JPH04273224A - 分極反転制御方法 - Google Patents
分極反転制御方法Info
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- JPH04273224A JPH04273224A JP3034793A JP3479391A JPH04273224A JP H04273224 A JPH04273224 A JP H04273224A JP 3034793 A JP3034793 A JP 3034793A JP 3479391 A JP3479391 A JP 3479391A JP H04273224 A JPH04273224 A JP H04273224A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/37—Non-linear optics for second-harmonic generation
- G02F1/377—Non-linear optics for second-harmonic generation in an optical waveguide structure
- G02F1/3775—Non-linear optics for second-harmonic generation in an optical waveguide structure with a periodic structure, e.g. domain inversion, for quasi-phase-matching [QPM]
-
- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/355—Non-linear optics characterised by the materials used
- G02F1/3558—Poled materials, e.g. with periodic poling; Fabrication of domain inverted structures, e.g. for quasi-phase-matching [QPM]
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/353—Frequency conversion, i.e. wherein a light beam is generated with frequency components different from those of the incident light beams
- G02F1/3544—Particular phase matching techniques
- G02F1/3548—Quasi phase matching [QPM], e.g. using a periodic domain inverted structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば光第２高調波発
生素子（以下ＳＨＧ素子という）等の光デバイス装置の
形成に適用して好適な分極反転制御方法に係わる。
生素子（以下ＳＨＧ素子という）等の光デバイス装置の
形成に適用して好適な分極反転制御方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】近年特にＳＨＧ素子等の光デバイス装置
において、その表面に周期ドメイン反転構造を形成して
光出力等の特性の向上をはかることが提案されている。
において、その表面に周期ドメイン反転構造を形成して
光出力等の特性の向上をはかることが提案されている。
【０００３】例えばＳＨＧ素子は、周波数ωの光を導入
すると、２ωの周波数の第２高調波の光を発生するもの
で、このＳＨＧ素子によって単一波長光の波長範囲の拡
大化がはかられ、これに伴いレーザの利用範囲の拡大化
と各技術分野でのレーザ光利用の最適化をはかることが
できる。例えばレーザ光の短波長化によってレーザ光を
用いた光記録再生、光磁気記録再生等において、その記
録密度の向上をはかることができる。
すると、２ωの周波数の第２高調波の光を発生するもの
で、このＳＨＧ素子によって単一波長光の波長範囲の拡
大化がはかられ、これに伴いレーザの利用範囲の拡大化
と各技術分野でのレーザ光利用の最適化をはかることが
できる。例えばレーザ光の短波長化によってレーザ光を
用いた光記録再生、光磁気記録再生等において、その記
録密度の向上をはかることができる。
【０００４】このようなＳＨＧ素子としては、例えばＫ
ＴＰを用いたいわゆるバルク型のＳＨＧ素子や、より大
なる非線形光学定数を利用して位相整合を行う導波路型
のＳＨＧ素子、例えばＬｉＮｂＯ３ （ＬＮ）等の強誘
電体結晶の非線形光学材料より成る単結晶基板の上に線
形導波路を形成して、これに近赤外光の基本波を入力し
て第２高調波の例えば緑、青色光を放射モードとして基
板側からとりだすチェレンコフ放射型のＳＨＧ素子等が
ある。
ＴＰを用いたいわゆるバルク型のＳＨＧ素子や、より大
なる非線形光学定数を利用して位相整合を行う導波路型
のＳＨＧ素子、例えばＬｉＮｂＯ３ （ＬＮ）等の強誘
電体結晶の非線形光学材料より成る単結晶基板の上に線
形導波路を形成して、これに近赤外光の基本波を入力し
て第２高調波の例えば緑、青色光を放射モードとして基
板側からとりだすチェレンコフ放射型のＳＨＧ素子等が
ある。
【０００５】しかしながらバルク型ＳＨＧ素子はその特
性上ＳＨＧ変換効率が比較的低く、また廉価で高品質が
得られるＬＮを用いることができない。またチェレンコ
フ放射型ＳＨＧ素子は、ＳＨＧビームの放射方向が基板
内方向であり、ビームスポット形状も例えば三日月状ス
ポットという特異な形状をなし、実際の使用においての
問題点が存在する。
性上ＳＨＧ変換効率が比較的低く、また廉価で高品質が
得られるＬＮを用いることができない。またチェレンコ
フ放射型ＳＨＧ素子は、ＳＨＧビームの放射方向が基板
内方向であり、ビームスポット形状も例えば三日月状ス
ポットという特異な形状をなし、実際の使用においての
問題点が存在する。
【０００６】変換効率の高いデバイス実現のためには、
基本波と第２高調波の位相伝搬速度を等しくしなくては
ならない。これを擬似的に行う方法として非線形光学定
数の＋−を周期的に配列する方法が提案されている（Ｊ
．Ａ．Ａｒｍｓｔｒｏｎｇ，Ｎ．Ｂｌｏｅｍｂｅｒｇｅ
ｎ，他，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．，１２７，１９１８（１９
６２））。これを実現する方法として結晶（例えば結晶
軸）の方向を周期的に反転させる方法がある。具体的な
方法としては、例えば結晶を薄く切断して貼り合わせる
方法（岡田、滝沢、家入、ＮＨＫ技術研究、２９（１）
、２４（１９７７）） や、また結晶引き上げ時に例え
ば印加する電流の極性を制御して周期的な分域（ドメイ
ン）を形成して周期ドメイン反転構造を形成する方法（
Ｄ．Ｆｅｎｇ，Ｎ．Ｂ．Ｍｉｎｇ，Ｊ．Ｆ．Ｈｏｎｇ，
他、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．３７，６０７（１
９８０），Ｋ．Ｎａｓｓａｕ，Ｈ．Ｊ．Ｌｅｖｉｎｓｔ
ｅｉｎ，Ｇ．Ｈ．Ｌｏｉａｃａｎｏ Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．Ｌｅｔｔ．６，２２８（１９６５），Ａ．Ｆｅｉｓ
ｓｔ，Ｐ．Ｋｏｉｄｌ Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ
．４７，１１２５（１９８５））がある。これらの方法
は結晶材料の全体に渡って周期構造を形成することを目
的としている。しかしながら上述した方法による場合は
大規模な装置が必要となるのみならず、ドメイン形成の
制御が難しいという問題点がある。
基本波と第２高調波の位相伝搬速度を等しくしなくては
ならない。これを擬似的に行う方法として非線形光学定
数の＋−を周期的に配列する方法が提案されている（Ｊ
．Ａ．Ａｒｍｓｔｒｏｎｇ，Ｎ．Ｂｌｏｅｍｂｅｒｇｅ
ｎ，他，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．，１２７，１９１８（１９
６２））。これを実現する方法として結晶（例えば結晶
軸）の方向を周期的に反転させる方法がある。具体的な
方法としては、例えば結晶を薄く切断して貼り合わせる
方法（岡田、滝沢、家入、ＮＨＫ技術研究、２９（１）
、２４（１９７７）） や、また結晶引き上げ時に例え
ば印加する電流の極性を制御して周期的な分域（ドメイ
ン）を形成して周期ドメイン反転構造を形成する方法（
Ｄ．Ｆｅｎｇ，Ｎ．Ｂ．Ｍｉｎｇ，Ｊ．Ｆ．Ｈｏｎｇ，
他、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．３７，６０７（１
９８０），Ｋ．Ｎａｓｓａｕ，Ｈ．Ｊ．Ｌｅｖｉｎｓｔ
ｅｉｎ，Ｇ．Ｈ．Ｌｏｉａｃａｎｏ Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
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ｓｔ，Ｐ．Ｋｏｉｄｌ Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ
．４７，１１２５（１９８５））がある。これらの方法
は結晶材料の全体に渡って周期構造を形成することを目
的としている。しかしながら上述した方法による場合は
大規模な装置が必要となるのみならず、ドメイン形成の
制御が難しいという問題点がある。
【０００７】これに対して結晶材料の表面近傍に上述の
周期ドメイン反転構造を形成する方法として、例えばＴ
ｉを結晶表面から拡散させる方法 （伊藤弘昌、張英海
、稲場文男、第４９回応用物理学会講演会予稿集９１９
（１９８８））や、ＬｉＯ２ を外拡散する方法（Ｊｏ
ｎａｓ Ｗｅｂｊｏｅｒｎ，ｅｔ ａｌ，ＩＥＥＥ Ｐ
ＨＯＴＯＮＩＣＳ ＴＥＣＨＮＯＬ． ＬＥＴＴ．１，
１９８９，ＰＰ３１６−３１８）が提案されている。し
かしながらこれらの方法による場合、分極反転部分の屈
折率が変化したり、また分極反転形状の制御性が劣化す
る（Ｆ．Ｌａｕｒｅｌｌ ｅｔ ａｌ，Ｉｎｔｅｇｒａ
ｔｅｄ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ，Ｔｕ
１２，１９８９）等の恐れがある。また、これらの方法
によってＳＨＧ素子を形成した場合、入力光の漏波や第
２高調波光の漏波、更に入力光と第２高調波光との結合
効率の低下を招来する等して、いわゆる光変換効率の低
下を招く恐れがある。
周期ドメイン反転構造を形成する方法として、例えばＴ
ｉを結晶表面から拡散させる方法 （伊藤弘昌、張英海
、稲場文男、第４９回応用物理学会講演会予稿集９１９
（１９８８））や、ＬｉＯ２ を外拡散する方法（Ｊｏ
ｎａｓ Ｗｅｂｊｏｅｒｎ，ｅｔ ａｌ，ＩＥＥＥ Ｐ
ＨＯＴＯＮＩＣＳ ＴＥＣＨＮＯＬ． ＬＥＴＴ．１，
１９８９，ＰＰ３１６−３１８）が提案されている。し
かしながらこれらの方法による場合、分極反転部分の屈
折率が変化したり、また分極反転形状の制御性が劣化す
る（Ｆ．Ｌａｕｒｅｌｌ ｅｔ ａｌ，Ｉｎｔｅｇｒａ
ｔｅｄ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ，Ｔｕ
１２，１９８９）等の恐れがある。また、これらの方法
によってＳＨＧ素子を形成した場合、入力光の漏波や第
２高調波光の漏波、更に入力光と第２高調波光との結合
効率の低下を招来する等して、いわゆる光変換効率の低
下を招く恐れがある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】さらに本出願人は、先
に特願平１−８２７１号特許出願及び特願平１−１８４
３６２号特許出願において、強誘電体材料の非線形光学
材料に対するドメイン制御方法を提案した。この方法は
、シングルドメイン化された強誘電体材料を挟んでその
相対向する両主面に対向電極を配置または絶縁体を介し
て対向配置し、両電極間に直流電圧を印加することによ
って局部的に分極反転部を形成して周期ドメイン反転構
造を得るものである。
に特願平１−８２７１号特許出願及び特願平１−１８４
３６２号特許出願において、強誘電体材料の非線形光学
材料に対するドメイン制御方法を提案した。この方法は
、シングルドメイン化された強誘電体材料を挟んでその
相対向する両主面に対向電極を配置または絶縁体を介し
て対向配置し、両電極間に直流電圧を印加することによ
って局部的に分極反転部を形成して周期ドメイン反転構
造を得るものである。
【０００９】しかしながらこのような方法により形成し
た周期ドメイン反転構造は、図７Ａ及びＢに示すように
、分極反転３Ａの幅ｗと厚さｔとの比ｔ／ｗが１以下で
あった。このため周期ドメイン反転構造１３を微細にす
るとｔの絶対値が小となってしまい、光導波路２の厚さ
より小となってしまう。即ち例えば分極反転３Ａの小ピ
ッチ化に伴ってその幅ｗを約１．５μｍとする場合、そ
の厚さｔは約０．５μｍとなってしまい、光導波路２の
厚さを約１．０μｍとする場合、充分その光導波路部分
とそのエバネッセント領域に周期ドメイン反転構造１３
が形成されないため、上述したような、非線形光学定数
の＋−を周期的に配列することにより、基本波と第２高
調波の位相伝搬速度を等しくすることの効果が充分得ら
れず、ＳＨＧ効率の向上を阻む一因となっている。
た周期ドメイン反転構造は、図７Ａ及びＢに示すように
、分極反転３Ａの幅ｗと厚さｔとの比ｔ／ｗが１以下で
あった。このため周期ドメイン反転構造１３を微細にす
るとｔの絶対値が小となってしまい、光導波路２の厚さ
より小となってしまう。即ち例えば分極反転３Ａの小ピ
ッチ化に伴ってその幅ｗを約１．５μｍとする場合、そ
の厚さｔは約０．５μｍとなってしまい、光導波路２の
厚さを約１．０μｍとする場合、充分その光導波路部分
とそのエバネッセント領域に周期ドメイン反転構造１３
が形成されないため、上述したような、非線形光学定数
の＋−を周期的に配列することにより、基本波と第２高
調波の位相伝搬速度を等しくすることの効果が充分得ら
れず、ＳＨＧ効率の向上を阻む一因となっている。
【００１０】このような方法に対して、電子線を非線形
光学材料に照射して、所要のパターンの周期ドメイン反
転構造を得る方法が提案されている（Ｒ．Ｗ．Ｋｅｙｓ
，Ａ．Ｌｏｎｉ，Ｂ．Ｊ．Ｌｕｆｆ，Ｐ．Ｄ．Ｔｏｗｎ
ｓｅｎｄ， 他、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅ
ｒｓ １ｓｔ Ｆｅｂｕｒｕａｒｙ １９９０ Ｖｏｌ
．２６ Ｎｏ．３） 。この方法による場合、図８に略
線的断面図を示すように、非線形光学材料にＬＮ基板６
１の−ｃ面６１Ｃ上に、５０ｎｍの厚さにＮｉＣｒ層６
２を被着し、更に、４００ｎｍの厚さにＡｕ層を被着し
た後所要のパターンにパターニングし、このパターニン
グされたＡｕ層６３上から電子ビームを照射するもので
ある。この方法では、基板を約５８０℃に加熱し、基板
自体にそのｃ軸方向に１０Ｖ／ｃｍの電界をかけ、１０
ｋｅＶのエネルギーで、９ｍｍ２ に対して全ドーズ量
１０１７、即ち約１０１６ｍｍ−２の電子ビーム照射を
行うものである。
光学材料に照射して、所要のパターンの周期ドメイン反
転構造を得る方法が提案されている（Ｒ．Ｗ．Ｋｅｙｓ
，Ａ．Ｌｏｎｉ，Ｂ．Ｊ．Ｌｕｆｆ，Ｐ．Ｄ．Ｔｏｗｎ
ｓｅｎｄ， 他、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅ
ｒｓ １ｓｔ Ｆｅｂｕｒｕａｒｙ １９９０ Ｖｏｌ
．２６ Ｎｏ．３） 。この方法による場合、図８に略
線的断面図を示すように、非線形光学材料にＬＮ基板６
１の−ｃ面６１Ｃ上に、５０ｎｍの厚さにＮｉＣｒ層６
２を被着し、更に、４００ｎｍの厚さにＡｕ層を被着し
た後所要のパターンにパターニングし、このパターニン
グされたＡｕ層６３上から電子ビームを照射するもので
ある。この方法では、基板を約５８０℃に加熱し、基板
自体にそのｃ軸方向に１０Ｖ／ｃｍの電界をかけ、１０
ｋｅＶのエネルギーで、９ｍｍ２ に対して全ドーズ量
１０１７、即ち約１０１６ｍｍ−２の電子ビーム照射を
行うものである。
【００１１】しかしながらこのような方法による場合、
非線形光学材料の表面に、絶縁体或いは電極材料等の物
質を被着してパターニングした状態で、高温の熱処理及
び高温中での電圧印加を行うことにより、非線形光学材
料の表面が汚れる恐れがある。またこの場合、ＬＮ基板
から酸素分子の外拡散によって分極反転を形成するため
、Ｌｉ外拡散法と同様に組成の変化により屈折率の変動
をもたらす恐れがあり、特性の変動を生ずる恐れがある
。
非線形光学材料の表面に、絶縁体或いは電極材料等の物
質を被着してパターニングした状態で、高温の熱処理及
び高温中での電圧印加を行うことにより、非線形光学材
料の表面が汚れる恐れがある。またこの場合、ＬＮ基板
から酸素分子の外拡散によって分極反転を形成するため
、Ｌｉ外拡散法と同様に組成の変化により屈折率の変動
をもたらす恐れがあり、特性の変動を生ずる恐れがある
。
【００１２】このような問題を解決するために、本出願
人は先に特願平３−２６３５８号特許出願において、非
線形光学材料等の強誘電体結晶上に、荷電粒子を加速電
圧１５ｋＶ以上、或いは電流密度１μＡ／ｍｍ２ とし
て照射し、この照射部において分極反転を形成する周期
ドメイン反転構造を有する光デバイス装置の製法を提案
した。この製法によれば、図９にその一例の略線的拡大
斜視図を示すように、ＬＮ単結晶等より成る強誘電体材
料１の一主面１Ｃ上から、荷電粒子例えば電子線ｂを所
要のパターン例えば平行帯状パターンとして照射し、強
誘電体材料１の主面１Ｃ上に平行帯状パターンの分極反
転３Ａを形成してこれにより周期ドメイン反転構造１３
を得ている。
人は先に特願平３−２６３５８号特許出願において、非
線形光学材料等の強誘電体結晶上に、荷電粒子を加速電
圧１５ｋＶ以上、或いは電流密度１μＡ／ｍｍ２ とし
て照射し、この照射部において分極反転を形成する周期
ドメイン反転構造を有する光デバイス装置の製法を提案
した。この製法によれば、図９にその一例の略線的拡大
斜視図を示すように、ＬＮ単結晶等より成る強誘電体材
料１の一主面１Ｃ上から、荷電粒子例えば電子線ｂを所
要のパターン例えば平行帯状パターンとして照射し、強
誘電体材料１の主面１Ｃ上に平行帯状パターンの分極反
転３Ａを形成してこれにより周期ドメイン反転構造１３
を得ている。
【００１３】このような方法による場合は、電圧印加を
伴わず、また高温の加熱を必要としないため、強誘電体
材料１の表面汚染等による特性の低下や変動を回避する
ことができ、上述のＬｉ外拡散法等と異なり、強誘電体
材料１の組成を変化させないため、屈折率の変化を伴う
ことなく分極反転３Ａを形成することができるという利
点を有する。
伴わず、また高温の加熱を必要としないため、強誘電体
材料１の表面汚染等による特性の低下や変動を回避する
ことができ、上述のＬｉ外拡散法等と異なり、強誘電体
材料１の組成を変化させないため、屈折率の変化を伴う
ことなく分極反転３Ａを形成することができるという利
点を有する。
【００１４】しかしながら、このような方法によって、
微細パターンの周期ドメイン反転構造を形成する場合、
隣り合う分極反転３Ａが重なってしまう。例えば幅１０
μｍの分極反転３Ａを形成する場合、各分極反転３Ａの
間隔は７〜８μｍ程度となり、分極反転３Ａの間隔従っ
てそのピッチを充分小さくすることができないという問
題があった。
微細パターンの周期ドメイン反転構造を形成する場合、
隣り合う分極反転３Ａが重なってしまう。例えば幅１０
μｍの分極反転３Ａを形成する場合、各分極反転３Ａの
間隔は７〜８μｍ程度となり、分極反転３Ａの間隔従っ
てそのピッチを充分小さくすることができないという問
題があった。
【００１５】本発明が解決しようとする課題は、このよ
うな微細パターンの分極反転３Ａを、確実に制御性よく
形成する分極反転制御方法を得ることである。
うな微細パターンの分極反転３Ａを、確実に制御性よく
形成する分極反転制御方法を得ることである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明による分極反転制
御方法の一例の一工程図を図１の略線的拡大斜視図に示
す。本発明は、単分域化された強誘電体材料１に、荷電
粒子をこの強誘電体材料１上の複数の領域に局部的に照
射して、分極反転構造３を形成するようにした分極反転
制御方法において、荷電粒子の照射を、互いに影響しな
い間隔ＬＢ を保持しながら複数の領域に照射する。
御方法の一例の一工程図を図１の略線的拡大斜視図に示
す。本発明は、単分域化された強誘電体材料１に、荷電
粒子をこの強誘電体材料１上の複数の領域に局部的に照
射して、分極反転構造３を形成するようにした分極反転
制御方法において、荷電粒子の照射を、互いに影響しな
い間隔ＬＢ を保持しながら複数の領域に照射する。
【００１７】他の本発明による分極反転制御方法の一例
の製造工程図を図３Ａ〜Ｃに示す。本発明は、単分域化
された強誘電体材料１に、荷電粒子をこの強誘電体材料
１上の複数の領域に局部的に照射して、分極反転構造３
を形成するようにした分極反転制御方法において、図３
Ａに示すように、荷電粒子を互いに影響しない間隔ＬＢ
を保持しながら複数の領域に照射する工程と、図３Ｂ
に示すように、この強誘電体材料１上の電荷を除去する
工程と、図３Ｃに示すように、複数の照射領域に近接す
る他の複数の領域に、互いに影響しない間隔ＬＢ を保
持しながら荷電粒子を照射する工程とを有する。
の製造工程図を図３Ａ〜Ｃに示す。本発明は、単分域化
された強誘電体材料１に、荷電粒子をこの強誘電体材料
１上の複数の領域に局部的に照射して、分極反転構造３
を形成するようにした分極反転制御方法において、図３
Ａに示すように、荷電粒子を互いに影響しない間隔ＬＢ
を保持しながら複数の領域に照射する工程と、図３Ｂ
に示すように、この強誘電体材料１上の電荷を除去する
工程と、図３Ｃに示すように、複数の照射領域に近接す
る他の複数の領域に、互いに影響しない間隔ＬＢ を保
持しながら荷電粒子を照射する工程とを有する。
【００１８】他の本発明による分極反転制御方法の一例
の製造工程図を図４Ａ〜Ｃに示す。本発明は、単分域化
された強誘電体材料１に、荷電粒子を強誘電体材料１上
の複数の領域に局部的に照射して、分極反転構造３を形
成するようにした分極反転制御方法において、図４Ａに
示すように荷電粒子を一旦照射した後、図４Ｂに示すよ
うにこの強誘電体材料１上の電荷を除去して、その後図
４Ｃに示すように順次隣り合う近接する領域上に荷電粒
子を照射して、分極反転構造３を得る。
の製造工程図を図４Ａ〜Ｃに示す。本発明は、単分域化
された強誘電体材料１に、荷電粒子を強誘電体材料１上
の複数の領域に局部的に照射して、分極反転構造３を形
成するようにした分極反転制御方法において、図４Ａに
示すように荷電粒子を一旦照射した後、図４Ｂに示すよ
うにこの強誘電体材料１上の電荷を除去して、その後図
４Ｃに示すように順次隣り合う近接する領域上に荷電粒
子を照射して、分極反転構造３を得る。
【００１９】
【作用】上述したように、本発明分極反転制御方法によ
れば、荷電粒子を強誘電体材料１上の複数の領域に局部
的に照射して、分極反転構造３を形成する際に、荷電粒
子の照射を、互いに影響しない間隔ＬＢ を保持しなが
ら複数の領域に照射するものであるが、このようにする
ことによって、隣り合う分極反転３Ａを互いに分離して
形成することができた。このことは、次の理由によるも
のと思われる。
れば、荷電粒子を強誘電体材料１上の複数の領域に局部
的に照射して、分極反転構造３を形成する際に、荷電粒
子の照射を、互いに影響しない間隔ＬＢ を保持しなが
ら複数の領域に照射するものであるが、このようにする
ことによって、隣り合う分極反転３Ａを互いに分離して
形成することができた。このことは、次の理由によるも
のと思われる。
【００２０】先ず、荷電粒子を強誘電体材料１に照射し
たときの分極反転態様について考察する。強誘電体材料
１の模式的な分極態様を示す断面図を図５Ａ及びＢに示
す。図５Ａにおいて、９は強誘電体材料１内の各分極を
示し、これらの分極方向を矢印ｄで示す。強誘電体材料
１がＬＮ単結晶の場合、各分極方向はｃ軸（Ｚ軸）方向
に揃えられて成り、この主面１Ｃから、強誘電体材料１
内に向かう厚さ方向に分極が揃えられて成る場合を示す
。５は裏面１Ｄ上に全面的に被着されたＡｕ等より成る
導電体である。
たときの分極反転態様について考察する。強誘電体材料
１の模式的な分極態様を示す断面図を図５Ａ及びＢに示
す。図５Ａにおいて、９は強誘電体材料１内の各分極を
示し、これらの分極方向を矢印ｄで示す。強誘電体材料
１がＬＮ単結晶の場合、各分極方向はｃ軸（Ｚ軸）方向
に揃えられて成り、この主面１Ｃから、強誘電体材料１
内に向かう厚さ方向に分極が揃えられて成る場合を示す
。５は裏面１Ｄ上に全面的に被着されたＡｕ等より成る
導電体である。
【００２１】このような強誘電体材料１に対して主面１
Ｃ上から荷電粒子例えば電子線ｂを照射すると、この照
射部分において電子の一部が残留して強誘電体材料１の
表面上にこの蓄積電荷による−の電界Ｅが発生し、また
電子の一部が強誘電体材料１内に入り込んで矢印ｉで示
す電子流が生じる。従って、この部分において分極９の
＋側が、電界Ｅまたは電子流ｉの通過する方向を向くよ
うに反転して、結果的に図５Ｂに示すように、分極反転
３Ａが生じるものと思われる。
Ｃ上から荷電粒子例えば電子線ｂを照射すると、この照
射部分において電子の一部が残留して強誘電体材料１の
表面上にこの蓄積電荷による−の電界Ｅが発生し、また
電子の一部が強誘電体材料１内に入り込んで矢印ｉで示
す電子流が生じる。従って、この部分において分極９の
＋側が、電界Ｅまたは電子流ｉの通過する方向を向くよ
うに反転して、結果的に図５Ｂに示すように、分極反転
３Ａが生じるものと思われる。
【００２２】そしてこのとき、図６に強誘電体材料の分
極態様の断面図を示すように、荷電粒子を照射する領域
が近接している場合は、第１回目の照射による電界Ｅ１
が消去されない状態で、第２回目の照射により電界Ｅ
２ が発生し、これら電界Ｅ１ 及びＥ２ とが干渉し
て、これにより分極反転の生じる領域が実質的に重なっ
てしまい、目的とするパターンより大なる形状の分極反
転３Ａが形成されることとなる。
極態様の断面図を示すように、荷電粒子を照射する領域
が近接している場合は、第１回目の照射による電界Ｅ１
が消去されない状態で、第２回目の照射により電界Ｅ
２ が発生し、これら電界Ｅ１ 及びＥ２ とが干渉し
て、これにより分極反転の生じる領域が実質的に重なっ
てしまい、目的とするパターンより大なる形状の分極反
転３Ａが形成されることとなる。
【００２３】従って本発明分極反転制御方法によれば、
荷電粒子の照射を、互いに影響しない間隔ＬＢ を保持
しながら複数の領域に照射するため、上述したような隣
り合う照射領域の電界が干渉することを回避することが
できて、確実に分極反転３Ａを互いに独立して形成する
ことができる。
荷電粒子の照射を、互いに影響しない間隔ＬＢ を保持
しながら複数の領域に照射するため、上述したような隣
り合う照射領域の電界が干渉することを回避することが
できて、確実に分極反転３Ａを互いに独立して形成する
ことができる。
【００２４】他の本発明による分極反転制御方法では、
図３Ａに示すように、荷電粒子を互いに影響しない間隔
ＬＢ を保持しながら複数の領域に照射した後、図３Ｂ
に示すように、この強誘電体材料１上の蓄積電荷を除去
して即ちこの荷電粒子による電界を除去した後、この電
界を除去した複数の照射領域に近接する他の複数の領域
に、互いに影響しない間隔ＬＢ を保持しながら荷電粒
子を照射するため、隣り合う照射領域の蓄積電荷による
電界が干渉することを回避することができて、各分極反
転３Ａを互いに独立して形成することができる。
図３Ａに示すように、荷電粒子を互いに影響しない間隔
ＬＢ を保持しながら複数の領域に照射した後、図３Ｂ
に示すように、この強誘電体材料１上の蓄積電荷を除去
して即ちこの荷電粒子による電界を除去した後、この電
界を除去した複数の照射領域に近接する他の複数の領域
に、互いに影響しない間隔ＬＢ を保持しながら荷電粒
子を照射するため、隣り合う照射領域の蓄積電荷による
電界が干渉することを回避することができて、各分極反
転３Ａを互いに独立して形成することができる。
【００２５】また他の本発明による分極反転制御方法に
よる場合は、図４Ａに示すように強誘電体材料１に対し
て荷電粒子を一旦照射した後、図４Ｂに示すように強誘
電体材料１上の蓄積電荷を除去して、図４Ｃに示すよう
に順次隣り合う近接する領域上に荷電粒子を照射するた
め、その照射領域の間隔ＬＳ が比較的小であっても、
隣り合う照射領域の電界が干渉することを回避すること
ができて、各分極反転３Ａを互いに独立して形成するこ
とができ、微細な間隔をもって配列した分極反転構造３
を得ることができる。
よる場合は、図４Ａに示すように強誘電体材料１に対し
て荷電粒子を一旦照射した後、図４Ｂに示すように強誘
電体材料１上の蓄積電荷を除去して、図４Ｃに示すよう
に順次隣り合う近接する領域上に荷電粒子を照射するた
め、その照射領域の間隔ＬＳ が比較的小であっても、
隣り合う照射領域の電界が干渉することを回避すること
ができて、各分極反転３Ａを互いに独立して形成するこ
とができ、微細な間隔をもって配列した分極反転構造３
を得ることができる。
【００２６】
【実施例】以下図１〜図４を参照して本発明分極反転制
御方法の各例を詳細に説明する。各例ともに、強誘電体
材料１として非線形光学材料のＬＮ単結晶を用いて、そ
の厚さ方向にｃ軸（Ｚ軸）を有し、主面１Ｃ側を−ｃ面
とする。この強誘電体材料１は例えばそのキュリー温度
直下の例えば１２００℃程度まで昇温してその厚さ方向
に外部直流電圧を全面的に印加することによって、全面
的にｃ軸の厚さ方向に揃えてシングルドメイン化されて
成り、この−ｃ面１Ｃ上から荷電粒子を照射する例であ
る。またこの強誘電体材料１の裏面１Ｄ上には、全面的
にＡｕ等より成る導電体５が蒸着、スパッタリング等に
より被着形成されて成る。
御方法の各例を詳細に説明する。各例ともに、強誘電体
材料１として非線形光学材料のＬＮ単結晶を用いて、そ
の厚さ方向にｃ軸（Ｚ軸）を有し、主面１Ｃ側を−ｃ面
とする。この強誘電体材料１は例えばそのキュリー温度
直下の例えば１２００℃程度まで昇温してその厚さ方向
に外部直流電圧を全面的に印加することによって、全面
的にｃ軸の厚さ方向に揃えてシングルドメイン化されて
成り、この−ｃ面１Ｃ上から荷電粒子を照射する例であ
る。またこの強誘電体材料１の裏面１Ｄ上には、全面的
にＡｕ等より成る導電体５が蒸着、スパッタリング等に
より被着形成されて成る。
【００２７】実施例１
図１に示すように、強誘電体材料１の主面１Ｃ上に、例
えば平行帯状の直線パターンに軌跡を描くように、荷電
粒子例えば電子線ｂを走査照射する。この電子ビームｂ
は例えば１５ｋＶの加速電圧従って１５ｋｅＶのエネル
ギーで、電流密度を例えば１μＡ／ｍｍ２ として主面
１Ｃの上方から照射した。このとき、照射パターンの幅
ｗを１０μｍ、この照射領域の間隔を８μｍ程度とした
。 このように照射領域の間隔ＬＢ を比較的大とすること
により、図２の略線的拡大断面図に示すように、電子線
ｂの照射による電界Ｅと、図示しないがこの照射領域直
下に導電体５に向かって流れる電流によって、矢印ｄで
示す分極方向とは逆向きの、矢印ｈで示す方向に分極を
有する分極反転３Ａを互いに独立に形成することができ
る。従って、これら分極反転３Ａがピッチ（Ｌ＋ｗ）を
もって周期的に配列された分極反転構造３を得ることが
できる。
えば平行帯状の直線パターンに軌跡を描くように、荷電
粒子例えば電子線ｂを走査照射する。この電子ビームｂ
は例えば１５ｋＶの加速電圧従って１５ｋｅＶのエネル
ギーで、電流密度を例えば１μＡ／ｍｍ２ として主面
１Ｃの上方から照射した。このとき、照射パターンの幅
ｗを１０μｍ、この照射領域の間隔を８μｍ程度とした
。 このように照射領域の間隔ＬＢ を比較的大とすること
により、図２の略線的拡大断面図に示すように、電子線
ｂの照射による電界Ｅと、図示しないがこの照射領域直
下に導電体５に向かって流れる電流によって、矢印ｄで
示す分極方向とは逆向きの、矢印ｈで示す方向に分極を
有する分極反転３Ａを互いに独立に形成することができ
る。従って、これら分極反転３Ａがピッチ（Ｌ＋ｗ）を
もって周期的に配列された分極反転構造３を得ることが
できる。
【００２８】実施例２
この例においては、他の本発明分極反転制御方法によっ
て分極反転構造３を得る場合で、先ず図３Ａに示すよう
に、例えば平行帯状パターンの軌跡を描くように、荷電
粒子例えば電子線ｂを複数の領域に照射する。このとき
の照射条件は、上述した実施例１と同様に選定する。そ
してこの各領域の間隔ＬＢ を、互いに影響しない即ち
各照射領域における電界が干渉しないように選定して第
１の分極反転３Ｂを形成する。
て分極反転構造３を得る場合で、先ず図３Ａに示すよう
に、例えば平行帯状パターンの軌跡を描くように、荷電
粒子例えば電子線ｂを複数の領域に照射する。このとき
の照射条件は、上述した実施例１と同様に選定する。そ
してこの各領域の間隔ＬＢ を、互いに影響しない即ち
各照射領域における電界が干渉しないように選定して第
１の分極反転３Ｂを形成する。
【００２９】次に、強誘電体材料１を例えば真空中で１
時間の放置、又は大気中で短時間放置による自然放電、
或いは図３Ｂにおいて矢印ａで示すように、例えばイオ
ン風を全面的に照射する等してこの強誘電体材料１上の
蓄積電荷を除去し、これによる電界を除去する。
時間の放置、又は大気中で短時間放置による自然放電、
或いは図３Ｂにおいて矢印ａで示すように、例えばイオ
ン風を全面的に照射する等してこの強誘電体材料１上の
蓄積電荷を除去し、これによる電界を除去する。
【００３０】そして図３Ｃに示すように、複数の照射領
域に近接する他の複数の領域に、互いに影響しない、即
ち各照射領域における電界が干渉しない間隔ＬＢ をも
って電子線ｂを、上述のパターンと同じ及び間隔ＬＢ
をもって、図３Ａに示す工程即ち第１回目の照射によっ
て形成された帯状パターンの各分極反転３Ｂ間に、これ
らと平行に照射して第２の分極反転３Ｃを形成する。こ
のとき第１及び第２の分極反転３Ｂ及び３Ｃが、等間隔
に配列されようになす。またこの照射条件は上述の実施
例１と同様に選定する。このようにして、それぞれ隣り
合う分極反転３Ａの間隔ＬＳ が８μｍ程度以下とされ
た、微細ピッチの周期的な分極反転構造３を得ることが
できる。
域に近接する他の複数の領域に、互いに影響しない、即
ち各照射領域における電界が干渉しない間隔ＬＢ をも
って電子線ｂを、上述のパターンと同じ及び間隔ＬＢ
をもって、図３Ａに示す工程即ち第１回目の照射によっ
て形成された帯状パターンの各分極反転３Ｂ間に、これ
らと平行に照射して第２の分極反転３Ｃを形成する。こ
のとき第１及び第２の分極反転３Ｂ及び３Ｃが、等間隔
に配列されようになす。またこの照射条件は上述の実施
例１と同様に選定する。このようにして、それぞれ隣り
合う分極反転３Ａの間隔ＬＳ が８μｍ程度以下とされ
た、微細ピッチの周期的な分極反転構造３を得ることが
できる。
【００３１】実施例３
この例は、他の本発明分極反転制御方法による場合で、
先ず図４Ａに示すように強誘電体材料１に対して例えば
平行帯状パターンをもって荷電粒子例えば電子線ｂを一
旦走査照射する。このときの照射条件は上述の実施例１
と同様に選定する。
先ず図４Ａに示すように強誘電体材料１に対して例えば
平行帯状パターンをもって荷電粒子例えば電子線ｂを一
旦走査照射する。このときの照射条件は上述の実施例１
と同様に選定する。
【００３２】次に、強誘電体材料１を例えば真空中で１
時間程度の放置、又は例えば大気中での短時間放置によ
る自然放電、或いは図４Ｂに示すように、例えばイオン
風ａを照射する等の強制除去によって強誘電体材料１上
の蓄積電荷を除去する。
時間程度の放置、又は例えば大気中での短時間放置によ
る自然放電、或いは図４Ｂに示すように、例えばイオン
風ａを照射する等の強制除去によって強誘電体材料１上
の蓄積電荷を除去する。
【００３３】その後図４Ｃに示すように順次隣り合う近
接する領域上に荷電粒子を、例えばその照射領域の間隔
ＬＳ を最終的に得る所望の小なる間隔として、前回照
射したパターンと平行に帯状直線パターンとして走査照
射する。このように照射領域の間隔を充分小としても、
前回照射した領域の主面１Ｃ上の電荷を除去しているた
め、その後照射する領域の電界と、これと隣り合う前回
の照射領域上の電界が干渉することを回避することがで
きて、各分極反転３Ａを互いに独立して形成することが
できる。これによって、微細な間隔ＬＳ をもって周期
的に配列した分極反転構造３を得ることができる。
接する領域上に荷電粒子を、例えばその照射領域の間隔
ＬＳ を最終的に得る所望の小なる間隔として、前回照
射したパターンと平行に帯状直線パターンとして走査照
射する。このように照射領域の間隔を充分小としても、
前回照射した領域の主面１Ｃ上の電荷を除去しているた
め、その後照射する領域の電界と、これと隣り合う前回
の照射領域上の電界が干渉することを回避することがで
きて、各分極反転３Ａを互いに独立して形成することが
できる。これによって、微細な間隔ＬＳ をもって周期
的に配列した分極反転構造３を得ることができる。
【００３４】上述した実施例２及び３においては、その
分極反転３Ａの幅ｗを１０μｍ程度としても、その各分
極反転間の間隔ＬＳ を８μｍ以下の任意所望の小なる
間隔をもって形成することができる。また例えば分極反
転の幅を４μｍ、間隔ＬＳ を４μｍ程度として、より
微細な幅及びピッチをもって分極反転構造３を形成する
こともできる。
分極反転３Ａの幅ｗを１０μｍ程度としても、その各分
極反転間の間隔ＬＳ を８μｍ以下の任意所望の小なる
間隔をもって形成することができる。また例えば分極反
転の幅を４μｍ、間隔ＬＳ を４μｍ程度として、より
微細な幅及びピッチをもって分極反転構造３を形成する
こともできる。
【００３５】尚、上述した各例ともに、各分極反転をよ
り形状の制御性よく形成するためには、導電体５を接地
することが望ましい。
り形状の制御性よく形成するためには、導電体５を接地
することが望ましい。
【００３６】また、上述の各例においては、ＬＮ単結晶
より成る強誘電体材料１の厚さ方向に分極方向を有し、
この分極方向に沿う方向に荷電粒子を照射した場合につ
いて説明したが、その他例えば強誘電体材料の主面に沿
う面内方向に分極が揃えられた材料に対して、この分極
方向と直交する方向に荷電粒子を照射する場合において
も、本発明を適用することができる。
より成る強誘電体材料１の厚さ方向に分極方向を有し、
この分極方向に沿う方向に荷電粒子を照射した場合につ
いて説明したが、その他例えば強誘電体材料の主面に沿
う面内方向に分極が揃えられた材料に対して、この分極
方向と直交する方向に荷電粒子を照射する場合において
も、本発明を適用することができる。
【００３７】また更に、上述の各例においては、強誘電
体材料１の材料としてＬＮ単結晶を用いた場合について
述べたが、その他上述のＫＴＰ等、種々の材料を用いる
ことができる。
体材料１の材料としてＬＮ単結晶を用いた場合について
述べたが、その他上述のＫＴＰ等、種々の材料を用いる
ことができる。
【００３８】また上述の各例では荷電粒子として電子線
ｂを照射したが、その他例えば強誘電体材料１としてＬ
Ｎ単結晶を用いる場合は、分極反転の＋方向すなわち＋
ｃ面側からＬｉ＋ を照射する等、種々の荷電粒子を用
いることができる。
ｂを照射したが、その他例えば強誘電体材料１としてＬ
Ｎ単結晶を用いる場合は、分極反転の＋方向すなわち＋
ｃ面側からＬｉ＋ を照射する等、種々の荷電粒子を用
いることができる。
【００３９】
【発明の効果】上述したように、本発明分極反転制御方
法によれば、強誘電体材料１に対して荷電粒子を照射し
て複数の分極反転３Ａを形成する際に、それぞれ隣り合
う分極反転３Ａを確実に、かつ微細な間隔をもって形成
することができ、これにより微細なピッチの周期的な分
極反転構造３を得ることができる。
法によれば、強誘電体材料１に対して荷電粒子を照射し
て複数の分極反転３Ａを形成する際に、それぞれ隣り合
う分極反転３Ａを確実に、かつ微細な間隔をもって形成
することができ、これにより微細なピッチの周期的な分
極反転構造３を得ることができる。
【００４０】従って、例えば強誘電体材料１として非線
形光学材料を用いて、微細パターンの分極反転３Ａを微
細なピッチで形成して周期的な分極反転構造３を形成し
、更に周知のプロトン交換法等により光導波路を形成す
ることによって、高光変換効率のＳＨＧ素子を得ること
ができる。
形光学材料を用いて、微細パターンの分極反転３Ａを微
細なピッチで形成して周期的な分極反転構造３を形成し
、更に周知のプロトン交換法等により光導波路を形成す
ることによって、高光変換効率のＳＨＧ素子を得ること
ができる。
【図１】本発明分極反転制御方法の一例の一工程図であ
る。
る。
【図２】強誘電体材料の分極反転態様を示す模式的断面
図である。
図である。
【図３】他の本発明分極反転制御方法の一例の製造工程
図である。
図である。
【図４】他の本発明分極反転制御方法の一例の製造工程
図である。
図である。
【図５】荷電粒子照射による強誘電体材料の分極反転態
様を示す模式的断面図である。
様を示す模式的断面図である。
【図６】荷電粒子照射による強誘電体材料の分極反転態
様を示す模式的断面図である。
様を示す模式的断面図である。
【図７】従来の周期ドメイン反転構造を示す略線的拡大
断面図である。
断面図である。
【図８】従来の周期ドメイン反転構造を有する光デバイ
ス装置の製法を示す略線的拡大断面図である。
ス装置の製法を示す略線的拡大断面図である。
【図９】周期ドメイン反転構造を有する光デバイス装置
の製法を示す略線的拡大斜視図である。
の製法を示す略線的拡大斜視図である。
１ 強誘電体材料
１Ｃ 主面
１Ｄ 裏面
３ 分極反転構造
３Ａ 分極反転
３Ｂ 第１の分極反転
３Ｃ 第２の分極反転
５ 導電体
９ 分極
Claims (3)
- 【請求項１】 単分域化された強誘電体材料に、荷電
粒子を上記強誘電体材料上の複数の領域に局部的に照射
して、分極反転構造を形成するようにした分極反転制御
方法において、上記強誘電体材料に対して上記荷電粒子
の照射を、互いに影響しない間隔を保持しながら複数の
領域に照射するようにしたことを特徴とする分極反転制
御方法。 - 【請求項２】 単分域化された強誘電体材料に、荷電
粒子を上記強誘電体材料上の複数の領域に局部的に照射
して、分極反転構造を形成するようにした分極反転制御
方法において、上記強誘電体材料に対して荷電粒子を互
いに影響しない間隔を保持しながら複数の領域に照射す
る工程と、上記強誘電体材料上の電荷を除去する工程と
、上記複数の照射領域に近接する他の複数の領域に、互
いに影響しない間隔を保持しながら荷電粒子を照射する
工程とを有することを特徴とする分極反転制御方法。 - 【請求項３】 単分域化された強誘電体材料に、荷電
粒子を上記強誘電体材料上の複数の領域に局部的に照射
して、分極反転構造を形成するようにした分極反転制御
方法において、荷電粒子を一旦照射した後上記強誘電体
材料上の電荷を除去して、その後順次隣り合う近接する
領域上に荷電粒子を照射して、分極反転構造を得るよう
にしたことを特徴とする分極反転制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3034793A JPH04273224A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 分極反転制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3034793A JPH04273224A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 分極反転制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04273224A true JPH04273224A (ja) | 1992-09-29 |
Family
ID=12424145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3034793A Pending JPH04273224A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 分極反転制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04273224A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005292287A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 分極反転形成方法 |
| US8193004B2 (en) | 2004-03-18 | 2012-06-05 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Method for forming ferroelectric spontaneous polarization reversal |
| CN107134524A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-09-05 | 西安交通大学 | 一种采用原子层沉积法制备鳍式三维多铁异质结的方法 |
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1991
- 1991-02-28 JP JP3034793A patent/JPH04273224A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
| US8193004B2 (en) | 2004-03-18 | 2012-06-05 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Method for forming ferroelectric spontaneous polarization reversal |
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| CN107134524A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-09-05 | 西安交通大学 | 一种采用原子层沉积法制备鳍式三维多铁异质结的方法 |
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