JPH04165634A - 樹脂封止形半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置の製造方法Info
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- JPH04165634A JPH04165634A JP29284590A JP29284590A JPH04165634A JP H04165634 A JPH04165634 A JP H04165634A JP 29284590 A JP29284590 A JP 29284590A JP 29284590 A JP29284590 A JP 29284590A JP H04165634 A JPH04165634 A JP H04165634A
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止形半導体装置の製造方法に関する。
従来の樹脂封止形半導体装置の製造方法を説明するため
に、第４図は、リードフレームの部分平面図、第５図は
半導体素子を搭載した第４図のリードフレームを樹脂封
止金型で型締めした状態の部分断面図をそれぞれ示す。
に、第４図は、リードフレームの部分平面図、第５図は
半導体素子を搭載した第４図のリードフレームを樹脂封
止金型で型締めした状態の部分断面図をそれぞれ示す。
従来の樹脂封止形半導体装置の製造方法は、第４図、お
よび、第５図に示すように、まず、リードフレームのつ
りピン７に保持された素子搭載部１に半導体素子２を搭
載する。
よび、第５図に示すように、まず、リードフレームのつ
りピン７に保持された素子搭載部１に半導体素子２を搭
載する。
次に、半導体素子２とリード３の先端を金属細線４で接
続する。
続する。
次に、リードフレーム３を上金型５と下金型６とではさ
み、キャビティ１０内に封止用樹脂を注入することによ
り、素子搭載部１に搭載された半導体素子２、金属細線
４、内部リードなどを樹脂封止する。
み、キャビティ１０内に封止用樹脂を注入することによ
り、素子搭載部１に搭載された半導体素子２、金属細線
４、内部リードなどを樹脂封止する。
最後に、外部リードを形成するというのが一般的であっ
た。
た。
上述した従来の樹脂封止形半導体装置の製造方法は、上
金型と下金型とにより形成されるキャビティ内に封入用
樹脂を注入する際の樹脂の圧力により、リードフレーム
が変形して素子搭載部が浮上がり、金属細線が半導体素
子に接触して、電気的な短絡事故を発生するという欠点
があった。
金型と下金型とにより形成されるキャビティ内に封入用
樹脂を注入する際の樹脂の圧力により、リードフレーム
が変形して素子搭載部が浮上がり、金属細線が半導体素
子に接触して、電気的な短絡事故を発生するという欠点
があった。
このような素子搭載部の浮」−がりを防止するには、素
子搭載部を保持するつりピンを太く丈夫な構造にすれば
よいが、素子搭載部がつりピンを介して％ｉとコンタク
トしている構造であるので、つりピンを過度に太くする
と、外部より水分等が封止樹脂とつりピンの界面を伝わ
って進入し、半導体素子に悪影響を及ぼすことにより半
導体装置の信頼性を低下させるので、十分な強度が得ら
れるほど太くできないという欠点があった。
子搭載部を保持するつりピンを太く丈夫な構造にすれば
よいが、素子搭載部がつりピンを介して％ｉとコンタク
トしている構造であるので、つりピンを過度に太くする
と、外部より水分等が封止樹脂とつりピンの界面を伝わ
って進入し、半導体素子に悪影響を及ぼすことにより半
導体装置の信頼性を低下させるので、十分な強度が得ら
れるほど太くできないという欠点があった。
本発明の樹脂封止形半導体装置の製造方法は、樹脂封止
対象半導体素子の表面と樹脂封止用金型の内面との間隔
を保持する絶縁祠料製のスペーサを固着するものである
。
対象半導体素子の表面と樹脂封止用金型の内面との間隔
を保持する絶縁祠料製のスペーサを固着するものである
。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の樹脂封止形半導体装置の製造方法の
一実施例を示すリードフレームの部分断面図、第２図は
、第１図のリードフレームを樹脂封止用の金型で型締め
したときの部分断面図である。
一実施例を示すリードフレームの部分断面図、第２図は
、第１図のリードフレームを樹脂封止用の金型で型締め
したときの部分断面図である。
第１図に示すように、本発明の樹脂封止形半導体装置の
製造方法では、ます、リードフレームの素子搭載部１に
半導体素子２を搭載する。
製造方法では、ます、リードフレームの素子搭載部１に
半導体素子２を搭載する。
次に、半導体素子２とリード３の先端を金属細線４で接
続する。ここまでは、前述の従来の技術と同様である。
続する。ここまでは、前述の従来の技術と同様である。
次に、半導体素子２の表面に、直方体の固形樹脂製のス
ペーサ８をエポキシ接着剤により接着する。
ペーサ８をエポキシ接着剤により接着する。
次に、以上の工程で組立てられたリードフレームを第２
図に示すように、上金型５、および、下金型６により型
締めする。
図に示すように、上金型５、および、下金型６により型
締めする。
ここで、スペーサ８の高さは、リードフレームを型締め
したときに、上金型５のキャビティ１０の底面に丁度接
するように、すなわち、半導体素子２と上金型５との間
隔の寸法に設計されている。
したときに、上金型５のキャビティ１０の底面に丁度接
するように、すなわち、半導体素子２と上金型５との間
隔の寸法に設計されている。
一例として、リードフレームの素子搭載部１から、上金
型５のキャビティ１０の底面までの高さを１． ｍ ｍ
Ｎ半導体素子の厚さ０．４ｍｍとすれば、スペーサ８
の萬さは、Ｏ−ｅｉ ｍ ｍとなる。
型５のキャビティ１０の底面までの高さを１． ｍ ｍ
Ｎ半導体素子の厚さ０．４ｍｍとすれば、スペーサ８
の萬さは、Ｏ−ｅｉ ｍ ｍとなる。
最後に、キャビティ１０に、封止用樹脂を注入する。
素子搭載部１は、スペーサ８により保持されるため、封
止用樹脂の注入圧力により素子搭載部１が変形して浮上
がることはない。
止用樹脂の注入圧力により素子搭載部１が変形して浮上
がることはない。
次に１本発明の第二の実施例について説明する。
第３図は、本発明の第二の実施例を示すリードフレーム
を樹脂封止用の金型で型締めしたときの部分断面図であ
る。
を樹脂封止用の金型で型締めしたときの部分断面図であ
る。
第３図において、第一の実施例との相違点は、上金型５
のキャビティ１０の底面にスペーサ８が丁度はまり込む
ような凹部９が設けられていることである。
のキャビティ１０の底面にスペーサ８が丁度はまり込む
ような凹部９が設けられていることである。
したがって、スペーサ８の高さは、凹部９の底面に接す
るように設計されている。
るように設計されている。
第一の実施例に示した寸法例を用いると、凹部９の附加
さを０．２ｍｍとすれば、スペーサ８の高さは０．８ｍ
ｍとなる。
さを０．２ｍｍとすれば、スペーサ８の高さは０．８ｍ
ｍとなる。
本実施例では、リードフレームの素子搭載部１の浮上が
りたけでなく、水平方向の変形も防止できるという利点
がある。
りたけでなく、水平方向の変形も防止できるという利点
がある。
以上説明したように、本発明によれば、半導体素子搭載
部は、スペーサにより保持されるため、封止用樹脂の注
入圧力により素子搭載部が変形して浮上がることはない
という効果がある。
部は、スペーサにより保持されるため、封止用樹脂の注
入圧力により素子搭載部が変形して浮上がることはない
という効果がある。
したがって、金属細線が半導体素子と接触する電気的短
絡事故は発生しないという効果がある。
絡事故は発生しないという効果がある。
さらに、つりピンを過度に太くする必要はないので、外
部より水分等が封止樹脂とつりピンの界面を伝わって進
入し、半導体素子に悪影響を及ぼすことにより半導体装
置の信頼性を低下させるということを防止できるという
効果がある。
部より水分等が封止樹脂とつりピンの界面を伝わって進
入し、半導体素子に悪影響を及ぼすことにより半導体装
置の信頼性を低下させるということを防止できるという
効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示すリードフレームの部分
断面図、第２図は第１図のリードフレームを樹脂封止用
の金型で型締めしたときの部分断面図、第３図は本発明
の第二の実施例を示すリードフレームを樹脂封止用の金
型で型締めしたときの部分断面図、第４図は従来の樹脂
封止形半導体装置の製造方法を説明するためのリードフ
レームの部分平面図、第５図は第４図のリードフレーム
を樹脂封止金型で型締めした状態の部分断面図である。 １・・・素子搭載部、２・・・半導体素子、３・・・リ
ード、４・・・金属細線、５・・・上金型５．６・・・
下金型、７・・・つりピン、８・・・スペーサ、９・・
・凹部、１０・・・キャビティ。
断面図、第２図は第１図のリードフレームを樹脂封止用
の金型で型締めしたときの部分断面図、第３図は本発明
の第二の実施例を示すリードフレームを樹脂封止用の金
型で型締めしたときの部分断面図、第４図は従来の樹脂
封止形半導体装置の製造方法を説明するためのリードフ
レームの部分平面図、第５図は第４図のリードフレーム
を樹脂封止金型で型締めした状態の部分断面図である。 １・・・素子搭載部、２・・・半導体素子、３・・・リ
ード、４・・・金属細線、５・・・上金型５．６・・・
下金型、７・・・つりピン、８・・・スペーサ、９・・
・凹部、１０・・・キャビティ。
Claims (1)
- 樹脂封止対象半導体素子の表面と樹脂封止用金型の内
面との間隔を保持する絶縁材料製のスペーサを固着する
ことを特徴とする樹脂封止形半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2292845A JP2973506B2 (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2292845A JP2973506B2 (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04165634A true JPH04165634A (ja) | 1992-06-11 |
| JP2973506B2 JP2973506B2 (ja) | 1999-11-08 |
Family
ID=17787110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2292845A Expired - Lifetime JP2973506B2 (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2973506B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6383841B2 (en) * | 1998-03-12 | 2002-05-07 | Delta Electronics, Inc. | Method for encapsulating with a fixing member to secure an electronic device |
| US6624058B1 (en) | 2000-06-22 | 2003-09-23 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method for producing the same |
| US8420450B2 (en) | 2010-06-28 | 2013-04-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of molding semiconductor package |
| CN104599982A (zh) * | 2014-12-11 | 2015-05-06 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 全包封半导体晶圆级封装模具 |
-
1990
- 1990-10-30 JP JP2292845A patent/JP2973506B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6383841B2 (en) * | 1998-03-12 | 2002-05-07 | Delta Electronics, Inc. | Method for encapsulating with a fixing member to secure an electronic device |
| US6624058B1 (en) | 2000-06-22 | 2003-09-23 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method for producing the same |
| US7015593B2 (en) | 2000-06-22 | 2006-03-21 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having contact prevention spacer |
| US8420450B2 (en) | 2010-06-28 | 2013-04-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of molding semiconductor package |
| US8956921B2 (en) | 2010-06-28 | 2015-02-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of molding semiconductor package |
| US9184065B2 (en) | 2010-06-28 | 2015-11-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of molding semiconductor package |
| CN104599982A (zh) * | 2014-12-11 | 2015-05-06 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 全包封半导体晶圆级封装模具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2973506B2 (ja) | 1999-11-08 |
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