JPH04192142A - 光学的情報記録装置 - Google Patents
光学的情報記録装置Info
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- JPH04192142A JPH04192142A JP2321117A JP32111790A JPH04192142A JP H04192142 A JPH04192142 A JP H04192142A JP 2321117 A JP2321117 A JP 2321117A JP 32111790 A JP32111790 A JP 32111790A JP H04192142 A JPH04192142 A JP H04192142A
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
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- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
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- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
- G11B7/1365—Separate or integrated refractive elements, e.g. wave plates
- G11B7/1367—Stepped phase plates
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光学的に情報を記録再生する装置、特に磁界変
調方式に好適な光学的情報記録再生装置に関する。
調方式に好適な光学的情報記録再生装置に関する。
［従来の技術］
近年、大容量でピット当りの単価の安価なメモリとして
、光ディスク、光カードなどの光メモリが注目されてい
る。中でも、光磁気ディスクは情報の消去が可能である
ため、コンピュータの外部記録装置や画像ファイル用メ
モリとして応用研究が盛んである。
、光ディスク、光カードなどの光メモリが注目されてい
る。中でも、光磁気ディスクは情報の消去が可能である
ため、コンピュータの外部記録装置や画像ファイル用メ
モリとして応用研究が盛んである。
ところで、このような光磁気ディスクの記録方式として
は、光変調方式と磁界変調方式が知られている。光変調
方式は、一定のバイアス磁界をディスクに印加した状態
で、強度変調されたレーザ光を照射する方式である。ま
た、磁界変調方式は一定強度のレーザ光を照射した状態
で、変調されたバイアス磁界を印加する方式である。こ
の２つの記録方式で、以前に記録した情報を消去しなが
ら新たな情報を記録する、いわゆるオーバライドを行う
にはディスクの媒体構成が単純でよい磁界変調方式が有
利である。また、情報の記録形態としては、現在のとこ
ろディスク上のドメイン（磁区）というマークの間隔を
変調して情報を記録する、いわゆるマーク間記録方式が
一般的である。この現行方式に対し、記録密度を約１．
５倍にできるというマーク長記録、即ちマークの長さを
変調して情報の記録を行うマーク長記録方式も研究が行
われている。こうしたマーク長記録による高密度記録に
おいても、磁界変調方式は光スポットの大きさや光量分
布による制限を受けにくいので、有利であると言われて
いる。
は、光変調方式と磁界変調方式が知られている。光変調
方式は、一定のバイアス磁界をディスクに印加した状態
で、強度変調されたレーザ光を照射する方式である。ま
た、磁界変調方式は一定強度のレーザ光を照射した状態
で、変調されたバイアス磁界を印加する方式である。こ
の２つの記録方式で、以前に記録した情報を消去しなが
ら新たな情報を記録する、いわゆるオーバライドを行う
にはディスクの媒体構成が単純でよい磁界変調方式が有
利である。また、情報の記録形態としては、現在のとこ
ろディスク上のドメイン（磁区）というマークの間隔を
変調して情報を記録する、いわゆるマーク間記録方式が
一般的である。この現行方式に対し、記録密度を約１．
５倍にできるというマーク長記録、即ちマークの長さを
変調して情報の記録を行うマーク長記録方式も研究が行
われている。こうしたマーク長記録による高密度記録に
おいても、磁界変調方式は光スポットの大きさや光量分
布による制限を受けにくいので、有利であると言われて
いる。
第１１図はその磁界変調方式のディスク及びその周辺を
示した構成図である。同図において、７は光源として用
いられた半導体レーザであって、そのレーザ光束はコリ
メータレンズ６で平行化された後、ビーム整形プリズム
５で円光束に変換される。また、ビームスプリッタ４を
透過し、対物レンズ３で絞込まれて光磁気ディスク２の
記録層に微小光スポットとして集光される。光磁気ディ
スク２の上面には、対物レンズ３と対向して磁気ヘッド
１が配置されている。
示した構成図である。同図において、７は光源として用
いられた半導体レーザであって、そのレーザ光束はコリ
メータレンズ６で平行化された後、ビーム整形プリズム
５で円光束に変換される。また、ビームスプリッタ４を
透過し、対物レンズ３で絞込まれて光磁気ディスク２の
記録層に微小光スポットとして集光される。光磁気ディ
スク２の上面には、対物レンズ３と対向して磁気ヘッド
１が配置されている。
一方、光磁気ディスク２から反射された光は、対物レン
ズ３、ビームスプリッタ４を経由してビームスプリッタ
８へ導かれる。ビームスプリッタ８は反射光を２つに分
離し、一方を１／２波長板９側の再生光学系へ、他方を
集光レンズ１４側の制御光学系へ導く、再生光学系では
、１／２波長板９を通った光が集光レンズｌＯを介して
ビームスプリッタ１３へ導かれ、ここで更に２つに分離
される。そして、分離された光は光検出器１１．１２で
それぞれ受光され、この受光出力から情報信号が得られ
る。また、制御光学系では集光レンズ１４を通った光は
、ビームスプリッタ１５で２つに分離される０分離され
た一方の光は、光検出器１６で受光され、他方はナイフ
ェツジ１７を介して光検出器１８で受光される。そして
、光検出器１６．１８の受光信号によりサーボ信号が得
られる。
ズ３、ビームスプリッタ４を経由してビームスプリッタ
８へ導かれる。ビームスプリッタ８は反射光を２つに分
離し、一方を１／２波長板９側の再生光学系へ、他方を
集光レンズ１４側の制御光学系へ導く、再生光学系では
、１／２波長板９を通った光が集光レンズｌＯを介して
ビームスプリッタ１３へ導かれ、ここで更に２つに分離
される。そして、分離された光は光検出器１１．１２で
それぞれ受光され、この受光出力から情報信号が得られ
る。また、制御光学系では集光レンズ１４を通った光は
、ビームスプリッタ１５で２つに分離される０分離され
た一方の光は、光検出器１６で受光され、他方はナイフ
ェツジ１７を介して光検出器１８で受光される。そして
、光検出器１６．１８の受光信号によりサーボ信号が得
られる。
次に、情報の記録を行う場合は、半導体レーザ７から一
定強度のレーザ光束が照射され、光磁気ディスク２に熱
バイアスが与えられる。これにより、記録層の温度がキ
ューリー点温度以上に昇温し、この状態で温度昇温部位
に磁気ヘッドｌからバイアス磁界が印加される。バイア
ス磁界は、記録信号に応じて変調されており、記録層の
磁化の向きはバイアス磁界の向きと同じ方向に揃えられ
る。そして、記録層の温度がキューリー点温度以下にな
る瞬間に磁化の向きが保持され、ドメインが形成される
。この場合、通常光スポットは、ガウシアンの光強度分
布を持つため、加熱された媒体の温度分布は光量分布を
反映した滑らかな温度分布となり、キューリー点温度の
等混線の形状は矩形状ではない。そのため、記録される
ドメインは第１２図に示すように、矢羽根状になる。同
図（ａ）はマーク間記録により記録されたドメインを示
し、各マークの形状は等しく、マーク間隔が変調されて
いる。また、同図（ｂ）はマーク長記録のドメインを示
しており、各マークの長さが変調され、そのエツジの間
隔が情報を表している。
定強度のレーザ光束が照射され、光磁気ディスク２に熱
バイアスが与えられる。これにより、記録層の温度がキ
ューリー点温度以上に昇温し、この状態で温度昇温部位
に磁気ヘッドｌからバイアス磁界が印加される。バイア
ス磁界は、記録信号に応じて変調されており、記録層の
磁化の向きはバイアス磁界の向きと同じ方向に揃えられ
る。そして、記録層の温度がキューリー点温度以下にな
る瞬間に磁化の向きが保持され、ドメインが形成される
。この場合、通常光スポットは、ガウシアンの光強度分
布を持つため、加熱された媒体の温度分布は光量分布を
反映した滑らかな温度分布となり、キューリー点温度の
等混線の形状は矩形状ではない。そのため、記録される
ドメインは第１２図に示すように、矢羽根状になる。同
図（ａ）はマーク間記録により記録されたドメインを示
し、各マークの形状は等しく、マーク間隔が変調されて
いる。また、同図（ｂ）はマーク長記録のドメインを示
しており、各マークの長さが変調され、そのエツジの間
隔が情報を表している。
［発明が解決しようとしている課題］
しかしながら、上記従来の磁界変調方式では、情報のピ
ットに対応する失態板状ドメインを再生する場合、光量
分布がガウシアン分布である円形光スポットで矢羽根状
ドメインを走査することになる。そのため、矢羽根の前
と後で光スポットとドメインの相関関係が異なること、
読比す前後のドメインからのクロストークも非対称であ
ること、矢羽根状ドメインの尖った部分、即ち空間周波
数の高い部分は形状が不安定になりやすいことなどの不
具合が生じる。従って、従来にあってはそれらの不具合
や光学系のＭＴＦが悪いことなどによって、信号のジッ
ターの増加を引起こし、エラーレートの増大や信頼性の
低下を招く問題があった。特に、第１２図（ｂ）に示し
たマーク長言己録においては、ドメインのエツジの位置
が情報を表わすので、ジッターによるエラーレートの増
大が顕著であった。
ットに対応する失態板状ドメインを再生する場合、光量
分布がガウシアン分布である円形光スポットで矢羽根状
ドメインを走査することになる。そのため、矢羽根の前
と後で光スポットとドメインの相関関係が異なること、
読比す前後のドメインからのクロストークも非対称であ
ること、矢羽根状ドメインの尖った部分、即ち空間周波
数の高い部分は形状が不安定になりやすいことなどの不
具合が生じる。従って、従来にあってはそれらの不具合
や光学系のＭＴＦが悪いことなどによって、信号のジッ
ターの増加を引起こし、エラーレートの増大や信頼性の
低下を招く問題があった。特に、第１２図（ｂ）に示し
たマーク長言己録においては、ドメインのエツジの位置
が情報を表わすので、ジッターによるエラーレートの増
大が顕著であった。
本発明は、このような問題点を解消するためになされた
もので、その目的はエラーレートを低減し、高い信頼性
で情報を再生できるようにした光学的情報記録再生装置
を提供することにある。
もので、その目的はエラーレートを低減し、高い信頼性
で情報を再生できるようにした光学的情報記録再生装置
を提供することにある。
本発明のこのような目的は、光学的情報記録媒体の情報
トラック上に、微小スポットに絞られた光ビームを照射
して、該情報トラック上に情報ピットを記録する装置に
おいて、前記記録媒体の情報トラック上に、該トラック
の横断方向に複数の記録用光スポットを形成する手段を
設けたことを特徴とする光学的情報記録再生装置によっ
て達成される。
トラック上に、微小スポットに絞られた光ビームを照射
して、該情報トラック上に情報ピットを記録する装置に
おいて、前記記録媒体の情報トラック上に、該トラック
の横断方向に複数の記録用光スポットを形成する手段を
設けたことを特徴とする光学的情報記録再生装置によっ
て達成される。
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら詳
細に説明する。第１図は本発明の一実施例を示す構成図
である。なお、第１図では第１１図に示した従来装置と
同一部分は、同一符号を付している。
細に説明する。第１図は本発明の一実施例を示す構成図
である。なお、第１図では第１１図に示した従来装置と
同一部分は、同一符号を付している。
第１図において、２０は偏光ビームスプリッタ４とビー
ム整形プリズム５の間に配置された位相シフト素子であ
る。また、第１図のその他の構成は第１２図のものと全
く同じであるので、ここでは説明を省略する。位相シフ
ト素子２０の具体的構造を第２図に示す。位相シフト素
子２０は、中央の中心線を境に左右の領域２０ａ、２０
ｂの厚みがβだけ異なっている。これにより、光路長が
左右の領域２０ａ、２０ｂでＬ （Ｌ＝１２（ｎ、−１
））だけ異なるように構成されている。なお、ｎｌは位
相シフト素子の材料の屈折率である。また、以下の説明
では、Ｌ＝ｎ＋λ／２（ｎは整数、λは半導体レーザ７
の波長）として説明する。
ム整形プリズム５の間に配置された位相シフト素子であ
る。また、第１図のその他の構成は第１２図のものと全
く同じであるので、ここでは説明を省略する。位相シフ
ト素子２０の具体的構造を第２図に示す。位相シフト素
子２０は、中央の中心線を境に左右の領域２０ａ、２０
ｂの厚みがβだけ異なっている。これにより、光路長が
左右の領域２０ａ、２０ｂでＬ （Ｌ＝１２（ｎ、−１
））だけ異なるように構成されている。なお、ｎｌは位
相シフト素子の材料の屈折率である。また、以下の説明
では、Ｌ＝ｎ＋λ／２（ｎは整数、λは半導体レーザ７
の波長）として説明する。
第３図は前述のように光路中に位相シフト素子２０を配
置したときの対物レンズ３の焦点面に結像される光スポ
ットを示した図である。同図において、位相シフト素子
２０を透過した光束は、対物レンズ３によって集光され
るが、この場合対物レンズ３の瞳面で半円形の領域３ｂ
での位相を０とすると、他方の領域３ａでの位相はπと
なる。
置したときの対物レンズ３の焦点面に結像される光スポ
ットを示した図である。同図において、位相シフト素子
２０を透過した光束は、対物レンズ３によって集光され
るが、この場合対物レンズ３の瞳面で半円形の領域３ｂ
での位相を０とすると、他方の領域３ａでの位相はπと
なる。
その結果、焦点面２０において対物レンズ３より集光さ
れた２つの光スポット２１ａ、２１ｂが形成される。こ
の光スポット２１ａ、２１ｂは、位相シフト素子２０の
中央分割線に対応したｙ軸（トラック方向）に対して対
称である。なお、図中のＸはトラック方向に対し直交す
る方向（トラック横断方向）を示す。
れた２つの光スポット２１ａ、２１ｂが形成される。こ
の光スポット２１ａ、２１ｂは、位相シフト素子２０の
中央分割線に対応したｙ軸（トラック方向）に対して対
称である。なお、図中のＸはトラック方向に対し直交す
る方向（トラック横断方向）を示す。
第４図（ａ）は上記光スポット２１ａ、２１ｂの光強度
分布、同図（ｂ）はその形状を詳細に示した図である。
分布、同図（ｂ）はその形状を詳細に示した図である。
光強度はＸ方向に２つのピークが存在し、これはｙ軸に
対して対称な分布である。
対して対称な分布である。
また、同図（ｂ）は光強度がピーク値の１／２以上の領
域の断面形状を示しており、得られた光スポツト径はｙ
軸方向の径ｄ、よりもＸ方向の径ｄ、が大きいことがわ
かる。
域の断面形状を示しており、得られた光スポツト径はｙ
軸方向の径ｄ、よりもＸ方向の径ｄ、が大きいことがわ
かる。
次に、前述の光スポットによって光磁気ディスクに情報
を記録する動作を第５図を参照して説明する。同図（ａ
）は光スポット２１ａ、２１ｂを記録媒体面上の案内溝
２２の間に設けられた情報トラック上に照射した状態を
示す。なお、ディスクの移動方向は矢印の通りであり、
また光スボットの光強度は記録を行うのに十分な強度で
ある。
を記録する動作を第５図を参照して説明する。同図（ａ
）は光スポット２１ａ、２１ｂを記録媒体面上の案内溝
２２の間に設けられた情報トラック上に照射した状態を
示す。なお、ディスクの移動方向は矢印の通りであり、
また光スボットの光強度は記録を行うのに十分な強度で
ある。
同図から明らかなように、光スポット２１ａ。
２１ｂはトラック横断方向に隣接して照射される。第５
図（ｂ）はこの光スポットの照射による等温度曲＆Ｉ２
３、即ち記録ドメインが形成される臨界温度の等温度曲
線を示した図である０等温度曲線は、後端が熱拡散のた
めに概略直線に近い形状となる。
図（ｂ）はこの光スポットの照射による等温度曲＆Ｉ２
３、即ち記録ドメインが形成される臨界温度の等温度曲
線を示した図である０等温度曲線は、後端が熱拡散のた
めに概略直線に近い形状となる。
一方、光スポットの照射による温度上昇部位には、第１
図に示した磁気ヘッド１から記録信号に応じて変調され
たバイアス磁界が印加される。この結果、情報トラック
上には第５図（ｃ）に示すように前記等温度曲線に従っ
た略長方形ドメイン２４が形成される。なお、この情報
記録に当っては、光スポットの情報トラックの直交方向
における幅を大きくすることによって、記録ドメインの
エツジをより直線に近づけることが可能である。
図に示した磁気ヘッド１から記録信号に応じて変調され
たバイアス磁界が印加される。この結果、情報トラック
上には第５図（ｃ）に示すように前記等温度曲線に従っ
た略長方形ドメイン２４が形成される。なお、この情報
記録に当っては、光スポットの情報トラックの直交方向
における幅を大きくすることによって、記録ドメインの
エツジをより直線に近づけることが可能である。
しかし、あまり大きくすると、隣のトラックにドメイン
が記録されてしまうので、適当な大きさとすることが重
要である。一方案内溝２２は構造上、熱拡散を遮断する
効果を有している。そこで、第５図（ａ）に示す如（光
スポットの半値幅なｄ、案内溝２２の幅をＷ、トラック
ピッチをｐとした場合に、 ａ＝ｐ−ｗ の関係となるように設定することが望ましい。
が記録されてしまうので、適当な大きさとすることが重
要である。一方案内溝２２は構造上、熱拡散を遮断する
効果を有している。そこで、第５図（ａ）に示す如（光
スポットの半値幅なｄ、案内溝２２の幅をＷ、トラック
ピッチをｐとした場合に、 ａ＝ｐ−ｗ の関係となるように設定することが望ましい。
第６図に従来の磁界変調方式の記録過程を示す。同図（
ａ）は記録用の光スポット２５、同図（ｂ）はその光ス
ポットの照射による等温度曲線２６、同図（Ｃ）は記録
ドメイン２７であり、周知のように矢羽根状となる。
ａ）は記録用の光スポット２５、同図（ｂ）はその光ス
ポットの照射による等温度曲線２６、同図（Ｃ）は記録
ドメイン２７であり、周知のように矢羽根状となる。
第５図（ｃ）に示した本実施例の記録ドメインと従来の
ドメインを比較した場合、本実施例の記録ドメインは矢
羽根と呼ばれる形状が全くな（なり、長方形状に近（な
る。即ち、ドメインの端部のエツジが従来の半円形から
略直線状となり、著しく形状の改善を行うことができる
。
ドメインを比較した場合、本実施例の記録ドメインは矢
羽根と呼ばれる形状が全くな（なり、長方形状に近（な
る。即ち、ドメインの端部のエツジが従来の半円形から
略直線状となり、著しく形状の改善を行うことができる
。
第７図に本発明の他の実施例を示す。この実施例は光ス
ポットを２光源を用いて形成する例で、半導体レーザ３
２が新たな光源として設けられている。また、３１はそ
のレーザ光束を平行化するコリメータレンズ、３０は日
光束に変換するビーム整形プリズムである。なお、その
他の構成は、第１図の実施例と全く同じである。半導体
レーザ３２の光束は、コリメータレンズ３１、ビーム整
形プリズム３０を経由した後、偏光ビームスプリッタ２
９及び４、対物レンズ３を通って光磁気ディスク２へ照
射される。従って、ビームスプリッタ２９から光磁気デ
ィスク２までは、他方の光源の半導体レーザ７の光束と
路間−光路である。
ポットを２光源を用いて形成する例で、半導体レーザ３
２が新たな光源として設けられている。また、３１はそ
のレーザ光束を平行化するコリメータレンズ、３０は日
光束に変換するビーム整形プリズムである。なお、その
他の構成は、第１図の実施例と全く同じである。半導体
レーザ３２の光束は、コリメータレンズ３１、ビーム整
形プリズム３０を経由した後、偏光ビームスプリッタ２
９及び４、対物レンズ３を通って光磁気ディスク２へ照
射される。従って、ビームスプリッタ２９から光磁気デ
ィスク２までは、他方の光源の半導体レーザ７の光束と
路間−光路である。
第８図は半導体レーザ７．３２による光スポットの光強
度分布、その形状及び合成された形状を示した図である
。同図（ａ）は光強度分布を示しており、半導体レーザ
７の光スポット２１ ａ。
度分布、その形状及び合成された形状を示した図である
。同図（ａ）は光強度分布を示しており、半導体レーザ
７の光スポット２１ ａ。
２１ｂの強度分布は第４図に示したものと同じである。
また、２１ｃは半導体レーザ３２の光スポット２１ｃの
強度分布である。同図（ｂ）は前記と同様に光強度がピ
ーク値の１／２以上の領域の断面形状を示し１．これを
光スポット２１ａ、２１ｂとして示している。また、光
スポット２１ｃは半導体レーザ３２の円形スポットであ
り、光スポット２１ａ、２１ｂの間に、両側が光スポッ
ト２１ａ、２１ｂに重なる状態で照射される。この結果
、媒体面においては第８図（ｃ）に示すように、光スポ
ット２１ａ、２１ｂと光スポット２１Ｃが合成された光
スポット２１ｄとして形成されその形状は長方形状に近
い形状となる。
強度分布である。同図（ｂ）は前記と同様に光強度がピ
ーク値の１／２以上の領域の断面形状を示し１．これを
光スポット２１ａ、２１ｂとして示している。また、光
スポット２１ｃは半導体レーザ３２の円形スポットであ
り、光スポット２１ａ、２１ｂの間に、両側が光スポッ
ト２１ａ、２１ｂに重なる状態で照射される。この結果
、媒体面においては第８図（ｃ）に示すように、光スポ
ット２１ａ、２１ｂと光スポット２１Ｃが合成された光
スポット２１ｄとして形成されその形状は長方形状に近
い形状となる。
第９図は記録過程を示した図で、同図（ａ）は第８図（
Ｃ）に示した合成光スポット２１ｄが情報トラック上に
照射された状態を示している。また、同図（ｂ）は光ス
ポット２１ｄの照射による等温度曲線３３、同図（ｃ）
は前記光スポット２１ｄの照射と磁気ヘッドがらのバイ
アス磁界の印加によって記録されたドメイン３４である
。この実施例においては、前記実施例に比べ等温度曲線
の端部の形状を更に直線形状に近づけられるので、記録
ドメインの端部はより直線形状に近づきよりドメイン形
状の改善を行うことができる。
Ｃ）に示した合成光スポット２１ｄが情報トラック上に
照射された状態を示している。また、同図（ｂ）は光ス
ポット２１ｄの照射による等温度曲線３３、同図（ｃ）
は前記光スポット２１ｄの照射と磁気ヘッドがらのバイ
アス磁界の印加によって記録されたドメイン３４である
。この実施例においては、前記実施例に比べ等温度曲線
の端部の形状を更に直線形状に近づけられるので、記録
ドメインの端部はより直線形状に近づきよりドメイン形
状の改善を行うことができる。
また、本実施例においては、第８図に示したように光ス
ポット２１ａ、２１ｂと光スポット２１ｃを重合わせて
いるが、このときの光量利用率を向上させるために、次
の構成をとることが望ましい。まず、半導体レーザ７と
３２として異なる波長のものを用い、ビームスプリッタ
２９としてグイクロイックビームスプリッタを使用する
。あるいは、半導体レーザ７と３２の偏光方向が互いに
直交するように設定し、ビームスプリッタ２９として偏
光ビームスプリッタを使用してもよい０以上の構成によ
って、光量利用率が向上し、半導体レーザの消費電力を
低減することが可能である。
ポット２１ａ、２１ｂと光スポット２１ｃを重合わせて
いるが、このときの光量利用率を向上させるために、次
の構成をとることが望ましい。まず、半導体レーザ７と
３２として異なる波長のものを用い、ビームスプリッタ
２９としてグイクロイックビームスプリッタを使用する
。あるいは、半導体レーザ７と３２の偏光方向が互いに
直交するように設定し、ビームスプリッタ２９として偏
光ビームスプリッタを使用してもよい０以上の構成によ
って、光量利用率が向上し、半導体レーザの消費電力を
低減することが可能である。
第１Ｏ図に本発明の更に他の実施例を示す。この実施例
は１つの光源によって第７図の実施例と同様の光量分布
の光スポットを得るようにした例である。
は１つの光源によって第７図の実施例と同様の光量分布
の光スポットを得るようにした例である。
同図において、３６はファラデーセル、３７はファラデ
ーセル３６に磁界を印加するための電磁石である。この
電磁石３７によりファラデーセル３６に磁界を印加する
と、直線偏光の偏光方向が回転し、紙面に垂直な偏光成
分（Ｓ偏光成分）が生じる。従って、ファラデーセル３
６を透過した光束は、ｐ偏光とＳ偏光成分の光束に変化
する。
ーセル３６に磁界を印加するための電磁石である。この
電磁石３７によりファラデーセル３６に磁界を印加する
と、直線偏光の偏光方向が回転し、紙面に垂直な偏光成
分（Ｓ偏光成分）が生じる。従って、ファラデーセル３
６を透過した光束は、ｐ偏光とＳ偏光成分の光束に変化
する。
また、ファラデーセル駆動回路４５は、電磁石３７に電
流を与えるもので、ファラデーセル３７への印加磁界を
変化させることで、ｐ偏光成分とＳ偏光成分の比率を変
化させることができる。なお、外部磁界がないときはフ
ァラデーセル３６をｐ偏光のままで透過する。３８は偏
光ビームスプリッタで、ｐ偏光に対してはほぼ１００％
透過し、反射はほぼ０％である。また、Ｓ偏光に対して
はほぼ１００％反射し、透過はほぼ０％である。つまり
、ｐ偏光成分はそのまま透過し、Ｓ偏光成分は反射され
て、双方が分離される。
流を与えるもので、ファラデーセル３７への印加磁界を
変化させることで、ｐ偏光成分とＳ偏光成分の比率を変
化させることができる。なお、外部磁界がないときはフ
ァラデーセル３６をｐ偏光のままで透過する。３８は偏
光ビームスプリッタで、ｐ偏光に対してはほぼ１００％
透過し、反射はほぼ０％である。また、Ｓ偏光に対して
はほぼ１００％反射し、透過はほぼ０％である。つまり
、ｐ偏光成分はそのまま透過し、Ｓ偏光成分は反射され
て、双方が分離される。
偏光ビームスプリッタ３８の一側には、１７４波長板３
９、位相フィルタ４０、ミラー４１が配設され、他側に
は１／４波長板４２、ミラー４３が配設されている。偏
光ビームスプリッタ３８で反射されたＳ偏光成分は、１
７４波長板３９で円偏光に変換された後、位相フィルタ
４０を経てミラー４１へ入射する。そして、ミラー４１
で反射され、再び位相フィルタ４０．１７４波長３９を
経てｐ偏光となる。ここで、光磁気ディスク２のトラッ
ク方向を紙面に垂直な方向とすると、位相フィルタ４０
では光軸より上の光束（斜線部）と下の光束との間で、
πの位相差が生じるように作用する。
９、位相フィルタ４０、ミラー４１が配設され、他側に
は１／４波長板４２、ミラー４３が配設されている。偏
光ビームスプリッタ３８で反射されたＳ偏光成分は、１
７４波長板３９で円偏光に変換された後、位相フィルタ
４０を経てミラー４１へ入射する。そして、ミラー４１
で反射され、再び位相フィルタ４０．１７４波長３９を
経てｐ偏光となる。ここで、光磁気ディスク２のトラッ
ク方向を紙面に垂直な方向とすると、位相フィルタ４０
では光軸より上の光束（斜線部）と下の光束との間で、
πの位相差が生じるように作用する。
このように１／４波長板３９、位相フィルタ４０、ミラ
ー４１を往復した光束は、前述の如くｐ偏光となって偏
光ビームスプリッタ３８に入射する。
ー４１を往復した光束は、前述の如くｐ偏光となって偏
光ビームスプリッタ３８に入射する。
そして、この偏光ビームスプリッタ３８を透過し１７４
波長４２を通って円偏光になり、更にミラー４３に反射
されて再び１７４波長板４２へ入射してＳ偏光に戻る。
波長４２を通って円偏光になり、更にミラー４３に反射
されて再び１７４波長板４２へ入射してＳ偏光に戻る。
ｌ／４波長板４２を経た光束は、偏光ビームスプリッタ
３８で反射され、元の光束と合成されてビームスプリッ
タ４、対物レンズ３を通って光磁気ディスク２に光スポ
ットを結ぶ。このとき、ｐ、Ｓ偏光は互いに直交する直
線偏光であるので、干渉することはない。なお、第１０
図の実施例は、上述した内容以外の構成は第１図の実施
例と同じであるので、その説明は省略する。
３８で反射され、元の光束と合成されてビームスプリッ
タ４、対物レンズ３を通って光磁気ディスク２に光スポ
ットを結ぶ。このとき、ｐ、Ｓ偏光は互いに直交する直
線偏光であるので、干渉することはない。なお、第１０
図の実施例は、上述した内容以外の構成は第１図の実施
例と同じであるので、その説明は省略する。
また、第１０図ではビームスプリッタ９を透過した光に
よりサーボ誤差信号を検出する制御光学系については省
略しである。
よりサーボ誤差信号を検出する制御光学系については省
略しである。
ここで、ｐ偏光による光スポットは位相が一様であるの
で、第８図に示す光スポット２１Ｃと全く同じになり、
光軸上に１つのピークを持つものとなる。これを第１の
スポットとする。これに対し、Ｓ偏光は前述のように位
相フィルタ４０によって光束内でπの位相差が生じるの
で、第８図に示した光スポット２１ａ、２１ｂと全く同
様に光軸の両側に２つのピークを持つものとなる。これ
を第２、第３のスポットとする。つまり、光磁気ディス
ク２上に３つの光スポットが形成され、第１のスポット
は光軸上に中心があり、第２、第３のスポットは第１の
スポットの両側に形成される。従って、第７図に示した
実施例と同様に、３つの光スポットを情報トラック上に
形成でき、記録ドメインの形状を長方形に近い形状にす
ることができる。
で、第８図に示す光スポット２１Ｃと全く同じになり、
光軸上に１つのピークを持つものとなる。これを第１の
スポットとする。これに対し、Ｓ偏光は前述のように位
相フィルタ４０によって光束内でπの位相差が生じるの
で、第８図に示した光スポット２１ａ、２１ｂと全く同
様に光軸の両側に２つのピークを持つものとなる。これ
を第２、第３のスポットとする。つまり、光磁気ディス
ク２上に３つの光スポットが形成され、第１のスポット
は光軸上に中心があり、第２、第３のスポットは第１の
スポットの両側に形成される。従って、第７図に示した
実施例と同様に、３つの光スポットを情報トラック上に
形成でき、記録ドメインの形状を長方形に近い形状にす
ることができる。
また、本実施例においては、情報の記録時にファラデー
セル駆動回路４５により電磁石３７が駆動され、ファラ
デーセル３６に外部磁界が印加される。これにより、ｐ
偏光とＳ偏光が生成され、そのパワー比はファラデーセ
ル駆動回路４５により決定される。また、そのパワーの
大きさはレーザ駆動回路４６により決定される。このレ
ーザ駆動回路４６へは、記録すべき情報を含んだ記録信
号４７が入力されており、レーザ発光強度は記録信号４
７に応じて変調されている。従って、本実施例にあって
は、第８図に示した光スポット２１ａ、２１ｂと光スポ
ット２１ｃとの強度比率をファラデーセル駆動回路によ
り変えられるので、第８図（Ｃ）に示した実質的な合成
光スポット２１ｄの形状を記録材料の特性に合せて最適
な形状にコントロールできる利点がある。
セル駆動回路４５により電磁石３７が駆動され、ファラ
デーセル３６に外部磁界が印加される。これにより、ｐ
偏光とＳ偏光が生成され、そのパワー比はファラデーセ
ル駆動回路４５により決定される。また、そのパワーの
大きさはレーザ駆動回路４６により決定される。このレ
ーザ駆動回路４６へは、記録すべき情報を含んだ記録信
号４７が入力されており、レーザ発光強度は記録信号４
７に応じて変調されている。従って、本実施例にあって
は、第８図に示した光スポット２１ａ、２１ｂと光スポ
ット２１ｃとの強度比率をファラデーセル駆動回路によ
り変えられるので、第８図（Ｃ）に示した実質的な合成
光スポット２１ｄの形状を記録材料の特性に合せて最適
な形状にコントロールできる利点がある。
なお、本発明は以上の実施例で説明したように、光スポ
ットにより形成される熱分布を利用して光記録媒体中に
情報を書込む光学的情報記録装置において、その情報ト
ラック横断方向の光強度分布を適正に加工するようにし
たものである。従って、情報ピットの記録形状を大幅に
改善できるばかりでな（、情報記録！度も効果的に向上
できる利点を有する。よって、特に光磁気記録媒体を用
いた磁界変調方式に好適であるが、それに限定されるも
のではない。
ットにより形成される熱分布を利用して光記録媒体中に
情報を書込む光学的情報記録装置において、その情報ト
ラック横断方向の光強度分布を適正に加工するようにし
たものである。従って、情報ピットの記録形状を大幅に
改善できるばかりでな（、情報記録！度も効果的に向上
できる利点を有する。よって、特に光磁気記録媒体を用
いた磁界変調方式に好適であるが、それに限定されるも
のではない。
以上説明したように本発明によれば、記録ドメインの形
状を長方形に近い形状にできるので、従来の矢羽根状ド
メインに見られたようなジッターの増加がな（なり、エ
ラーレートを大幅に低減できるという効果がある。
状を長方形に近い形状にできるので、従来の矢羽根状ド
メインに見られたようなジッターの増加がな（なり、エ
ラーレートを大幅に低減できるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図は位相
シフト素子の具体例を示す斜視図、第３図は位相シフト
素子により２つの光スポットが形成される様子を示す説
明図、第４図はその光スポットの光強度分布と形状を示
す図、第５図は第４図の光スポットを用いて情報トラッ
ク上にドメインを形成する過程を示す図、第６図は従来
の磁界変調方式のドメイン形成過程を示す図、第７図は
本発明の他の実施例を示す構成図、第８図は第７図の実
施例で生成される光スポットの光強度分布及びその形状
を示す図、第９図は第８図の光スポットを用いて情報ト
ラック上にドメインを形成する過程を示す図、第１０図
は本発明の更に他の実施例を示す構成図、第１１図は磁
界変調方式の従来例を示す構成図、第１２図はマーク間
記録及びマーク長記録によってそれぞれ記録された矢羽
根状ドメインを示す図である。 １：磁気ヘッド ２：光磁気ディスク ３：対物レンズ
？、３２：半導体レーザ ２０；位相シフト素子 ３
６：ファラデーセル ３７：電磁石 ３８：偏光ビーム
スプリッタ ４０：位相フィルタ 代理人 弁理士 山 下 穣 平 第４図 尤蕉渡 第５図 第１２図 （ｂン ＠ 二 口 ＠Ｍ手続補正書 平成 ３年 １月３０日 特許庁長官 植 松 敏 殿 １、事件の表示 特願平２−３２１１１７号 ２、発明の名称 光学的情報記録再生装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 （１００）キャノン株式会社４、代理人〒
１０５ ｆｆ１０３ （３４３１） １８３１住所
東京都港区虎ノ門五丁目１３番１号虎ノ門４０森ビル明
細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書の９頁、１０行目のｒＬ＝ｎ十λ／２」をｒＬ＝
（ｎ＋１／２） λ」に補正する。 手続補正書 平成 ３年１１月２９日 特許庁長官 深 沢 亘 殿 １、事件の表示 特願平 ２−３２１１１７号 ２、発明の名称 光学的情報記録再生装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 （１００）キャノン株式会社４、代理人〒
１０５ ｆｆ１０３ （３４３１） １８３１住所
東京都港区虎ノ門五丁目１３番１号虎ノ門４０森ビル明
細書の発明の詳細な説明の欄及び図面６、補正の内容 （１）明細書の第９頁、第２０行の「２０」を［２１Ｊ
に補正する。 （２）図面の第１図を別紙の通り補正する。 （３）図面の第７図を別紙の通り補正する。 （４）図面の第１０図を別紙の通り補正する。 （５）図面の第１１図を別紙の通り補正する。
シフト素子の具体例を示す斜視図、第３図は位相シフト
素子により２つの光スポットが形成される様子を示す説
明図、第４図はその光スポットの光強度分布と形状を示
す図、第５図は第４図の光スポットを用いて情報トラッ
ク上にドメインを形成する過程を示す図、第６図は従来
の磁界変調方式のドメイン形成過程を示す図、第７図は
本発明の他の実施例を示す構成図、第８図は第７図の実
施例で生成される光スポットの光強度分布及びその形状
を示す図、第９図は第８図の光スポットを用いて情報ト
ラック上にドメインを形成する過程を示す図、第１０図
は本発明の更に他の実施例を示す構成図、第１１図は磁
界変調方式の従来例を示す構成図、第１２図はマーク間
記録及びマーク長記録によってそれぞれ記録された矢羽
根状ドメインを示す図である。 １：磁気ヘッド ２：光磁気ディスク ３：対物レンズ
？、３２：半導体レーザ ２０；位相シフト素子 ３
６：ファラデーセル ３７：電磁石 ３８：偏光ビーム
スプリッタ ４０：位相フィルタ 代理人 弁理士 山 下 穣 平 第４図 尤蕉渡 第５図 第１２図 （ｂン ＠ 二 口 ＠Ｍ手続補正書 平成 ３年 １月３０日 特許庁長官 植 松 敏 殿 １、事件の表示 特願平２−３２１１１７号 ２、発明の名称 光学的情報記録再生装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 （１００）キャノン株式会社４、代理人〒
１０５ ｆｆ１０３ （３４３１） １８３１住所
東京都港区虎ノ門五丁目１３番１号虎ノ門４０森ビル明
細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書の９頁、１０行目のｒＬ＝ｎ十λ／２」をｒＬ＝
（ｎ＋１／２） λ」に補正する。 手続補正書 平成 ３年１１月２９日 特許庁長官 深 沢 亘 殿 １、事件の表示 特願平 ２−３２１１１７号 ２、発明の名称 光学的情報記録再生装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 （１００）キャノン株式会社４、代理人〒
１０５ ｆｆ１０３ （３４３１） １８３１住所
東京都港区虎ノ門五丁目１３番１号虎ノ門４０森ビル明
細書の発明の詳細な説明の欄及び図面６、補正の内容 （１）明細書の第９頁、第２０行の「２０」を［２１Ｊ
に補正する。 （２）図面の第１図を別紙の通り補正する。 （３）図面の第７図を別紙の通り補正する。 （４）図面の第１０図を別紙の通り補正する。 （５）図面の第１１図を別紙の通り補正する。
Claims (6)
- （１）光学的情報記録媒体の情報トラック上に、微小ス
ポットに絞られた光ビームを照射して、該情報トラック
上に情報ピットを記録する装置において、前記記録媒体
の情報トラック上に、該トラックの横断方向に複数の記
録用光スポットを形成する手段を設けたことを特徴とす
る光学的情報記録再生装置。 - （２）前記スポット形成手段は、記録用光源の光路に集
光用の対物レンズの瞳面に相対して設けられ、かつ前記
情報トラックの横断方向に分割線を有する位相シフト素
子により、前記光源の光束を２つの光スポットとして情
報トラック上に照射することを特徴とする請求項１項記
載の光学的情報記録再生装置。 - （３）前記位相シフト素子の分割線を境界とした両側の
光束の位相差が、前記光源の波長の１／２であることを
特徴とする請求項２項記載の光学的情報記録再生装置。 - （４）前記情報トラックのトラックピッチｐと、その両
側の案内溝の幅Ｗと、前記光スポットのトラック横断方
向の光強度の半値幅ｄとの関係が、概略ｐ−Ｗ＝ｄであ
ることを特徴とする請求項２項記載の光学的情報記録再
生装置。 - （５）前記スポット形成手段は、情報トラック上に前記
２つの光スポットを形成する手段と、前記光源とは別に
設けられた光源の光束を前記２つの光スポットのほぼ中
央部に光スポットとして形成する手段よりなることを特
徴とする請求項１項記載の光学的情報記録再生装置。 - （６）前記スポット形成手段は、記録用光源の光路に設
けられたファラデーセルと、該ファラデーセルに磁界を
印加して前記光源の光束の偏光方向を変化させる手段と
、前記ファラデーセルを透過した光束の一方の偏光成分
に所定の位相差を生じさせる手段よりなることを特徴と
する請求項１項記載の光学的情報記録再生装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2321117A JP2858455B2 (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 光学的情報記録装置 |
| US08/104,605 US5329517A (en) | 1990-11-27 | 1993-08-11 | Optical information recording and reproducing apparatus utilizing a plurality of recording light spots |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2321117A JP2858455B2 (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 光学的情報記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04192142A true JPH04192142A (ja) | 1992-07-10 |
| JP2858455B2 JP2858455B2 (ja) | 1999-02-17 |
Family
ID=18129011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2321117A Expired - Fee Related JP2858455B2 (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 光学的情報記録装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5329517A (ja) |
| JP (1) | JP2858455B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060061890A (ko) * | 2004-12-02 | 2006-06-08 | 톰슨 라이센싱 | 각도 다중화된 피트를 레코딩하기 위한 장치 |
| JP2013058274A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Sony Corp | 対物レンズ、光ピックアップ装置、及び光ディスク装置 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3063805B2 (ja) * | 1991-02-25 | 2000-07-12 | オリンパス光学工業株式会社 | 光学式情報再生装置および記録媒体 |
| US5331626A (en) * | 1992-01-20 | 1994-07-19 | Pioneer Electronic Corporation | Recording medium and information recording and reproducing apparatus therefor |
| JPH0714242A (ja) * | 1993-04-22 | 1995-01-17 | Canon Inc | ２ビーム光ヘッド |
| JPH07169129A (ja) * | 1993-12-13 | 1995-07-04 | Canon Inc | 光ヘッド |
| JPH07234382A (ja) * | 1994-02-24 | 1995-09-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超解像走査光学装置 |
| KR100214046B1 (ko) | 1995-03-27 | 1999-08-02 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 초해상 광헤드장치 |
| JP3549301B2 (ja) * | 1995-09-08 | 2004-08-04 | 三菱電機株式会社 | 光ヘッドのトラッキング誤差検出装置 |
| US6275461B1 (en) * | 1996-08-29 | 2001-08-14 | Samsung Electronic Co., Ltd. | Optical pickup using an optical phase plate |
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