JPH0414856A - リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法Info
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- JPH0414856A JPH0414856A JP11838690A JP11838690A JPH0414856A JP H0414856 A JPH0414856 A JP H0414856A JP 11838690 A JP11838690 A JP 11838690A JP 11838690 A JP11838690 A JP 11838690A JP H0414856 A JPH0414856 A JP H0414856A
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体チップを樹脂パッケージするリードフレームに関
し、 リードフレームの外枠に設けるリードフレーム形成用お
よびパッケージ用のガイド孔の他にリード端子部近傍に
リード端子加工用ガイド孔を設けることでリード加工精
度を上げて生産性の向上を図ることを目的とし、 搭載する半導体チップに対応する大きさのステージと、
該ステージを取り囲み周囲から該ステージに向かうよう
に上記半導体チップの各電極端一)に対応して形成され
タイバーにより相互に連結されている複数のリード端子
とを少なくとも具えた半導体チップ樹脂パッケージ用の
リードフレームであって、少なくともリード端子形成領
域の近傍に、前記リード端子の変形に対応して位置が変
動するようなリード端子加工用のガイド孔を設けて構成
する。
し、 リードフレームの外枠に設けるリードフレーム形成用お
よびパッケージ用のガイド孔の他にリード端子部近傍に
リード端子加工用ガイド孔を設けることでリード加工精
度を上げて生産性の向上を図ることを目的とし、 搭載する半導体チップに対応する大きさのステージと、
該ステージを取り囲み周囲から該ステージに向かうよう
に上記半導体チップの各電極端一)に対応して形成され
タイバーにより相互に連結されている複数のリード端子
とを少なくとも具えた半導体チップ樹脂パッケージ用の
リードフレームであって、少なくともリード端子形成領
域の近傍に、前記リード端子の変形に対応して位置が変
動するようなリード端子加工用のガイド孔を設けて構成
する。
また上記リードフレームのステージ上に半導体チップを
搭載した後、該チップに設けられた電極端子と前記リー
ド端子をワイヤを介して電気的に接続する工程と、前記
半導体チップを樹脂でモールドする工程と、前記ガイド
孔を基準として前記リードフレームを加工装置に固定し
た後その状態で前記タイバーの切断および前記リード端
子の曲げ整形工程を行って構成する。
搭載した後、該チップに設けられた電極端子と前記リー
ド端子をワイヤを介して電気的に接続する工程と、前記
半導体チップを樹脂でモールドする工程と、前記ガイド
孔を基準として前記リードフレームを加工装置に固定し
た後その状態で前記タイバーの切断および前記リード端
子の曲げ整形工程を行って構成する。
本発明は半導体チップを樹脂パッケージするリードフレ
ームの形状に係り、特にリードフレームの外枠に設ける
リードフレーム形成用およびパッケージ用ガイド孔の他
にリード端子部近傍にり−ド端子加工用ガイド孔を設け
ることで生産性の向上を図ったリードフレームに関する
。
ームの形状に係り、特にリードフレームの外枠に設ける
リードフレーム形成用およびパッケージ用ガイド孔の他
にリード端子部近傍にり−ド端子加工用ガイド孔を設け
ることで生産性の向上を図ったリードフレームに関する
。
半導体装置には所要形状に形成されたリードフレームの
ステージに半導体チップを樹脂モールド等でパッケージ
して構成されるものがあるが、かかる半導体装置の製造
工程では一般にリードフレームの外枠に設けているリー
ドフレーム形成用のガイド孔を利用して樹脂モールド工
程やその後のリード端子の切断・折り曲げ工程等を行っ
ている。
ステージに半導体チップを樹脂モールド等でパッケージ
して構成されるものがあるが、かかる半導体装置の製造
工程では一般にリードフレームの外枠に設けているリー
ドフレーム形成用のガイド孔を利用して樹脂モールド工
程やその後のリード端子の切断・折り曲げ工程等を行っ
ている。
一方リードフレームとパッケージ材の収縮率には差異が
ある。
ある。
その結果樹脂パッケージした後の該パッケージ領域から
露出するリードフレーム部分には内部応力が発生するが
、特に最近の如く半導体チップの集積度が向上して大型
化すると該内部応力がリードフレームの露出部分の撓み
や変形を誘起するため上述したリードフレームの外枠に
設けているガイド孔に相対的な位置ずれが生ずる。
露出するリードフレーム部分には内部応力が発生するが
、特に最近の如く半導体チップの集積度が向上して大型
化すると該内部応力がリードフレームの露出部分の撓み
や変形を誘起するため上述したリードフレームの外枠に
設けているガイド孔に相対的な位置ずれが生ずる。
特に大型化した半導体チップでは電極端子数が増えるた
め、これに対応するリードフレームもリード端子間ピッ
チが小さくなると共にリード端子の太さが細(なる傾向
にある。
め、これに対応するリードフレームもリード端子間ピッ
チが小さくなると共にリード端子の太さが細(なる傾向
にある。
従って樹脂パッケージした後のリード端子の切断や折り
曲げ工程等で上記ガイド孔を利用することに難点がある
ためその解決が望まれている。
曲げ工程等で上記ガイド孔を利用することに難点がある
ためその解決が望まれている。
第2図は従来のリードフレームによる半導体装置の形成
工程図であり、第3図は問題点を説明する図である。
工程図であり、第3図は問題点を説明する図である。
第2図で(1)はリードフレームの一例を示し、(2)
は半導体チップを樹脂モールドでパッケージした状態を
示す図、(3)はリード端子を個々に切断した状態を示
す図、(4)はリード端子を所要形状に折り曲げた状態
を示す図である。
は半導体チップを樹脂モールドでパッケージした状態を
示す図、(3)はリード端子を個々に切断した状態を示
す図、(4)はリード端子を所要形状に折り曲げた状態
を示す図である。
第2図(1)で42−アロイ合金等からなる帯状のリー
ドフレームlには、少なくとも該リードフレーム1に搭
載する半導体チップに対応する大きさのステージ2aと
、該半導体チップの各電極端子と対応してステージ2a
の周囲から該ステージ2aに向かう方向に配置され且つ
変形を避けるためにその途中でタイ・バー(tie−b
ar) 2bで相互にブリッヂされた複数のリード端子
2cとを具えた破線aで囲まれたチップパターン2が等
間隔ピッチPで長手方向に整列してパターニング形成さ
れている。
ドフレームlには、少なくとも該リードフレーム1に搭
載する半導体チップに対応する大きさのステージ2aと
、該半導体チップの各電極端子と対応してステージ2a
の周囲から該ステージ2aに向かう方向に配置され且つ
変形を避けるためにその途中でタイ・バー(tie−b
ar) 2bで相互にブリッヂされた複数のリード端子
2cとを具えた破線aで囲まれたチップパターン2が等
間隔ピッチPで長手方向に整列してパターニング形成さ
れている。
また長手方向のピッチがPで幅方向間隔がPの位置に穿
孔されている図のガイド孔3は、該リードフレームlの
形成時と樹脂パッケージ工程時の送りやパッケージ工程
後のリード端子タイ・バー2bの切断・除去と該リード
端子2cの折り曲げ工程等で使用されるものである。
孔されている図のガイド孔3は、該リードフレームlの
形成時と樹脂パッケージ工程時の送りやパッケージ工程
後のリード端子タイ・バー2bの切断・除去と該リード
端子2cの折り曲げ工程等で使用されるものである。
なお図のL形孔2d、矩形孔2e、2f 、2g、 2
h等はいずれも、該チップパターン2を形成する際や半
導体チップをパッケージする際の該リードフレーム1の
変形や反りを抑制するために設けられている捨孔である
。
h等はいずれも、該チップパターン2を形成する際や半
導体チップをパッケージする際の該リードフレーム1の
変形や反りを抑制するために設けられている捨孔である
。
そこで上記ステージ2aの所定位置に半導体チップを装
着し、該半導体チップの各電極端子と該各電極端子に対
応するリード端子2cの内側先端部との間を例えばワイ
ヤボンディング等の手段で接続した後に、上記ガイド孔
3を基準として該半導体チップをステージ2aの裏面を
含む全周囲で樹脂パッケージすると、(2)で示す状態
とすることができる。
着し、該半導体チップの各電極端子と該各電極端子に対
応するリード端子2cの内側先端部との間を例えばワイ
ヤボンディング等の手段で接続した後に、上記ガイド孔
3を基準として該半導体チップをステージ2aの裏面を
含む全周囲で樹脂パッケージすると、(2)で示す状態
とすることができる。
なお数回(2)以降では、該樹脂パッケージ部分とその
周囲に露出するリード端子20部分を拡大して表わして
いる。
周囲に露出するリード端子20部分を拡大して表わして
いる。
次いで(2)の状態にあるリードフレームを、例えば各
リード端子2Cの間をブリッジしているタイ・バー2b
(図のハツチングA領域)の部分のみを一度に切断除
去できる総室バイトを具えたカッタ装置に上記ガイド孔
3を基準として装着し、該カッタ装置を動作させること
で(3)に示す状態とすることができる。
リード端子2Cの間をブリッジしているタイ・バー2b
(図のハツチングA領域)の部分のみを一度に切断除
去できる総室バイトを具えたカッタ装置に上記ガイド孔
3を基準として装着し、該カッタ装置を動作させること
で(3)に示す状態とすることができる。
更に、各リード端子2Cを例えば(4)に示す如き所要
形状に折り曲げる図示されないベンディング装置に(3
)の状態にあるリードフレームを上記ガイド孔3を基準
として装着し、該ベンディング装置を動作させて(4)
に示す状態にした後、該各リード端子2Cを例えば点線
Bで示す線で切断することでリードフレームlから分離
した所要の半導体装置を得ることができる。
形状に折り曲げる図示されないベンディング装置に(3
)の状態にあるリードフレームを上記ガイド孔3を基準
として装着し、該ベンディング装置を動作させて(4)
に示す状態にした後、該各リード端子2Cを例えば点線
Bで示す線で切断することでリードフレームlから分離
した所要の半導体装置を得ることができる。
問題点を説明する第3図は、半導体チップが樹脂モール
ドされた状態にあるリードフレームを示したものであり
、図では1個のパッケージ部分を取り出した状態で表わ
している。
ドされた状態にあるリードフレームを示したものであり
、図では1個のパッケージ部分を取り出した状態で表わ
している。
なお図の(i)は全体図、(ii)はリード端子の切断
時の状態を示す図である。
時の状態を示す図である。
第3図(i)で、第2図(1)のリードフレーム1と同
様のガイド孔12が設けられているリードフレーム11
の図示されないステージには、半導体チップが封入され
ている樹脂パッケージ13が第2図で説明したように形
成されている。
様のガイド孔12が設けられているリードフレーム11
の図示されないステージには、半導体チップが封入され
ている樹脂パッケージ13が第2図で説明したように形
成されている。
この場合、パッケージ用樹脂材の平均的な熱膨張率は2
0 xlO−6/に程度であるが、リードフレームの熱
膨張率は例えば42−アロイ合金のときて4〜5 Xl
0−6/にてあり、上記パッケージ用樹脂材に比して小
さい。
0 xlO−6/に程度であるが、リードフレームの熱
膨張率は例えば42−アロイ合金のときて4〜5 Xl
0−6/にてあり、上記パッケージ用樹脂材に比して小
さい。
従って樹脂パッケージ13が形成された後のリードフレ
ーム11には、パッケージ領域すなわちステージの周囲
が強制的に収縮する方向の内部応力が発生している。
ーム11には、パッケージ領域すなわちステージの周囲
が強制的に収縮する方向の内部応力が発生している。
この場合の内部応力は、樹脂パッケージ13が小さい間
は該リードフレーム1に設けである上述した各捨孔り形
孔2d、矩形孔2e、2f 、2g等によって吸収され
るが、該樹脂パッケージ13が大きくなるにつれて上記
の各捨孔では吸収しきれな(なり結果的に図示の如く全
体が撓んだり波うって変形する。
は該リードフレーム1に設けである上述した各捨孔り形
孔2d、矩形孔2e、2f 、2g等によって吸収され
るが、該樹脂パッケージ13が大きくなるにつれて上記
の各捨孔では吸収しきれな(なり結果的に図示の如く全
体が撓んだり波うって変形する。
特にこの場合の撓みや変形はパッケージ領域すなわちス
テージから離れるほど顕著になる。
テージから離れるほど顕著になる。
このことは換言すれば、以後の工程例えば第2図で説明
したリード端子11aのタイ・バー11bの切断除去や
リード端子11aの折り曲げ工程等における作業の基準
となる上記ガイド孔12間の相対的な位置関係やパッケ
ージ領域すなわちステージに対する位置関係が変動する
ことを意味する。
したリード端子11aのタイ・バー11bの切断除去や
リード端子11aの折り曲げ工程等における作業の基準
となる上記ガイド孔12間の相対的な位置関係やパッケ
ージ領域すなわちステージに対する位置関係が変動する
ことを意味する。
(i)はかかるガイド孔12を利用して例えばタイ・バ
ー1.1.bを切断除去する場合を示したものであり、 すなわち、第2図の(2)および(3)で説明したカッ
タ装置でタイ・バー11bを切断除去する場合、リード
フレーム月のガイド孔12が撓みや変形によって位置的
にずれていると該カッタ装置で切断除去されるタイ・バ
ー11bは図に示すようにリード端子11.aに対して
ずれた状態で切断除去されることになる。
ー1.1.bを切断除去する場合を示したものであり、 すなわち、第2図の(2)および(3)で説明したカッ
タ装置でタイ・バー11bを切断除去する場合、リード
フレーム月のガイド孔12が撓みや変形によって位置的
にずれていると該カッタ装置で切断除去されるタイ・バ
ー11bは図に示すようにリード端子11.aに対して
ずれた状態で切断除去されることになる。
また単に一方向のずればかりでなく他の方向にもずれて
いると、タイ・バー1.lbが完全に除去できない場合
等も発生する。
いると、タイ・バー1.lbが完全に除去できない場合
等も発生する。
特にこの場合のずれ量δはリード端子11aが細(なる
につれてその影響が太き(なり、リード端子11aとし
ての強度が劣化したり折損し易(なる等の致命的な欠陥
に発展することとなる。
につれてその影響が太き(なり、リード端子11aとし
ての強度が劣化したり折損し易(なる等の致命的な欠陥
に発展することとなる。
従来の如く外枠側に諸工程に共通して使用するガイド孔
が設けられているリードフレームでは、搭載する半導体
チップが大型化するにつれて樹脂パッケージ後のガイド
孔の相対的位置関係に変動が生ずるため、パッケージ後
の諸工程における精度か確保できず生産性の向上が期待
できないと言う問題があった。
が設けられているリードフレームでは、搭載する半導体
チップが大型化するにつれて樹脂パッケージ後のガイド
孔の相対的位置関係に変動が生ずるため、パッケージ後
の諸工程における精度か確保できず生産性の向上が期待
できないと言う問題があった。
上記問題点は、搭載する半導体チップに対応する大きさ
のステージと、該ステージを取り囲み周囲から該ステー
ジに向かうように上記半導体チップの各電極端子に対応
して形成されタイバーにより相互に連結されている複数
のリード端子とを少なくとも具えた半導体チップ樹脂パ
ッケージ用のリードフレームであって、少なくともリー
ド端子形成領域の近傍に、前記リード端子の変形に対応
して位置が変動するようなリード端子加工用のガイド孔
が設けられているリードフレームによって解決される。
のステージと、該ステージを取り囲み周囲から該ステー
ジに向かうように上記半導体チップの各電極端子に対応
して形成されタイバーにより相互に連結されている複数
のリード端子とを少なくとも具えた半導体チップ樹脂パ
ッケージ用のリードフレームであって、少なくともリー
ド端子形成領域の近傍に、前記リード端子の変形に対応
して位置が変動するようなリード端子加工用のガイド孔
が設けられているリードフレームによって解決される。
また上記リードフレームのステージ上に半導体チップを
搭載した後、該チップに設けられた電極端子と前記リー
ド端子をワイヤを介して電気的に接続する工程と、前記
半導体チップを樹脂でモールドする工程と、前記ガイド
孔を基準として前記リードフレームを加工装置に固定し
た後その状態で前記タイバーの切断および前記リード端
子の曲げ整形工程を行う半導体装置の製造方法によって
解決される。
搭載した後、該チップに設けられた電極端子と前記リー
ド端子をワイヤを介して電気的に接続する工程と、前記
半導体チップを樹脂でモールドする工程と、前記ガイド
孔を基準として前記リードフレームを加工装置に固定し
た後その状態で前記タイバーの切断および前記リード端
子の曲げ整形工程を行う半導体装置の製造方法によって
解決される。
リードフレームのリード端子に近接した位置にガイド孔
を設けると、パッケージ工程前後の該ガイド孔の相対的
位置関係の変動を小さ(することができる。
を設けると、パッケージ工程前後の該ガイド孔の相対的
位置関係の変動を小さ(することができる。
本発明になるリードフレームでは、外枠に形成している
従来のガイド孔の他に、リード端子形成領域にパッケー
ジ後の諸工程で使用する第2のガイド孔を設けるように
している。
従来のガイド孔の他に、リード端子形成領域にパッケー
ジ後の諸工程で使用する第2のガイド孔を設けるように
している。
従って、樹脂パッケージ工程後のリード端子部分の加工
工程では上記第2のガイド孔を基準として使用すること
で、加工精度の低下を抑制することができてサイズ的に
大きい半導体装置でも生産性よ(得ることができる。
工程では上記第2のガイド孔を基準として使用すること
で、加工精度の低下を抑制することができてサイズ的に
大きい半導体装置でも生産性よ(得ることができる。
第1図は本発明になるリードフレームの一例を説明する
図である。
図である。
第1図で、42〜アロイ合金等からなる帯状のリードフ
レーム21には、第2図で説明したガイド孔3と等しい
ガイド孔22が設けちれていると共に、少なくとも該リ
ードフレーム21に搭載する半導体チップがカバーでき
る大きさを持つ角形のステージ23aと、その各辺と対
応する外側位置それぞれに該ステージ23aに向かう方
向で該半導体チップの各電極端子と対応し且つ変形を避
けるため途中でタイ・バー23bによって相互にブリッ
ヂされたリード端子23cがグルーピング形成されてい
る4個のリード端子群23C−1,23C−2、23c
m5 、23c−4とを具えた破線a′で囲まれたチッ
プパターン23が、等間隔ピッチPで長手方向に沿って
パターニング形成されている。
レーム21には、第2図で説明したガイド孔3と等しい
ガイド孔22が設けちれていると共に、少なくとも該リ
ードフレーム21に搭載する半導体チップがカバーでき
る大きさを持つ角形のステージ23aと、その各辺と対
応する外側位置それぞれに該ステージ23aに向かう方
向で該半導体チップの各電極端子と対応し且つ変形を避
けるため途中でタイ・バー23bによって相互にブリッ
ヂされたリード端子23cがグルーピング形成されてい
る4個のリード端子群23C−1,23C−2、23c
m5 、23c−4とを具えた破線a′で囲まれたチッ
プパターン23が、等間隔ピッチPで長手方向に沿って
パターニング形成されている。
特に、この場合の各リード端子群23cm+ 、 23
cm2 、23C−3、23C−4は該リードフレーム
21とは、各各リード端子群それぞれの両端に形成され
ている接続バー23dでステージ23aと接続し、また
該リード端子23cの他端側端部では共通する接続バー
23eに繋がる変形自在な接続バー23fを介して該リ
ードフレーム21の外枠と接続しているが、更に上記接
続バー23eにはガイド孔24が設けられている。
cm2 、23C−3、23C−4は該リードフレーム
21とは、各各リード端子群それぞれの両端に形成され
ている接続バー23dでステージ23aと接続し、また
該リード端子23cの他端側端部では共通する接続バー
23eに繋がる変形自在な接続バー23fを介して該リ
ードフレーム21の外枠と接続しているが、更に上記接
続バー23eにはガイド孔24が設けられている。
従って、上記の各リード端子群23c〜I+ 23c
m4、23C−3、23C−1とリードフレーム21の
外枠との間の多少の相対的な位置ずれは上記接続バー2
3dと23fの変形によって吸収できることになり、結
果的に上記各リード端子群のガイド孔24とリードフレ
ーム21の外枠に位置するガイド孔22との間が相対的
に揺動し得ることになる。
m4、23C−3、23C−1とリードフレーム21の
外枠との間の多少の相対的な位置ずれは上記接続バー2
3dと23fの変形によって吸収できることになり、結
果的に上記各リード端子群のガイド孔24とリードフレ
ーム21の外枠に位置するガイド孔22との間が相対的
に揺動し得ることになる。
このことは、半導体チップを樹脂モールドでパッケージ
化する際にリードフレーム21に発生する内部応力が少
なくとも各リード端子群に形成されているガイド孔24
には直接影響しないことを意味する。
化する際にリードフレーム21に発生する内部応力が少
なくとも各リード端子群に形成されているガイド孔24
には直接影響しないことを意味する。
そこで、第2図で説明したパッケージ工程後のタイ・バ
ーの切断・除去工程やリード端子折り曲げ工程を該ガイ
ド孔24を基準として行うことで、第3図で説明したよ
うな加工精度の低下を起こすことなく所要の半導体装置
を得ることができて生産性を向上させることができる。
ーの切断・除去工程やリード端子折り曲げ工程を該ガイ
ド孔24を基準として行うことで、第3図で説明したよ
うな加工精度の低下を起こすことなく所要の半導体装置
を得ることができて生産性を向上させることができる。
なお第2図(1)で説明したリードフレームlの場合に
は、例えばステージ2aとリード端子2cの両方に最も
近接した捨孔である矩形孔2hに第1図の24と同様の
ガイド孔を設けることで、第1図の場合と同様の効果を
得ることができる。
は、例えばステージ2aとリード端子2cの両方に最も
近接した捨孔である矩形孔2hに第1図の24と同様の
ガイド孔を設けることで、第1図の場合と同様の効果を
得ることができる。
(発明の効果〕
上述の如く本発明によりリード端子加工時の位置決めが
精度よく行なえることから、半導体装置としての生産性
の向上が実現できるリードフレームを容易に提供するこ
とができる。
精度よく行なえることから、半導体装置としての生産性
の向上が実現できるリードフレームを容易に提供するこ
とができる。
第2図は従来のリードフレームによる半導体装置の形成
工程図、 第3図は問題点を説明する図、 である。
工程図、 第3図は問題点を説明する図、 である。
図において、
21はリードフレーム、22.24はガイド孔、23は
チップパターン、 23aはステージ、 23bはタイ・バー230はリ
ード端子、 23C−1,23C−2、23C−3、23C−4はリ
ード端子群、23d、 23e、 23fは接続バーを
それぞれ表わす。
チップパターン、 23aはステージ、 23bはタイ・バー230はリ
ード端子、 23C−1,23C−2、23C−3、23C−4はリ
ード端子群、23d、 23e、 23fは接続バーを
それぞれ表わす。
第1図は本発明になるリードフレームの一例を説明する
図、 入 q2ynリーF7シームに乃ナカー戸1襲innガニず
I房つjフ122 口 (巧n2ン
図、 入 q2ynリーF7シームに乃ナカー戸1襲innガニず
I房つjフ122 口 (巧n2ン
Claims (2)
- (1)搭載する半導体チップに対応する大きさのステー
ジと、該ステージを取り囲み周囲から該ステージに向か
うように上記半導体チップの各電極端子に対応して形成
されタイバーにより相互に連結されている複数のリード
端子とを少なくとも具えた半導体チップ樹脂パッケージ
用のリードフレームであって、 少なくともリード端子形成領域の近傍に、前記リード端
子の変形に対応して位置が変動するようなリード端子加
工用のガイド孔が設けられていることを特徴としたリー
ドフレーム。 - (2)請求項1記載のリードフレームのステージ上に半
導体チップを搭載した後、該チップに設けられた電極端
子と前記リード端子をワイヤを介して電気的に接続する
工程と、前記半導体チップを樹脂でモールドする工程と
、前記ガイド孔を基準として前記リードフレームを加工
装置に固定した後その状態で前記タイバーの切断および
前記リード端子の曲げ整形工程を行うことを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2118386A JP2737356B2 (ja) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2118386A JP2737356B2 (ja) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0414856A true JPH0414856A (ja) | 1992-01-20 |
JP2737356B2 JP2737356B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=14735406
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2118386A Expired - Lifetime JP2737356B2 (ja) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2737356B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06224352A (ja) * | 1993-01-21 | 1994-08-12 | Rohm Co Ltd | リードフレーム |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63217637A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
JPH03165057A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-17 | Mitsubishi Electric Corp | リードフレーム |
-
1990
- 1990-05-08 JP JP2118386A patent/JP2737356B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS63217637A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
JPH03165057A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-17 | Mitsubishi Electric Corp | リードフレーム |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06224352A (ja) * | 1993-01-21 | 1994-08-12 | Rohm Co Ltd | リードフレーム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2737356B2 (ja) | 1998-04-08 |
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