JPH0425530A - シロキサンポリマー及びレジスト組成物 - Google Patents
シロキサンポリマー及びレジスト組成物Info
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- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 38
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 23
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 36
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 24
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims abstract description 23
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 claims abstract description 18
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 5
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 5
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 4
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 4
- 150000001244 carboxylic acid anhydrides Chemical group 0.000 claims description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 40
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 24
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 13
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract description 11
- FGOFFIDUROZJKX-UHFFFAOYSA-N 5-trimethoxysilyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=CC([Si](OC)(OC)OC)CC2C(=O)OC(=O)C12 FGOFFIDUROZJKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract description 5
- 150000008064 anhydrides Chemical group 0.000 abstract 2
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 32
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 31
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 31
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000000047 product Substances 0.000 description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 12
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005886 esterification reaction Methods 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 8
- 230000032050 esterification Effects 0.000 description 8
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 8
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 8
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 6
- NGNBDVOYPDDBFK-UHFFFAOYSA-N 2-[2,4-di(pentan-2-yl)phenoxy]acetyl chloride Chemical compound CCCC(C)C1=CC=C(OCC(Cl)=O)C(C(C)CCC)=C1 NGNBDVOYPDDBFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 3
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 3
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 10H-phenothiazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3SC2=C1 WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CMQUQOHNANGDOR-UHFFFAOYSA-N 2,3-dibromo-4-(2,4-dibromo-5-hydroxyphenyl)phenol Chemical compound BrC1=C(Br)C(O)=CC=C1C1=CC(O)=C(Br)C=C1Br CMQUQOHNANGDOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GKCIYWGRVZKDNC-UHFFFAOYSA-N 5-tri(propan-2-yloxy)silyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=CC([Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C)CC2C(=O)OC(=O)C12 GKCIYWGRVZKDNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 2
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229950000688 phenothiazine Drugs 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBOHMJWDFPBPKD-UHFFFAOYSA-N 1-[chloro(diphenyl)methyl]-4-methoxybenzene Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C(Cl)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 OBOHMJWDFPBPKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBWYRBLDOOOJEU-UHFFFAOYSA-N 1-[chloro-(4-methoxyphenyl)-phenylmethyl]-4-methoxybenzene Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C(Cl)(C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=CC=C1 JBWYRBLDOOOJEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VUBUXALTYMBEQO-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoro-1-phenylpropan-1-one Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(=O)C1=CC=CC=C1 VUBUXALTYMBEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 2-Methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCQBZYNUSLHVJC-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCS DCQBZYNUSLHVJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBQYMXVQHATSCC-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropanenitrile Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCC#N GBQYMXVQHATSCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002103 4,4'-dimethoxytriphenylmethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C(*)(C1=C([H])C([H])=C(OC([H])([H])[H])C([H])=C1[H])C1=C([H])C([H])=C(OC([H])([H])[H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- NDBJTKNWAOXLHS-UHFFFAOYSA-N 4-methoxybenzenediazonium Chemical compound COC1=CC=C([N+]#N)C=C1 NDBJTKNWAOXLHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXKQPQOOZSXQAG-UHFFFAOYSA-N 4-methyltriazine Chemical class CC1=CC=NN=N1 FXKQPQOOZSXQAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEDLRBJCZFLMEO-UHFFFAOYSA-N 5-triethoxysilyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=CC([Si](OCC)(OCC)OCC)CC2C(=O)OC(=O)C12 GEDLRBJCZFLMEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVAPLCJFEZISRD-UHFFFAOYSA-N 5-trimethoxysilylcyclohex-3-ene-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1CC(C(O)=O)C(C(O)=O)C=C1 LVAPLCJFEZISRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017049 AsF5 Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(ethenyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)C=C NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 150000001361 allenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- YBGKQGSCGDNZIB-UHFFFAOYSA-N arsenic pentafluoride Chemical compound F[As](F)(F)(F)F YBGKQGSCGDNZIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- VMXIDMUUJLXTBI-UHFFFAOYSA-M bis(1-butylcyclohexa-2,4-dien-1-yl)iodanium trifluoromethanesulfonate Chemical compound S(=O)(=O)(C(F)(F)F)[O-].C(CCC)C1(CC=CC=C1)[I+]C1(CC=CC=C1)CCCC VMXIDMUUJLXTBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FQEKAFQSVPLXON-UHFFFAOYSA-N butyl(trichloro)silane Chemical compound CCCC[Si](Cl)(Cl)Cl FQEKAFQSVPLXON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- OSXYHAQZDCICNX-UHFFFAOYSA-N dichloro(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 OSXYHAQZDCICNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CVQVSVBUMVSJES-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-phenylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C1=CC=CC=C1 CVQVSVBUMVSJES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUINFYCIIMWIDS-UHFFFAOYSA-N dimethoxymethyl(propyl)silane Chemical compound CCC[SiH2]C(OC)OC FUINFYCIIMWIDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZLBDYMWFAHSOQ-UHFFFAOYSA-N diphenyliodanium Chemical compound C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1 OZLBDYMWFAHSOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOXXJEVNDJOOLV-UHFFFAOYSA-N ethenyl-tris(2-methoxyethoxy)silane Chemical compound COCCO[Si](OCCOC)(OCCOC)C=C WOXXJEVNDJOOLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N hexyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OC)(OC)OC CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- RJMRIDVWCWSWFR-UHFFFAOYSA-N methyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](C)(OCCC)OCCC RJMRIDVWCWSWFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJFGIBAYRIRNOV-UHFFFAOYSA-N n-(2-methylpropyl)-2-[(5-thiophen-2-yl-1,2-oxazol-3-yl)methoxy]acetamide Chemical compound O1N=C(COCC(=O)NCC(C)C)C=C1C1=CC=CS1 UJFGIBAYRIRNOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DVYVMJLSUSGYMH-UHFFFAOYSA-N n-methyl-3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CNCCC[Si](OC)(OC)OC DVYVMJLSUSGYMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAHVZNKZQFSBFW-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-trimethylsilylmethanamine Chemical compound CN(C)[Si](C)(C)C KAHVZNKZQFSBFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-dione;diazide Chemical compound [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 239000005054 phenyltrichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 235000011118 potassium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C=C GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOYFEXPFPVDYIS-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethyl)silane Chemical compound CC[Si](Cl)(Cl)Cl ZOYFEXPFPVDYIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N trichloro(phenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003866 trichloromethyl group Chemical group ClC(Cl)(Cl)* 0.000 description 1
- DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(ethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)OCC DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMFJXASDGBJDEB-UHFFFAOYSA-N triethoxy(prop-2-enyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC=C)(OCC)OCC UMFJXASDGBJDEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N triethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OCC)(OCC)OCC NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N triphenylsulfonium Chemical compound C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012953 triphenylsulfonium Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はポジパターンを高精度に再現し、かつ酸素プラ
ズマ耐性の高い高エネルギー線用のレジスト組成物に関
する。
ズマ耐性の高い高エネルギー線用のレジスト組成物に関
する。
ノボラック樹脂と感光剤のナフトキノンジアジドから成
るポジ形の7オトレジストは、高感度、高解像度、アル
カリ可溶性等の特徴を持つため、リソグラフィの分野に
おいて最近用いられている。さて、2層レジスト[B、
J、リン(B、J。
るポジ形の7オトレジストは、高感度、高解像度、アル
カリ可溶性等の特徴を持つため、リソグラフィの分野に
おいて最近用いられている。さて、2層レジスト[B、
J、リン(B、J。
Lin)、ソリッド ステート テクノ′ロジー(So
lid 5tate Technol、)、第24巻、
第73頁(1981)]において、高形状比のパターン
は下層レジスト上に形成したレジスト薄膜の微細パター
ンをマスクとし、酸素プラズマエツチング(0,RIB
)で異方性エツチングすることによって得られている。
lid 5tate Technol、)、第24巻、
第73頁(1981)]において、高形状比のパターン
は下層レジスト上に形成したレジスト薄膜の微細パター
ンをマスクとし、酸素プラズマエツチング(0,RIB
)で異方性エツチングすることによって得られている。
この02RIB耐性はレジスト材料にとって極めて重要
視されるようになっており、O□RIBにより酸化物を
形成するような材料、一般にはケイ素(シリコン)を含
む材料が0、RIB耐性に優れているとされている。し
かるに、現用の7オトレジストは、シリコン成分を含ん
でいないため0□RIB耐性が悪い欠点があった。これ
を解決するため、ポリシロキサン系のレジスト材料が提
案されているが、この種の材料は一般にガラス転移温度
が低く、このため加工時にほこりが付き易い、膜厚制御
が困難、現像時のパターン変形による現像性低下などの
プロセスとの適合性に大きな問題があった。
視されるようになっており、O□RIBにより酸化物を
形成するような材料、一般にはケイ素(シリコン)を含
む材料が0、RIB耐性に優れているとされている。し
かるに、現用の7オトレジストは、シリコン成分を含ん
でいないため0□RIB耐性が悪い欠点があった。これ
を解決するため、ポリシロキサン系のレジスト材料が提
案されているが、この種の材料は一般にガラス転移温度
が低く、このため加工時にほこりが付き易い、膜厚制御
が困難、現像時のパターン変形による現像性低下などの
プロセスとの適合性に大きな問題があった。
したがって、ガラス転移温度が高く、また、02RIB
耐性に優れ、かつ、アルカリ現像タイプのレジスト材料
が期待されている。また、遠紫外線用材料には遠紫外線
領域における吸収が小さいものが要求されている。
耐性に優れ、かつ、アルカリ現像タイプのレジスト材料
が期待されている。また、遠紫外線用材料には遠紫外線
領域における吸収が小さいものが要求されている。
本発明の目的は、前記課題を解決したシロキサンポリマ
ー及びレジスト組成物を提供することにある。
ー及びレジスト組成物を提供することにある。
本発明を概説すれば、本発明の第1の発明はシロキサン
ポリマーに関する発明であって、カルボン酸基あるいは
カルボン酸無水物基を有するアルコキシシランの加水分
解・縮合によって得られるポリシロキサンのカルボン酸
の全部あるいは一部をエステル化したことを特徴とする
。
ポリマーに関する発明であって、カルボン酸基あるいは
カルボン酸無水物基を有するアルコキシシランの加水分
解・縮合によって得られるポリシロキサンのカルボン酸
の全部あるいは一部をエステル化したことを特徴とする
。
そして、本発明の第2の発明はレジスト組成物に関する
発明であって、第1の発明のシロキサンポリマーと酸発
生剤とを包含してなることを特徴とする。
発明であって、第1の発明のシロキサンポリマーと酸発
生剤とを包含してなることを特徴とする。
本発明は、前記の問題点を解決するた約に、まず、シロ
キサン結合を骨格構造とすることにより0.RIE耐性
を高め、多官能アルコキシドを原料とし、梯子型のシロ
キサン構造をとることによりガラス転移温度を高t、ま
た、エステルが高エネルギー線照射により、アルカリ溶
解性のカルボキシル基に変化することによりアルカリ現
像が可能となるものである。
キサン結合を骨格構造とすることにより0.RIE耐性
を高め、多官能アルコキシドを原料とし、梯子型のシロ
キサン構造をとることによりガラス転移温度を高t、ま
た、エステルが高エネルギー線照射により、アルカリ溶
解性のカルボキシル基に変化することによりアルカリ現
像が可能となるものである。
本発明のシロキサンポリマーは一般には次のような方法
によって合成される。まず、特定のアルコキシシランを
エタノールなどのアルコールに溶解し、これに水と塩酸
などの触媒を加える。この触媒は場合によっては除いて
もよい。
によって合成される。まず、特定のアルコキシシランを
エタノールなどのアルコールに溶解し、これに水と塩酸
などの触媒を加える。この触媒は場合によっては除いて
もよい。
この反応は常温で進行するが、必要に応じて加熱しても
よい。所定時間経過後、反応溶液を水中に投入し、沈殿
した生成物をろ別した後乾燥する。更に高重合体を所望
する場合には、生成物を適当な溶媒中、アルカリ触媒な
どにより更に反応を進めれば良い。あるいは、バルク状
で更に加熱して縮合を進める方法も有効である。
よい。所定時間経過後、反応溶液を水中に投入し、沈殿
した生成物をろ別した後乾燥する。更に高重合体を所望
する場合には、生成物を適当な溶媒中、アルカリ触媒な
どにより更に反応を進めれば良い。あるいは、バルク状
で更に加熱して縮合を進める方法も有効である。
得られたポリシロキサンのカルボン酸のエステル化は一
般に行われているエステル化反応がすべて適用できる。
般に行われているエステル化反応がすべて適用できる。
すなわち、カルボン酸とアルコールの反応、カルボン酸
を酸クロライドとしたのちナトリウムなどの金属アルコ
ラードとの反応、カルボン酸をカリウムなどの金属塩に
したのちハロゲン化炭化水素との反応などが挙げられる
。
を酸クロライドとしたのちナトリウムなどの金属アルコ
ラードとの反応、カルボン酸をカリウムなどの金属塩に
したのちハロゲン化炭化水素との反応などが挙げられる
。
また、本発明の金属アルコキシドの加水分解・縮合によ
って得られたポリシロキサンは、般に末端にシラノール
基を有するため、これが縮合を起こし経時的に特性が変
化しつる可能性がある。これを避けるた約には、シリル
化剤によりシラノール基を他の非反応性の置換基に置換
することができる。
って得られたポリシロキサンは、般に末端にシラノール
基を有するため、これが縮合を起こし経時的に特性が変
化しつる可能性がある。これを避けるた約には、シリル
化剤によりシラノール基を他の非反応性の置換基に置換
することができる。
本発明において用いられるカルボン酸基あるいはカルボ
ン酸無水物基を有する多官能金属アルコキシドは特に限
定するものではなく、分子中に、カルボン酸基あるいは
カルボン酸無水物基を持つ2官能あるいは3官能のアル
コキシシランである。
ン酸無水物基を有する多官能金属アルコキシドは特に限
定するものではなく、分子中に、カルボン酸基あるいは
カルボン酸無水物基を持つ2官能あるいは3官能のアル
コキシシランである。
具体的には、4−トリメトキシシリルテトラヒドロフタ
ル酸無水物、4−トリエトキシシリルテトラヒドロフタ
ル酸無水物、4−トリイソプロポキシシリルテトラヒド
ロフタル酸無水物、4−トリメトキシシリルテトラヒド
ロフタル酸、4−トリエトキシシリルテトラヒドロフタ
ル酸、4−トリイソプロポ牛シシリルテトラヒドロフタ
ル酸等が例示される。
ル酸無水物、4−トリエトキシシリルテトラヒドロフタ
ル酸無水物、4−トリイソプロポキシシリルテトラヒド
ロフタル酸無水物、4−トリメトキシシリルテトラヒド
ロフタル酸、4−トリエトキシシリルテトラヒドロフタ
ル酸、4−トリイソプロポ牛シシリルテトラヒドロフタ
ル酸等が例示される。
また、本発明にはカルボン酸基あるいはカルボン酸無水
物基を有する金属アルコキシシランと、汎用の金属アル
コキシドあるいは金属塩化物との共重合によって得られ
るポリシロキサンも含まれる。この種の汎用の金属アル
コキシドは特に限定するものではないが、次のようなも
のが例示される。ジメトキシジメチルシラン、ジェトキ
シジメチルシラン、ジメトキシメチル3.3.3−)リ
フルオロプロピルシラン、ジ工トキシジビニルシラン、
ジェトキシジエチルシラン、3−アミノプロピルジェト
キシメチルシラン、3− (2−7ミノエチルアミノ)
プロピルジメトキシメチルシラン、ジメトキシメチルフ
ェニルシラン、ジェトキシメチルフェニルシラン、ジメ
トキシジフェニルシラン、ジェトキシジフェニルシラン
、トリス−(2−メトキシエトキシ)ビニルシラン、メ
チルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、
3.3.3−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン
、メチルトリエトキシシラン、3−(N−メチルアミノ
)プロピルトリメトキシシラン、メチルトリス−(2−
アミノエトキシ)シラン、トリアセトキシビニルシラン
、トリエトキシビニルシラン、エチルトリエトキシシラ
ン、3−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、3−
(2−アミノエチルアミノ)プロピルトリメトキシシラ
ン、フェニルトリメトキシシラン、2−シアノエチルト
リエトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、3−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシラン、プロピルトリ
エトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、3−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン、3−メタクリロキシ
プロピルトリメトキシシラン、メチルトリプロポキシシ
ラン、フェニルトリエトキシシラン、3−〔N−アリル
−N−(2−アミノエチル)〕アミノプロピルトリメト
キシシラン、3−(Nアリル−N−グリシジル)アミノ
プロピルトリメトキシシラン、3−(N、N−ジグリシ
ジル)゛rミノプロピルトリメトキシシラン。これらの
うち、特に好ましいのは、原料の入手しやすさ、 反応
性、得られた生成物の特性等の点から、フェニルトリエ
トキシシラン及びメチルトリエトキシシランである。ま
た、金属塩化物としては、n−ブチルトリクロロシラン
、ジメチルジクロロシラン、エチルトリクロロシラン、
メチルトリクロロシラン、フェニルトリクロロシラン、
トリクロロビニルシラン、ジフェニルジクロロシラン等
が例示される。本発明のシロキサンポリマーは1μmの
厚さで248 nmにおける光の透過率は90%以上で
あり、またフェニルトリエトキシシランを共重合させた
場合でも70%以上であり、エキシマレーザ用レジスト
として有望である。
物基を有する金属アルコキシシランと、汎用の金属アル
コキシドあるいは金属塩化物との共重合によって得られ
るポリシロキサンも含まれる。この種の汎用の金属アル
コキシドは特に限定するものではないが、次のようなも
のが例示される。ジメトキシジメチルシラン、ジェトキ
シジメチルシラン、ジメトキシメチル3.3.3−)リ
フルオロプロピルシラン、ジ工トキシジビニルシラン、
ジェトキシジエチルシラン、3−アミノプロピルジェト
キシメチルシラン、3− (2−7ミノエチルアミノ)
プロピルジメトキシメチルシラン、ジメトキシメチルフ
ェニルシラン、ジェトキシメチルフェニルシラン、ジメ
トキシジフェニルシラン、ジェトキシジフェニルシラン
、トリス−(2−メトキシエトキシ)ビニルシラン、メ
チルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、
3.3.3−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン
、メチルトリエトキシシラン、3−(N−メチルアミノ
)プロピルトリメトキシシラン、メチルトリス−(2−
アミノエトキシ)シラン、トリアセトキシビニルシラン
、トリエトキシビニルシラン、エチルトリエトキシシラ
ン、3−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、3−
(2−アミノエチルアミノ)プロピルトリメトキシシラ
ン、フェニルトリメトキシシラン、2−シアノエチルト
リエトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、3−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシラン、プロピルトリ
エトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、3−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン、3−メタクリロキシ
プロピルトリメトキシシラン、メチルトリプロポキシシ
ラン、フェニルトリエトキシシラン、3−〔N−アリル
−N−(2−アミノエチル)〕アミノプロピルトリメト
キシシラン、3−(Nアリル−N−グリシジル)アミノ
プロピルトリメトキシシラン、3−(N、N−ジグリシ
ジル)゛rミノプロピルトリメトキシシラン。これらの
うち、特に好ましいのは、原料の入手しやすさ、 反応
性、得られた生成物の特性等の点から、フェニルトリエ
トキシシラン及びメチルトリエトキシシランである。ま
た、金属塩化物としては、n−ブチルトリクロロシラン
、ジメチルジクロロシラン、エチルトリクロロシラン、
メチルトリクロロシラン、フェニルトリクロロシラン、
トリクロロビニルシラン、ジフェニルジクロロシラン等
が例示される。本発明のシロキサンポリマーは1μmの
厚さで248 nmにおける光の透過率は90%以上で
あり、またフェニルトリエトキシシランを共重合させた
場合でも70%以上であり、エキシマレーザ用レジスト
として有望である。
本発明において用いられる加水分解・縮合の触媒は特に
限定するものではなく、酸触媒及びアルカリ触媒が用い
られる。このような酸触媒としては、塩酸、フッ化水素
酸、硝酸、硫酸等が例示される。また、アルカリ触媒と
しては、アンモニア、苛性ソーダ、苛性カリ等が例示さ
れる。
限定するものではなく、酸触媒及びアルカリ触媒が用い
られる。このような酸触媒としては、塩酸、フッ化水素
酸、硝酸、硫酸等が例示される。また、アルカリ触媒と
しては、アンモニア、苛性ソーダ、苛性カリ等が例示さ
れる。
第1の発明のシロキサンポリマーは適当な酸発生剤との
組合せで様々な用途に応用できる。
組合せで様々な用途に応用できる。
本発明の第2の発明はこのような組合せの1つであり、
シロキサンポリマーと酸発生剤とから成るレジスト組成
物に関するものである。第1の発明のシロキサンポリマ
ーはカルボン酸の全部あるいは一部がエステル化されて
いるためにアルカリ水溶液には難溶性であるが、電子線
などの高エネルギー線の照射により酸発生剤から生成す
る酸を触媒としてエステルが容易に加水分解し、アルカ
リ可溶性のカルボン酸に変化する。すなわち、本発明の
レジスト組成物は高エネルギー線照射により、照射部分
のシロキサンポリマーが相応するカルボン酸となり、照
射部はアルカリ現像で除去されるためポジ型レジスト特
性を示す。
シロキサンポリマーと酸発生剤とから成るレジスト組成
物に関するものである。第1の発明のシロキサンポリマ
ーはカルボン酸の全部あるいは一部がエステル化されて
いるためにアルカリ水溶液には難溶性であるが、電子線
などの高エネルギー線の照射により酸発生剤から生成す
る酸を触媒としてエステルが容易に加水分解し、アルカ
リ可溶性のカルボン酸に変化する。すなわち、本発明の
レジスト組成物は高エネルギー線照射により、照射部分
のシロキサンポリマーが相応するカルボン酸となり、照
射部はアルカリ現像で除去されるためポジ型レジスト特
性を示す。
このレジスト組成物において酸発生剤は、アルカリ液に
対するシロキサンポリマーの溶解防止剤としての役割も
果す。酸発生剤の添加量は、通常0.5〜20重量%の
範囲であり、0.5%未満では発生する酸の量が少ない
。このため、高感度化が困難となる。また20%を越え
るとレジスト材料としてのシリコン含有率が低下し、酸
素プラズマ耐性が低下する。また、248nmでの吸収
が大きくなる問題がある。一般には5%程度が好ましい
添加量である。
対するシロキサンポリマーの溶解防止剤としての役割も
果す。酸発生剤の添加量は、通常0.5〜20重量%の
範囲であり、0.5%未満では発生する酸の量が少ない
。このため、高感度化が困難となる。また20%を越え
るとレジスト材料としてのシリコン含有率が低下し、酸
素プラズマ耐性が低下する。また、248nmでの吸収
が大きくなる問題がある。一般には5%程度が好ましい
添加量である。
本発明における酸発生剤とは特に限定するものではない
が、下記−船蔵■、■、■:ArN=”MXn−(1) Arzl”MXn−(II ) Ar3S”MXn−(m ) (式中MXnはBF、、PF6、AsF5及びSbF、
の群から選択された1種を示す)で表されるオニウム塩
あるいはハロゲン化メチルトリアジン、テトラブロモビ
スフェノールA1ニトロベンジルエステル化物などが使
用できる。酸発生剤の中には波長が300nm以上の紫
外線には低感度のものがあるが、その場合、フェノチア
ジンのような分光増感剤を添加することも可能である。
が、下記−船蔵■、■、■:ArN=”MXn−(1) Arzl”MXn−(II ) Ar3S”MXn−(m ) (式中MXnはBF、、PF6、AsF5及びSbF、
の群から選択された1種を示す)で表されるオニウム塩
あるいはハロゲン化メチルトリアジン、テトラブロモビ
スフェノールA1ニトロベンジルエステル化物などが使
用できる。酸発生剤の中には波長が300nm以上の紫
外線には低感度のものがあるが、その場合、フェノチア
ジンのような分光増感剤を添加することも可能である。
次に、本発明のレジスト組成物を用いて、パターンを形
成する方法の1例を述べる。まず、シリコンなどの基板
上に有機高分子材料の膜を形成し、その上に本発明のレ
ジスト組成物を塗布して2層構造とする。次いで熱処理
した後、高エネルギー線照射したのち、熱処理によりエ
ステルの加水分解を促進させ照射部分をアルカリ水溶液
に可溶性とし、次いでアルカリ現像により照射部のレジ
スト組成物を除去する。次に、非照射部のレジスト組成
物をマスクとし、酸素ガスを用いるドライエツチングに
よって、下層の有機高分子膜をエツチング除去すること
により、パターンを形成する。上記の有機高分子材料と
しては、酸素プラズマによりエツチングされるものであ
ればその種類を問わないが、パターン形成後、これをマ
スクとして基板をドライエツチングする際、耐性が必要
とされるため、芳香族含有ポリマーが望ましい。
成する方法の1例を述べる。まず、シリコンなどの基板
上に有機高分子材料の膜を形成し、その上に本発明のレ
ジスト組成物を塗布して2層構造とする。次いで熱処理
した後、高エネルギー線照射したのち、熱処理によりエ
ステルの加水分解を促進させ照射部分をアルカリ水溶液
に可溶性とし、次いでアルカリ現像により照射部のレジ
スト組成物を除去する。次に、非照射部のレジスト組成
物をマスクとし、酸素ガスを用いるドライエツチングに
よって、下層の有機高分子膜をエツチング除去すること
により、パターンを形成する。上記の有機高分子材料と
しては、酸素プラズマによりエツチングされるものであ
ればその種類を問わないが、パターン形成後、これをマ
スクとして基板をドライエツチングする際、耐性が必要
とされるため、芳香族含有ポリマーが望ましい。
以下に、本発明品の合成例及び実施例により本発明を更
に具体的に説明するが、本発明はこれら各側に限定され
ない。
に具体的に説明するが、本発明はこれら各側に限定され
ない。
以下にシロキサンポリマーの合成例を示す。
合成例1
4−トリメトキシシリルテトラヒドロフタル酸無水物2
7.2g(0,1モル)をエタノールに溶解し、かくは
んしながらこれに塩酸水溶液を添加した。常温で144
時間反応させた後、反応溶液を蒸留水中に投入し、生成
した沈殿物をろ別し白色のポリシロキサンを得た。生成
物はテトラヒドロフラン(THF)、エタノール、エチ
レングリコールモノエチルエーテル(エチルセロソルブ
) メチルイソブチルケトン(MIBK) アセトン
等の溶媒に可溶であった。
7.2g(0,1モル)をエタノールに溶解し、かくは
んしながらこれに塩酸水溶液を添加した。常温で144
時間反応させた後、反応溶液を蒸留水中に投入し、生成
した沈殿物をろ別し白色のポリシロキサンを得た。生成
物はテトラヒドロフラン(THF)、エタノール、エチ
レングリコールモノエチルエーテル(エチルセロソルブ
) メチルイソブチルケトン(MIBK) アセトン
等の溶媒に可溶であった。
これらの溶液からは透明で均一な膜が得られた。
重量平均分子量は約1000であった。赤外吸収スペク
トルにおいて1700〜1750cm−’付近にC=0
(カルボン酸)の伸縮振動に基づく吸収が認められ、カ
ルボキシル基の導入が確認された。
トルにおいて1700〜1750cm−’付近にC=0
(カルボン酸)の伸縮振動に基づく吸収が認められ、カ
ルボキシル基の導入が確認された。
これとイソブチンをトルエンスルホン酸を触媒として反
応させることにより、ターシャリブチルエステル化され
たシロキサンポリマーを得た。エステル化に伴いカルボ
ン酸の吸収は高波数側にシフトした。248 nmにお
ける光の透過率は92%(1μm厚さ)であった。カル
ボン酸基を酸クロライドにしたのち、ターシャリブチル
アルコラードと反応させた場合もターシャリブチルエス
テル化されることを確認した。
応させることにより、ターシャリブチルエステル化され
たシロキサンポリマーを得た。エステル化に伴いカルボ
ン酸の吸収は高波数側にシフトした。248 nmにお
ける光の透過率は92%(1μm厚さ)であった。カル
ボン酸基を酸クロライドにしたのち、ターシャリブチル
アルコラードと反応させた場合もターシャリブチルエス
テル化されることを確認した。
合成例2
合成例1で得られたカルボン酸基を有するポリシロキサ
ンを酸クロライドとし、○−ニトロベンジルアルコラー
ドと反応させることにより、0−ニトロベンジルエステ
ル化されたシロキサンポリマーを得た。赤外吸収スペク
トルによりエステル化されたことを確認した。
ンを酸クロライドとし、○−ニトロベンジルアルコラー
ドと反応させることにより、0−ニトロベンジルエステ
ル化されたシロキサンポリマーを得た。赤外吸収スペク
トルによりエステル化されたことを確認した。
合成例3
合成例1で得られたカルボン酸基を有するポリシロキサ
ンを酸クロライドとし、ベンジルアルコラードと反応さ
せることにより、ベンジルエステル化されたシロキサン
ポリマーを得た。
ンを酸クロライドとし、ベンジルアルコラードと反応さ
せることにより、ベンジルエステル化されたシロキサン
ポリマーを得た。
赤外吸収スペクトルによりエステル化されたことを確認
した。
した。
合成例4
合成例1で得られたカルボン酸基を有するポリシロキサ
ンを酸クロライドとし、α、α−ジメチルベンジルアル
コラードと反応させることにより、α、α−ジメチルベ
ンジルエステル化されたシロキサンポリマーを得た。赤
外吸収スペクトルによりエステル化されたことを確認し
た。
ンを酸クロライドとし、α、α−ジメチルベンジルアル
コラードと反応させることにより、α、α−ジメチルベ
ンジルエステル化されたシロキサンポリマーを得た。赤
外吸収スペクトルによりエステル化されたことを確認し
た。
合成例5
合成例1で得られたカルボン酸基を有するポリシロキサ
ンをカリウム塩とし、4.4’−ジメトキシトリチルク
ロライドと反応させることにより、4.4′−ジメトキ
シトリチルエステル化されたシロキサンポリマーを得た
。赤外吸収スペクトルによりエステル化されたことを確
認した。
ンをカリウム塩とし、4.4’−ジメトキシトリチルク
ロライドと反応させることにより、4.4′−ジメトキ
シトリチルエステル化されたシロキサンポリマーを得た
。赤外吸収スペクトルによりエステル化されたことを確
認した。
合成例6
合成例1で得られたカルボン酸基を有するポリシロキサ
ンをカリウム塩とし、4−メトキシトリチルクロライド
と反応させることにより、4−メトキシトリチルエステ
ル化されたシロキサンポリマーを得た。赤外吸収スペク
トルによりエステル化されたことを確認した。
ンをカリウム塩とし、4−メトキシトリチルクロライド
と反応させることにより、4−メトキシトリチルエステ
ル化されたシロキサンポリマーを得た。赤外吸収スペク
トルによりエステル化されたことを確認した。
合成例7
4−トリメトキシシリルテトラヒドロフタル酸無水物1
3.6 g (0,05モル)及びフェニルトリエトキ
シシラン12.Og(0,05モル)をエタノールに溶
解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加した。
3.6 g (0,05モル)及びフェニルトリエトキ
シシラン12.Og(0,05モル)をエタノールに溶
解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加した。
常温で144時間反応させた後、反応溶液を蒸留水中に
投入し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマーを得た
。生成物1tTHF、エタノール、エチルセロソルブ、
MIBK、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶であっ
た。これらの溶液からは透明で均一な膜が得られた。生
成物フィルムの赤外スペクトルには1700〜1750
cm−’付近にC=0(カルボン酸)の伸縮振動に基づ
く吸収が認められ、カルボキシル基の導入が確認された
。このカルボン酸基を有するポリシロキサンを合成例1
と同様の方法でターシャリブチルエステル化した。
投入し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマーを得た
。生成物1tTHF、エタノール、エチルセロソルブ、
MIBK、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶であっ
た。これらの溶液からは透明で均一な膜が得られた。生
成物フィルムの赤外スペクトルには1700〜1750
cm−’付近にC=0(カルボン酸)の伸縮振動に基づ
く吸収が認められ、カルボキシル基の導入が確認された
。このカルボン酸基を有するポリシロキサンを合成例1
と同様の方法でターシャリブチルエステル化した。
合成例8
4−トリメトキシシリルテトラヒドロフタル酸無水物1
3.6g(0,05モル)及びフェニルトリエトキシシ
ラン12.og(0,05モル)をエタノールに溶解し
、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加した。常温
で144時間反応させた後、反応溶液を蒸留水中に投入
し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマーを得た。更
に反応溶液をシャーレに移し、窒素雰囲気中90℃で2
4時間、120℃で48時間加熱した。
3.6g(0,05モル)及びフェニルトリエトキシシ
ラン12.og(0,05モル)をエタノールに溶解し
、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加した。常温
で144時間反応させた後、反応溶液を蒸留水中に投入
し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマーを得た。更
に反応溶液をシャーレに移し、窒素雰囲気中90℃で2
4時間、120℃で48時間加熱した。
これにより、重量平均分子量は3000と大きくなった
。生成物はTHF、エタノール、エチルセロソルブ、M
IBK、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶であった
。これらの溶液からは透明で均一な膜が得られた。生成
物フィルムの赤外スペクトルには1700〜1750c
m−’付近にC=0(カルボン酸)の伸縮振動に基づく
吸収が認められ、カルボキシル基の導入が確認された。
。生成物はTHF、エタノール、エチルセロソルブ、M
IBK、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶であった
。これらの溶液からは透明で均一な膜が得られた。生成
物フィルムの赤外スペクトルには1700〜1750c
m−’付近にC=0(カルボン酸)の伸縮振動に基づく
吸収が認められ、カルボキシル基の導入が確認された。
このカルボン酸基を有するポリシロキサンを合成例1と
同様の方法でターシャリブチルエステル化した。
同様の方法でターシャリブチルエステル化した。
合成例9
4−トリメトキシシリルテトラヒドロフタル酸無水物8
.16 g (0,03モル)及びフェニルトリエトキ
シシラン16.8g(0,07モル)をエタノールに溶
解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加した。
.16 g (0,03モル)及びフェニルトリエトキ
シシラン16.8g(0,07モル)をエタノールに溶
解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加した。
常温で144時間反応させた後、溶媒等を除去して生成
物を単離した。
物を単離した。
次に生成物をMIBKを溶媒とし、また触媒に苛性カリ
を用いて窒素気流中で12時間還流した。再沈、中和に
より生成物を精製し白色のポリマーを得た。重量平均分
子量は約20000であった。生成物はTHF、エタノ
ール、エチルセロソルブ、MIBK、アセトン、酢酸エ
チル等の溶媒に可溶であった。これらの溶液からは透明
で均一な膜が得られた。生成物フィルムの赤外スペクト
ルには1700〜1750cm付近にC−0(カルボン
酸)の伸縮振動に基づく吸収が認められ、カルボキシル
基の導入が確認された。このカルボン酸基を有するポリ
シロキサンを合成例1と同様の方法でターシャリブチル
エステル化した。
を用いて窒素気流中で12時間還流した。再沈、中和に
より生成物を精製し白色のポリマーを得た。重量平均分
子量は約20000であった。生成物はTHF、エタノ
ール、エチルセロソルブ、MIBK、アセトン、酢酸エ
チル等の溶媒に可溶であった。これらの溶液からは透明
で均一な膜が得られた。生成物フィルムの赤外スペクト
ルには1700〜1750cm付近にC−0(カルボン
酸)の伸縮振動に基づく吸収が認められ、カルボキシル
基の導入が確認された。このカルボン酸基を有するポリ
シロキサンを合成例1と同様の方法でターシャリブチル
エステル化した。
合成例10
4−トリメトキシシリルテトラヒドロフタル酸無水物1
3.6 g (0,05モル)及びフェニルトリエトキ
シシラン12.Og(0,05モル)をエタノールに溶
解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加した。
3.6 g (0,05モル)及びフェニルトリエトキ
シシラン12.Og(0,05モル)をエタノールに溶
解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加した。
常温で144時間反応させた後、反応溶液を蒸留水中に
投入し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマーを得た
。生成物をMIBKに溶解し、これにトリメチルシリル
ジメチルアミンを溶解したTHF溶液を加え24時間反
応させた。反応溶液をn−へキサンに投入しシリル化し
たポリシロキサンを得た。
投入し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマーを得た
。生成物をMIBKに溶解し、これにトリメチルシリル
ジメチルアミンを溶解したTHF溶液を加え24時間反
応させた。反応溶液をn−へキサンに投入しシリル化し
たポリシロキサンを得た。
生Jlll;!THF、エタノール、エチルセロソルブ
、MIBK、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶であ
った。これらの溶液からは透明で均一な膜が得られた。
、MIBK、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶であ
った。これらの溶液からは透明で均一な膜が得られた。
生成物フィルムの赤外スペクトルには1700〜175
0cm−’付近にC=0(カルボン酸)の伸縮振動に基
づく吸収が認tられ、カルボキシル基の導入が確認され
た。
0cm−’付近にC=0(カルボン酸)の伸縮振動に基
づく吸収が認tられ、カルボキシル基の導入が確認され
た。
このカルボン酸基を有するポリシロキサンを合成例1と
同様の方法でターシャリブチルエステル化した。
同様の方法でターシャリブチルエステル化した。
合成例11
4−トリイソプロポキシシリルテトラヒドロフタル酸無
水物35.6g(0,1モル)をイソプロピルアルコー
ルに溶解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加
した。常温で144時間反応させた後、反応溶液を蒸留
水中に投入し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマー
を得た。
水物35.6g(0,1モル)をイソプロピルアルコー
ルに溶解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加
した。常温で144時間反応させた後、反応溶液を蒸留
水中に投入し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマー
を得た。
生成物はTHF、エタノール、エチルセロソルブ、MI
BK、アセトン等の溶媒に可溶であった。これらの溶液
からは透明で均一な膜が得られた。生成物フィルムの赤
外スペクトルには1700〜1750cm−’付近にC
=0(カルボン酸)の伸縮振動に基づく吸収が認とられ
、カルボキシル基の導入が確認された。このカルボン酸
基を有するポリシロキサンを合成例1と同様の方法でタ
ーシャリブチルエステル化した。
BK、アセトン等の溶媒に可溶であった。これらの溶液
からは透明で均一な膜が得られた。生成物フィルムの赤
外スペクトルには1700〜1750cm−’付近にC
=0(カルボン酸)の伸縮振動に基づく吸収が認とられ
、カルボキシル基の導入が確認された。このカルボン酸
基を有するポリシロキサンを合成例1と同様の方法でタ
ーシャリブチルエステル化した。
合成例12
4−トリメトキシシリルテトラヒドロフタル[1物13
.6 g (0,05モル)及びフェニルトリエトキシ
シラン9.60 g (0,04モル)及びジフェニ
ルジェトキシシラン2.72g(0,01モル)をエタ
ノールに溶解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を
添加した。常温で144時間反応させた後、反応溶液を
蒸留水中に投入し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリ
マーを得た。生成物はTHF、エタノール、エチルセロ
ソルブ、MIBK、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可
溶であった。これらの溶液からは透明で均一な膜が得ら
れた。生成物フィルムの赤外スペクトルには1700〜
1750cm付近にC=0(カルボン酸)の伸縮振動に
基づく吸収が認められ、カルボキシル基の導入が確認さ
れた。このカルボン酸基を有するポリシロキサンを合成
例1と同様の方法でターシャリブチルエステル化した。
.6 g (0,05モル)及びフェニルトリエトキシ
シラン9.60 g (0,04モル)及びジフェニ
ルジェトキシシラン2.72g(0,01モル)をエタ
ノールに溶解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を
添加した。常温で144時間反応させた後、反応溶液を
蒸留水中に投入し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリ
マーを得た。生成物はTHF、エタノール、エチルセロ
ソルブ、MIBK、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可
溶であった。これらの溶液からは透明で均一な膜が得ら
れた。生成物フィルムの赤外スペクトルには1700〜
1750cm付近にC=0(カルボン酸)の伸縮振動に
基づく吸収が認められ、カルボキシル基の導入が確認さ
れた。このカルボン酸基を有するポリシロキサンを合成
例1と同様の方法でターシャリブチルエステル化した。
合成例13
4−トリメトキシシリルテトラヒドロフタル酸無水物1
3.6g(0,05モル)及びフェニルトリエトキシシ
ラン8.9g(0,04モル)、及び3−アミノブロビ
ルトリエトシキシラン2.21g(0,01モル)をエ
タノールに溶解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液
を添加した。常温で144時間反応させた後、反応溶液
を蒸留水中に投入し、生成した沈殿物をろ別し白色のポ
リマーを得た。ギ酸物はTHF、エタノール、エチルセ
ロソルブ、MIBK、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に
可溶であった。これらの溶液からは透明で均一な膜が得
られた。生成物フィルムの赤外スペクトルには1700
〜1750cm−’付近にC=0(カルボン酸)の伸縮
振動に基づく吸収が認tられ、カルボキシル基の導入が
確認された。このカルボン酸基を有するポリシロキサン
を合成例1と同様の方法でターシャリブチルエステル化
した。
3.6g(0,05モル)及びフェニルトリエトキシシ
ラン8.9g(0,04モル)、及び3−アミノブロビ
ルトリエトシキシラン2.21g(0,01モル)をエ
タノールに溶解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液
を添加した。常温で144時間反応させた後、反応溶液
を蒸留水中に投入し、生成した沈殿物をろ別し白色のポ
リマーを得た。ギ酸物はTHF、エタノール、エチルセ
ロソルブ、MIBK、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に
可溶であった。これらの溶液からは透明で均一な膜が得
られた。生成物フィルムの赤外スペクトルには1700
〜1750cm−’付近にC=0(カルボン酸)の伸縮
振動に基づく吸収が認tられ、カルボキシル基の導入が
確認された。このカルボン酸基を有するポリシロキサン
を合成例1と同様の方法でターシャリブチルエステル化
した。
合成例14
4−トリメトキシシリルテトラヒドロフタル酸無水物1
3.6g(0,05モル)及びフェニルトリエトキシシ
ラン12.Og(0,05モル)をエタノールに溶解し
、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加した。しか
る後アンモニア水を添加し反応溶液のpHを10に調節
した。60℃で144時間反応させた後、反応溶液を蒸
留水中に投入し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマ
ーを得た。生成物はTHF、エタノール、エチルセロソ
ルブ、MIBK、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶
であった。これらの溶液からは透明で均一な膜が得られ
た。生成物フィルムの赤外スペクトルには1700〜1
750cm−’付近にC=0(カルボン酸)の伸縮振動
に基づく吸収が認められ、カルボキシル基の導入が確認
された。このカルボン酸基を有するポリシロキサンを合
成例1と同様の方法でターシャリブチルエステル化した
。
3.6g(0,05モル)及びフェニルトリエトキシシ
ラン12.Og(0,05モル)をエタノールに溶解し
、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加した。しか
る後アンモニア水を添加し反応溶液のpHを10に調節
した。60℃で144時間反応させた後、反応溶液を蒸
留水中に投入し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマ
ーを得た。生成物はTHF、エタノール、エチルセロソ
ルブ、MIBK、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶
であった。これらの溶液からは透明で均一な膜が得られ
た。生成物フィルムの赤外スペクトルには1700〜1
750cm−’付近にC=0(カルボン酸)の伸縮振動
に基づく吸収が認められ、カルボキシル基の導入が確認
された。このカルボン酸基を有するポリシロキサンを合
成例1と同様の方法でターシャリブチルエステル化した
。
以下実施例について述べる。
実施例1
合成例1〜14で得たシロキサンポリマーに2.6−シ
ニトロペンジルトシレートを10重量%添加したレジス
ト組成物をスピンコード法により約0.3μ0の厚さで
シリコンウェハに塗布し、80℃で20分プリベークし
た。プリベータ後、高エネルギー線(電子線、X線、遠
紫外線)を照射した。照射後、110℃のホットプレー
ト上で5分間熱処理し、続いてマイクロポリマ)240
1 (シブレイ社製)と水の比が1/1の現像液でそ
れぞれ現像し、照射部の残膜がなくなるところの照射量
り。を感度とした。
ニトロペンジルトシレートを10重量%添加したレジス
ト組成物をスピンコード法により約0.3μ0の厚さで
シリコンウェハに塗布し、80℃で20分プリベークし
た。プリベータ後、高エネルギー線(電子線、X線、遠
紫外線)を照射した。照射後、110℃のホットプレー
ト上で5分間熱処理し、続いてマイクロポリマ)240
1 (シブレイ社製)と水の比が1/1の現像液でそ
れぞれ現像し、照射部の残膜がなくなるところの照射量
り。を感度とした。
表1に感度と解像性を示す。解像性はライン&スペース
パターンを形成して評価し、いずれの材料も0.3μm
以下のパターンが形成できた。
パターンを形成して評価し、いずれの材料も0.3μm
以下のパターンが形成できた。
実施例2
実施例1のレジスト組成物に分光増感剤としてフェノチ
アジンをポリマーに対し、0.5重量%添加したレジス
ト組成物を約0.3μmの厚さでシリコンウェハに塗布
し、80℃で20分間プリベークした。プリベーク後マ
スクアライナ(キャノン社製)を用いて紫外線照射した
。
アジンをポリマーに対し、0.5重量%添加したレジス
ト組成物を約0.3μmの厚さでシリコンウェハに塗布
し、80℃で20分間プリベークした。プリベーク後マ
スクアライナ(キャノン社製)を用いて紫外線照射した
。
照射後、実施例1と同様の方法で熱処理をし、続いて同
じ現像液で現像し、照射部の残膜が0となる照射量を感
度として求めた。
じ現像液で現像し、照射部の残膜が0となる照射量を感
度として求めた。
表2に感度と解像性を示す。解像性はライン&スペース
パターンを形成して評価し、いずれの材料も0.5μm
幅のパターンが形成できた。
パターンを形成して評価し、いずれの材料も0.5μm
幅のパターンが形成できた。
実施例3
シリコンウェハにAZ−1350レジスト(ヘキスト社
製)を3μmの厚さに塗布し、200℃で30分間加熱
し不溶化させた。このAZレジストの上に実施例1ある
いは実施例2で用いたレジスト組成物を約0.3μmの
厚さに塗布し、80℃で20分間プリベークした。プリ
ベータ後、高エネルギー線(実施例1の場合は電子線、
X線、遠紫外線、実施例2の場合は紫外線)を照射し、
実施例1あるいは実施例2と同様の方法で熱処理をし、
続いて同一組成の現像液で現像を行いパターンを形成し
た。その後、平行平板型スパッタエツチング装置で酸素
ガスをエツチングガスとして、また上記レジストパター
ンをマスクとしてAZレジストをエツチングした。RF
パワー0.2 W / cm2.02ガス圧20ミリト
ールの条件で15分エツチングすることにより、レジス
トパターンに覆われていない部分のAZレジストは完全
に消滅した。
製)を3μmの厚さに塗布し、200℃で30分間加熱
し不溶化させた。このAZレジストの上に実施例1ある
いは実施例2で用いたレジスト組成物を約0.3μmの
厚さに塗布し、80℃で20分間プリベークした。プリ
ベータ後、高エネルギー線(実施例1の場合は電子線、
X線、遠紫外線、実施例2の場合は紫外線)を照射し、
実施例1あるいは実施例2と同様の方法で熱処理をし、
続いて同一組成の現像液で現像を行いパターンを形成し
た。その後、平行平板型スパッタエツチング装置で酸素
ガスをエツチングガスとして、また上記レジストパター
ンをマスクとしてAZレジストをエツチングした。RF
パワー0.2 W / cm2.02ガス圧20ミリト
ールの条件で15分エツチングすることにより、レジス
トパターンに覆われていない部分のAZレジストは完全
に消滅した。
また、実施例1で用いたいずれのレジスト組成物でも0
.3μmライン&スペースパターンが約3μmの厚さで
形成でき、実施例2の組成物を用いた場合は0.5μm
のライン&スペースパターンが形成できた。
.3μmライン&スペースパターンが約3μmの厚さで
形成でき、実施例2の組成物を用いた場合は0.5μm
のライン&スペースパターンが形成できた。
実施例4
合成例1で得られたシロキサンポリマーに以下の酸発生
剤を添加したレジスト組成物を調製し、実施例1と同様
の方法でレジスト特性を評価した。その結果を表3に示
す。
剤を添加したレジスト組成物を調製し、実施例1と同様
の方法でレジスト特性を評価した。その結果を表3に示
す。
酸発生剤■トリフェニルスルホニウ
ムヘキサフルオロ了ンチモネート 2重量%i12 発
生剤■トリフェニルスルホニウムへ牛すフルオロアーセ
ネ−)2重量%酸発生剤■ジフェニルヨードニウム ヘキサフルオロアーセネート 2重量%を発生剤■
ビス(1−ブチルフェニ ル)ヨードニウムトリフレート 2重量%酸発生剤■
2.4−ビス(トリクロロ メチル)−6−フェニル−1,3,5 トリアジン 10重量%酸発生剤■
鉄アレンヘキサフルオロ ホスフェート錯体 酸発生剤■)’J(2,3−ジブロモプロピル)イソシ
アヌレート 酸発生剤■4−メトキシベンゼンジ アゾニウムトリプルオロメタンス ルホネート 酸発生剤■2.4.6−トリス(トリクロロメチル)
−1,3,5−)リアジン 5重量% 5重量% 5重量% 5重量% 酸発生剤Oテトラブロモビスフェノ ール 10重量% 酸発生剤0ジブロモメチル) IJアジン 5重量% 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明のシロキサンポリマーは、
アルカリ可溶性のポリシロキサンのカルボン酸をエステ
ル化することにより、アルカリ難溶性にしたものである
。それに高エネルギー線照射により酸を発生する酸発生
剤を添加したレジスト組成物は酸を触媒として、エステ
ルが加水分解し元のカルボン酸に変化するため、アルカ
リ現像可能な非膨潤型ポジ型レジストになる。また、シ
リコンを含有するため酸素プラズマ耐性が高く、したが
って、2層レジストの上層レジストとして使用できる。
生剤■トリフェニルスルホニウムへ牛すフルオロアーセ
ネ−)2重量%酸発生剤■ジフェニルヨードニウム ヘキサフルオロアーセネート 2重量%を発生剤■
ビス(1−ブチルフェニ ル)ヨードニウムトリフレート 2重量%酸発生剤■
2.4−ビス(トリクロロ メチル)−6−フェニル−1,3,5 トリアジン 10重量%酸発生剤■
鉄アレンヘキサフルオロ ホスフェート錯体 酸発生剤■)’J(2,3−ジブロモプロピル)イソシ
アヌレート 酸発生剤■4−メトキシベンゼンジ アゾニウムトリプルオロメタンス ルホネート 酸発生剤■2.4.6−トリス(トリクロロメチル)
−1,3,5−)リアジン 5重量% 5重量% 5重量% 5重量% 酸発生剤Oテトラブロモビスフェノ ール 10重量% 酸発生剤0ジブロモメチル) IJアジン 5重量% 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明のシロキサンポリマーは、
アルカリ可溶性のポリシロキサンのカルボン酸をエステ
ル化することにより、アルカリ難溶性にしたものである
。それに高エネルギー線照射により酸を発生する酸発生
剤を添加したレジスト組成物は酸を触媒として、エステ
ルが加水分解し元のカルボン酸に変化するため、アルカ
リ現像可能な非膨潤型ポジ型レジストになる。また、シ
リコンを含有するため酸素プラズマ耐性が高く、したが
って、2層レジストの上層レジストとして使用できる。
2層レジストに使用できるため、0.5μ・m以下の微
細パターンが高アスペクト比で形成できる利点がある。
細パターンが高アスペクト比で形成できる利点がある。
特許出願人 日本電信電話株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、カルボン酸基あるいはカルボン酸無水物基を有する
アルコキシシランの加水分解・縮合によって得られるポ
リシロキサンのカルボン酸の全部あるいは一部をエステ
ル化したことを特徴とするシロキサンポリマー。 2、請求項1に記載のシロキサンポリマーと酸発生剤と
を包含してなることを特徴とするレジスト組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2129145A JPH0425530A (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | シロキサンポリマー及びレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2129145A JPH0425530A (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | シロキサンポリマー及びレジスト組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0425530A true JPH0425530A (ja) | 1992-01-29 |
Family
ID=15002243
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2129145A Pending JPH0425530A (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | シロキサンポリマー及びレジスト組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0425530A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0611827A (ja) * | 1992-03-31 | 1994-01-21 | Matsushita Electron Corp | ホトマスクおよびその修正方法 |
JP2001125268A (ja) * | 1999-10-28 | 2001-05-11 | Sony Corp | 露光方法 |
JP2003321544A (ja) * | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Chisso Corp | 感熱応答性シラン化合物およびその製造方法ならびにこれを含む感熱応答性材料 |
WO2007029542A1 (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | ナノインプリント用の膜形成組成物およびパターン形成方法 |
JP2008195908A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-08-28 | Toray Fine Chemicals Co Ltd | 縮合多環式炭化水素基を有するシリコーン共重合体、及び、その製造方法 |
-
1990
- 1990-05-21 JP JP2129145A patent/JPH0425530A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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WO2007029542A1 (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | ナノインプリント用の膜形成組成物およびパターン形成方法 |
JP2008195908A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-08-28 | Toray Fine Chemicals Co Ltd | 縮合多環式炭化水素基を有するシリコーン共重合体、及び、その製造方法 |
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