JPH0414856A - Lead frame and manufacture of semiconductor device using the same - Google Patents
Lead frame and manufacture of semiconductor device using the sameInfo
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体チップを樹脂パッケージするリードフレームに関
し、
リードフレームの外枠に設けるリードフレーム形成用お
よびパッケージ用のガイド孔の他にリード端子部近傍に
リード端子加工用ガイド孔を設けることでリード加工精
度を上げて生産性の向上を図ることを目的とし、
搭載する半導体チップに対応する大きさのステージと、
該ステージを取り囲み周囲から該ステージに向かうよう
に上記半導体チップの各電極端一）に対応して形成され
タイバーにより相互に連結されている複数のリード端子
とを少なくとも具えた半導体チップ樹脂パッケージ用の
リードフレームであって、少なくともリード端子形成領
域の近傍に、前記リード端子の変形に対応して位置が変
動するようなリード端子加工用のガイド孔を設けて構成
する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding a lead frame for resin packaging a semiconductor chip, in addition to guide holes for lead frame formation and packaging provided in the outer frame of the lead frame, a guide hole for lead terminal processing is provided near the lead terminal portion. The aim is to improve lead processing accuracy and productivity by providing guide holes, and the stage is sized to accommodate the semiconductor chip to be mounted.
A resin package for a semiconductor chip, comprising at least a plurality of lead terminals surrounding the stage and extending from the periphery toward the stage, corresponding to each electrode end of the semiconductor chip, and interconnected by tie bars. The lead frame is configured such that a guide hole for processing the lead terminal is provided at least in the vicinity of the lead terminal forming area, the position of which changes in response to deformation of the lead terminal.
また上記リードフレームのステージ上に半導体チップを
搭載した後、該チップに設けられた電極端子と前記リー
ド端子をワイヤを介して電気的に接続する工程と、前記
半導体チップを樹脂でモールドする工程と、前記ガイド
孔を基準として前記リードフレームを加工装置に固定し
た後その状態で前記タイバーの切断および前記リード端
子の曲げ整形工程を行って構成する。Further, after mounting the semiconductor chip on the stage of the lead frame, a step of electrically connecting an electrode terminal provided on the chip and the lead terminal via a wire, and a step of molding the semiconductor chip with resin. The lead frame is fixed to a processing device with reference to the guide hole, and then the tie bars are cut and the lead terminals are bent and shaped.
本発明は半導体チップを樹脂パッケージするリードフレ
ームの形状に係り、特にリードフレームの外枠に設ける
リードフレーム形成用およびパッケージ用ガイド孔の他
にリード端子部近傍にり−ド端子加工用ガイド孔を設け
ることで生産性の向上を図ったリードフレームに関する
。The present invention relates to the shape of a lead frame for resin packaging semiconductor chips, and in particular, in addition to guide holes for lead frame formation and packaging provided in the outer frame of the lead frame, guide holes for processing lead terminals are provided near the lead terminal portions. This invention relates to a lead frame that improves productivity by providing a lead frame.
半導体装置には所要形状に形成されたリードフレームの
ステージに半導体チップを樹脂モールド等でパッケージ
して構成されるものがあるが、かかる半導体装置の製造
工程では一般にリードフレームの外枠に設けているリー
ドフレーム形成用のガイド孔を利用して樹脂モールド工
程やその後のリード端子の切断・折り曲げ工程等を行っ
ている。Some semiconductor devices are constructed by packaging a semiconductor chip with a resin mold or the like on the stage of a lead frame formed into a desired shape, but in the manufacturing process of such semiconductor devices, the stage is generally provided on the outer frame of the lead frame. Guide holes for lead frame formation are used to perform the resin molding process and the subsequent process of cutting and bending the lead terminals.
一方リードフレームとパッケージ材の収縮率には差異が
ある。On the other hand, there is a difference in shrinkage rates between lead frames and packaging materials.
その結果樹脂パッケージした後の該パッケージ領域から
露出するリードフレーム部分には内部応力が発生するが
、特に最近の如く半導体チップの集積度が向上して大型
化すると該内部応力がリードフレームの露出部分の撓み
や変形を誘起するため上述したリードフレームの外枠に
設けているガイド孔に相対的な位置ずれが生ずる。As a result, internal stress occurs in the lead frame portion exposed from the package area after resin packaging, but especially as semiconductor chips become more integrated and larger in size, this internal stress increases in the exposed portion of the lead frame. In order to induce deflection and deformation of the lead frame, a relative positional shift occurs in the guide hole provided in the outer frame of the lead frame.
特に大型化した半導体チップでは電極端子数が増えるた
め、これに対応するリードフレームもリード端子間ピッ
チが小さくなると共にリード端子の太さが細（なる傾向
にある。In particular, as the number of electrode terminals increases in larger semiconductor chips, the pitch between lead terminals of corresponding lead frames tends to become smaller and the thickness of the lead terminals tends to become thinner.
従って樹脂パッケージした後のリード端子の切断や折り
曲げ工程等で上記ガイド孔を利用することに難点がある
ためその解決が望まれている。Therefore, there is a problem in using the guide hole in the process of cutting or bending the lead terminal after resin packaging, and a solution to this problem is desired.
第２図は従来のリードフレームによる半導体装置の形成
工程図であり、第３図は問題点を説明する図である。FIG. 2 is a process diagram for forming a semiconductor device using a conventional lead frame, and FIG. 3 is a diagram illustrating problems.
第２図で（１）はリードフレームの一例を示し、（２）
は半導体チップを樹脂モールドでパッケージした状態を
示す図、（３）はリード端子を個々に切断した状態を示
す図、（４）はリード端子を所要形状に折り曲げた状態
を示す図である。In Figure 2, (1) shows an example of a lead frame, and (2)
(3) is a diagram showing a state where the semiconductor chip is packaged with a resin mold, (3) is a diagram showing a state in which the lead terminals are individually cut, and (4) is a diagram showing a state in which the lead terminals are bent into a desired shape.
第２図（１）で４２−アロイ合金等からなる帯状のリー
ドフレームｌには、少なくとも該リードフレーム１に搭
載する半導体チップに対応する大きさのステージ２ａと
、該半導体チップの各電極端子と対応してステージ２ａ
の周囲から該ステージ２ａに向かう方向に配置され且つ
変形を避けるためにその途中でタイ・バー（ｔｉｅ−ｂ
ａｒ） ２ｂで相互にブリッヂされた複数のリード端子
２ｃとを具えた破線ａで囲まれたチップパターン２が等
間隔ピッチＰで長手方向に整列してパターニング形成さ
れている。In FIG. 2 (1), a strip-shaped lead frame l made of 42-alloy alloy or the like has at least a stage 2a of a size corresponding to the semiconductor chip mounted on the lead frame 1, and a stage 2a with each electrode terminal of the semiconductor chip. Correspondingly stage 2a
is arranged in the direction from the periphery of the stage 2a toward the stage 2a, and a tie bar (tie-b
ar) A chip pattern 2 surrounded by a broken line a and having a plurality of lead terminals 2c mutually bridged by 2b is patterned and formed in alignment in the longitudinal direction at an equal pitch P.
また長手方向のピッチがＰで幅方向間隔がＰの位置に穿
孔されている図のガイド孔３は、該リードフレームｌの
形成時と樹脂パッケージ工程時の送りやパッケージ工程
後のリード端子タイ・バー２ｂの切断・除去と該リード
端子２ｃの折り曲げ工程等で使用されるものである。Further, the guide holes 3 in the figure, which are drilled at positions with a pitch of P in the longitudinal direction and an interval of P in the width direction, are used for feeding during the formation of the lead frame l and during the resin packaging process, and for connecting the lead terminals after the packaging process. It is used in the process of cutting and removing the bar 2b and bending the lead terminal 2c.
なお図のＬ形孔２ｄ、矩形孔２ｅ、２ｆ 、２ｇ、 ２
ｈ等はいずれも、該チップパターン２を形成する際や半
導体チップをパッケージする際の該リードフレーム１の
変形や反りを抑制するために設けられている捨孔である
。In addition, the L-shaped hole 2d, rectangular holes 2e, 2f, 2g, 2 in the figure
The holes h and the like are provided to suppress deformation and warping of the lead frame 1 when forming the chip pattern 2 or packaging the semiconductor chip.
そこで上記ステージ２ａの所定位置に半導体チップを装
着し、該半導体チップの各電極端子と該各電極端子に対
応するリード端子２ｃの内側先端部との間を例えばワイ
ヤボンディング等の手段で接続した後に、上記ガイド孔
３を基準として該半導体チップをステージ２ａの裏面を
含む全周囲で樹脂パッケージすると、（２）で示す状態
とすることができる。Therefore, after mounting a semiconductor chip at a predetermined position on the stage 2a, and connecting each electrode terminal of the semiconductor chip and the inner tip of the lead terminal 2c corresponding to each electrode terminal by means such as wire bonding, If the semiconductor chip is packaged with resin around the entire periphery of the stage 2a, including the back surface of the stage 2a, using the guide hole 3 as a reference, the state shown in (2) can be obtained.
なお数回（２）以降では、該樹脂パッケージ部分とその
周囲に露出するリード端子２０部分を拡大して表わして
いる。In the following sections, the resin package portion and the lead terminal 20 portion exposed around the resin package portion are shown in an enlarged manner.
次いで（２）の状態にあるリードフレームを、例えば各
リード端子２Ｃの間をブリッジしているタイ・バー２ｂ
（図のハツチングＡ領域）の部分のみを一度に切断除
去できる総室バイトを具えたカッタ装置に上記ガイド孔
３を基準として装着し、該カッタ装置を動作させること
で（３）に示す状態とすることができる。Next, the lead frame in the state (2) is connected to the tie bar 2b bridging between each lead terminal 2C, for example.
The state shown in (3) is achieved by attaching the cutter device equipped with a full-chamber cutting tool that can cut and remove only the area (hatched area A in the figure) with the guide hole 3 as a reference, and operating the cutter device. can do.
更に、各リード端子２Ｃを例えば（４）に示す如き所要
形状に折り曲げる図示されないベンディング装置に（３
）の状態にあるリードフレームを上記ガイド孔３を基準
として装着し、該ベンディング装置を動作させて（４）
に示す状態にした後、該各リード端子２Ｃを例えば点線
Ｂで示す線で切断することでリードフレームｌから分離
した所要の半導体装置を得ることができる。Furthermore, a bending device (3) (not shown) is used to bend each lead terminal 2C into a desired shape as shown in (4), for example.
) The lead frame in the state shown in FIG.
After achieving the state shown in FIG. 1, the respective lead terminals 2C are cut, for example, along the line shown by dotted line B, whereby a desired semiconductor device separated from the lead frame 1 can be obtained.
問題点を説明する第３図は、半導体チップが樹脂モール
ドされた状態にあるリードフレームを示したものであり
、図では１個のパッケージ部分を取り出した状態で表わ
している。FIG. 3, which explains the problem, shows a lead frame in which a semiconductor chip is resin-molded, and the figure shows one package portion taken out.
なお図の（ｉ）は全体図、（ｉｉ）はリード端子の切断
時の状態を示す図である。Note that (i) in the figure is an overall view, and (ii) is a diagram showing the state when the lead terminal is cut.
第３図（ｉ）で、第２図（１）のリードフレーム１と同
様のガイド孔１２が設けられているリードフレーム１１
の図示されないステージには、半導体チップが封入され
ている樹脂パッケージ１３が第２図で説明したように形
成されている。In FIG. 3(i), a lead frame 11 is provided with a guide hole 12 similar to the lead frame 1 in FIG. 2(1).
A resin package 13 in which a semiconductor chip is encapsulated is formed on a stage (not shown) as described in FIG. 2.
この場合、パッケージ用樹脂材の平均的な熱膨張率は２
０ ｘｌＯ−６／に程度であるが、リードフレームの熱
膨張率は例えば４２−アロイ合金のときて４〜５ Ｘｌ
０−６／にてあり、上記パッケージ用樹脂材に比して小
さい。In this case, the average coefficient of thermal expansion of the packaging resin material is 2
For example, the coefficient of thermal expansion of a lead frame is about 4 to 5 xlO-6/ for a 42-alloy alloy.
0-6/, which is smaller than the above resin material for packaging.
従って樹脂パッケージ１３が形成された後のリードフレ
ーム１１には、パッケージ領域すなわちステージの周囲
が強制的に収縮する方向の内部応力が発生している。Therefore, in the lead frame 11 after the resin package 13 is formed, an internal stress is generated in the direction in which the package region, that is, the periphery of the stage is forcibly contracted.
この場合の内部応力は、樹脂パッケージ１３が小さい間
は該リードフレーム１に設けである上述した各捨孔り形
孔２ｄ、矩形孔２ｅ、２ｆ 、２ｇ等によって吸収され
るが、該樹脂パッケージ１３が大きくなるにつれて上記
の各捨孔では吸収しきれな（なり結果的に図示の如く全
体が撓んだり波うって変形する。The internal stress in this case is absorbed by the above-mentioned round holes 2d, rectangular holes 2e, 2f, 2g, etc. provided in the lead frame 1 while the resin package 13 is small. As it becomes larger, it cannot be absorbed completely by each of the above-mentioned holes (as a result, the whole becomes deformed by bending or waving as shown in the figure).
特にこの場合の撓みや変形はパッケージ領域すなわちス
テージから離れるほど顕著になる。In particular, the deflection and deformation in this case become more pronounced as the distance from the package area, ie, the stage increases.
このことは換言すれば、以後の工程例えば第２図で説明
したリード端子１１ａのタイ・バー１１ｂの切断除去や
リード端子１１ａの折り曲げ工程等における作業の基準
となる上記ガイド孔１２間の相対的な位置関係やパッケ
ージ領域すなわちステージに対する位置関係が変動する
ことを意味する。In other words, this means that the relative position between the guide holes 12 serves as a reference for subsequent processes such as cutting and removing the tie bar 11b of the lead terminal 11a and bending the lead terminal 11a as explained in FIG. This means that the positional relationship between the package area and the package area, that is, the stage, changes.
（ｉ）はかかるガイド孔１２を利用して例えばタイ・バ
ー１．１．ｂを切断除去する場合を示したものであり、
すなわち、第２図の（２）および（３）で説明したカッ
タ装置でタイ・バー１１ｂを切断除去する場合、リード
フレーム月のガイド孔１２が撓みや変形によって位置的
にずれていると該カッタ装置で切断除去されるタイ・バ
ー１１ｂは図に示すようにリード端子１１．ａに対して
ずれた状態で切断除去されることになる。(i) For example, the tie bar 1.1. In other words, when the tie bar 11b is cut and removed using the cutter device described in (2) and (3) of FIG. 2, the guide hole 12 of the lead frame is If the tie bar 11b is misaligned due to bending or deformation, the cutter device cuts and removes the tie bar 11b, as shown in the figure, the lead terminal 11. It will be cut and removed in a shifted state with respect to a.
また単に一方向のずればかりでなく他の方向にもずれて
いると、タイ・バー１．ｌｂが完全に除去できない場合
等も発生する。Also, if the tie bar is not only deviated in one direction but also in other directions, the tie bar 1. There may also be cases where lb cannot be completely removed.
特にこの場合のずれ量δはリード端子１１ａが細（なる
につれてその影響が太き（なり、リード端子１１ａとし
ての強度が劣化したり折損し易（なる等の致命的な欠陥
に発展することとなる。In particular, the amount of deviation δ in this case has the effect that the thinner the lead terminal 11a becomes, the thicker it becomes, which may lead to fatal defects such as deterioration of the strength of the lead terminal 11a or easy breakage. Become.
従来の如く外枠側に諸工程に共通して使用するガイド孔
が設けられているリードフレームでは、搭載する半導体
チップが大型化するにつれて樹脂パッケージ後のガイド
孔の相対的位置関係に変動が生ずるため、パッケージ後
の諸工程における精度か確保できず生産性の向上が期待
できないと言う問題があった。In conventional lead frames that have guide holes commonly used in various processes on the outer frame side, as the size of the semiconductor chip mounted increases, the relative positional relationship of the guide holes after the resin package changes. Therefore, there was a problem in that accuracy in various processes after packaging could not be ensured and productivity could not be expected to improve.
上記問題点は、搭載する半導体チップに対応する大きさ
のステージと、該ステージを取り囲み周囲から該ステー
ジに向かうように上記半導体チップの各電極端子に対応
して形成されタイバーにより相互に連結されている複数
のリード端子とを少なくとも具えた半導体チップ樹脂パ
ッケージ用のリードフレームであって、少なくともリー
ド端子形成領域の近傍に、前記リード端子の変形に対応
して位置が変動するようなリード端子加工用のガイド孔
が設けられているリードフレームによって解決される。The above-mentioned problem is solved by a stage having a size corresponding to the semiconductor chip to be mounted, and a stage that surrounds the stage and is connected to each electrode terminal of the semiconductor chip by tie bars extending from the periphery toward the stage. A lead frame for a semiconductor chip resin package comprising at least a plurality of lead terminals, the lead frame being for processing lead terminals at least in the vicinity of a lead terminal forming area, the position of which changes in response to deformation of the lead terminals. The problem is solved by a lead frame that is provided with guide holes.
また上記リードフレームのステージ上に半導体チップを
搭載した後、該チップに設けられた電極端子と前記リー
ド端子をワイヤを介して電気的に接続する工程と、前記
半導体チップを樹脂でモールドする工程と、前記ガイド
孔を基準として前記リードフレームを加工装置に固定し
た後その状態で前記タイバーの切断および前記リード端
子の曲げ整形工程を行う半導体装置の製造方法によって
解決される。Further, after mounting the semiconductor chip on the stage of the lead frame, a step of electrically connecting an electrode terminal provided on the chip and the lead terminal via a wire, and a step of molding the semiconductor chip with resin. This problem is solved by a method of manufacturing a semiconductor device, in which the lead frame is fixed to a processing device with reference to the guide hole, and then the tie bars are cut and the lead terminals are bent and shaped.
リードフレームのリード端子に近接した位置にガイド孔
を設けると、パッケージ工程前後の該ガイド孔の相対的
位置関係の変動を小さ（することができる。When the guide hole is provided at a position close to the lead terminal of the lead frame, it is possible to reduce fluctuations in the relative positional relationship of the guide hole before and after the packaging process.
本発明になるリードフレームでは、外枠に形成している
従来のガイド孔の他に、リード端子形成領域にパッケー
ジ後の諸工程で使用する第２のガイド孔を設けるように
している。In the lead frame of the present invention, in addition to the conventional guide hole formed in the outer frame, a second guide hole is provided in the lead terminal forming area for use in various steps after packaging.
従って、樹脂パッケージ工程後のリード端子部分の加工
工程では上記第２のガイド孔を基準として使用すること
で、加工精度の低下を抑制することができてサイズ的に
大きい半導体装置でも生産性よ（得ることができる。Therefore, by using the second guide hole as a reference in the processing process of the lead terminal part after the resin packaging process, it is possible to suppress the decline in processing accuracy and improve productivity even in large-sized semiconductor devices. Obtainable.
第１図は本発明になるリードフレームの一例を説明する
図である。FIG. 1 is a diagram illustrating an example of a lead frame according to the present invention.
第１図で、４２〜アロイ合金等からなる帯状のリードフ
レーム２１には、第２図で説明したガイド孔３と等しい
ガイド孔２２が設けちれていると共に、少なくとも該リ
ードフレーム２１に搭載する半導体チップがカバーでき
る大きさを持つ角形のステージ２３ａと、その各辺と対
応する外側位置それぞれに該ステージ２３ａに向かう方
向で該半導体チップの各電極端子と対応し且つ変形を避
けるため途中でタイ・バー２３ｂによって相互にブリッ
ヂされたリード端子２３ｃがグルーピング形成されてい
る４個のリード端子群２３Ｃ−１，２３Ｃ−２、２３ｃ
ｍ５ 、２３ｃ−４とを具えた破線ａ′で囲まれたチッ
プパターン２３が、等間隔ピッチＰで長手方向に沿って
パターニング形成されている。In FIG. 1, a strip-shaped lead frame 21 made of alloy alloy 42 or the like is provided with a guide hole 22 equivalent to the guide hole 3 explained in FIG. A rectangular stage 23a having a size that can cover the semiconductor chip, and a tie on the outside position corresponding to each side of the stage 23a to correspond to each electrode terminal of the semiconductor chip in the direction toward the stage 23a and to avoid deformation.・Four lead terminal groups 23C-1, 23C-2, 23c in which lead terminals 23c bridged with each other by bars 23b are grouped.
A chip pattern 23 surrounded by a broken line a' having 23c-4 and 23c-4 is formed by patterning along the longitudinal direction at equal pitches P.
特に、この場合の各リード端子群２３ｃｍ＋ 、 ２３
ｃｍ２ 、２３Ｃ−３、２３Ｃ−４は該リードフレーム
２１とは、各各リード端子群それぞれの両端に形成され
ている接続バー２３ｄでステージ２３ａと接続し、また
該リード端子２３ｃの他端側端部では共通する接続バー
２３ｅに繋がる変形自在な接続バー２３ｆを介して該リ
ードフレーム２１の外枠と接続しているが、更に上記接
続バー２３ｅにはガイド孔２４が設けられている。In particular, each lead terminal group in this case is 23 cm+, 23
cm2, 23C-3, and 23C-4 are connected to the lead frame 21 by connecting bars 23d formed at both ends of each lead terminal group, and connected to the stage 23a by the other end of the lead terminal 23c. The lead frame 21 is connected to the outer frame of the lead frame 21 via a deformable connection bar 23f connected to a common connection bar 23e, and the connection bar 23e is further provided with a guide hole 24.
従って、上記の各リード端子群２３ｃ〜Ｉ＋ ２３ｃ
ｍ４、２３Ｃ−３、２３Ｃ−１とリードフレーム２１の
外枠との間の多少の相対的な位置ずれは上記接続バー２
３ｄと２３ｆの変形によって吸収できることになり、結
果的に上記各リード端子群のガイド孔２４とリードフレ
ーム２１の外枠に位置するガイド孔２２との間が相対的
に揺動し得ることになる。Therefore, each of the above lead terminal groups 23c to I+ 23c
If there is some relative positional deviation between m4, 23C-3, 23C-1 and the outer frame of the lead frame 21, the connection bar 2
This can be absorbed by the deformation of 3d and 23f, and as a result, the guide holes 24 of each lead terminal group and the guide holes 22 located in the outer frame of the lead frame 21 can swing relative to each other. .
このことは、半導体チップを樹脂モールドでパッケージ
化する際にリードフレーム２１に発生する内部応力が少
なくとも各リード端子群に形成されているガイド孔２４
には直接影響しないことを意味する。This means that the internal stress generated in the lead frame 21 when packaging a semiconductor chip with a resin mold is at least absorbed by the guide holes 21 formed in each lead terminal group.
This means that it has no direct effect on
そこで、第２図で説明したパッケージ工程後のタイ・バ
ーの切断・除去工程やリード端子折り曲げ工程を該ガイ
ド孔２４を基準として行うことで、第３図で説明したよ
うな加工精度の低下を起こすことなく所要の半導体装置
を得ることができて生産性を向上させることができる。Therefore, by performing the tie bar cutting/removal process and the lead terminal bending process after the packaging process explained in Fig. 2 using the guide hole 24 as a reference, the decrease in processing accuracy as explained in Fig. 3 can be avoided. A required semiconductor device can be obtained without any trouble, and productivity can be improved.
なお第２図（１）で説明したリードフレームｌの場合に
は、例えばステージ２ａとリード端子２ｃの両方に最も
近接した捨孔である矩形孔２ｈに第１図の２４と同様の
ガイド孔を設けることで、第１図の場合と同様の効果を
得ることができる。In the case of the lead frame l explained in FIG. 2 (1), for example, a guide hole similar to 24 in FIG. By providing this, the same effect as in the case of FIG. 1 can be obtained.
（発明の効果〕
上述の如く本発明によりリード端子加工時の位置決めが
精度よく行なえることから、半導体装置としての生産性
の向上が実現できるリードフレームを容易に提供するこ
とができる。(Effects of the Invention) As described above, the present invention allows for accurate positioning during processing of lead terminals, so it is possible to easily provide a lead frame that can improve productivity as a semiconductor device.
第２図は従来のリードフレームによる半導体装置の形成
工程図、
第３図は問題点を説明する図、
である。FIG. 2 is a process diagram for forming a semiconductor device using a conventional lead frame, and FIG. 3 is a diagram illustrating problems.
図において、
２１はリードフレーム、２２．２４はガイド孔、２３は
チップパターン、
２３ａはステージ、 ２３ｂはタイ・バー２３０はリ
ード端子、
２３Ｃ−１，２３Ｃ−２、２３Ｃ−３、２３Ｃ−４はリ
ード端子群、２３ｄ、 ２３ｅ、 ２３ｆは接続バーを
それぞれ表わす。In the figure, 21 is a lead frame, 22.24 is a guide hole, 23 is a chip pattern, 23a is a stage, 23b is a tie bar 230 is a lead terminal, 23C-1, 23C-2, 23C-3, 23C-4 are Lead terminal groups 23d, 23e, and 23f represent connection bars, respectively.
第１図は本発明になるリードフレームの一例を説明する
図、
入
ｑ２ｙｎリーＦ７シームに乃ナカー戸１襲ｉｎｎガニず
Ｉ房つｊフ１２２ 口 （巧ｎ２ンFig. 1 is a diagram illustrating an example of the lead frame according to the present invention.
Claims (2)
ジと、該ステージを取り囲み周囲から該ステージに向か
うように上記半導体チップの各電極端子に対応して形成
されタイバーにより相互に連結されている複数のリード
端子とを少なくとも具えた半導体チップ樹脂パッケージ
用のリードフレームであって、 少なくともリード端子形成領域の近傍に、前記リード端
子の変形に対応して位置が変動するようなリード端子加
工用のガイド孔が設けられていることを特徴としたリー
ドフレーム。(1) A stage of a size corresponding to the semiconductor chip to be mounted, and a plurality of stages surrounding the stage and extending from the periphery toward the stage, formed corresponding to each electrode terminal of the semiconductor chip, and interconnected by tie bars. A lead frame for a semiconductor chip resin package, comprising at least a lead terminal, the lead frame including a lead terminal processing guide whose position changes in response to deformation of the lead terminal, at least in the vicinity of the lead terminal forming area. A lead frame characterized by having holes.
導体チップを搭載した後、該チップに設けられた電極端
子と前記リード端子をワイヤを介して電気的に接続する
工程と、前記半導体チップを樹脂でモールドする工程と
、前記ガイド孔を基準として前記リードフレームを加工
装置に固定した後その状態で前記タイバーの切断および
前記リード端子の曲げ整形工程を行うことを特徴とする
半導体装置の製造方法。(2) After mounting the semiconductor chip on the stage of the lead frame according to claim 1, the step of electrically connecting the electrode terminal provided on the chip and the lead terminal via a wire; A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of molding with resin, fixing the lead frame to a processing device using the guide hole as a reference, and then cutting the tie bar and bending and shaping the lead terminal in that state. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2118386A JP2737356B2 (en) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | Lead frame and method of manufacturing semiconductor device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2118386A JP2737356B2 (en) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | Lead frame and method of manufacturing semiconductor device using the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0414856A true JPH0414856A (en) | 1992-01-20 |
| JP2737356B2 JP2737356B2 (en) | 1998-04-08 |
Family
ID=14735406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2118386A Expired - Lifetime JP2737356B2 (en) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | Lead frame and method of manufacturing semiconductor device using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2737356B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06224352A (en) * | 1993-01-21 | 1994-08-12 | Rohm Co Ltd | Lead frame |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63217637A (en) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | Lead frame for semiconductor device |
| JPH03165057A (en) * | 1989-11-22 | 1991-07-17 | Mitsubishi Electric Corp | Lead frame |
-
1990
- 1990-05-08 JP JP2118386A patent/JP2737356B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63217637A (en) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | Lead frame for semiconductor device |
| JPH03165057A (en) * | 1989-11-22 | 1991-07-17 | Mitsubishi Electric Corp | Lead frame |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06224352A (en) * | 1993-01-21 | 1994-08-12 | Rohm Co Ltd | Lead frame |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2737356B2 (en) | 1998-04-08 |
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