JP3946092B2 - 周期分極反転構造の形成方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、周期分極反転構造の形成方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
光情報処理技術全般において、高密度光記録を実現するためには、波長400−430nm程度の青色光を、30mW以上の出力で安定的に発振する青色光レーザーが要望されており、開発競争が行われている。青色光光源としては、基本波として使用される赤外域レーザーと、QPMグレーディングを形成した波長変換素子とを組み合わせたSHG青色レーザが期待されている。
【0003】
波長変換デバイスにおいては、所定の周期を有する周期分極反転構造によって、QPMグレーディングが実現されており、周期分極反転構造の形成方法としては、いわゆる電圧印加法が知られている。電圧印加法においては、金属で形成された電極パターンに沿って、周期分極反転構造が形成される。
【0004】
例えば特許第3005225号公報においては、単分域処理された強誘電体光学材料の一方の主面に第一の電極(櫛形電極)を配置し、他方の電極に第二の電極(一様電極)を配置し、第一の電極と第二の電極との間に電圧を印加して周期分極反転構造を形成している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、この方法では、タンタル等からなる金属膜を強誘電体光学材料の表面に形成することによって電極を設ける必要がある。この電極膜は、電圧印加法によって周期分極反転構造を形成した後は不要となる。このため金属材料が無駄になる。また、周期分極反転構造を加工して例えば第二高調波発生素子を形成すると、金属膜が最終的な第二高調波発生素子中に残留し、素子の特性に悪影響を及ぼすおそれがある。更に、設計によっては、周期分極反転構造を形成した後に、電圧印加に使用した金属電極膜を除去する工程が必要であるが、この工程は煩雑であるし、金属電極膜除去後の表面には電極跡が残留する。
【0006】
本発明の課題は、光部品用基材に、金属材料を直接適用する必要なしに低抵抗部を形成することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は、マグネシウムのドープされたニオブ酸リチウム単結晶からなる光部品用基材に、プラズマエッチング方式でアルゴンイオンを照射することによって櫛形電極または一様電極を形成する工程、および
櫛形電極と一様電極との間に電圧を印加することによって、光部品用基材に周期分極反転構造を形成する工程
を有することを特徴とする、周期分極反転構造の形成方法に係るものである。
【0008】
本発明者は、マグネシウムのドープされたニオブ酸リチウム単結晶からなる光部品用基材に、プラズマエッチング方式でアルゴンイオン照射することによって電極を生成させることに成功した。この電極は、例えば20kΩ/□程度の通常の光部品基材に比べ4桁以上も低いシート抵抗値を有しており、櫛形電極、一様電極として使用することで周期分極反転構造を形成可能であった。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施形態を説明する。
例えば図1(a)に示すように、平板状の光部品用基材1の主面1aにマスク2を形成する。本例ではマスク2にストライプ状の開口3が形成されている。この状態で基材1の主面1aに向かって矢印Aのようにイオンを照射する。すると、図1(b)に示すように、マスク2の開口3内に所定パターンの低抵抗部4が形成される。次いで図1(c)に示すようにマスク2を除去する。これによって、低抵抗部4が形成された光部品用基材1が得られる。
【0010】
本発明において、光部品用基材とは、光部品に使用可能な基材を意味しており、その形態は問わない。光部品は波長変換素子、高調波発生素子であってよい。
【0011】
ニオブ酸リチウム単結晶中には、ドープ成分として、希土類元素を含有させることができる。この希土類元素は、レーザー発振用の添加元素として作用する。この希土類元素としては、特にNd、Er、Tm、Ho、Dy、Prが好ましい。
【0012】
マグネシウムのドープされたニオブ酸リチウム単結晶に対してプラズマエッチング方式でアルゴンイオンを照射することによって、電極を生成できる。
【0013】
ここで、イオン照射の好適条件は以下のとおりである。
照射するイオンの種類 アルゴン
イオンの照射エネルギー 100〜1000ワット
照射方式 プラズマエッチング
【0014】
電極のシート抵抗は、アルゴンイオン照射前の複合酸化物のシート抵抗に比べて低い。好ましくは、低抵抗部のシート抵抗は1000kΩ/□以下であり、更に好ましくは100kΩ/□以下である。また、比率(低抵抗部のシート抵抗/酸素欠損処理前の複合酸化物のシート抵抗)は、1/1000以下であることが好ましく、1/10000以下であることが更に好ましい。
【0015】
前記複合酸化物の酸素欠損組成とは、例えば以下のものである。
LiNbO3-x (0<x≦0.5)
【0016】
本発明では、周期分極反転構造を形成した後に、電極を除去する工程が不要である。また、本発明者の試験結果によれば、タンタル膜からなる電極を使用した場合と同等の形態を有する周期分極反転構造が形成可能であった。
【0017】
図2は、波長変換デバイス製造工程の一例を説明するための図である。波長変換デバイス製造工程においては、まず、電圧印加法により平板状の光部品用基材1に周期分極反転構造を形成する。本例では、基材1としてMgOドープニオブ酸リチウムのオフカット基板を使用する。複合酸化物単結晶の分極方向Bは、表面1aおよび裏面1bに対して所定角度、例えば5°傾斜しているので、この基材1は、オフカット基板と呼ばれている。
【0018】
基材1の表面1aに櫛形電極9および対向電極5を形成し、裏面1bに一様電極4Aを形成する。櫛形電極9は、周期的に配列された複数の細長い電極片9cと、多数の電極片9cを接続する細長い給電電極9aとからなる。対向電極5は、電極片9cの先端9bに対向するように設けられている。
【0019】
本例においては、図2および図3(a)に示すように、櫛形電極9および対向電極5は金属膜からなる。一方、一様電極4Aは、本発明に従い、基材1の裏面1bにおいて酸素欠損構造を有する部分を生成させることによって得られる。本例では、一様電極4Aは裏面1bの略全面にわたって設けられている。従って、裏面1b上にイオンを照射する際に、裏面1bにマスクを形成する必要はない。
【0020】
最初に基板1の全体を方向B、すなわち非分極反転方向Dに向かって分極させておく。そして、例えば櫛型電極9と対向電極5との間にV1の電圧を印加し、櫛型電極9と一様電極4Aとの間にV2の電圧を印加すると、分極反転部6が、各電極片9cの先端9bから、方向Bと平行に徐々に進展する。分極反転部6の分極の方向である分極反転方向Cは、非分極反転方向Dとは正反対になる。電極片9cに対応しない位置、すなわち隣接する分極反転部6の間には非分極反転部7が形成される。このようして、分極反転部6と非分極反転部7とが交互に配列された周期分極反転構造13が形成される。
【0021】
また、図3(b)に示すように、基材1の表面1a側の表面領域に、本発明に従った低抵抗部4Bを形成できる。低抵抗部4Bは、全体として櫛形電極9を構成するようにパターニングする必要がある。この場合には、裏面1b上に、金属膜からなる一様電極26を形成できる。そして、櫛形電極4Bと一様電極26との間に電圧を印加して周期分極反転構造を形成する。本例においては、周期分極反転構造を形成した後、金属膜からなる櫛形電極9を除去する工程が不要になる。
【0022】
以下、図4および図5を参照しつつ、周期分極反転構造13が形成された後の、波長変換デバイス製造工程について説明する。
【0023】
図4は、波長変換デバイス製造工程において、基材1に固定用基板16が接合された状態を示す。基材1の表面1aに、固定用基板16を接合層15を介して接合する。図4では、図2とは異なり、表面1aが下側を向いている。14は、形成すべき三次元光導波路の平面的パターンを示す。固定用基板への接合後に基材1を裏面1b側から加工し、薄くする。しかし、この段階では、光を厚さ方向に閉じ込め得る寸法まで基材1を薄くすることは困難である。このため、光導波路パターン14の縁14bから縁14cまでを残して、その両端の除去部25Aおよび25Bを一部または全部除去する。
【0024】
この加工の際に光導波路14aの厚さを調節する。こうした加工は、例えばダイシング加工装置やレーザー加工装置によって可能である。
【0025】
図5は、リッジ型の光導波路20が形成された波長変換デバイス17を示す図である。基材1から除去部25A、25Bが除去された結果、三次元光導波路20が形成されている。本例では、光導波路20の両側には、それぞれ、相対的に薄い平板部22が残留している。
【0026】
むろん、基材1の表面1a側から加工を行い、光導波路を形成することもできる。また、光導波路は、プロトン交換光導波路のようなイオン交換法によって形成された光導波路であってよい。また、チタン拡散光導波路のような、内拡散法によって形成された光導波路であってよい。
【0027】
上記の実施形態においては、基材1を接合層15によって固定用基板16に対して接着している。この場合には、接合層15の屈折率は基材1の屈折率よりも低いことが好ましく、また接合層15は非晶質であることが好ましい。接合層15の屈折率と基材1の屈折率との屈折率差は、5%以上であることが好ましく、10%以上であることが更に好ましい。
【0028】
接合層15の材質は、有機樹脂やガラス(特に好ましくは低融点ガラス)が好ましい。有機樹脂としては、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン樹脂等を例示できる。ガラスとしては、酸化珪素を主成分とする低融点ガラスが好ましい。
【0029】
電極や周期分極反転構造13を形成するためのマスクパターンを形成する材質としては、レジスト、SiO2、Ta等を例示できる。マスクパターンを形成する方法としては、フォトリソグラフィー法を例示できる。
【0030】
固定用基板16の材質は特に限定されず、所定の構造強度を有していればよい。ただし、光導波路と熱膨張係数等の物性値が近い方が好ましく、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体、ニオブ酸カリウムリチウム、タンタル酸カリウムリチウム、ニオブ酸カリウムリチウム−タンタル酸カリウムリチウム固溶体の各単結晶が特に好ましい。
【0031】
本発明の素子を第二高調波発生装置として使用した場合には、高調波の波長は330−1600nmが好ましく、400−430nmが特に好ましい。
【0032】
上記の各例においては、基材1を、例えば5°オフカット基板としたが、このオフカット角度は特に限定されない。特に好ましくは、オフカット角度は1°以上であり、あるいは、20°以下である。
【0033】
また、基材1として、いわゆるXカット基板、Yカット基板、Zカット基板を使用可能である。Xカット基板やYカット基板を使用する場合には、電極4A、26を裏面1bに設けず、表面1a上に設け、櫛形電極9、4Bと電極4A、26との間に電圧を印加することができる。この場合には、対向電極5はなくともよいが、浮動電極として残しておいても良い。また、Zカット基板を使用する場合には、一様電極4A、26を裏面1b上に設け、櫛形電極9、4Bと一様電極4A、26との間に電圧を印加することができる。この場合には、対向電極5は必ずしも必要ないが、浮動電極として残しておいても良い。
【0034】
【実施例】
以下、具体的な実験結果について述べる。
図1、図2および図3(a)を参照しつつ説明した方法に従い、周期分極反転構造を形成した。具体的には、直径φ3インチ×厚さ1.0mmの、マグネシウムを5%ドープしたニオブ酸リチウム単結晶からなる基材1を準備した。この基材1を真空チャンバ内に設置し、アルゴンガスをチャンバに流量50sccmで導入し、高周波プラズマを発生させた。この際、基材にバイアス電圧50Wを印加することによって、アルゴンイオンを基材1の裏面1b側に照射した。この処理を10分間行うことによって、基材の裏面に低抵抗部4Aを形成した。
【0035】
なお、マグネシウムを5%ドープしたニオブ酸リチウム単結晶のシート抵抗は数百MΩ/□以上であり、低抵抗部4Aのシート抵抗は20kΩ/□であった。なお、タンタルのシート抵抗は20Ω/□である。
【0036】
フォトリソグラフィー法によって金属タンタルからなる櫛形電極9、対向電極5を形成した。電極片9cのピッチは、波長400nm近辺のSHG光を得るために、3μmとした。電源から4.0kVのパルス状の電圧(パルス幅20msec、25ヘルツ、パルス回数6回、印加電流の上限値は2mA)を発生させ、周期分極反転構造13を形成した。
【0037】
この結果、一様電極4Aをタンタル膜によって形成した場合と同等の輪郭を有する周期分極反転構造が得られた。
【図面の簡単な説明】
【図1】 (a)は、マスク2の形成された光部品用基材1に対してイオンを照射している状態を示し、(b)は、低抵抗部4が形成された基材1を示し、(c)は,マスク2を除去した後の基材1を示す。
【図2】 電圧印加法による周期分極反転構造の形成プロセスを説明するための、光部品用基材1の斜視図である。
【図3】 (a)、(b)は、それぞれ、基材1、櫛形電極9、4Bおよび一様電極4A、26の形態を例示する断面図である。
【図4】 周期分極反転構造が形成された後の基材1と、基材1に接合された固定用基板16とを示す斜視図である。
【図5】 リッジ型の三次元光導波路20が形成された光導波路素子17を示す斜視図である。
【符号の説明】
1 光部品用基材 1a 光部品用基材1の表面 1b 光部品用基材1の裏面 2 マスク 3 マスク2の開口 4 低抵抗部 4A 一様電極として機能する低抵抗部 4B 櫛形電極として機能する低抵抗部 5 対向電極 6 分極反転部 7 非分極反転部 9 櫛形電極 13 周期分極反転構造 14 三次元光導波路の設計パターン 15 接合層 16 固定用基板 17 光導波路素子 20 三次元光導波路 A イオン照射
Claims (1)
- マグネシウムのドープされたニオブ酸リチウム単結晶からなる光部品用基材に、プラズマエッチング方式でアルゴンイオンを照射することによって櫛形電極または一様電極を形成する工程、および
前記櫛形電極と前記一様電極との間に電圧を印加することによって、前記光部品用基材に周期分極反転構造を形成する工程
を有することを特徴とする、周期分極反転構造の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002184969A JP3946092B2 (ja) | 2002-06-25 | 2002-06-25 | 周期分極反転構造の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002184969A JP3946092B2 (ja) | 2002-06-25 | 2002-06-25 | 周期分極反転構造の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004029348A JP2004029348A (ja) | 2004-01-29 |
JP3946092B2 true JP3946092B2 (ja) | 2007-07-18 |
Family
ID=31180750
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002184969A Expired - Lifetime JP3946092B2 (ja) | 2002-06-25 | 2002-06-25 | 周期分極反転構造の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3946092B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005258348A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Ngk Insulators Ltd | 周期分極反転構造の製造方法および周期分極反転構造 |
JP5407317B2 (ja) * | 2008-12-17 | 2014-02-05 | 富士電機株式会社 | 分極反転領域の形成方法、及び擬似位相整合素子の製造方法 |
JP5867794B2 (ja) * | 2009-03-13 | 2016-02-24 | イーエイチエス レンズ フィリピン インク | 眼鏡レンズの製造方法および光学物品の製造方法 |
JP2012032690A (ja) * | 2010-08-02 | 2012-02-16 | Seiko Epson Corp | 光学物品およびその製造方法 |
-
2002
- 2002-06-25 JP JP2002184969A patent/JP3946092B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004029348A (ja) | 2004-01-29 |
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Date | Code | Title | Description |
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