JPH04247053A - ビシクロ〔４，１，０〕ヘプタン−２，４−ジオン誘導体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、新規な化合物を原料と
して用いるビシクロ〔４，１，０〕ヘプタン−２，４−
ジオン誘導体の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来ビシクロ〔４，１，０〕ヘプタン−
２，４−ジオン誘導体（一般式（ＩＩＩ））の製造方法
は化３のようにして製造されていた。

【０００３】

【化３】 式中Ｒ１　は、水素、アルキル又は−ＣＯＯＲ４　を示
し、Ｒ４　はアルキルを示す。Ｒ３　は、アルキル、置
換されてもよいフェニル、置換されてもよいアラルキル
、又は置換されてもよい複素環を示す。Ｑは脱離基を示
す。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、新規な化合
物を原料として用いるビシクロ〔４，１，０〕ヘプタン
−２，４−ジオン誘導体の製造方法を提供することであ
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、一般式（Ｉ）

【化４】 （式中、Ｒ１　，Ｒ２　は、水素、アルキル又は−ＣＯ
ＯＲ４　を示し、Ｒ４　はアルキルを示す。）で表わさ
れる化合物と一般式（ＩＩ）ＸＣ（＝Ｏ）Ｒ３　（式中
、Ｒ３は、アルキル、置換されてもよいフェニル、置換
されてもよいアラルキル、又は置換されてもよい複素環
を、Ｘは、ハロゲン、−ＯＣＯＲ５　又は−ＯＣＯＯＲ
６　を、Ｒ５　，Ｒ６　はアルキル又はフェニルを示す
。）で表わされる化合物を反応させることを特徴とする
一般式（ＩＩＩ）

【化５】 （式中、Ｒ１　，Ｒ２　，Ｒ３　は前記と同じ意味を示
す。）で表わされる化合物の製造方法である。

【０００６】本発明で用いられる原料化合物は同日付同
一出願人による出願に記載された化合物であり例えば化
６に従って製造される。

【化６】

【０００７】本発明の製造方法を詳しく説明する。一般
的には、次の化７のように２段階の方法で製造するが

【
化７】

【０００８】はじめの段階でシアン化合物及び／又は相
間移動触媒を用いることにより（ＩＶ）、（Ｖ）を単離
することなしに（ＩＩＩ）を合成することができる。第
一工程において用いられる塩基は、ＫＯＨ，ＮａＯＨ等
のアルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属の水酸化物
トリ（Ｃ１　−Ｃ６アルキル）アミン、ピリジン、炭酸
ナトリウム、リン酸ナトリウム等であり、夫々１モルず
つの（Ｉ）と（ＩＩ）が、１モル又は過剰の塩基ととも
に用いられる。用いられる溶媒としては、水、塩化メチ
レン、トルエン、酢酸エチル、ジメチルホルムアミドＴ
ＨＦ、ジメトキシエタン、アセトニトリル等が用いられ
る。反応混合物は反応が完了するまで０℃〜５０℃で攪
拌される。反応混合物は常法によって処理される。第二
工程において１モルの（ＩＶ）＋（Ｖ）を１〜４モルの
塩基、好ましくは１〜２モルの塩基および０．０１モル
から０．５モル以上、好ましくは０．１モルのシアン化
合物と反応させる。ここで用いられる塩基は第一工程で
列挙された塩基がいずれも用いられ得る。又シアン化合
物としてはシアン化カリウム、アセトンシアンヒドリン
、シアン化水素等が用いられる。なお、少量のクラウン
エーテル等の相間移動触媒を加えることにより、反応が
より短い時間で完結する。転位が８０℃より低い温度、
好ましくは２０℃〜４０℃で反応が終わるまで反応混合
物を攪拌する。用いられる溶媒は、１，２−ジクロロエ
タン、トルエン、アセトニトリル、塩化メチレン、酢酸
エチル、ジメチルホルムアミド、メチルイソブチルケト
ン、ＴＨＦ、ジメトキシエタン等である。

【０００９】Ｒ１　≠Ｒ２　のとき一般式（ＩＩＩ）で
表わされる化合物にはシクロプロパンと５位の置換基と
の間に立体異性体が存在するが、これは原料である（Ｉ
）の立体配置と同じであり、原料を選ぶことにより、容
易に目的の立体配置の化合物を得ることができる。また
Ｒ１　またはＲ２　が−ＣＯ２　Ｒ４　のときは立体配
置を保持したまま−ＣＯ２　Ｒ４　基をはずすことがで
きる（化８）。

【化８】

【００１０】（Ｉ）で表される原料化合物及び（ＩＩＩ
）の化合物には、次に示す互変異性が存在する。

【化９】

【００１１】

【実施例】次に実施例を挙げて、本発明を更に説明する
が、これにより本発明は何ら限定を受けるものではない
。 実施例１ ｃｉｓ−３−（２−ニトロ−４−メタンスルホニルベン
ゾイル）−５−メチル−５−エトキシカルボニルビシク
ロ〔４，１，０〕ヘプタン−２，４−ジオン：

【化１０
】 ｃｉｓ−５−エトキシカルボニルビシクロ〔４，１，０
〕ヘプタン−２，４−ジオン〔式（Ｉ）Ｒ１　＝ＣＯ２
　Ｃ２　Ｈ５　，Ｒ２　＝ＣＨ３　〕２．０ｇを塩化メ
チレン２０ｍｌに溶解し、これにトリエチルアミン１．
０６ｇを加え１０℃まで冷却した。２−ニトロ−４−メ
タンスルホニル安息香酸クロライド２．５１ｇを加え室
温で２時間かきまぜた。反応液を希塩酸、次いで水で洗
浄したのち硫酸マグネシウムで脱水後溶剤を減圧下に留
去した。残液にアセトニトリル２０ｍｌを加え溶解させ
た後、シアン化カリウム０．０６ｇ，トリエチルアミン
０．９６ｇを加え、室温で一晩反応させた。溶剤を減圧
下に留去した後塩化メチレンを加え、希塩酸、次いで水
で洗浄した後、硫酸マグネシウムで脱水した。溶剤を減
圧下に留去したのちカラムクロマトにより、ｍ．ｐ．６
９〜７１℃の目的物３．６ｇを得た。

【００１２】実施例２ ｃｉｓ−３−（４−クロロ−２−ニトロベンゾイル）−
５−メチルビシクロ〔４，１，０〕ヘプタン−２，４−
ジオン：

【化１１】

【００１３】（１）　　ｔｒａｎｓ−５−メチル−５−
エトキシカルボニルビシクロ〔４，１，０〕ヘプタン−
２，４−ジオン〔式（Ｉ）Ｒ１　＝ＣＨ３　，Ｒ２　＝
ＣＨ２　Ｃ２　Ｈ５　〕５．０ｇを塩化メチレン５０ｍ
ｌに溶解し、これにトリエチルアミン２．６５ｇを加え
た。１０℃まで冷却後、４−クロロ−２−ニトロベンゾ
イルクロリド５．２４ｇを加え、室温で２時間攪拌した
。反応液を希塩酸、次いで水で洗浄したのち硫酸マグネ
シウムで脱水後溶剤を減圧下に留去した。残分をアセト
ニトリル５０ｍｌに溶解しシアン化カリウム０．１５ｇ
，トリエチルアミン２．４５ｇを加え、室温で一晩攪拌
した。溶剤を減圧下に留去した後塩化メチレンを加え、
希塩酸、次いで水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで脱
水した。溶剤を減圧下に留去することによりｔｒａｎｓ
−３−（４−クロロ−２−ニトロベンゾイル）−５−メ
チル−５−エトキシカルボニルビシクロ〔４，１，０〕
ヘプタン−２，４−ジオン９．７ｇを得た。

【００１４】（２）　　（１）で得られた化合物９．７
ｇに１Ｎ　　ＮａＯＨ　　７３ｍｌを加え、室温で２４
時間攪拌した。５〜１０℃に冷却後酢酸エチル１１０ｍ
ｌを加え、１ＮＨＣｌ　　４８．４ｍｌを滴下した。２
時間攪拌後有機層を分離し飽和食塩水で洗浄し、硫酸マ
グネシウムで脱水後、減圧下に溶媒を留去した。残液に
メタノール１５ｍｌを加え冷却することにより、白色結
晶として目的物４．７ｇを得た。ｍ．ｐ．１０４〜１０
８℃。

【００１５】上記実施例を含めて、同様の反応条件で製
造した本発明の代表例を第１表に示す。

【表１０１】

【表１０２】

【００１６】

【発明の効果】（イ）　　本発明の方法はｃｉｓ体とｔ
ｒａｎｓ体が容易に分離可能な一般式（Ｉ）の原料を用
いることにより、一般式（ＩＩＩ）の目的物のｃｉｓ体
またはｔｒａｎｓ体を容易に作り分けることができる。 （ロ）　　従来の方法では、ベンゾイル化後に強アルカ
リの存在下で３員環を合成するため、ベンゾイル部の置
換基によっては、非常に低収率になる場合がある（−Ｃ
Ｎ基を持つもの、Ｏ−位に−ＮＯ２　基があるものなど
）。 （ハ）　　従来の方法に比べベンゾイル化以降の工程数
が少なく、特にベンゾイル部が複雑なものほど本発明の
方法が有利となる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ１　，Ｒ２　は、水素、アルキル又は−ＣＯ
   ＯＲ４　を示し、Ｒ４　はアルキルを示す。）で表わさ
   れる化合物と一般式（ＩＩ）ＸＣ（＝Ｏ）Ｒ３　（式中
   、Ｒ３は、アルキル、置換されてもよいフェニル、置換
   されてもよいアラルキル、又は置換されてもよい複素環
   を、Ｘは、ハロゲン、−ＯＣＯＲ５　又は−ＯＣＯＯＲ
   ６　を、Ｒ５　，Ｒ６　はアルキル又はフェニルを示す
   。）で表わされる化合物を反応させることを特徴とする
   一般式（ＩＩＩ）【化２】 （式中、Ｒ１　，Ｒ２　，Ｒ３　は前記と同じ意味を示
   す。）で表わされる化合物の製造方法。