JPH04171954A - 半導体素子の剥離方法 - Google Patents
半導体素子の剥離方法Info
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- JPH04171954A JPH04171954A JP30088890A JP30088890A JPH04171954A JP H04171954 A JPH04171954 A JP H04171954A JP 30088890 A JP30088890 A JP 30088890A JP 30088890 A JP30088890 A JP 30088890A JP H04171954 A JPH04171954 A JP H04171954A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 99
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000010008 shearing Methods 0.000 claims description 31
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- 238000004064 recycling Methods 0.000 claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 19
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 2
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 229910010977 Ti—Pd Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
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- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/799—Apparatus for disconnecting
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の再生方法に関する。
従来、半導体装置の再生方法は、第２図に示されるよう
な方法で行われていた。第２図において１は基板、２は
半導体素子てあり、１０は刃状治具である。さらに具体
的に記述するため、第２図のＡ−Ａ’断面を第３図に示
す。第３図において、２の半導体素子上に形成された電
極６上に形成された金属突起４は、それに相対するよう
に１の基板上に形成された配線パターンと、５の絶縁樹
脂によって電気的な接続が得られている。この接続工程
かうまくいかなかった場合、１０に示されるような刃状
治具を２の半導体素子と、１の基板との間にむりやり、
さし込むことて、基板１と、半導体素子２とを引きはが
し、もう−度、基板１と半導体素子２の接続を行ってい
た。４の金属突起をハンダ、５の配線パターンをニッケ
ルで形成し、共晶て各々の接続を行っている場合も同様
の方法で再生が行われていた。
な方法で行われていた。第２図において１は基板、２は
半導体素子てあり、１０は刃状治具である。さらに具体
的に記述するため、第２図のＡ−Ａ’断面を第３図に示
す。第３図において、２の半導体素子上に形成された電
極６上に形成された金属突起４は、それに相対するよう
に１の基板上に形成された配線パターンと、５の絶縁樹
脂によって電気的な接続が得られている。この接続工程
かうまくいかなかった場合、１０に示されるような刃状
治具を２の半導体素子と、１の基板との間にむりやり、
さし込むことて、基板１と、半導体素子２とを引きはが
し、もう−度、基板１と半導体素子２の接続を行ってい
た。４の金属突起をハンダ、５の配線パターンをニッケ
ルで形成し、共晶て各々の接続を行っている場合も同様
の方法で再生が行われていた。
しかし、従来の技術では、むりやり刃状治具を半導体素
子と基板の間にさし込むため、半導体素子や基板の破壊
か起こり、装置の再生という本来の目的を達成すること
は困難であるという問題点を有していた。
子と基板の間にさし込むため、半導体素子や基板の破壊
か起こり、装置の再生という本来の目的を達成すること
は困難であるという問題点を有していた。
そこで、本発明の半導体装置の再生方法では、半導体素
子も、基板も破壊か起こらす、完全に再生が行える方法
を提供することを目的とする。
子も、基板も破壊か起こらす、完全に再生が行える方法
を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するため、本発明の半導体装置の再生方
法では、半導体素子と前記半導体素子能動素子形成面上
に形成された電極と、絶縁基板と前記絶縁基板上に前記
電極と一部分が相対するように形成された配線パターン
とが導電性物質によって前記電極と導電性を有するよう
に、前記半導体素子の能動素子形成面と、前記絶縁基板
上の配線パターンとが相対して載置されている半導体装
置か、加熱手段によって前記半導体素子載置部か加熱さ
れながら、前記半導体素子の能動素子形成面とは垂直な
面に対して、前記半導体素子と前記絶縁基板とに剪断力
を発生させる剪断力発生用治具によって剪断力を加えら
れることで、前記半導体素子を前記絶縁基板から剥離す
ることを特徴とする。
法では、半導体素子と前記半導体素子能動素子形成面上
に形成された電極と、絶縁基板と前記絶縁基板上に前記
電極と一部分が相対するように形成された配線パターン
とが導電性物質によって前記電極と導電性を有するよう
に、前記半導体素子の能動素子形成面と、前記絶縁基板
上の配線パターンとが相対して載置されている半導体装
置か、加熱手段によって前記半導体素子載置部か加熱さ
れながら、前記半導体素子の能動素子形成面とは垂直な
面に対して、前記半導体素子と前記絶縁基板とに剪断力
を発生させる剪断力発生用治具によって剪断力を加えら
れることで、前記半導体素子を前記絶縁基板から剥離す
ることを特徴とする。
前記加熱手段は、前記剪断力発生用治具の中に組み込ま
れていることを特徴とする。
れていることを特徴とする。
前記加熱手段は、前記絶縁基板の前記パターン形成面と
は逆の面から加熱できるように載置されていることを特
徴とする。
は逆の面から加熱できるように載置されていることを特
徴とする。
前記剪断力発生用治具は前記半導体素子の能動面に平行
な直線方向の剪断力を発生することを特徴とする。
な直線方向の剪断力を発生することを特徴とする。
前記剪断力発生用治具は前記半導体素子の能動面に平行
な面の回転方向の剪断力を発生することを特徴とする。
な面の回転方向の剪断力を発生することを特徴とする。
本発明では、半導体素子載置部を加熱するので、半導体
素子と基板との挟持部材、例えば、接着剤、ハンダ等が
常温よりもやわらかくなる。接着剤であれば、接着力が
低下し、ハンダであれば、剪断強度が低下する。さらに
本発明によると、半導体素子の側面から半導体素子と、
基板との間に剪断力を加えるので、半導体素子や基板に
ダメージを全く与えず、両者を分離することかできるの
である。
素子と基板との挟持部材、例えば、接着剤、ハンダ等が
常温よりもやわらかくなる。接着剤であれば、接着力が
低下し、ハンダであれば、剪断強度が低下する。さらに
本発明によると、半導体素子の側面から半導体素子と、
基板との間に剪断力を加えるので、半導体素子や基板に
ダメージを全く与えず、両者を分離することかできるの
である。
以下に、本発明の実施例を、図を用いて詳細に説明する
。第１図は、本発明による半導体装置の再生方法を示し
た斜視図である。１は基板てあり、少くとも表面が絶縁
物で形成されており、ガラス、セラミクス、ホウロウ、
ガラスエポキシ等であることが多い。その上に、３の配
線パターンが形成されている。配線パターンは、金、銀
、クロム、ニッケル等の金属か、ＩＴＯ等の金属酸化物
を、蒸着、スパッタ、メツキ等で形成し、フォト工程で
目的のパターンにパターニングされていることか多い。
。第１図は、本発明による半導体装置の再生方法を示し
た斜視図である。１は基板てあり、少くとも表面が絶縁
物で形成されており、ガラス、セラミクス、ホウロウ、
ガラスエポキシ等であることが多い。その上に、３の配
線パターンが形成されている。配線パターンは、金、銀
、クロム、ニッケル等の金属か、ＩＴＯ等の金属酸化物
を、蒸着、スパッタ、メツキ等で形成し、フォト工程で
目的のパターンにパターニングされていることか多い。
２は半導体素子であり、能動面は基板側と対向して載置
されている。半導体素子２と基板１は絶縁樹脂で形成さ
れる接着剤、ハンダ等で保持されている。ここで、半導
体素子２と配線パターン３との接続に失敗した場合につ
いて考える。
されている。半導体素子２と基板１は絶縁樹脂で形成さ
れる接着剤、ハンダ等で保持されている。ここで、半導
体素子２と配線パターン３との接続に失敗した場合につ
いて考える。
失敗する例としては、接続時に、配線パターンと半導体
素子の位置にずれか生した場合や、半導体素子、配線パ
ターン、基板に不良か存在した場合、あるいは接続に用
する時間が短かすぎる等の理由で接続が不完全である場
合等か考えられる。その場合、半導体素子２を基板１か
ら一旦取り去り、もう−度半導体素子２を基板１に接続
し直す必要が生ずるがこれは一般的に再生と言われてい
る。
素子の位置にずれか生した場合や、半導体素子、配線パ
ターン、基板に不良か存在した場合、あるいは接続に用
する時間が短かすぎる等の理由で接続が不完全である場
合等か考えられる。その場合、半導体素子２を基板１か
ら一旦取り去り、もう−度半導体素子２を基板１に接続
し直す必要が生ずるがこれは一般的に再生と言われてい
る。
この半導体素子２を基板１から取る時に、第２図に示す
ように、１１の剪断力発生治具を、半導体素子２の側面
に当て、１２の熱風供給口から熱風を供給しなから、矢
印の方向に剪断力を発生させ、半導体素子２を基板１か
ら取り去る。この時の様子をより詳しく、第４図を用い
て説明する。第４図は、第１図のＢ−Ｂ’断面であり、
本発明による半導体装置の再生方法を示す断面図である
。１の基板上に形成されている配線パターン３は、半導
体素子２の能動素子形成面にＣｒ、Ｔｉ−Ｐｄ等て形成
されている電極６上に形成されている金属突起４を用い
て、半導体素子２との電気的導通がはかられている。金
属突起４はハンダ等で形成され、配線パターン３と共晶
て機械的、電気的な保持が行われる場合と、金、パラジ
ウム、ニッケル等で形成され、５の絶縁樹脂で接着され
ることで、機械的、電気的な保持か行われている場合か
多い。５の絶縁樹脂は、光硬化、熱硬化樹脂であること
か多く、必要に応して導電性を有する粒子か金属突起４
と配線パターン３の間に存在していることもある。また
、金属突起は半導体素子側でなく配線パターン側に形成
されていることもあるし、金属突起のかわりに、導電性
を有する粒子か、半導体素子上の電極と配線パターンと
の間の電気的導通を保持する場合もある。いずれの方法
で、半導体素子と基板の接続を行ってもかまわないが、
半導体素子を絶縁樹脂で基板に接着しである場合、これ
を、剥離する場合の手順を述べる。まず、１２の熱風供
給口から熱風を半導体素子２及び基板１に供給する。す
ると、５の絶縁樹脂か加熱され、やわらかくなる。一般
に樹脂は加熱されると、やわらかくなり、接着剤の場合
は接着力は低下する。
ように、１１の剪断力発生治具を、半導体素子２の側面
に当て、１２の熱風供給口から熱風を供給しなから、矢
印の方向に剪断力を発生させ、半導体素子２を基板１か
ら取り去る。この時の様子をより詳しく、第４図を用い
て説明する。第４図は、第１図のＢ−Ｂ’断面であり、
本発明による半導体装置の再生方法を示す断面図である
。１の基板上に形成されている配線パターン３は、半導
体素子２の能動素子形成面にＣｒ、Ｔｉ−Ｐｄ等て形成
されている電極６上に形成されている金属突起４を用い
て、半導体素子２との電気的導通がはかられている。金
属突起４はハンダ等で形成され、配線パターン３と共晶
て機械的、電気的な保持が行われる場合と、金、パラジ
ウム、ニッケル等で形成され、５の絶縁樹脂で接着され
ることで、機械的、電気的な保持か行われている場合か
多い。５の絶縁樹脂は、光硬化、熱硬化樹脂であること
か多く、必要に応して導電性を有する粒子か金属突起４
と配線パターン３の間に存在していることもある。また
、金属突起は半導体素子側でなく配線パターン側に形成
されていることもあるし、金属突起のかわりに、導電性
を有する粒子か、半導体素子上の電極と配線パターンと
の間の電気的導通を保持する場合もある。いずれの方法
で、半導体素子と基板の接続を行ってもかまわないが、
半導体素子を絶縁樹脂で基板に接着しである場合、これ
を、剥離する場合の手順を述べる。まず、１２の熱風供
給口から熱風を半導体素子２及び基板１に供給する。す
ると、５の絶縁樹脂か加熱され、やわらかくなる。一般
に樹脂は加熱されると、やわらかくなり、接着剤の場合
は接着力は低下する。
この状態で、１１の剪断力発生用治具を、半導体素子２
の側面に押し当て、図中矢印の方向に力を加えると、半
導体素子２は基板１から取りはずせる。次に、基板１上
に残った絶縁樹脂５を溶剤等を用いて剥離し、再度、絶
縁樹脂５を基板１上に載置し、剥離した半導体素子２を
位置合わせし、絶縁樹脂５を硬化させれば再生作業は終
了する。
の側面に押し当て、図中矢印の方向に力を加えると、半
導体素子２は基板１から取りはずせる。次に、基板１上
に残った絶縁樹脂５を溶剤等を用いて剥離し、再度、絶
縁樹脂５を基板１上に載置し、剥離した半導体素子２を
位置合わせし、絶縁樹脂５を硬化させれば再生作業は終
了する。
基板か、半導体素子に不良か存在するならば、それを取
り変えた後、再生作業を行えば良い。加熱の方向は、基
板側から行ってもよく、やわらかくしなければならない
部分を加熱できれば良い。また、熱風を用いた加熱でな
く、他のエネルギー源、例えば赤外線を用いても良く、
ホットプレート上に載せて、再生作業を行ってもかまわ
ない。金属突起に、ハンダ等を用いている場合、導電粒
子で半導体素子上の電極と配線パターンとの接続を取っ
ている場合も全く同様であって、接続に寄与している部
分を加熱し、取りやすくして剪断力を与えて半導体素子
を基板から取りはずしても良い。
り変えた後、再生作業を行えば良い。加熱の方向は、基
板側から行ってもよく、やわらかくしなければならない
部分を加熱できれば良い。また、熱風を用いた加熱でな
く、他のエネルギー源、例えば赤外線を用いても良く、
ホットプレート上に載せて、再生作業を行ってもかまわ
ない。金属突起に、ハンダ等を用いている場合、導電粒
子で半導体素子上の電極と配線パターンとの接続を取っ
ている場合も全く同様であって、接続に寄与している部
分を加熱し、取りやすくして剪断力を与えて半導体素子
を基板から取りはずしても良い。
又、加熱方法として、剪断力発生用治具中にヒーターを
組み込み、これを熱源としても良い。
組み込み、これを熱源としても良い。
第５図に、他の実施例を示す。第５図は、本発明による
他の半導体装置の再生方法を示す断面図である。１３は
、回転剪断力を半導体素子２と基板１に与えるための回
路剪断力発生用治具であり、１５は基板１を固定する固
定板であり、１６の位置決めピンで基板か固定板に固定
されている。半導体装置は、第４図で示した構造と同一
である。
他の半導体装置の再生方法を示す断面図である。１３は
、回転剪断力を半導体素子２と基板１に与えるための回
路剪断力発生用治具であり、１５は基板１を固定する固
定板であり、１６の位置決めピンで基板か固定板に固定
されている。半導体装置は、第４図で示した構造と同一
である。
１３の回転剪断力発生用治具は半導体素子２の側面をは
さみ込むようにさらに加工か施されており、これを回転
させることで、半導体素子２と基板１の間に回転剪断力
を発生させ、半導体素子を基板から取りはずすのである
。この時、回転剪断力発生治具に組み込まれたロッドヒ
ーター１４及び固定板１５中に組み込まれたロッドヒー
ター１４によって絶縁樹脂５は加熱され、やわらかくな
っている。ロッドヒーター１４は、その必要に応してと
ちらか一方でも良く、前述の他の加熱手段で加熱または
併用して加熱しても良い。回転剪断力発生用治具と半導
体素子の間には、半導体素子のチッピングを防止するた
めに、シート状のものが挾まれることもある。また、回
転剪断力を発生させるために、半導体素子の側面をチャ
ッキングする治具を用いる場合もある。
さみ込むようにさらに加工か施されており、これを回転
させることで、半導体素子２と基板１の間に回転剪断力
を発生させ、半導体素子を基板から取りはずすのである
。この時、回転剪断力発生治具に組み込まれたロッドヒ
ーター１４及び固定板１５中に組み込まれたロッドヒー
ター１４によって絶縁樹脂５は加熱され、やわらかくな
っている。ロッドヒーター１４は、その必要に応してと
ちらか一方でも良く、前述の他の加熱手段で加熱または
併用して加熱しても良い。回転剪断力発生用治具と半導
体素子の間には、半導体素子のチッピングを防止するた
めに、シート状のものが挾まれることもある。また、回
転剪断力を発生させるために、半導体素子の側面をチャ
ッキングする治具を用いる場合もある。
また、半導体素子２に直接当る治具の部分は、テフロン
等の樹脂を載置またはコーティングし、半導体素子のチ
ッピングを防止する構造の治具を用いる方法としても良
い。
等の樹脂を載置またはコーティングし、半導体素子のチ
ッピングを防止する構造の治具を用いる方法としても良
い。
以上、説明したように、本発明の半導体素子の再生方法
では、加熱しながら半導体素子の側面に、半導体素子と
基板との間に直線方向又は回転方向の剪断力を発生させ
る方法としたので、半導体素子や基板に対して限界応力
以上の応力が発生せずに、半導体素子を基板から剥離す
ることができ、半導体素子や基板を破壊しないので、不
要なコストは発生せずに、半導体装置を再生することが
可能になるという大きな効果を有する。又、破壊した半
導体素子や基板が相手側に残ることもなくなったので、
良品の半導体素子や基板を捨てなくとも良くなり、より
安価に半導体装置を生産できるという効果も有する。
では、加熱しながら半導体素子の側面に、半導体素子と
基板との間に直線方向又は回転方向の剪断力を発生させ
る方法としたので、半導体素子や基板に対して限界応力
以上の応力が発生せずに、半導体素子を基板から剥離す
ることができ、半導体素子や基板を破壊しないので、不
要なコストは発生せずに、半導体装置を再生することが
可能になるという大きな効果を有する。又、破壊した半
導体素子や基板が相手側に残ることもなくなったので、
良品の半導体素子や基板を捨てなくとも良くなり、より
安価に半導体装置を生産できるという効果も有する。
また、剪断力発生治具又は、固定板に加熱手段を入れる
ことによって、発熱手段を準備、固定する手間が不必要
となり、煩雑さがなくなるという効果も有する。
ことによって、発熱手段を準備、固定する手間が不必要
となり、煩雑さがなくなるという効果も有する。
第１図は、本発明による半導ｒ、ｊ、装置の再生方法を
示す斜視図であり、第２図は従来の半導体装置の再生方
法を示す斜視図、第３図は従来の半導体装置の再生方法
を示す断面図である。第４図は、本発明による半導体装
置の再生方法を示す断面図であり、第５図は本発明によ
る他の半導体装置の再生方法を示す断面図である。 １・・・基板 ２・・・半導体素子 ３・・・配線パターン ４・・・金属突起 ５・・・絶縁樹脂 ６・・・電極 １０・・・刃状治具 】１・・・剪断力発生用治具 １２・・・熱風供給口 １３・・・回転剪断力発生用治具 １４・・・ロッドヒーター １５・・・固定板 １６・・・位置決めピン 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）第３図 （二一二二〉剪断力性方向 第５図
示す斜視図であり、第２図は従来の半導体装置の再生方
法を示す斜視図、第３図は従来の半導体装置の再生方法
を示す断面図である。第４図は、本発明による半導体装
置の再生方法を示す断面図であり、第５図は本発明によ
る他の半導体装置の再生方法を示す断面図である。 １・・・基板 ２・・・半導体素子 ３・・・配線パターン ４・・・金属突起 ５・・・絶縁樹脂 ６・・・電極 １０・・・刃状治具 】１・・・剪断力発生用治具 １２・・・熱風供給口 １３・・・回転剪断力発生用治具 １４・・・ロッドヒーター １５・・・固定板 １６・・・位置決めピン 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）第３図 （二一二二〉剪断力性方向 第５図
Claims (5)
- （１）半導体素子と前記半導体素子能動素子形成面上に
形成された電極と、絶縁基板と前記絶縁基板上に前記電
極と一部分が相対するように形成された配線パターンと
が導電性物質によって前記電極と導電性を有するように
、前記半導体素子の能動素子形成面と、前記絶縁基板上
の配線パターンとが相対して載置されている半導体装置
が、加熱手段によって前記半導体素子載置部が加熱され
ながら、前記半導体素子の能動素子形成面とは垂直な面
に対して、前記半導体素子と前記絶縁基板とに剪断力を
発生させる剪断力発生用治具によって剪断力を加えられ
ることで、前記半導体素子を前記絶縁基板から剥離する
ことを特徴とする半導体装置の再生方法。 - （２）前記加熱手段は、前記剪断力発生用治具の中に組
み込まれていることを特徴とする請求項１記載の半導体
装置の再生方法。 - （３）前記加熱手段は、前記絶縁基板の前記配線パター
ン形成面とは逆の面から加熱できるように載置されてい
ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の再生方
法。 - （４）前記剪断力発生用治具は前記半導体素子の能動面
に平行な直線方向の剪断力を発生することを特徴とする
請求項１記載の半導体装置の再生方法。 - （５）前記剪断力発生用治具は前記半導体素子の能動面
に平行な面の回転方向の剪断力を発生することを特徴と
する請求項１記載の半導体装置の再生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30088890A JP2897406B2 (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | 半導体素子の剥離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30088890A JP2897406B2 (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | 半導体素子の剥離方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04171954A true JPH04171954A (ja) | 1992-06-19 |
| JP2897406B2 JP2897406B2 (ja) | 1999-05-31 |
Family
ID=17890332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30088890A Expired - Lifetime JP2897406B2 (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | 半導体素子の剥離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2897406B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09115967A (ja) * | 1995-10-24 | 1997-05-02 | Hitachi Chem Co Ltd | Ｉｃチップの剥離方法及びその方法に使用する剥離用治具 |
| JPH10233576A (ja) * | 1997-02-19 | 1998-09-02 | Alps Electric Co Ltd | 電気部品の剥離装置、及びその電気部品の剥離方法 |
| JP2010121134A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Nitto Denko Corp | 貼り合わされた板の剥離方法 |
| JP2011028813A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Nhk Spring Co Ltd | ヘッドサスペンションの再生方法及びリワーク用切断治具 |
| CN110444487A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-11-12 | 广东晶科电子股份有限公司 | 一种Mini LED模组的检修方法 |
-
1990
- 1990-11-06 JP JP30088890A patent/JP2897406B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09115967A (ja) * | 1995-10-24 | 1997-05-02 | Hitachi Chem Co Ltd | Ｉｃチップの剥離方法及びその方法に使用する剥離用治具 |
| JPH10233576A (ja) * | 1997-02-19 | 1998-09-02 | Alps Electric Co Ltd | 電気部品の剥離装置、及びその電気部品の剥離方法 |
| JP2010121134A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Nitto Denko Corp | 貼り合わされた板の剥離方法 |
| JP2011028813A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Nhk Spring Co Ltd | ヘッドサスペンションの再生方法及びリワーク用切断治具 |
| CN110444487A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-11-12 | 广东晶科电子股份有限公司 | 一种Mini LED模组的检修方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2897406B2 (ja) | 1999-05-31 |
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