JP2001177007A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置の小型化を図る。半導体装置の生
産性を高める。 【解決手段】 半導体装置は、主面に電極を有する半導
体チップと、前記半導体チップの電極に接続手段を介し
て電気的に接続されるリードと、互いに対向する第１主
面及び第２主面を有し、かつ前記半導体チップ、前記接
続手段及び前記リードを封止する樹脂封止体とを有し、
前記リードは、前記樹脂封止体の内部に位置し、かつ前
記接続手段が接続される接続部分と、前記樹脂封止体の
第１主面から露出する第１外部端子部分と、前記樹脂封
止体の第２主面から露出する第２外部端子部分とを有す
る構成になっている。
産性を高める。 【解決手段】 半導体装置は、主面に電極を有する半導
体チップと、前記半導体チップの電極に接続手段を介し
て電気的に接続されるリードと、互いに対向する第１主
面及び第２主面を有し、かつ前記半導体チップ、前記接
続手段及び前記リードを封止する樹脂封止体とを有し、
前記リードは、前記樹脂封止体の内部に位置し、かつ前
記接続手段が接続される接続部分と、前記樹脂封止体の
第１主面から露出する第１外部端子部分と、前記樹脂封
止体の第２主面から露出する第２外部端子部分とを有す
る構成になっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、特に、リードフレームを用いて製造される半導体装
置に適用して有効な技術に関するものである。
し、特に、リードフレームを用いて製造される半導体装
置に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】リードフレームを用いて製造される半導
体装置においては、種々な構造のものが提案され、製品
化されている。例えば、特開平６−４５５０１号（１９
９４年、２月１８日公開）には、実装基板上に複数個積
み重ねて実装することが可能な半導体装置が開示されて
いる。
体装置においては、種々な構造のものが提案され、製品
化されている。例えば、特開平６−４５５０１号（１９
９４年、２月１８日公開）には、実装基板上に複数個積
み重ねて実装することが可能な半導体装置が開示されて
いる。
【０００３】前記公報に開示された半導体装置は、主
に、樹脂封止体と、樹脂封止体の内部に位置し、表裏面
（互いに対向する一主面及び他の主面）のうちの表面
（一主面）である回路形成面に電極が形成された半導体
チップと、樹脂封止体の内外に亘って延在し、半導体チ
ップの電極に導電性のワイヤを介して電気的に接続され
たリードとを有する構成になっている。
に、樹脂封止体と、樹脂封止体の内部に位置し、表裏面
（互いに対向する一主面及び他の主面）のうちの表面
（一主面）である回路形成面に電極が形成された半導体
チップと、樹脂封止体の内外に亘って延在し、半導体チ
ップの電極に導電性のワイヤを介して電気的に接続され
たリードとを有する構成になっている。
【０００４】リードは、樹脂封止体の内部に位置する内
部リード部（インナーリードとも言う）と、この内部リ
ード部と一体に形成され、かつ樹脂封止体の外部に位置
する外部リード部（アウターリードとも言う）とを有す
る構成になっている。リードの外部リード部は、樹脂封
止体の側面から突出する第１部分と、この第１部分から
上方に折れ曲がる第２部分と、この第２部分から第１部
分の延在方向と同一方向に延びる第３部分と、この第３
部分から下方に折れ曲がる第４部分と、この第４部分か
ら樹脂封止体に向かって延びる第５部分とを有する構成
になっている。
部リード部（インナーリードとも言う）と、この内部リ
ード部と一体に形成され、かつ樹脂封止体の外部に位置
する外部リード部（アウターリードとも言う）とを有す
る構成になっている。リードの外部リード部は、樹脂封
止体の側面から突出する第１部分と、この第１部分から
上方に折れ曲がる第２部分と、この第２部分から第１部
分の延在方向と同一方向に延びる第３部分と、この第３
部分から下方に折れ曲がる第４部分と、この第４部分か
ら樹脂封止体に向かって延びる第５部分とを有する構成
になっている。
【０００５】このように構成された半導体装置において
は、例えば実装基板に二つの半導体装置を実装する場
合、第１半導体装置の外部リード部の第５部分を実装基
板の接続用端子に半田付けし、第２半導体装置の外部リ
ード部の第５部分を第１半導体装置の外部リード部の第
３部分に半田付けすることにより、実装基板上に二つの
半導体装置を積み重ねた状態で実装することができる。
は、例えば実装基板に二つの半導体装置を実装する場
合、第１半導体装置の外部リード部の第５部分を実装基
板の接続用端子に半田付けし、第２半導体装置の外部リ
ード部の第５部分を第１半導体装置の外部リード部の第
３部分に半田付けすることにより、実装基板上に二つの
半導体装置を積み重ねた状態で実装することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前述の半
導体装置について検討した結果、以下の問題点を見出し
た。前述の半導体装置においては、樹脂封止体の外部に
導出された外部リード部を折り曲げ成形して外部端子部
分（第３部分及び第５部分）を形成しているため、半導
体装置の平面サイズが大きくなる。また、前述の半導体
装置においては、外部リード部の折り曲げ成形が複雑に
なるため、半導体装置の生産性が低くなる。
導体装置について検討した結果、以下の問題点を見出し
た。前述の半導体装置においては、樹脂封止体の外部に
導出された外部リード部を折り曲げ成形して外部端子部
分（第３部分及び第５部分）を形成しているため、半導
体装置の平面サイズが大きくなる。また、前述の半導体
装置においては、外部リード部の折り曲げ成形が複雑に
なるため、半導体装置の生産性が低くなる。
【０００７】本発明の目的は、半導体装置の小型化を図
ることが可能な技術を提供することにある。
ることが可能な技術を提供することにある。
【０００８】本発明の他の目的は、半導体装置の生産性
を高めることが可能な技術を提供することにある。
を高めることが可能な技術を提供することにある。
【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００１１】（１）半導体装置において、主面に電極を
有する半導体チップと、前記半導体チップの電極に接続
手段を介して電気的に接続されるリードと、互いに対向
する第１主面及び第２主面を有し、かつ前記半導体チッ
プ、前記接続手段及び前記リードを封止する樹脂封止体
とを有し、前記リードは、前記樹脂封止体の内部に位置
し、かつ前記接続手段が接続される接続部分と、前記樹
脂封止体の第１主面から露出する第１外部端子部分と、
前記樹脂封止体の第２主面から露出する第２外部端子部
分とを有する構成になっている。
有する半導体チップと、前記半導体チップの電極に接続
手段を介して電気的に接続されるリードと、互いに対向
する第１主面及び第２主面を有し、かつ前記半導体チッ
プ、前記接続手段及び前記リードを封止する樹脂封止体
とを有し、前記リードは、前記樹脂封止体の内部に位置
し、かつ前記接続手段が接続される接続部分と、前記樹
脂封止体の第１主面から露出する第１外部端子部分と、
前記樹脂封止体の第２主面から露出する第２外部端子部
分とを有する構成になっている。
【００１２】（２）半導体装置の製造方法において、部
分的に厚さが異なるリードであって、接続部分と、前記
接続部分よりも上方に位置する第１外部端子部分と、前
記接続部分よりも下方に位置する第２外部端子部分とを
有するリードを備えたリードフレームを準備する工程
と、半導体チップの電極と前記リードの接続部分とを接
続手段で電気的に接続する工程と、前記リードの第１外
部端子部分及び第２外部端子部分が露出するように、前
記半導体チップ、前記リードの接続部分及び前記接続手
段を樹脂で封止して樹脂封止体を形成する工程とを備え
る。
分的に厚さが異なるリードであって、接続部分と、前記
接続部分よりも上方に位置する第１外部端子部分と、前
記接続部分よりも下方に位置する第２外部端子部分とを
有するリードを備えたリードフレームを準備する工程
と、半導体チップの電極と前記リードの接続部分とを接
続手段で電気的に接続する工程と、前記リードの第１外
部端子部分及び第２外部端子部分が露出するように、前
記半導体チップ、前記リードの接続部分及び前記接続手
段を樹脂で封止して樹脂封止体を形成する工程とを備え
る。
【００１３】前記手段（１）によれば、第１外部端子部
分及び第２外部端子部分は、樹脂封止体の占有面積内に
配置されるので、半導体装置の小型化を図ることができ
る。
分及び第２外部端子部分は、樹脂封止体の占有面積内に
配置されるので、半導体装置の小型化を図ることができ
る。
【００１４】前記手段（２）によれば、リードを折り曲
げ成形する必要がないので、半導体装置の生産性を高め
ることができる。
げ成形する必要がないので、半導体装置の生産性を高め
ることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態及び実施例】以下、図面を参照して
本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実
施の形態を説明するための全図において、同一機能を有
するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略
する。
本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実
施の形態を説明するための全図において、同一機能を有
するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略
する。
【００１６】（実施形態１）図１は本発明の一実施形態
である半導体装置の樹脂封止体の上部を除去した状態の
模式的平面図であり、図２は図１に示す半導体装置の模
式的断面図であり、図３は図１に示す半導体装置の模式
的平面図であり、図４は図１に示す半導体装置の模式的
側面図であり、図５は図１に示す半導体装置の模式的底
面図である。
である半導体装置の樹脂封止体の上部を除去した状態の
模式的平面図であり、図２は図１に示す半導体装置の模
式的断面図であり、図３は図１に示す半導体装置の模式
的平面図であり、図４は図１に示す半導体装置の模式的
側面図であり、図５は図１に示す半導体装置の模式的底
面図である。
【００１７】図１及び図２に示すように、本実施形態の
半導体装置１は、半導体チップ２、接続手段である複数
の導電性ワイヤ４、複数本のリード５、ダイパッド（タ
ブとも言う）６、四本の吊りリード７等を絶縁性の樹脂
からなる樹脂封止体９で封止した構成になっている。
半導体装置１は、半導体チップ２、接続手段である複数
の導電性ワイヤ４、複数本のリード５、ダイパッド（タ
ブとも言う）６、四本の吊りリード７等を絶縁性の樹脂
からなる樹脂封止体９で封止した構成になっている。
【００１８】半導体チップ２は、表裏面（互いに対向す
る一主面及び他の主面）のうちの表面（一主面）である
回路形成面２Ｘが上向きとなる状態でダイパッド６のチ
ップ搭載面に接着材を介在して搭載されている。半導体
チップ２は、例えば、単結晶シリコンからなる半導体基
板と、この半導体基板の主面上において絶縁層、導電層
の夫々を複数段積み重ねた多層配線層と、この多層配線
層を覆うようにして形成された表面保護膜（最終保護
膜）とを主体とする構成になっている。半導体チップ２
の平面形状は方形状で形成され、本実施形態においては
正方形で形成されている。半導体チップ２には集積回路
として例えば制御回路が内蔵されている。
る一主面及び他の主面）のうちの表面（一主面）である
回路形成面２Ｘが上向きとなる状態でダイパッド６のチ
ップ搭載面に接着材を介在して搭載されている。半導体
チップ２は、例えば、単結晶シリコンからなる半導体基
板と、この半導体基板の主面上において絶縁層、導電層
の夫々を複数段積み重ねた多層配線層と、この多層配線
層を覆うようにして形成された表面保護膜（最終保護
膜）とを主体とする構成になっている。半導体チップ２
の平面形状は方形状で形成され、本実施形態においては
正方形で形成されている。半導体チップ２には集積回路
として例えば制御回路が内蔵されている。
【００１９】半導体チップ２の回路形成面２Ｘには、半
導体チップ２の外周囲の各辺に沿って配列された複数個
の電極（ボンディングパッド）３が形成されている。複
数個の電極３の夫々は、半導体チップ２の多層配線層の
うちの最上層の配線層に形成されている。最上層の配線
層はその上層に形成された表面保護膜で被覆され、この
表面保護膜には電極３の表面を露出するボンディング開
口が形成されている。複数個の電極３の夫々は、例え
ば、アルミニウム（Ａｌ）膜又はアルミニウム合金膜等
の金属膜で形成されている。
導体チップ２の外周囲の各辺に沿って配列された複数個
の電極（ボンディングパッド）３が形成されている。複
数個の電極３の夫々は、半導体チップ２の多層配線層の
うちの最上層の配線層に形成されている。最上層の配線
層はその上層に形成された表面保護膜で被覆され、この
表面保護膜には電極３の表面を露出するボンディング開
口が形成されている。複数個の電極３の夫々は、例え
ば、アルミニウム（Ａｌ）膜又はアルミニウム合金膜等
の金属膜で形成されている。
【００２０】ダイパッド３の平面形状は例えば円形状で
形成され、その平面サイズ（外形寸法）は半導体チップ
の平面サイズよりも小さくなっている。
形成され、その平面サイズ（外形寸法）は半導体チップ
の平面サイズよりも小さくなっている。
【００２１】樹脂封止体９の平面形状は方形状で形成さ
れ、本実施形態においては正方形で形成されている。樹
脂封止体９は、低応力化を図る目的として、例えば、フ
ェノール系硬化剤、シリコーンゴム及びフィラー等が添
加されたビフェニール系の熱硬化性樹脂で形成されてい
る。樹脂封止体９は、大量生産に好適なトランスファ・
モールディング法で形成されている。トランスファ・モ
ールディング法は、ポット、ランナー、流入ゲート及び
キャビティ等を備えた成形金型を使用し、ポットからラ
ンナー及び流入ゲートを通してキャビティ内に流動性の
樹脂を加圧注入して樹脂封止体を形成する方法である。
れ、本実施形態においては正方形で形成されている。樹
脂封止体９は、低応力化を図る目的として、例えば、フ
ェノール系硬化剤、シリコーンゴム及びフィラー等が添
加されたビフェニール系の熱硬化性樹脂で形成されてい
る。樹脂封止体９は、大量生産に好適なトランスファ・
モールディング法で形成されている。トランスファ・モ
ールディング法は、ポット、ランナー、流入ゲート及び
キャビティ等を備えた成形金型を使用し、ポットからラ
ンナー及び流入ゲートを通してキャビティ内に流動性の
樹脂を加圧注入して樹脂封止体を形成する方法である。
【００２２】複数本のリード５の夫々は、半導体チップ
２の外側において、樹脂封止体９の各辺に沿って配列さ
れている。複数本のリード５の夫々は、半導体チップ２
の各電極３に導電性ワイヤ４を介して夫々電気的に接続
されている。導電性ワイヤ４としては、例えば、金（Ａ
ｕ）ワイヤを用いている。また、導電性ワイヤ４の接続
方法としては、例えば、熱圧着に超音波振動を併用した
ボール・ボンディング法を用いている。
２の外側において、樹脂封止体９の各辺に沿って配列さ
れている。複数本のリード５の夫々は、半導体チップ２
の各電極３に導電性ワイヤ４を介して夫々電気的に接続
されている。導電性ワイヤ４としては、例えば、金（Ａ
ｕ）ワイヤを用いている。また、導電性ワイヤ４の接続
方法としては、例えば、熱圧着に超音波振動を併用した
ボール・ボンディング法を用いている。
【００２３】四本の吊りリード７の夫々は、一端側がダ
イパッド６と一体に形成され、他端側が樹脂封止体９の
四つの角部に夫々配置されている。
イパッド６と一体に形成され、他端側が樹脂封止体９の
四つの角部に夫々配置されている。
【００２４】複数本のリード５の夫々は、厚さが部分的
に異なる構成になっている。更に、複数本のリード５の
夫々は、樹脂封止体９の内部に位置し、かつ導電性ワイ
ヤ４が接続される接続部分５ａ（図２参照）と、樹脂封
止体９の一主面９Ｘから露出する外部端子部分５ｂ（図
２及び図３参照）と、樹脂封止体９の一主面９Ｘと対向
する他の主面９Ｙから露出する外部端子部分５ｃ（図２
及び図５参照）と、樹脂封止体９の側面９Ｚから露出す
る外部端子部分５ｄ（図２及び図４参照）とを有する構
成になっている。本実施形態において、複数のリード５
の夫々は、リード部分５Ｌと、このリード部分５Ｌより
も厚さが厚いリード部分５Ｍとを有する構成になってい
る。また、本実施形態において、接続部分５ａはリード
部分５Ｌに形成され、外部端子部分５ｂ，５ｃ，５ｄの
夫々はリード部分５Ｍに形成されている。外部端子部分
５ｂ，５ｃの夫々は互いに対向する位置に配置され、外
部端子部分５ｄは外部端子５ｂ，５ｃの夫々と連続して
いる。リード部分５Ｍの外部端子部分５ｃ側はリード部
分５Ｌよりも突出している。このような形状のリード５
は、リードフレームの製造段階において、リードの厚さ
が部分的に異なるようにエッチング加工を工夫すること
によって容易に形成することができる。
に異なる構成になっている。更に、複数本のリード５の
夫々は、樹脂封止体９の内部に位置し、かつ導電性ワイ
ヤ４が接続される接続部分５ａ（図２参照）と、樹脂封
止体９の一主面９Ｘから露出する外部端子部分５ｂ（図
２及び図３参照）と、樹脂封止体９の一主面９Ｘと対向
する他の主面９Ｙから露出する外部端子部分５ｃ（図２
及び図５参照）と、樹脂封止体９の側面９Ｚから露出す
る外部端子部分５ｄ（図２及び図４参照）とを有する構
成になっている。本実施形態において、複数のリード５
の夫々は、リード部分５Ｌと、このリード部分５Ｌより
も厚さが厚いリード部分５Ｍとを有する構成になってい
る。また、本実施形態において、接続部分５ａはリード
部分５Ｌに形成され、外部端子部分５ｂ，５ｃ，５ｄの
夫々はリード部分５Ｍに形成されている。外部端子部分
５ｂ，５ｃの夫々は互いに対向する位置に配置され、外
部端子部分５ｄは外部端子５ｂ，５ｃの夫々と連続して
いる。リード部分５Ｍの外部端子部分５ｃ側はリード部
分５Ｌよりも突出している。このような形状のリード５
は、リードフレームの製造段階において、リードの厚さ
が部分的に異なるようにエッチング加工を工夫すること
によって容易に形成することができる。
【００２５】なお、本実施形態において、半導体チップ
２は、例えば０．２８［ｍｍ］程度の厚さで形成されて
いる。リード５の第１部分５Ｌ及びダイパッド６は、例
えば０．１［ｍｍ］程度の厚さで形成されている。リー
ド５の第２部分５Ｍ及び樹脂封止体９は、例えば０．８
［ｍｍ］程度の厚さで形成されている。ダイパッド６に
半導体チップ２を固定する接着材は、例えば０．０１
［ｍｍ］程度の厚さで形成されている。半導体チップ２
及びダイパッド６は、パッケージの温度サイクルの信頼
性を保つために、半導体チップ２の回路形成面２Ｘ上に
おける樹脂厚と、ダイパッド６のチップ搭載面と対向す
る裏面上における樹脂厚とがほぼ同一となる位置に配置
されている。吊りリード７は、図１に示すように、樹脂
封止体９の角部からダイパッド６に向かって順次配置さ
れた第１部分７Ｌ及び第２部分７Ｍを有し、第１部分７
Ｌはリード５の第１部分５Ｌと同様の厚さで形成され、
第２部分７Ｍはダイパッド６と同様の厚さで形成されて
いる。
２は、例えば０．２８［ｍｍ］程度の厚さで形成されて
いる。リード５の第１部分５Ｌ及びダイパッド６は、例
えば０．１［ｍｍ］程度の厚さで形成されている。リー
ド５の第２部分５Ｍ及び樹脂封止体９は、例えば０．８
［ｍｍ］程度の厚さで形成されている。ダイパッド６に
半導体チップ２を固定する接着材は、例えば０．０１
［ｍｍ］程度の厚さで形成されている。半導体チップ２
及びダイパッド６は、パッケージの温度サイクルの信頼
性を保つために、半導体チップ２の回路形成面２Ｘ上に
おける樹脂厚と、ダイパッド６のチップ搭載面と対向す
る裏面上における樹脂厚とがほぼ同一となる位置に配置
されている。吊りリード７は、図１に示すように、樹脂
封止体９の角部からダイパッド６に向かって順次配置さ
れた第１部分７Ｌ及び第２部分７Ｍを有し、第１部分７
Ｌはリード５の第１部分５Ｌと同様の厚さで形成され、
第２部分７Ｍはダイパッド６と同様の厚さで形成されて
いる。
【００２６】本実施形態の半導体装置１において、リー
ド５は、樹脂封止体９の内部に位置し、かつ導電性ワイ
ヤ４が接続される接続部分５ａと、樹脂封止体９の一主
面９Ｘから露出する外部端子部分５ｂと、樹脂封止体９
の一主面９Ｘと対向する他の主面９Ｙから露出する外部
端子部分５ｃと、樹脂封止体９の側面９Ｚから露出する
外部端子部分５ｄとを有する構成になっている。このよ
うな構成にすることにより、外部端子部分５ｂ，５ｃの
夫々は樹脂封止体９の占有面積内に配置されるので、樹
脂封止体の外部に導出された外部リード部を折り曲げて
外部端子部分を形成する従来の場合に比べて、半導体装
置の小型化を図ることができる。
ド５は、樹脂封止体９の内部に位置し、かつ導電性ワイ
ヤ４が接続される接続部分５ａと、樹脂封止体９の一主
面９Ｘから露出する外部端子部分５ｂと、樹脂封止体９
の一主面９Ｘと対向する他の主面９Ｙから露出する外部
端子部分５ｃと、樹脂封止体９の側面９Ｚから露出する
外部端子部分５ｄとを有する構成になっている。このよ
うな構成にすることにより、外部端子部分５ｂ，５ｃの
夫々は樹脂封止体９の占有面積内に配置されるので、樹
脂封止体の外部に導出された外部リード部を折り曲げて
外部端子部分を形成する従来の場合に比べて、半導体装
置の小型化を図ることができる。
【００２７】また、例えば、二つの半導体装置１を実装
基板に実装する場合、図９（模式的断面図）に示すよう
に、第１半導体装置１Ａの外部端子部分５ｃを実装基板
１５の接続用端子（配線の一部）１６に導電性接着材
（例えば半田材）１７を介して電気的にかつ機械的に接
続し、第２半導体装置１Ｂの外部端子部分５ｃを第１半
導体装置１Ａの外部端子部分５ｂに導電性接着材１７を
介して電気的にかつ機械的に接続することができるの
で、実装基板１５上に二つの半導体装置１を積み重ねた
状態で実装することができる。
基板に実装する場合、図９（模式的断面図）に示すよう
に、第１半導体装置１Ａの外部端子部分５ｃを実装基板
１５の接続用端子（配線の一部）１６に導電性接着材
（例えば半田材）１７を介して電気的にかつ機械的に接
続し、第２半導体装置１Ｂの外部端子部分５ｃを第１半
導体装置１Ａの外部端子部分５ｂに導電性接着材１７を
介して電気的にかつ機械的に接続することができるの
で、実装基板１５上に二つの半導体装置１を積み重ねた
状態で実装することができる。
【００２８】また、樹脂封止体９の主面９Ｘ又は他の主
面９Ｙが実装基板と向かい合う状態で半導体装置１を実
装することができるので、半導体装置１の実装に対する
自由度が向上する。
面９Ｙが実装基板と向かい合う状態で半導体装置１を実
装することができるので、半導体装置１の実装に対する
自由度が向上する。
【００２９】本実施形態の半導体装置１において、リー
ド５は、樹脂封止体９の側面から露出する外部端子部分
９ｄを更に有する構成になっている。このような構成に
することにより、図９に示すように、積み重ねた状態で
半導体装置１を実装しても、外部端子５ｄにプローブ針
を接触されることができるので、実装した後においても
半導体装置１のテスティングを容易に行うことができ
る。
ド５は、樹脂封止体９の側面から露出する外部端子部分
９ｄを更に有する構成になっている。このような構成に
することにより、図９に示すように、積み重ねた状態で
半導体装置１を実装しても、外部端子５ｄにプローブ針
を接触されることができるので、実装した後においても
半導体装置１のテスティングを容易に行うことができ
る。
【００３０】本実施形態の半導体装置１において、外部
端子部分５ｂ，５ｃ，５ｄの夫々は、樹脂封止体９で保
持されたリード５に形成されている。従って、樹脂封止
体の外部に導出されたリードを折り曲げ成形して外部端
子部分を形成する従来の場合に比べて、リード５が外力
によって変形するといった不具合を基本的に排除するこ
とができ、半導体装置の歩留まりを高めることができ
る。
端子部分５ｂ，５ｃ，５ｄの夫々は、樹脂封止体９で保
持されたリード５に形成されている。従って、樹脂封止
体の外部に導出されたリードを折り曲げ成形して外部端
子部分を形成する従来の場合に比べて、リード５が外力
によって変形するといった不具合を基本的に排除するこ
とができ、半導体装置の歩留まりを高めることができ
る。
【００３１】次に、半導体装置１の製造に用いられるリ
ードフレームについて、図６及び図７を用いて説明す
る。図６はリードフレームの模式的平面図であり、図７
は図６に示すリードフレームの一部を示す模式的断面図
である。なお、実際のリードフレームは複数の半導体装
置を製造できるように多連構造になっているが、図面を
見易くするため、図６は一つの半導体装置が製造される
一個分の領域を示している。
ードフレームについて、図６及び図７を用いて説明す
る。図６はリードフレームの模式的平面図であり、図７
は図６に示すリードフレームの一部を示す模式的断面図
である。なお、実際のリードフレームは複数の半導体装
置を製造できるように多連構造になっているが、図面を
見易くするため、図６は一つの半導体装置が製造される
一個分の領域を示している。
【００３２】図６に示すように、リードフレームＬＦ
は、枠体８で周囲を囲まれ、かつ平面が方形状に形成さ
れたリード配置領域内において、複数本のリード５、ダ
イパッド６及び四本の吊りリード７等を有する構成にな
っている。ダイパッド６は、リード配置領域の中央部に
位置し、四本の吊りリード７を介して枠体８に一体化さ
れ支持されている。
は、枠体８で周囲を囲まれ、かつ平面が方形状に形成さ
れたリード配置領域内において、複数本のリード５、ダ
イパッド６及び四本の吊りリード７等を有する構成にな
っている。ダイパッド６は、リード配置領域の中央部に
位置し、四本の吊りリード７を介して枠体８に一体化さ
れ支持されている。
【００３３】複数本のリード５は四つのリード群に分割
されている。四つのリード群の夫々は、ダイパッド６を
囲むようにして枠体８の各辺毎に設けられている。各リ
ード群のリード５は、枠体８の各辺に沿って配列されて
いる。また、各リード群のリード５は、一端側がダイパ
ッド６側に位置し、他端側が枠体８に一体化され支持さ
れている。
されている。四つのリード群の夫々は、ダイパッド６を
囲むようにして枠体８の各辺毎に設けられている。各リ
ード群のリード５は、枠体８の各辺に沿って配列されて
いる。また、各リード群のリード５は、一端側がダイパ
ッド６側に位置し、他端側が枠体８に一体化され支持さ
れている。
【００３４】複数本のリード５の夫々は、図７に示すよ
うに、リードフレームＬＦの段階において、既に、リー
ド部分５Ｌ、リード部分５Ｍ、接続部分５ａ、外部端子
部分５ｂ及び外部端子部分５ｃを有する構成になってい
る。外部端子部分５ｂは接続部分５ａよりも上方に位置
し、外部端子部分５ｃは接続部分５ａよりも下方に位置
している。図２に示す外部端子部分５ｄは、樹脂封止体
９を形成した後、樹脂封止体９の外部に導出されたリー
ド５の導出部分を切断することによって形成されるた
め、リードフレームＬＦの段階においては形成されてい
ない。
うに、リードフレームＬＦの段階において、既に、リー
ド部分５Ｌ、リード部分５Ｍ、接続部分５ａ、外部端子
部分５ｂ及び外部端子部分５ｃを有する構成になってい
る。外部端子部分５ｂは接続部分５ａよりも上方に位置
し、外部端子部分５ｃは接続部分５ａよりも下方に位置
している。図２に示す外部端子部分５ｄは、樹脂封止体
９を形成した後、樹脂封止体９の外部に導出されたリー
ド５の導出部分を切断することによって形成されるた
め、リードフレームＬＦの段階においては形成されてい
ない。
【００３５】リードフレームＬＦは、例えば鉄（Ｆｅ）
−ニッケル（Ｎｉ）系の合金材（例えば、Ｎｉ含有率４
２又は５０［％］）からなる平板材にエッチング加工を
施すことによって形成される。このリードフレームＬＦ
の製造段階において、エッチング加工を工夫することに
より、リード部分５Ｌ、リード部分５Ｍ、接続部分５
ａ、外部端子部分５ｂ及び外部端子部分５ｃを有するリ
ード５を容易に形成することができる。
−ニッケル（Ｎｉ）系の合金材（例えば、Ｎｉ含有率４
２又は５０［％］）からなる平板材にエッチング加工を
施すことによって形成される。このリードフレームＬＦ
の製造段階において、エッチング加工を工夫することに
より、リード部分５Ｌ、リード部分５Ｍ、接続部分５
ａ、外部端子部分５ｂ及び外部端子部分５ｃを有するリ
ード５を容易に形成することができる。
【００３６】次に、半導体装置１の製造について、図８
を用いて説明する。図８は、半導体装置の製造におい
て、封止工程を説明するための模式的断面図である。
を用いて説明する。図８は、半導体装置の製造におい
て、封止工程を説明するための模式的断面図である。
【００３７】まず、図６及び図７に示すリードフレーム
ＬＦを準備し、その後、リードフレームＬＦのダイパッ
ド６のチップ搭載面に接着材を介在して半導体チップ２
を搭載し、その後、半導体チップ２の電極３とリード５
の接続部分５ａとを導電性ワイヤ４で電気的に接続す
る。
ＬＦを準備し、その後、リードフレームＬＦのダイパッ
ド６のチップ搭載面に接着材を介在して半導体チップ２
を搭載し、その後、半導体チップ２の電極３とリード５
の接続部分５ａとを導電性ワイヤ４で電気的に接続す
る。
【００３８】次に、リード５の外部端子部分５ｂ及び５
ｃが露出するように、半導体チップ２、リード５、ダイ
パッド６、吊りリード７及び導電性ワイヤ４等を樹脂で
封止して樹脂封止体９を形成する。このような樹脂封止
体９はトランスファ・モールド法で形成することができ
る。具体的には、まず、図８に示すように、リードフレ
ームＬＦをトランスファ・モールド装置の成形金型１０
の上型１０Ａと下型１０Ｂとの間に位置決めする。リー
ドフレームＬＦの位置決めは、上型１０Ａ及び下型１０
Ｂによって形成されるキャビティ１１の内部に、半導体
チップ２、リード５、ダイパッド６、吊りリード７及び
導電性ワイヤ４等が配置されるように行う。また、リー
ドフレームＬＦの位置決めは、上型１０Ａのクランプ面
にリード５の外部端子部分５ｂが接触し、下型１０Ｂの
クランプ面にリード５の外部端子部分５ｃが接触するよ
うに行う。次に、成形金型１０のポットからランナー及
び流入ゲートを通してキャビティ１１内に流動性の樹脂
を加圧注入する。これにより、リード５の外部端子部分
５ｂ及び５ｃが露出する樹脂封止体９を形成することが
できる。樹脂としては、例えば、フェノール系硬化剤、
シリコーンゴム及びフィラー等が添加されたエポキシ系
の熱硬化性樹脂を用いる。
ｃが露出するように、半導体チップ２、リード５、ダイ
パッド６、吊りリード７及び導電性ワイヤ４等を樹脂で
封止して樹脂封止体９を形成する。このような樹脂封止
体９はトランスファ・モールド法で形成することができ
る。具体的には、まず、図８に示すように、リードフレ
ームＬＦをトランスファ・モールド装置の成形金型１０
の上型１０Ａと下型１０Ｂとの間に位置決めする。リー
ドフレームＬＦの位置決めは、上型１０Ａ及び下型１０
Ｂによって形成されるキャビティ１１の内部に、半導体
チップ２、リード５、ダイパッド６、吊りリード７及び
導電性ワイヤ４等が配置されるように行う。また、リー
ドフレームＬＦの位置決めは、上型１０Ａのクランプ面
にリード５の外部端子部分５ｂが接触し、下型１０Ｂの
クランプ面にリード５の外部端子部分５ｃが接触するよ
うに行う。次に、成形金型１０のポットからランナー及
び流入ゲートを通してキャビティ１１内に流動性の樹脂
を加圧注入する。これにより、リード５の外部端子部分
５ｂ及び５ｃが露出する樹脂封止体９を形成することが
できる。樹脂としては、例えば、フェノール系硬化剤、
シリコーンゴム及びフィラー等が添加されたエポキシ系
の熱硬化性樹脂を用いる。
【００３９】次に、成形金型１０からリードフレームＬ
Ｆを取り出し、その後、樹脂封止体９の外部に導出され
たリード５の導出部分及び吊りリード７の導出部分を切
断する。これらの導出部分の切断は樹脂封止体９の側面
９Ｚから切断面がなるべく突出しないように行うことが
望ましい。この工程により、樹脂封止体９の側面９Ｚか
ら露出する外部端子部分５ｄがリード５に形成される。
また、図１乃至図５に示す半導体装置１がほぼ完成す
る。
Ｆを取り出し、その後、樹脂封止体９の外部に導出され
たリード５の導出部分及び吊りリード７の導出部分を切
断する。これらの導出部分の切断は樹脂封止体９の側面
９Ｚから切断面がなるべく突出しないように行うことが
望ましい。この工程により、樹脂封止体９の側面９Ｚか
ら露出する外部端子部分５ｄがリード５に形成される。
また、図１乃至図５に示す半導体装置１がほぼ完成す
る。
【００４０】本実施形態の半導体装置１の製造において
は、部分的に厚さが異なるリード５であって、接続部分
５ａと、接続部分５ａよりも上方に位置する外部端子部
分５ｂと、接続部分５ａよりも下方に位置する外部端子
部分５ｃとを有するリード５を備えたリードフレームＬ
Ｆを用いて行っている。また、リード５の外部端子部分
５ｂ及び５ｃが露出するように、半導体チップ２、リー
ド５の接続部分５ａ及び導電性ワイヤ４を樹脂で封止し
て樹脂封止体９を形成している。このようにして半導体
装置１を製造することにより、半導体装置１の組立工程
においてリードを折り曲げて外部端子部分を形成する必
要がないので、半導体装置１の生産性を高めることがで
きる。
は、部分的に厚さが異なるリード５であって、接続部分
５ａと、接続部分５ａよりも上方に位置する外部端子部
分５ｂと、接続部分５ａよりも下方に位置する外部端子
部分５ｃとを有するリード５を備えたリードフレームＬ
Ｆを用いて行っている。また、リード５の外部端子部分
５ｂ及び５ｃが露出するように、半導体チップ２、リー
ド５の接続部分５ａ及び導電性ワイヤ４を樹脂で封止し
て樹脂封止体９を形成している。このようにして半導体
装置１を製造することにより、半導体装置１の組立工程
においてリードを折り曲げて外部端子部分を形成する必
要がないので、半導体装置１の生産性を高めることがで
きる。
【００４１】また、リード５はリードフレームＬＦの製
造段階においてエッチング加工を工夫することによって
容易に形成することができるので、特殊な技術を用いる
ことなく、半導体装置１を容易に製造することができ
る。
造段階においてエッチング加工を工夫することによって
容易に形成することができるので、特殊な技術を用いる
ことなく、半導体装置１を容易に製造することができ
る。
【００４２】なお、リード５は、リードフレームＬＦの
製造段階においてエッチング加工を工夫することによっ
て種々な形状に加工することができる。以下、リード５
の形状を変えた例について、図１０及び図１１（要部模
式的断面図）を用いて説明する。
製造段階においてエッチング加工を工夫することによっ
て種々な形状に加工することができる。以下、リード５
の形状を変えた例について、図１０及び図１１（要部模
式的断面図）を用いて説明する。
【００４３】（変形例ａ）図１０（ａ）に示すリード５
は、リード部分５Ｌ１，５Ｌ２及び５Ｍを有する構成に
なっており、更に、接続部分５ａ、外部端子部分５ｂ，
５ｃ及び５ｄを有する構成になっている。リード部分５
Ｌ１及び５Ｌ２はリード部分５Ｍよりも薄い厚さで形成
され、リード部分５Ｍはリード部分５Ｌ１と５Ｌ２との
間に配置されている。接続部分５ａはリード部分５Ｌ１
に形成され、外部端子部分５ｂ及び５ｃはリード部分５
Ｍに形成され、外部端子部分５ｄはリード部分５Ｌ２に
形成されている。外部端子部分５ｂ，５ｃの夫々は互い
に対向する位置に配置され、外部端子部分５ｄは外部端
子部分５ｂ，５ｃの夫々から離れている。外部端子部分
５ｃは、リード部分５Ｌ１及び５Ｌ２よりも樹脂封止体
９の他の主面９Ｙ側に位置している。このような形状の
リード５においては、リード部分５Ｌ２の長さを長くす
ることによって、樹脂封止体９の中心に外部端子部分５
ｂ及び５ｃを近づけることができるので、実装基板に半
導体装置を実装する時の熱膨張によって実装箇所（実装
基板の接続用端子と半導体装置の外部端子部分との接合
部）に集中する応力や、実装後の実装基板の反りによっ
て実装箇所に集中する応力を緩和することができる。
は、リード部分５Ｌ１，５Ｌ２及び５Ｍを有する構成に
なっており、更に、接続部分５ａ、外部端子部分５ｂ，
５ｃ及び５ｄを有する構成になっている。リード部分５
Ｌ１及び５Ｌ２はリード部分５Ｍよりも薄い厚さで形成
され、リード部分５Ｍはリード部分５Ｌ１と５Ｌ２との
間に配置されている。接続部分５ａはリード部分５Ｌ１
に形成され、外部端子部分５ｂ及び５ｃはリード部分５
Ｍに形成され、外部端子部分５ｄはリード部分５Ｌ２に
形成されている。外部端子部分５ｂ，５ｃの夫々は互い
に対向する位置に配置され、外部端子部分５ｄは外部端
子部分５ｂ，５ｃの夫々から離れている。外部端子部分
５ｃは、リード部分５Ｌ１及び５Ｌ２よりも樹脂封止体
９の他の主面９Ｙ側に位置している。このような形状の
リード５においては、リード部分５Ｌ２の長さを長くす
ることによって、樹脂封止体９の中心に外部端子部分５
ｂ及び５ｃを近づけることができるので、実装基板に半
導体装置を実装する時の熱膨張によって実装箇所（実装
基板の接続用端子と半導体装置の外部端子部分との接合
部）に集中する応力や、実装後の実装基板の反りによっ
て実装箇所に集中する応力を緩和することができる。
【００４４】（変形例ｂ）図１０（ｂ）に示すリード５
は、リード部分５Ｌ，５Ｍ及び５Ｎを有する構成になっ
ており、更に、接続部分５ａ、外部端子部分５ｂ，５ｃ
及び５ｄを有する構成になっている。リード部分５Ｎは
リード部分５Ｍよりも薄い厚さで形成され、リード部分
５Ｌはリード部分５Ｎよりも薄い厚さで形成されてい
る。接続部分５ａはリード部分５Ｌに形成され、外部端
子部分５ｂはリード部分５Ｍに形成され、外部端子部分
５ｃ及び５ｄはリード部分５Ｎに形成されている。外部
端子５ｄは外部端子部分５ｂと離れているが、外部端子
部分５ｃとは連続している。外部端子部分５ｃは、リー
ド部分５Ｌ及び５Ｍよりも樹脂封止体９の他の主面９Ｙ
側に位置している。このような形状のリード５において
は、リード部分５Ｎの長さを長くすることによって、樹
脂封止体９の中心に外部端子部分５ｂを近づけることが
できる。
は、リード部分５Ｌ，５Ｍ及び５Ｎを有する構成になっ
ており、更に、接続部分５ａ、外部端子部分５ｂ，５ｃ
及び５ｄを有する構成になっている。リード部分５Ｎは
リード部分５Ｍよりも薄い厚さで形成され、リード部分
５Ｌはリード部分５Ｎよりも薄い厚さで形成されてい
る。接続部分５ａはリード部分５Ｌに形成され、外部端
子部分５ｂはリード部分５Ｍに形成され、外部端子部分
５ｃ及び５ｄはリード部分５Ｎに形成されている。外部
端子５ｄは外部端子部分５ｂと離れているが、外部端子
部分５ｃとは連続している。外部端子部分５ｃは、リー
ド部分５Ｌ及び５Ｍよりも樹脂封止体９の他の主面９Ｙ
側に位置している。このような形状のリード５において
は、リード部分５Ｎの長さを長くすることによって、樹
脂封止体９の中心に外部端子部分５ｂを近づけることが
できる。
【００４５】（変形例ｃ）図１０（ｃ）に示すリード５
は、リード部分５Ｌ，５Ｍ及び５Ｎを有する構成になっ
ており、更に、接続部分５ａ、外部端子部分５ｂ，５ｃ
及び５ｄを有する構成になっている。接続部分５ａはリ
ード部分５Ｌ及び５Ｎに形成され、外部端子部分５ｂ及
び５ｄはリード部分５Ｍに形成され、外部端子部分５ｃ
はリード部分５Ｎに形成されている。接続部分５ａ、外
部端子部分５ｃの夫々は互いに対向する位置に配置され
ている。外部端子部分５ｄは外部端子５ｃから離れてい
るが、外部端子５ｂとは連続している。外部端子部分５
Ｃは、リード部分５Ｌ及び５Ｍよりも樹脂封止体９の他
の主面９Ｙ側に位置している。このような形状のリード
５においては、リード部分５Ｍの長さを長くすることに
よって、樹脂封止体９の中心に外部端子部分５ｃを近づ
けることができる。
は、リード部分５Ｌ，５Ｍ及び５Ｎを有する構成になっ
ており、更に、接続部分５ａ、外部端子部分５ｂ，５ｃ
及び５ｄを有する構成になっている。接続部分５ａはリ
ード部分５Ｌ及び５Ｎに形成され、外部端子部分５ｂ及
び５ｄはリード部分５Ｍに形成され、外部端子部分５ｃ
はリード部分５Ｎに形成されている。接続部分５ａ、外
部端子部分５ｃの夫々は互いに対向する位置に配置され
ている。外部端子部分５ｄは外部端子５ｃから離れてい
るが、外部端子５ｂとは連続している。外部端子部分５
Ｃは、リード部分５Ｌ及び５Ｍよりも樹脂封止体９の他
の主面９Ｙ側に位置している。このような形状のリード
５においては、リード部分５Ｍの長さを長くすることに
よって、樹脂封止体９の中心に外部端子部分５ｃを近づ
けることができる。
【００４６】（変形例ｄ）図１１（ｄ）に示すリード５
は、リード部分５Ｌ１，５Ｌ２，５Ｍ及び５Ｎを有する
構成になっており、更に、接続部分５ａ、外部端子部分
５ｂ，５ｄ及び二つの外部端子部分５ｃを有する構成に
なっている。接続部分５ａはリード部分５Ｌ１，５Ｌ２
及び５Ｎに形成され、外部端子部分５ｂ，５ｄ及び一方
の外部端子部分５ｃはリード部分５Ｍに形成され、他方
の外部端子部分５ｃはリード部分５Ｎに形成されてい
る。接続部分５ａ、他方の外部端子部分５ｃの夫々は互
いに対向する位置に配置され、外部端子部分５ｂ、一方
の外部端子部分５ｃの夫々は互いに対向する位置に配置
されている。外部端子部分５ｄは、外部端子部分５ｂ及
び一方の外部端子部分５ｃと連続している。一方の外部
端子部分５ｃは他方の外部端子部分５ｃから離れてい
る。一方及び他方の外部端子部分５ｃは、リード部分５
Ｌ１及び５Ｌ２よりも樹脂封止体９の他の主面９Ｙ側に
位置している。このような形状のリード５においては、
リード部分５Ｍ及び５Ｌ２の長さを長くすることによっ
て、樹脂封止体９の中心に他方の外部端子部分５ｃを近
づけることができる。
は、リード部分５Ｌ１，５Ｌ２，５Ｍ及び５Ｎを有する
構成になっており、更に、接続部分５ａ、外部端子部分
５ｂ，５ｄ及び二つの外部端子部分５ｃを有する構成に
なっている。接続部分５ａはリード部分５Ｌ１，５Ｌ２
及び５Ｎに形成され、外部端子部分５ｂ，５ｄ及び一方
の外部端子部分５ｃはリード部分５Ｍに形成され、他方
の外部端子部分５ｃはリード部分５Ｎに形成されてい
る。接続部分５ａ、他方の外部端子部分５ｃの夫々は互
いに対向する位置に配置され、外部端子部分５ｂ、一方
の外部端子部分５ｃの夫々は互いに対向する位置に配置
されている。外部端子部分５ｄは、外部端子部分５ｂ及
び一方の外部端子部分５ｃと連続している。一方の外部
端子部分５ｃは他方の外部端子部分５ｃから離れてい
る。一方及び他方の外部端子部分５ｃは、リード部分５
Ｌ１及び５Ｌ２よりも樹脂封止体９の他の主面９Ｙ側に
位置している。このような形状のリード５においては、
リード部分５Ｍ及び５Ｌ２の長さを長くすることによっ
て、樹脂封止体９の中心に他方の外部端子部分５ｃを近
づけることができる。
【００４７】（変形例ｅ）図１１（ｅ）に示すリード５
は、リード部分５Ｌ１，５Ｌ２，５Ｍ及び５Ｎを有する
構成になっており、更に、接続部分５ａ、外部端子部分
５ｃ，５ｄ及び二つの外部端子部分５ｂを有する構成に
なっている。接続部分５ａはリード部分５Ｌ１に形成さ
れ、外部端子部分５ｃ，５ｄ及び一方の外部端子部分５
ｂはリード部分５Ｍに形成され、他方の外部端子部分５
ｂはリード部分５Ｎに形成されている。外部端子部分５
ｃ、一方の外部端子部分５ｂの夫々は互いに対向する位
置に配置されている。外部端子部分５ｄは、外部端子部
分５ｃ及び一方の外部端子部分５ｂと連続している。外
部端子部分５ｃは、リード部分５Ｌ１，５Ｌ２及び５Ｎ
よりも樹脂封止体９の他の主面９Ｙ側に位置している。
このような形状のリード５においては、リード部分５Ｍ
及び５Ｌ２の長さを長くすることによって、樹脂封止体
９の中心に他方の外部端子部分５ｂを近づけることがで
きる。
は、リード部分５Ｌ１，５Ｌ２，５Ｍ及び５Ｎを有する
構成になっており、更に、接続部分５ａ、外部端子部分
５ｃ，５ｄ及び二つの外部端子部分５ｂを有する構成に
なっている。接続部分５ａはリード部分５Ｌ１に形成さ
れ、外部端子部分５ｃ，５ｄ及び一方の外部端子部分５
ｂはリード部分５Ｍに形成され、他方の外部端子部分５
ｂはリード部分５Ｎに形成されている。外部端子部分５
ｃ、一方の外部端子部分５ｂの夫々は互いに対向する位
置に配置されている。外部端子部分５ｄは、外部端子部
分５ｃ及び一方の外部端子部分５ｂと連続している。外
部端子部分５ｃは、リード部分５Ｌ１，５Ｌ２及び５Ｎ
よりも樹脂封止体９の他の主面９Ｙ側に位置している。
このような形状のリード５においては、リード部分５Ｍ
及び５Ｌ２の長さを長くすることによって、樹脂封止体
９の中心に他方の外部端子部分５ｂを近づけることがで
きる。
【００４８】（変形例ｆ）図１１（ｆ）に示すリード５
は、リード部分５Ｌ及び５Ｍを有する構成になってお
り、更に、接続部分５ａ、外部端子部分５ｂ，５ｃ及び
５ｄを有する構成になっている。接続部分５ａはリード
部分５Ｌに形成され、外部端子部分５ｂ及び５ｄはリー
ド部分５Ｍに形成され、外部端子部分５ｃはリード部分
５Ｌ及び５Ｍに形成されている。接続部分５ａ及び外部
端子部分５ｂは外部端子部分５ｃと対向する位置に配置
されている。外部端子部分５ｄは外部端子部分５ｂ及び
５ｃと連続している。このような形状のリード５におい
ては、厚さが薄い部分を一箇所だけ形成すればよいの
で、微細化が要求されるリードに好適である。
は、リード部分５Ｌ及び５Ｍを有する構成になってお
り、更に、接続部分５ａ、外部端子部分５ｂ，５ｃ及び
５ｄを有する構成になっている。接続部分５ａはリード
部分５Ｌに形成され、外部端子部分５ｂ及び５ｄはリー
ド部分５Ｍに形成され、外部端子部分５ｃはリード部分
５Ｌ及び５Ｍに形成されている。接続部分５ａ及び外部
端子部分５ｂは外部端子部分５ｃと対向する位置に配置
されている。外部端子部分５ｄは外部端子部分５ｂ及び
５ｃと連続している。このような形状のリード５におい
ては、厚さが薄い部分を一箇所だけ形成すればよいの
で、微細化が要求されるリードに好適である。
【００４９】なお、本実施形態では、半導体チップ２の
電極３とリード５の接続部分５ａとを電気的に接続する
接続手段として導電性ワイヤ４を用いた例で説明した
が、接続手段としては、図１２（模式的断面図）に示す
ように、突起状電極２０を用いてもよい。
電極３とリード５の接続部分５ａとを電気的に接続する
接続手段として導電性ワイヤ４を用いた例で説明した
が、接続手段としては、図１２（模式的断面図）に示す
ように、突起状電極２０を用いてもよい。
【００５０】また、本実施形態では、リード５の平面形
状として、リード部分５Ｌの幅をリード部分５Ｍの幅よ
りも広くした例について説明したが、リード５の平面形
状としては、例えば、通常のＰ−ＶＱＦＮ（Ｐlastic−
Ｖery Ｑuad Ｆlatpack Ｎon-leaded Ｐackage）型半導
体装置のように幅がほぼ一定の平面形状、又は通常のＱ
ＦＰ（Ｑuad Ｆlatpack Ｐackage）型半導体装置のよう
に屈曲部を有する平面形状で形成してもよい。
状として、リード部分５Ｌの幅をリード部分５Ｍの幅よ
りも広くした例について説明したが、リード５の平面形
状としては、例えば、通常のＰ−ＶＱＦＮ（Ｐlastic−
Ｖery Ｑuad Ｆlatpack Ｎon-leaded Ｐackage）型半導
体装置のように幅がほぼ一定の平面形状、又は通常のＱ
ＦＰ（Ｑuad Ｆlatpack Ｐackage）型半導体装置のよう
に屈曲部を有する平面形状で形成してもよい。
【００５１】また、本実施形態では、半導体チップ２の
周縁部とリード５の内側先端部との間に所定の距離を持
たせた例について説明したが、本実施形態よりも更に半
導体チップ２の周縁部の近傍にリード５の内側先端部を
配置してもよい。
周縁部とリード５の内側先端部との間に所定の距離を持
たせた例について説明したが、本実施形態よりも更に半
導体チップ２の周縁部の近傍にリード５の内側先端部を
配置してもよい。
【００５２】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、
前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論で
ある。
前記実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、
前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論で
ある。
【００５３】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。本発明によれば、半導体装置の小型
化を図ることができる。本発明によれば、半導体装置の
生産性を高めることができる。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。本発明によれば、半導体装置の小型
化を図ることができる。本発明によれば、半導体装置の
生産性を高めることができる。
【図１】本発明の一実施形態である半導体装置の樹脂封
止体の上部を除去した状態を示す模式的平面図である。
止体の上部を除去した状態を示す模式的平面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の模式的断面図である。
【図３】図１に示す半導体装置の模式的平面図である。
【図４】図１に示す半導体装置の模式的側面図である。
【図５】図１に示す半導体装置の模式的底面図である。
【図６】図１に示す半導体装置の製造に用いられるリー
ドフレームの模式的平面図である。
ドフレームの模式的平面図である。
【図７】図６に示すリードフレームの模式的断面図であ
る。
る。
【図８】図１に示す半導体装置の製造において、封止工
程を説明するための模式的断面図である。
程を説明するための模式的断面図である。
【図９】図１に示す半導体装置を実装基板に二段実装し
た状態の模式的断面図である。
た状態の模式的断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態の変形例を示す半導体装
置の要部模式的断面図である。
置の要部模式的断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態の変形例を示す半導体装
置の要部模式的断面図である。
置の要部模式的断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態の変形例を示す半導体装
置の模式的断面図である。
置の模式的断面図である。
１…半導体装置、２…半導体チップ、２Ｘ…回路形成
面、３…電極、４…導電性ワイヤ、５…リード、５ａ…
接続部分、５ｂ，５ｃ，５ｄ，…外部端子部分、５Ｌ，
５Ｌ１，５Ｌ２，５Ｍ，５Ｎ…リード部分、６…ダイパ
ッド、７…吊りリード、８…枠体、９…樹脂封止体、１
０…成形金型、１１…キャビティ、１５…実装基板、１
６…接続用端子、１７…接着材、２０…突起状電極、Ｌ
Ｆ…リードフレーム。
面、３…電極、４…導電性ワイヤ、５…リード、５ａ…
接続部分、５ｂ，５ｃ，５ｄ，…外部端子部分、５Ｌ，
５Ｌ１，５Ｌ２，５Ｍ，５Ｎ…リード部分、６…ダイパ
ッド、７…吊りリード、８…枠体、９…樹脂封止体、１
０…成形金型、１１…キャビティ、１５…実装基板、１
６…接続用端子、１７…接着材、２０…突起状電極、Ｌ
Ｆ…リードフレーム。
Claims (8)
- 【請求項１】 主面に電極を有する半導体チップと、 前記半導体チップの電極に接続手段を介して電気的に接
続されるリードと、 互いに対向する第１主面及び第２主面を有し、かつ前記
半導体チップ、前記接続手段及び前記リードを封止する
樹脂封止体とを有し、 前記リードは、前記樹脂封止体の内部に位置し、かつ前
記接続手段が接続される接続部分と、前記樹脂封止体の
第１主面から露出する第１外部端子部分と、前記樹脂封
止体の第２主面から露出する第２外部端子部分とを有す
る構成になっていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体装置において、 前記リードは、更に、前記樹脂封止体の側面から露出す
る第３外部端子部分を有する構成になっていることを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の半導体装
置において、 前記第１外部端子部分、前記第２外部端子部分の夫々
は、互いに対向する位置に配置されていることを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項４】 請求項１又は請求項２に記載の半導体装
置において、 前記第１外部端子部分、前記接続部分の夫々は、前記第
２外部端子部分と対向する位置に配置されていることを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】 請求項１又は請求項２に記載の半導体装
置において、 前記第２外部端子部分は、前記接続部分と対向する位置
に配置されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項６】 請求項２に記載の半導体装置において、 前記第３外部端子部分は、前記第１外部端子部分及び前
記第２外部端子部分から離れていることを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項７】 請求項２に記載の半導体装置において、 前記第３外部端子部分は、前記第１外部端子部分及び前
記第２外部端子部分のうち少なくとも何れか一方と連続
していることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項８】 部分的に厚さが異なるリードであって、
接続部分と、前記接続部分よりも上方に位置する第１外
部端子部分と、前記接続部分よりも下方に位置する第２
外部端子部分とを有するリードを備えたリードフレーム
を準備する工程と、 半導体チップの電極と前記リードの接続部分とを接続手
段で電気的に接続する工程と、 前記リードの第１外部端子部分及び第２外部端子部分が
露出するように、前記半導体チップ、前記リードの接続
部分及び前記接続手段を樹脂で封止して樹脂封止体を形
成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36211499A JP2001177007A (ja) | 1999-12-21 | 1999-12-21 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36211499A JP2001177007A (ja) | 1999-12-21 | 1999-12-21 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001177007A true JP2001177007A (ja) | 2001-06-29 |
Family
ID=18475955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36211499A Pending JP2001177007A (ja) | 1999-12-21 | 1999-12-21 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001177007A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003100988A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| US7495319B2 (en) | 2004-03-04 | 2009-02-24 | Panasonic Corporation | Resin-encapsulated semiconductor device and lead frame, and method for manufacturing the same |
| JP2009135406A (ja) * | 2007-11-02 | 2009-06-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置とそれに用いられるエッチング部材、樹脂封止型半導体装置の製造方法、および積層型樹脂封止型半導体装置 |
| JP2015035554A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体装置 |
| JP2018170331A (ja) * | 2017-03-29 | 2018-11-01 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
-
1999
- 1999-12-21 JP JP36211499A patent/JP2001177007A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003100988A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| US7495319B2 (en) | 2004-03-04 | 2009-02-24 | Panasonic Corporation | Resin-encapsulated semiconductor device and lead frame, and method for manufacturing the same |
| JP2009135406A (ja) * | 2007-11-02 | 2009-06-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置とそれに用いられるエッチング部材、樹脂封止型半導体装置の製造方法、および積層型樹脂封止型半導体装置 |
| JP2015035554A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体装置 |
| JP2018170331A (ja) * | 2017-03-29 | 2018-11-01 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
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Legal Events
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Effective date: 20040304 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060425 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060530 |