JPH04255237A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法、
特にワイヤボンディングの方法に関する。半導体装置の
製造において、半導体チップの電極とパッケージの内部
リードとの接続は、ワイヤボンディング法によるのが一
般的である。ワイヤボンディングの方式としてはボール
ボンディング方式、ウエッジボンディング方式等がある
が、生産性が極めて高いボールボンディング方式が広く
採用されている。但し、この方式でワイヤを低く配線す
ると信頼性等に問題があるとされているため、ワイヤを
特に低く配線する必要がある半導体装置の製造において
はウエッジボンディング方式が採用されている。
特にワイヤボンディングの方法に関する。半導体装置の
製造において、半導体チップの電極とパッケージの内部
リードとの接続は、ワイヤボンディング法によるのが一
般的である。ワイヤボンディングの方式としてはボール
ボンディング方式、ウエッジボンディング方式等がある
が、生産性が極めて高いボールボンディング方式が広く
採用されている。但し、この方式でワイヤを低く配線す
ると信頼性等に問題があるとされているため、ワイヤを
特に低く配線する必要がある半導体装置の製造において
はウエッジボンディング方式が採用されている。
【0002】
【従来の技術】ワイヤボンディング方法の例を図2及び
図3を参照して説明する。尚、両図中、図1と同じもの
には同一の符号を付与した。
図3を参照して説明する。尚、両図中、図1と同じもの
には同一の符号を付与した。
【0003】図2は従来のボールボンディング方式を説
明する模式図であり、(a)は第一ボンディングの状態
を、(b) は配線完了時の状態をそれぞれ示している
。先ずキャピラリ11の中心穴を通したワイヤ3の先端
にボール3aを形成する。次にキャピラリ11を下げて
ボール3aを半導体チップ2の電極(ボンディングパッ
ド)に圧着する(第一ボンディング)。その後キャピラ
リ11を移動してワイヤ3の側面をリード1に圧着し(
第二ボンディング)、更にワイヤ3を第二ボンディング
個所で切断して配線を完了する。
明する模式図であり、(a)は第一ボンディングの状態
を、(b) は配線完了時の状態をそれぞれ示している
。先ずキャピラリ11の中心穴を通したワイヤ3の先端
にボール3aを形成する。次にキャピラリ11を下げて
ボール3aを半導体チップ2の電極(ボンディングパッ
ド)に圧着する(第一ボンディング)。その後キャピラ
リ11を移動してワイヤ3の側面をリード1に圧着し(
第二ボンディング)、更にワイヤ3を第二ボンディング
個所で切断して配線を完了する。
【0004】この方式は、第一ボンディング後のワイヤ
が垂直方向に伸びているから配線の方向性がなく、従っ
て高速ボンディングが可能である。但し、配線高さH2
が大となる。
が垂直方向に伸びているから配線の方向性がなく、従っ
て高速ボンディングが可能である。但し、配線高さH2
が大となる。
【0005】図3はウエッジボンディング方式を説明す
る模式図であり、 (a)は第一ボンディングの状態を
、(b) は配線完了時の状態をそれぞれ示している。 先ずワイヤ3の先端部の側面をウエッジ12により半導
体チップ2の電極(ボンディングパッド)に圧着する(
第一ボンディング)。次にワイヤ3の側面をウエッジ1
2によりリード1に圧着し(第二ボンディング)、更に
ワイヤ3を第二ボンディング個所で切断して配線を完了
する。
る模式図であり、 (a)は第一ボンディングの状態を
、(b) は配線完了時の状態をそれぞれ示している。 先ずワイヤ3の先端部の側面をウエッジ12により半導
体チップ2の電極(ボンディングパッド)に圧着する(
第一ボンディング)。次にワイヤ3の側面をウエッジ1
2によりリード1に圧着し(第二ボンディング)、更に
ワイヤ3を第二ボンディング個所で切断して配線を完了
する。
【0006】この方式は、ワイヤを横方向から挿入して
第一ボンディングを行うから、ワイヤを低く配線するこ
とが出来る(H3が小)。但し、その挿入方向にしか配
線することが出来ないから、多方向に配線するためには
ボンディング装置に回転機構を設けて、被ボンディング
物又はボンディングヘッドを逐次回転しながら配線しな
ければならない。従ってボールボンディング方式に比し
てボンディング装置が複雑となり、又ボンディング速度
が遅い。
第一ボンディングを行うから、ワイヤを低く配線するこ
とが出来る(H3が小)。但し、その挿入方向にしか配
線することが出来ないから、多方向に配線するためには
ボンディング装置に回転機構を設けて、被ボンディング
物又はボンディングヘッドを逐次回転しながら配線しな
ければならない。従ってボールボンディング方式に比し
てボンディング装置が複雑となり、又ボンディング速度
が遅い。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】半導体装置によっては
、配線を特に低くすることが要求される場合がある(薄
型パッケージ、高周波素子等)。ボールボンディング方
式で低く配線するためには第一ボンディング後、ボール
の付け根でワイヤを屈曲させなければならず、この部分
にクラックを生じ易いから、従来のボールボンディング
方式で低く配線することは半導体装置の特性、信頼性の
上で好ましくない。従って、特に低い配線が必要な場合
には、生産性を犠牲にしてウエッジボンディング方式を
採用していた。
、配線を特に低くすることが要求される場合がある(薄
型パッケージ、高周波素子等)。ボールボンディング方
式で低く配線するためには第一ボンディング後、ボール
の付け根でワイヤを屈曲させなければならず、この部分
にクラックを生じ易いから、従来のボールボンディング
方式で低く配線することは半導体装置の特性、信頼性の
上で好ましくない。従って、特に低い配線が必要な場合
には、生産性を犠牲にしてウエッジボンディング方式を
採用していた。
【0008】本発明はこのような問題を解決して、半導
体装置の特性、信頼性を損なうことなくワイヤを低く配
線することが可能なボールボンディング方式のワイヤボ
ンディング方法を提供することを目的とする。
体装置の特性、信頼性を損なうことなくワイヤを低く配
線することが可能なボールボンディング方式のワイヤボ
ンディング方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】この目的は、本発明によ
れば、ワイヤ3の先端にボール3aを形成した後、該ボ
ール3aを内部リード1上にボンディングする第一の工
程と、一端をボンディングした該ワイヤ3を該内部リー
ド1上の第一の工程とは異なる位置にボンディングする
第二の工程と、半導体チップ2の電極上に該ワイヤ3を
ボンディングする第三の工程とを含むことを特徴とする
半導体装置の製造方法とすることで、達成される。
れば、ワイヤ3の先端にボール3aを形成した後、該ボ
ール3aを内部リード1上にボンディングする第一の工
程と、一端をボンディングした該ワイヤ3を該内部リー
ド1上の第一の工程とは異なる位置にボンディングする
第二の工程と、半導体チップ2の電極上に該ワイヤ3を
ボンディングする第三の工程とを含むことを特徴とする
半導体装置の製造方法とすることで、達成される。
【0010】
【作用】前述のように、ボールボンディング方式で低く
配線すると第一ボンディング個所のワイヤ(ボールの付
け根の部分)にクラックを生じ易いが、本発明によれば
、第一ボンディングと第二ボンディングとを同一のリー
ド上に行い、その後半導体チップ上に第三ボンディング
を行って、リードと半導体チップとの間を配線するもの
であるから、たとえ第一ボンディング個所のワイヤにク
ラックを生じたとしても、半導体装置の特性、信頼性に
は何ら影響を及ぼさない。
配線すると第一ボンディング個所のワイヤ(ボールの付
け根の部分)にクラックを生じ易いが、本発明によれば
、第一ボンディングと第二ボンディングとを同一のリー
ド上に行い、その後半導体チップ上に第三ボンディング
を行って、リードと半導体チップとの間を配線するもの
であるから、たとえ第一ボンディング個所のワイヤにク
ラックを生じたとしても、半導体装置の特性、信頼性に
は何ら影響を及ぼさない。
【0011】一般にリードのボンディング可能領域は広
いから、同一のリードに二個所のボンディングを施すこ
とが可能である。又、従来のボールボンディング方法よ
りボンディング回数が増加するが(二回→三回)、ボン
ディングの方向性がないから、ウエッジボンディングに
比して遙かに高速でボンディングすることが出来る。
いから、同一のリードに二個所のボンディングを施すこ
とが可能である。又、従来のボールボンディング方法よ
りボンディング回数が増加するが(二回→三回)、ボン
ディングの方向性がないから、ウエッジボンディングに
比して遙かに高速でボンディングすることが出来る。
【0012】
【実施例】本発明に基づくワイヤボンディング方法の実
施例を図1を参照して説明する。図1は本発明の実施例
を説明する模式図であり、 (a)は第一ボンディング
の状態を、(b) は第二ボンディングの状態を、(c
) は配線完了時の状態をそれぞれ示している。
施例を図1を参照して説明する。図1は本発明の実施例
を説明する模式図であり、 (a)は第一ボンディング
の状態を、(b) は第二ボンディングの状態を、(c
) は配線完了時の状態をそれぞれ示している。
【0013】ボールボンディング方式のワイヤボンダを
使用し、先ずキャピラリ11の中心穴を通したワイヤ3
の先端にボール3aをアーク放電により形成する。次に
キャピラリ11を下げてボール3aをリード1の適当な
位置に圧着する(第一ボンディング)。次にキャピラリ
11を移動して第一ボンディング個所の半導体チップ2
寄り近傍のリード1上にワイヤ3の側面を圧着する(第
二ボンディング)。この際、ワイヤ3は第一ボンディン
グのボール3aの付け根で屈曲させて低く配線する。又
、第二ボンディングの位置は、第一ボンディングと次に
行う第三ボンディングとを結ぶ直線上とする。次に半導
体チップ2の電極(ボンディングパッド)にワイヤ3の
側面を圧着する(第三ボンディング)。この際、ワイヤ
3は低く配線する。更にワイヤ3を第三ボンディング個
所で切断して配線を完了する。
使用し、先ずキャピラリ11の中心穴を通したワイヤ3
の先端にボール3aをアーク放電により形成する。次に
キャピラリ11を下げてボール3aをリード1の適当な
位置に圧着する(第一ボンディング)。次にキャピラリ
11を移動して第一ボンディング個所の半導体チップ2
寄り近傍のリード1上にワイヤ3の側面を圧着する(第
二ボンディング)。この際、ワイヤ3は第一ボンディン
グのボール3aの付け根で屈曲させて低く配線する。又
、第二ボンディングの位置は、第一ボンディングと次に
行う第三ボンディングとを結ぶ直線上とする。次に半導
体チップ2の電極(ボンディングパッド)にワイヤ3の
側面を圧着する(第三ボンディング)。この際、ワイヤ
3は低く配線する。更にワイヤ3を第三ボンディング個
所で切断して配線を完了する。
【0014】このボンディング方法により直径25μm
の金線をボンディングした結果、配線高さH1を約50
μmとすることが出来た。これはウエッジボンディング
方式の場合の配線高さH3に匹敵する。従来のボールボ
ンディング方式では配線高さH2は 100〜200
μm程度必要であった。又、ボンディング速度はウエッ
ジボンディング方式の場合の三倍程度の高速が得られた
。
の金線をボンディングした結果、配線高さH1を約50
μmとすることが出来た。これはウエッジボンディング
方式の場合の配線高さH3に匹敵する。従来のボールボ
ンディング方式では配線高さH2は 100〜200
μm程度必要であった。又、ボンディング速度はウエッ
ジボンディング方式の場合の三倍程度の高速が得られた
。
【0015】本発明は以上の実施例に限定されることな
く、更に種々変形して実施出来る。例えば、半導体チッ
プ2のボンディングパッドが充分に広ければ、第一及び
第二ボンディングを半導体チップ2上で行い、第三ボン
ディングをリード1上とすることが出来る。更に、リー
ド1と半導体チップ2との間の配線以外の配線に本発明
を適用することが可能である。
く、更に種々変形して実施出来る。例えば、半導体チッ
プ2のボンディングパッドが充分に広ければ、第一及び
第二ボンディングを半導体チップ2上で行い、第三ボン
ディングをリード1上とすることが出来る。更に、リー
ド1と半導体チップ2との間の配線以外の配線に本発明
を適用することが可能である。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体装置の特性、信頼性を損なうことなくワイヤを低
く配線することが可能なボールボンディング方式のワイ
ヤボンディング方法を提供することが出来、薄型パッケ
ージや高周波素子の場合等、配線を特に低くすることが
要求される半導体装置の製造効率向上に寄与する。
半導体装置の特性、信頼性を損なうことなくワイヤを低
く配線することが可能なボールボンディング方式のワイ
ヤボンディング方法を提供することが出来、薄型パッケ
ージや高周波素子の場合等、配線を特に低くすることが
要求される半導体装置の製造効率向上に寄与する。
【図1】 本発明の実施例を説明する模式図であり、
(a)は第一ボンディングの状態を、(b) は第二
ボンディングの状態を、(c) は配線完了時の状態を
それぞれ示している。
(a)は第一ボンディングの状態を、(b) は第二
ボンディングの状態を、(c) は配線完了時の状態を
それぞれ示している。
【図2】 従来のボールボンディング方式を説明する
模式図であり、 (a)は第一ボンディングの状態を、
(b) は配線完了時の状態をそれぞれ示している。
模式図であり、 (a)は第一ボンディングの状態を、
(b) は配線完了時の状態をそれぞれ示している。
【図3】 ウエッジボンディング方式を説明する模式
図であり、 (a)は第一ボンディングの状態を、(b
) は配線完了時の状態をそれぞれ示している。
図であり、 (a)は第一ボンディングの状態を、(b
) は配線完了時の状態をそれぞれ示している。
1 リード(内部リード)
2 半導体チップ
3 ワイヤ
3a ボール
11 キャピラリ
12 ウエッジ
H1, H2, H3 配線高さ
Claims (1)
- 【請求項1】 ワイヤ(3) の先端にボール(3a
)を形成した後、該ボール(3a)を内部リード(1)
上にボンディングする第一の工程と、一端をボンディ
ングした該ワイヤ(3) を該内部リード(1) 上の
第一の工程とは異なる位置にボンディングする第二の工
程と、半導体チップ(2) の電極上に該ワイヤ(3)
をボンディングする第三の工程とを含むことを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3016133A JPH04255237A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3016133A JPH04255237A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04255237A true JPH04255237A (ja) | 1992-09-10 |
Family
ID=11907996
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3016133A Withdrawn JPH04255237A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04255237A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003086621A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
SG143060A1 (en) * | 2005-05-10 | 2008-06-27 | Kaijo Kk | Wire loop, semiconductor device having same and wire bonding method |
US8016182B2 (en) | 2005-05-10 | 2011-09-13 | Kaijo Corporation | Wire loop, semiconductor device having same and wire bonding method |
US8053351B2 (en) | 2009-12-03 | 2011-11-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming at least one bonding structure |
JP2016183943A (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-20 | 株式会社フジクラ | 半導体圧力センサ |
-
1991
- 1991-02-07 JP JP3016133A patent/JPH04255237A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003086621A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4629284B2 (ja) * | 2001-09-10 | 2011-02-09 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
SG143060A1 (en) * | 2005-05-10 | 2008-06-27 | Kaijo Kk | Wire loop, semiconductor device having same and wire bonding method |
US8016182B2 (en) | 2005-05-10 | 2011-09-13 | Kaijo Corporation | Wire loop, semiconductor device having same and wire bonding method |
US8053351B2 (en) | 2009-12-03 | 2011-11-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming at least one bonding structure |
JP2016183943A (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-20 | 株式会社フジクラ | 半導体圧力センサ |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |