通し番号第32
7,080号に記載されている。この試験構造では、走
査形電子顕微鏡が発生する電子ビームの照準を試験構造
に合わせる。この試験構造は、構造の格子の中に形成さ
れた複数個のアイランドを有する。アイランドから放出
された2次電子をモニタに表示する。この情報は、アイ
ランドから放出された2次電子の強度を比較することに
より、アイランドが格子から電気的に分離しているか或
いはそれに短絡しているかどうかを検出することができ
る。
【0005】この試験装置は非常に有効であるが、酸化
物層の様な材料の層がその上に形成されている様な構造
で得られる試験データが限られている。この為、業界に
は、製造の間、集積回路の設計の仕様を正確に試験する
ことのできる試験方法及び装置に対する要望がある。
物層の様な材料の層がその上に形成されている様な構造
で得られる試験データが限られている。この為、業界に
は、製造の間、集積回路の設計の仕様を正確に試験する
ことのできる試験方法及び装置に対する要望がある。
【0006】
【課題を解決する為の手段及び作用】この発明では、従
来の装置に伴う欠点並びに問題を実質的に解決した集積
回路の試験方法及び装置が提供される。この発明では、
製造されるウェーハの上に試験構造を形成する。試験構
造は、ウェーハの上に作られた第1及び第2の導電区域
を有する。第1の導電区域に電流を注入し、第1及び第
2の導電区域の間の電流を検出する回路を第2の導電区
域に結合する。
来の装置に伴う欠点並びに問題を実質的に解決した集積
回路の試験方法及び装置が提供される。この発明では、
製造されるウェーハの上に試験構造を形成する。試験構
造は、ウェーハの上に作られた第1及び第2の導電区域
を有する。第1の導電区域に電流を注入し、第1及び第
2の導電区域の間の電流を検出する回路を第2の導電区
域に結合する。
【0007】この発明は、製造中に装置を試験すること
ができると云う利点をもたらす。更に、十分なビーム・
エネルギを用いると、酸化物層の様な材料の層の下にあ
る構造も同じ様に試験することができる。
ができると云う利点をもたらす。更に、十分なビーム・
エネルギを用いると、酸化物層の様な材料の層の下にあ
る構造も同じ様に試験することができる。
【0008】この発明の一面では、ウェーハの表面に十
分近づけて電極を配置して、第1の導電区域に空中を介
して電流を発生することができる様にする。この発明の
こう云う一面により、真空を必要とせずに試験すること
ができる。
分近づけて電極を配置して、第1の導電区域に空中を介
して電流を発生することができる様にする。この発明の
こう云う一面により、真空を必要とせずに試験すること
ができる。
【0009】この発明並びにその利点について更に詳し
いことは、以下図面について説明するところから明らか
になろう。
いことは、以下図面について説明するところから明らか
になろう。
【0010】
【実施例】この発明の好ましい実施例は図面の図1乃至
図5を参照すれば最もよく理解されよう。種々の図面で
、同じ又は対応する部分には同じ参照数字を用いている
。
図5を参照すれば最もよく理解されよう。種々の図面で
、同じ又は対応する部分には同じ参照数字を用いている
。
【0011】図1a−1bは、1989年3月22日に
マハント・シェッティー他によって出願された発明の名
称「走査形電子顕微鏡を基本とするパラメータ試験方法
及び装置」と云う係属中の米国特許通し番号第327,
080号に記載されている試験装置を示す。装置10は
全体的に、清浄な環境内にある標準的な半導体集積回路
製造ラインに沿って配置される。
マハント・シェッティー他によって出願された発明の名
称「走査形電子顕微鏡を基本とするパラメータ試験方法
及び装置」と云う係属中の米国特許通し番号第327,
080号に記載されている試験装置を示す。装置10は
全体的に、清浄な環境内にある標準的な半導体集積回路
製造ラインに沿って配置される。
【0012】装置10が走査形電子顕微鏡(SEM)1
4を持ち、これがクランプ16及びコネクタ・ケーブル
18等の任意の適当な方法により、ウェーハ12に電気
的に接続される。SEM 14がウェーハ12に電子
ビーム20を放出する。ビーム20は矢印22,24で
示す様に移動することができ、ラスタ形式でウェーハ1
2を走査する。電子ビーム20の電子がウェーハ12の
表面を叩き、図1bに示す様な試験構造25を照射する
。 これは共通区域25a及びサンプル区域(又はアイラン
ド)25bを有する。ビーム20は入射したサンプル区
域から他の電子を放出させる。線26で示す様に、こう
して放出された電子又は「2次電子」が、ウェーハ12
からあらゆる方向に散る。線28で示す様に、或る2次
電子が電子増倍管30又はその他の周知の検出器によっ
て検出され、それがモニタ32又は像プロセッサ34の
様な他のデータ処理装置にケーブル36によって信号を
供給する。モニタ32が、ウェーハ12上に形成された
試験構造25に対応する像38を呈示する。
4を持ち、これがクランプ16及びコネクタ・ケーブル
18等の任意の適当な方法により、ウェーハ12に電気
的に接続される。SEM 14がウェーハ12に電子
ビーム20を放出する。ビーム20は矢印22,24で
示す様に移動することができ、ラスタ形式でウェーハ1
2を走査する。電子ビーム20の電子がウェーハ12の
表面を叩き、図1bに示す様な試験構造25を照射する
。 これは共通区域25a及びサンプル区域(又はアイラン
ド)25bを有する。ビーム20は入射したサンプル区
域から他の電子を放出させる。線26で示す様に、こう
して放出された電子又は「2次電子」が、ウェーハ12
からあらゆる方向に散る。線28で示す様に、或る2次
電子が電子増倍管30又はその他の周知の検出器によっ
て検出され、それがモニタ32又は像プロセッサ34の
様な他のデータ処理装置にケーブル36によって信号を
供給する。モニタ32が、ウェーハ12上に形成された
試験構造25に対応する像38を呈示する。
【0013】ウェーハ12上にある試験構造を走査する
のにSEM 14を使うことにより、評価し易い像3
8が得られる。オペレータは、或る製造レベルが完了す
るやいなや、ウェーハ12を走査することができる。装
置10は、清浄な環境内にある製造ラインの上に前もっ
て配置しておいて、回路が汚染される惧れを伴わずに、
直ちに正確な試験結果を発生することができる。図面に
示してないが、電子ビーム以外のビームを用いてもよい
。 例えば、イオン・ビーム、光子ビーム又はそれと電子ビ
ームとの組合せを使って、試験構造を照射しても、同じ
様にうまくいく。
のにSEM 14を使うことにより、評価し易い像3
8が得られる。オペレータは、或る製造レベルが完了す
るやいなや、ウェーハ12を走査することができる。装
置10は、清浄な環境内にある製造ラインの上に前もっ
て配置しておいて、回路が汚染される惧れを伴わずに、
直ちに正確な試験結果を発生することができる。図面に
示してないが、電子ビーム以外のビームを用いてもよい
。 例えば、イオン・ビーム、光子ビーム又はそれと電子ビ
ームとの組合せを使って、試験構造を照射しても、同じ
様にうまくいく。
【0014】図2及び3aはこの発明の第1の実施例を
示す。図1aについて説明した様に、SEM(又はイオ
ン・ビーム源或いは光子ビーム源の様な他の照射ビーム
源)を使って、共通区域39a及びサンプル区域39b
を持つ試験構造39(図3aに示す)を照射する。共通
区域39aと予定の電圧42の間に電流計40を電気的
に結合する。典型的には、電圧42はアースに定める。 然し、場合によっては、アースより高い又は低い電圧に
するのが望ましいことがある。
示す。図1aについて説明した様に、SEM(又はイオ
ン・ビーム源或いは光子ビーム源の様な他の照射ビーム
源)を使って、共通区域39a及びサンプル区域39b
を持つ試験構造39(図3aに示す)を照射する。共通
区域39aと予定の電圧42の間に電流計40を電気的
に結合する。典型的には、電圧42はアースに定める。 然し、場合によっては、アースより高い又は低い電圧に
するのが望ましいことがある。
【0015】電流計40の出力を監視回路44に接続す
る。監視回路44は、電流計40によって測定された電
流を、照射されているサンプル区域39bの場所と相関
させる様に作用し得る。
る。監視回路44は、電流計40によって測定された電
流を、照射されているサンプル区域39bの場所と相関
させる様に作用し得る。
【0016】動作について説明すると、SEM 24
が発生するビームが、1つのサンプル区域39bに対す
る電流を発生する。照射されるサンプル区域39bが共
通区域39aから隔離されていれば、電流計は共通区域
と電圧源42の間に何ら電流を検出しない。然し、照射
されているサンプル区域が共通区域39aに結合されて
いれば、電流計40によって電流が検出される。この結
果信号が監視回路に送られ、サンプル区域39bと共通
区域39aの間にインピーダンスの小さい接続部39a
の間のインピーダンスに直接的な関係を持つ。
が発生するビームが、1つのサンプル区域39bに対す
る電流を発生する。照射されるサンプル区域39bが共
通区域39aから隔離されていれば、電流計は共通区域
と電圧源42の間に何ら電流を検出しない。然し、照射
されているサンプル区域が共通区域39aに結合されて
いれば、電流計40によって電流が検出される。この結
果信号が監視回路に送られ、サンプル区域39bと共通
区域39aの間にインピーダンスの小さい接続部39a
の間のインピーダンスに直接的な関係を持つ。
【0017】この発明のこの実施例は、図1に示した回
路に比べて、幾つかの技術的な利点がある。第一に、S
EMは、試験構造39の上に形成された酸化物又は窒化
物の層の様な材料の層を透過する十分なエネルギを持つ
電子ビームを発生することができる。典型的には、20
keVを超えるエネルギを持つビームが必要である。こ
の様な材料の層は、図1に示す場合には、2次電子の検
出を妨げる。然し、この発明共通区域39aとサンプル
区域39bの間の電流通路を、2次電子の検出を必要と
せずに判定するので、この材料の層を介してウェーハを
試験することができる。
路に比べて、幾つかの技術的な利点がある。第一に、S
EMは、試験構造39の上に形成された酸化物又は窒化
物の層の様な材料の層を透過する十分なエネルギを持つ
電子ビームを発生することができる。典型的には、20
keVを超えるエネルギを持つビームが必要である。こ
の様な材料の層は、図1に示す場合には、2次電子の検
出を妨げる。然し、この発明共通区域39aとサンプル
区域39bの間の電流通路を、2次電子の検出を必要と
せずに判定するので、この材料の層を介してウェーハを
試験することができる。
【0018】同様に、ウェーハ12の表面の上に保護被
膜が形成される場合が多い。SEM30がサンプル区域
39bを照射することができる様にする為、保護被膜に
窓を形成する。図1の装置10では、窓の寸法が検出さ
れる2次電子の数に直接的に影響するから、窓はできる
だけ大きくすることになろう。然し、図2の装置では、
2次電子の検出が必要ではないから、窓は小さくするこ
とができる。
膜が形成される場合が多い。SEM30がサンプル区域
39bを照射することができる様にする為、保護被膜に
窓を形成する。図1の装置10では、窓の寸法が検出さ
れる2次電子の数に直接的に影響するから、窓はできる
だけ大きくすることになろう。然し、図2の装置では、
2次電子の検出が必要ではないから、窓は小さくするこ
とができる。
【0019】用途に応じて、図2の回路にこの他の変更
を加えることができる。例えば、特定のサンプル区域3
9bを試験しようとする場合、SEM 24は、小さ
なビーム寸法を保ちながら、特定のサンプル区域39b
だけに焦点を合わせる程正確でないのが典型的である。 この場合、電子ビームではなく、ウェーハ12を動かす
装置を設けることが望ましいことがある。レーザ干渉計
の様な現在利用し得る位置ぎめ技術を使うことにより、
ウェーハ12を正確に位置ぎめすることができる。
を加えることができる。例えば、特定のサンプル区域3
9bを試験しようとする場合、SEM 24は、小さ
なビーム寸法を保ちながら、特定のサンプル区域39b
だけに焦点を合わせる程正確でないのが典型的である。 この場合、電子ビームではなく、ウェーハ12を動かす
装置を設けることが望ましいことがある。レーザ干渉計
の様な現在利用し得る位置ぎめ技術を使うことにより、
ウェーハ12を正確に位置ぎめすることができる。
【0020】図3bは、ブリッジ46を介してサンプル
区域39bをわざと共通区域39aに短絡させた別の試
験構造39を示す。希望によっては、ブリッジは色々な
幅に作ることができる。或る幅の時、関連するサンプル
区域39bと共通区域39aの間に開路が発生する。図
3に示す試験構造39を使うことにより、所定のプロセ
スを用いて形成することができる最も小さい幅を決定す
ることができる。
区域39bをわざと共通区域39aに短絡させた別の試
験構造39を示す。希望によっては、ブリッジは色々な
幅に作ることができる。或る幅の時、関連するサンプル
区域39bと共通区域39aの間に開路が発生する。図
3に示す試験構造39を使うことにより、所定のプロセ
スを用いて形成することができる最も小さい幅を決定す
ることができる。
【0021】図4aは(図4bに示すダイオードの様な
)装置48の電流及び電圧特性を判定することができる
様にするこの発明の第2の実施例の試験装置を示す。 この実施例では、SEM 24(又はその他のビーム
源)が発生するビームが、図4bに示すダイオードの様
な装置に結合されたサンプル区域39bを照射する。サ
ンプル区域39bがダイオード48の陰極に結合され、
共通区域39aがダイオード48の陽極に結合される。 電流計40が共通区域39aとアースとして示した電圧
源42の間に接続される。同様に、トランジスタの様な
この他の装置も試験することができる。
)装置48の電流及び電圧特性を判定することができる
様にするこの発明の第2の実施例の試験装置を示す。 この実施例では、SEM 24(又はその他のビーム
源)が発生するビームが、図4bに示すダイオードの様
な装置に結合されたサンプル区域39bを照射する。サ
ンプル区域39bがダイオード48の陰極に結合され、
共通区域39aがダイオード48の陽極に結合される。 電流計40が共通区域39aとアースとして示した電圧
源42の間に接続される。同様に、トランジスタの様な
この他の装置も試験することができる。
【0022】動作について説明すると、サンプル区域3
9bがSEM 24によって照射され、その結果ダイ
オード48の陰極に電圧が発生されて、電流計40に電
流が流れる。陰極の電圧は2次電子の放出から決定する
ことができる。2次電子のエネルギは、J.Vac.S
ci.Technol.B誌,第6巻第6号,1988
年11月/12月号,1953頁所載のエイトン他の論
文「電子ビーム試験用の仮想浸漬レンズ分光計の特性」
に記載されている様な2次電子解析装置49によって検
出することができる。2次電子解析装置49によって検
出された2次電子の運動エネルギをサンプル区域39b
及び陰極の電圧と相関させることができる。従って、装
置の電流−電圧特性を決定することができる。
9bがSEM 24によって照射され、その結果ダイ
オード48の陰極に電圧が発生されて、電流計40に電
流が流れる。陰極の電圧は2次電子の放出から決定する
ことができる。2次電子のエネルギは、J.Vac.S
ci.Technol.B誌,第6巻第6号,1988
年11月/12月号,1953頁所載のエイトン他の論
文「電子ビーム試験用の仮想浸漬レンズ分光計の特性」
に記載されている様な2次電子解析装置49によって検
出することができる。2次電子解析装置49によって検
出された2次電子の運動エネルギをサンプル区域39b
及び陰極の電圧と相関させることができる。従って、装
置の電流−電圧特性を決定することができる。
【0023】図5はこの発明の第3の実施例を示してお
り、電極(又は「チップ」)52又は電界放出チップを
ウェーハの表面に十分近づけて配置して、空気(又は窒
素或いはアルゴンの様な他の雰囲気)を介して電流を発
生することができる様にしてある。チップ52をウェー
ハの表面から数オングストローム以内に保つことが好ま
しい。例えば原子力顕微鏡(これは走査形トンネル形顕
微鏡の一変形である)が尖ったチップ52を持ち、それ
をウェーハ12の上方2乃至3オングストロームの距離
の所に保持することができる。チップ52を電圧源に接
続することができる。この結果、チップ52とサンプル
区域39bの間には、トンネル作用により、又は電界放
出により、電流の微小ビームが生ずる。これは場合によ
っては、図2の装置よりも可成り有利である。それは、
SEMによって発生された電子ビームは真空中で使わな
ければならないからである。この為、電極をウェーハの
表面に十分近づけて配置することにより、真空中で試験
することに伴う厄介さを避けることができる。
り、電極(又は「チップ」)52又は電界放出チップを
ウェーハの表面に十分近づけて配置して、空気(又は窒
素或いはアルゴンの様な他の雰囲気)を介して電流を発
生することができる様にしてある。チップ52をウェー
ハの表面から数オングストローム以内に保つことが好ま
しい。例えば原子力顕微鏡(これは走査形トンネル形顕
微鏡の一変形である)が尖ったチップ52を持ち、それ
をウェーハ12の上方2乃至3オングストロームの距離
の所に保持することができる。チップ52を電圧源に接
続することができる。この結果、チップ52とサンプル
区域39bの間には、トンネル作用により、又は電界放
出により、電流の微小ビームが生ずる。これは場合によ
っては、図2の装置よりも可成り有利である。それは、
SEMによって発生された電子ビームは真空中で使わな
ければならないからである。この為、電極をウェーハの
表面に十分近づけて配置することにより、真空中で試験
することに伴う厄介さを避けることができる。
【0024】この発明を詳しく説明したが、特許請求の
範囲によって定められたこの発明の範囲を逸脱せずに、
こゝで説明した実施例に種々の変更、置換を加えること
ができることを承知されたい。
範囲によって定められたこの発明の範囲を逸脱せずに、
こゝで説明した実施例に種々の変更、置換を加えること
ができることを承知されたい。
【0025】この発明は以上の開示に関連して、更に下
記の実施態様を有する。 (1) 第1及び第2の導電区域を持つ試験構造を含
んでいる様なウェーハの製造プロセスを試験する装置に
於て、物理的な接触をせずに前記第1の導電区域に電流
を発生する様に作用し得る装置と、前記試験構造に結合
されていて、前記第1及び第2の導電区域の間の電流を
検出する電流検出回路とを有する装置。
記の実施態様を有する。 (1) 第1及び第2の導電区域を持つ試験構造を含
んでいる様なウェーハの製造プロセスを試験する装置に
於て、物理的な接触をせずに前記第1の導電区域に電流
を発生する様に作用し得る装置と、前記試験構造に結合
されていて、前記第1及び第2の導電区域の間の電流を
検出する電流検出回路とを有する装置。
【0026】(2) (1)項に記載した装置に於て
、電流を発生する装置が電子ビームを発生する様に作用
し得る装置。
、電流を発生する装置が電子ビームを発生する様に作用
し得る装置。
【0027】(3) (1)項に記載した装置に於て
、電流を発生する装置が光子ビームを発生し得る様に作
用し得る装置。
、電流を発生する装置が光子ビームを発生し得る様に作
用し得る装置。
【0028】(4) (1)項に記載した装置に於て
、電流を発生する装置がイオン・ビームを発生する様に
作用し得る装置。
、電流を発生する装置がイオン・ビームを発生する様に
作用し得る装置。
【0029】(5) (1)項に記載した装置に於て
、電流を発生する装置がトンネル電流を発生する様に作
用し得る装置。
、電流を発生する装置がトンネル電流を発生する様に作
用し得る装置。
【0030】(6) (1)項に記載した装置に於て
、電流を発生する装置が電界放出電流を発生する様に作
用し得る装置。
、電流を発生する装置が電界放出電流を発生する様に作
用し得る装置。
【0031】(7) (1)項に記載した装置に於て
、試験構造が複数個の第1の導電区域を有する装置。
、試験構造が複数個の第1の導電区域を有する装置。
【0032】(8) (7)項に記載した装置に於て
、電流検出回路が、第2の導電区域と予定の電位の間の
電流を検出する装置。
、電流検出回路が、第2の導電区域と予定の電位の間の
電流を検出する装置。
【0033】(9) (8)項に記載した装置に於て
、第1の導電区域が第2の導電区域から色々な距離の所
に配置されていて、第1の導電区域を形成するプロセス
の最大の分解能を決定することができる様にした装置。
、第1の導電区域が第2の導電区域から色々な距離の所
に配置されていて、第1の導電区域を形成するプロセス
の最大の分解能を決定することができる様にした装置。
【0034】(10) (1)項に記載した装置に於
て、電流を発生する装置が、材料の層を介して第1の導
電区域に電流を誘起するのに十分なエネルギを持つビー
ムを発生する様に作用し得る装置。
て、電流を発生する装置が、材料の層を介して第1の導
電区域に電流を誘起するのに十分なエネルギを持つビー
ムを発生する様に作用し得る装置。
【0035】(11) 集積回路の製造を試験する方
法に於て、第1及び第2の導電区域を含む試験構造を製
造の間に形成し、前記第1の導電区域に物理的に接触せ
ず前記第1の導電区域に電流を発生し、前記第1及び第
2の導電区域の間に電流を検出する工程を含む方法。
法に於て、第1及び第2の導電区域を含む試験構造を製
造の間に形成し、前記第1の導電区域に物理的に接触せ
ず前記第1の導電区域に電流を発生し、前記第1及び第
2の導電区域の間に電流を検出する工程を含む方法。
【0036】(12) (11)項に記載した方法に
於て、電流を発生する工程が、第1の導電区域を照射す
る電子ビームを発生する工程を含む方法。
於て、電流を発生する工程が、第1の導電区域を照射す
る電子ビームを発生する工程を含む方法。
【0037】(13) (11)項に記載した方法に
於て、電流を発生する工程が、第1の導電区域を照射す
る光子ビームを発生する工程を含む方法。
於て、電流を発生する工程が、第1の導電区域を照射す
る光子ビームを発生する工程を含む方法。
【0038】(14) (11)項に記載した方法に
於て、電流を発生する工程が、第1の導電区域を照射す
るイオン・ビームを発生する工程を含む方法。
於て、電流を発生する工程が、第1の導電区域を照射す
るイオン・ビームを発生する工程を含む方法。
【0039】(15) (11)項に記載した方法に
於て、電流を発生する工程が、第1の導電区域と、該第
1の導電区域の表面に接近した電極の間に電流を発生す
る工程を含む方法。
於て、電流を発生する工程が、第1の導電区域と、該第
1の導電区域の表面に接近した電極の間に電流を発生す
る工程を含む方法。
【0040】(16) (15)項に記載した方法に
於て、電流を発生する工程が、トンネル電流を発生する
工程を含む方法。
於て、電流を発生する工程が、トンネル電流を発生する
工程を含む方法。
【0041】(17) (15)項に記載した方法に
於て、電流を発生する工程が、電界放出電流を発生する
工程を含む方法。
於て、電流を発生する工程が、電界放出電流を発生する
工程を含む方法。
【0042】(18) (11)項に記載した方法に
於て、検出する工程が第2の導電区域及び予定の電位の
間に結合された電流計を通る電流を検出する工程を含む
方法。
於て、検出する工程が第2の導電区域及び予定の電位の
間に結合された電流計を通る電流を検出する工程を含む
方法。
【0043】(19) (11)項に記載した方法に
於て、発生する工程が、材料の層を透過するのに十分な
エネルギを持つビームを発生することにより、第1の導
電区域に電流を誘起する工程を含む方法。
於て、発生する工程が、材料の層を透過するのに十分な
エネルギを持つビームを発生することにより、第1の導
電区域に電流を誘起する工程を含む方法。
【0044】(20) ウェーハの上に形成された第
1及び第2の領域を持つ集積回路を試験する装置に於て
、集積回路装置の第1の領域に電圧を発生する様に作用
し得る電圧発生装置と、前記電圧に応答して発生された
2次電子から、前記第1の領域の電圧を決定する2次電
子検出装置と、第2の領域に結合されていて、第1及び
第2の領域の間の電流を検出する電流検出回路とを有す
る装置。
1及び第2の領域を持つ集積回路を試験する装置に於て
、集積回路装置の第1の領域に電圧を発生する様に作用
し得る電圧発生装置と、前記電圧に応答して発生された
2次電子から、前記第1の領域の電圧を決定する2次電
子検出装置と、第2の領域に結合されていて、第1及び
第2の領域の間の電流を検出する電流検出回路とを有す
る装置。
【0045】(21) 第1及び第2の部分を持つ集
積回路装置を試験する方法に於て、第1の部分に電圧を
発生し、この電圧に応答して発生された2次電子のエネ
ルギを測定して、第1の部分の電圧の大きさを決定し、
第1及び第2の部分の間の電流を測定する工程を含む方
法。
積回路装置を試験する方法に於て、第1の部分に電圧を
発生し、この電圧に応答して発生された2次電子のエネ
ルギを測定して、第1の部分の電圧の大きさを決定し、
第1及び第2の部分の間の電流を測定する工程を含む方
法。
【0046】(22) (21)項に記載した方法に
於て、電圧を発生する工程が、第1の導電区域を照射す
る電子ビームを発生する工程を含む方法。
於て、電圧を発生する工程が、第1の導電区域を照射す
る電子ビームを発生する工程を含む方法。
【0047】(23) (21)項に記載した方法に
於て、電圧を発生する工程が、第1の導電区域を照射す
る光子ビームを発生する工程を含む方法。
於て、電圧を発生する工程が、第1の導電区域を照射す
る光子ビームを発生する工程を含む方法。
【0048】(24) (21)項に記載した方法に
於て、電圧を発生する工程が、第1の導電区域を照射す
るイオン・ビームを発生する工程を含む方法。
於て、電圧を発生する工程が、第1の導電区域を照射す
るイオン・ビームを発生する工程を含む方法。
【0049】(25) (21)項に記載した方法に
於て、電圧を発生する工程が、第1の導電区域と該第1
の導電区域の表面に接近した電極の間に電流を発生する
工程を含む方法。
於て、電圧を発生する工程が、第1の導電区域と該第1
の導電区域の表面に接近した電極の間に電流を発生する
工程を含む方法。
【0050】(26) 走査形電子顕微鏡(SEM)
24又はその他の照射装置を使って、集積回路ウェーハ
の表面に形成された試験構造39のサンプル区域39b
に電位を発生する。照射されたサンプル区域と共通区域
39aの間の導電通路を、サンプル区域39b及び電圧
源42の間に接続された電流計40を用いて検出する。 監視回路44が、共通区域39aに電気的に結合された
サンプル区域39bを表わす出力を発生する。
24又はその他の照射装置を使って、集積回路ウェーハ
の表面に形成された試験構造39のサンプル区域39b
に電位を発生する。照射されたサンプル区域と共通区域
39aの間の導電通路を、サンプル区域39b及び電圧
源42の間に接続された電流計40を用いて検出する。 監視回路44が、共通区域39aに電気的に結合された
サンプル区域39bを表わす出力を発生する。
【図1】aは従来開発された集積回路試験装置の斜視図
。bは図1aの装置に関連して使われる試験構造の斜視
図。
。bは図1aの装置に関連して使われる試験構造の斜視
図。
【図2】この発明の第1の実施例の集積回路試験装置を
示す図。
示す図。
【図3】図2の装置と共に使われる試験構造の図。
【図4】aは集積回路装置のi−v特性を試験すること
ができる様なこの発明の第2の実施例の図。bは図4a
の実施例を使って試験されるダイオードの回路図。
ができる様なこの発明の第2の実施例の図。bは図4a
の実施例を使って試験されるダイオードの回路図。
【図5】この発明の第3の実施例の図。
【符号の説明】
12 ウェーハ
24 走査形電子顕微鏡
39 試験構造
39a 共通区域
39b アイランド
40 電流計
Claims (2)
- 【請求項1】 第1及び第2の導電区域を持つ試験構
造を含んでいる様なウェーハの製造プロセスを試験する
装置に於て、物理的な接触をせずに前記第1の導電区域
に電流を発生する様に作用し得る装置と、前記試験構造
に結合されていて、前記第1及び第2の導電区域の間の
電流を検出する電流検出回路とを有する装置。 - 【請求項2】 集積回路の製造を試験する方法に於て
、第1及び第2の導電区域を含む試験構造を製造の間に
形成し、前記第1の導電区域に物理的に接触さず前記第
1の導電区域に電流を発生し、前記第1及び第2の導電
区域の間に電流を検出する工程を含む方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US529062 | 1990-05-25 | ||
US07/529,062 US5053699A (en) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | Scanning electron microscope based parametric testing method and apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04305954A true JPH04305954A (ja) | 1992-10-28 |
Family
ID=24108358
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3120030A Pending JPH04305954A (ja) | 1990-05-25 | 1991-05-24 | 製造プロセスを試験する装置と方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5053699A (ja) |
JP (1) | JPH04305954A (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2024648C (en) * | 1989-09-07 | 1994-10-18 | Ryo Kuroda | Accessing method, and information processing method and information processing device utilizing the same |
JP3377101B2 (ja) * | 1991-12-04 | 2003-02-17 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 集束イオンビームによる集積回路の動作解析方法とその装置 |
US5459404A (en) * | 1994-03-28 | 1995-10-17 | Ulsi Technology, Inc. | Apparatus and method for detecting floating nodes |
US5523694A (en) * | 1994-04-08 | 1996-06-04 | Cole, Jr.; Edward I. | Integrated circuit failure analysis by low-energy charge-induced voltage alteration |
JP2718370B2 (ja) * | 1994-07-29 | 1998-02-25 | 日本電気株式会社 | 配線ショート箇所検出方法および配線ショート箇所検出装置 |
US5500603A (en) * | 1994-08-31 | 1996-03-19 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Methodology to quickly isolate functional failures associated with integrated circuit manufacturing defects |
US5994911A (en) * | 1996-04-26 | 1999-11-30 | The Penn State Research Foundation | Method and apparatus testing IC chips for damage during fabrication |
US5781017A (en) * | 1996-04-26 | 1998-07-14 | Sandia Corporation | Capacitive charge generation apparatus and method for testing circuits |
US6636064B1 (en) * | 1999-12-14 | 2003-10-21 | Kla-Tencor | Dual probe test structures for semiconductor integrated circuits |
US6498502B2 (en) | 2000-01-04 | 2002-12-24 | Texas Instrument Incorporated | Apparatus and method for evaluating semiconductor structures and devices |
US7655482B2 (en) * | 2000-04-18 | 2010-02-02 | Kla-Tencor | Chemical mechanical polishing test structures and methods for inspecting the same |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4629898A (en) * | 1981-10-02 | 1986-12-16 | Oregon Graduate Center | Electron and ion beam apparatus and passivation milling |
JPS59141238A (ja) * | 1983-02-01 | 1984-08-13 | Hitachi Ltd | キヤリア寿命測定装置 |
US4755748A (en) * | 1985-06-05 | 1988-07-05 | Bell Communications Research, Inc. | Method and apparatus for analyzing semiconductor devices using charge-sensitive electron-beam-injected-carrier microscopy |
EP0296262B1 (en) * | 1987-06-22 | 1991-08-28 | International Business Machines Corporation | Method for investigating surfaces at nanometer and picosecond resolution and laser-sampled scanning tunneling microscope for performing said method |
US4871919A (en) * | 1988-05-20 | 1989-10-03 | International Business Machines Corporation | Electron beam lithography alignment using electric field changes to achieve registration |
-
1990
- 1990-05-25 US US07/529,062 patent/US5053699A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-05-24 JP JP3120030A patent/JPH04305954A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5053699A (en) | 1991-10-01 |
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