JPH04129236A - ワイヤ配線構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 ワイヤ配線構造に係り、特に表面実装型の電子部品を搭
載しているプリント基板における改造用のワイヤのワイ
ヤ配線構造に関し、 隣接する部品同士のオーブン／ショートを解決し、より
高密度実装を実現できるワイヤ配線構造を擾供すること
を目的とし、 プリント基板と、該プリント基板上に搭載される電子部
品と、該プリント基板上に形成される所定膜厚を有する
絶縁層と、該絶縁層の表面に形成され、該電子部品と半
田接合する接合パッドと、該接合パッドを含む絶縁層の
所定の位置に形成されるワイヤ配線用溝と、該溝中に配
置されるワイヤと、を有するよう構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、ワイヤ配線構造に係り、特に表面実装型の電
子部品を搭載しているプリント基板における改造用のワ
イヤのワイヤ配線構造に関するものである。

近年の大型コンピュータに実装されるプリント基板（以
下、薄膜多層セラミック基板と称する）の高密度化の要
求に伴い、実装時のダメージ低減。

高密度実装が要求されている。

この為、ハンプ接合、ＰＧＡ（Ｐｉｎ　　Ｇｒｉ（Ｉ　
　Ａｒｒａｙ）の多段実装等が提供されているが、薄膜
多層セラミック基板の表面には改造等の目的で多数のワ
イヤが配線されているが、ますますの高密度実装に伴い
このワイヤの配Ｉｉ　ＳＩ域をシビアになってきており
、また、ワイヤの浮遊防止対策も重要な課題となってい
る。

〔従来の技術］ 従来は第７図および第８図に示すように、薄膜多層セラ
ミック基板上にポリイミド等の絶縁層を全体に塗布し、
その塗布した絶縁層の表面に接合パッドを形成しておく
。

この接合パッドに対して、その上方から電子部品の当接
させる。

この電子部品の接合パッド側下面には接合パッドの形成
位置に対応して半田バンプが形成されている。

かかる状態において、薄膜多層セラミック基板をリフロ
ーすることで半田バンブを溶融させ、薄膜多層セラミッ
ク基板上に電子部品を実装していた。

一方、改造用のワイヤは、上述の高密度実装の観点から
一旦電子部品をリムーブした後、薄膜多層セラミック基
板と電子部品との隙間におけるその接合パッドと接合パ
ッドとの間に配線するようにしていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、第８図に示すように、接合パッドのピッ
チ間が狭（なると、ワイヤが半田溶融時にその半田バン
プ内に入り込み、オーブン／ショートが発生し、実装不
良増大という欠点があった。

従って、本発明は、隣接する部品同士のオーブン／ショ
ートを解決し、より高密度実装を実現できるワイヤ配線
構造を提供することを目的とするものである。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的は、プリント基板１と、 該プリント基板１上に搭載される電子部品２と、該プリ
ント基板１上に形成される所定膜厚を有する絶縁層４と
、 該絶縁層４の表面に形成され、該電子部品２と半田接合
する接合パッド３と、 該接合パッド３を含む絶縁層４の所定の位置に形成され
るワイヤ配線用溝５と、 該溝５中に配置されるワイヤ７と、 を有することを特徴とするワイヤ配線構造により達成さ
れる。

〔作用〕

即ち、接合パッドを含む絶縁層にワイヤ配線用の溝を形
成し、その接合パッドの下面に形成された溝にワイヤを
配線するようにし、且つその溝が絶縁層の膜厚により所
定の厚みを有しているため、ワイヤがバンプ接合時に悪
影響を及ぼすことがない。

尚、半田バンブは溶融するものの、そのバンプの表面張
力によってかかる溝内に入り込むことばない。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を第１図乃至第４図を用いて詳細
に説明する。

第１図は、本発明の実施例を示す図であり、第２図は、
Ａ−Ａ″断面図であり、 第３図は、接合部拡大図であり、 第４図は、ワイヤの配線状態を示す図であり、図におい
て、ｌは薄膜多層セラミック基板、２は電子部品、２ａ
は電子部品実装領域、３は接合パッド、４は絶縁層、５
はワイヤ配線用溝、６は半田バンブをそれぞれ示す。

尚、第１図乃至第４図において、同一符号を付したもの
は同一対象物をそれぞれ示す。

第１図に示すように、薄膜多層セラミック基板１の表面
にベタにポリイミド等の絶縁層４をブレード法等を用い
て塗布し、硬化させる。

その絶縁層４の表面に第１図で示す一点破線で示す電子
部品実装領域内２ａに千鳥状に接合バンド３を形成する
。

この接合バッド３の中心から十文字にワイヤ配線用溝５
を形成する。このワイヤ配線溝５は隣合う接合バッド３
を互いに結ぶようになっているので、ワイヤ配線用溝５
は格子状となついる。

尚、第１図において、電子部品２ば図示簡略化のため省
略しているが、電子部品実装領域２に実装されるもので
ある。

第２図は第１図におけるＡ−Ａ″断面図であって、電子
部、品２の下面には接合バッド３の形成位置に対応して
半田バンブ６が形成されている。

上記のワイヤ配線用溝５ば接合パッド３下の絶縁Ｎ４を
貫（厚みを有している。

第３図にその接合部を拡大してみると、薄膜多層セラミ
ック基板１の表面に塗布された絶縁層４および接合バラ
Ｆ″３を各々貫くようにして形成されたワイヤ配線溝５
内にワイヤ７を配線させる。

尚、第４図には、ワイヤ配線用溝５に配線されたワイヤ
７の配線状態を示し、ワイヤ配線用溝５内で自由にワイ
ヤ７が規則正しく配列されている。

その接合バッド３の表面に電子部品２の半田ハンプ６を
当接させる。

この状態でリフローすることで、ワイヤ７の浮遊を防止
しつつ、ワイヤ７をその電子部品２の下面に配置した状
態で電子部品２の実装を行うことができる。

上記の実施例においては、バンプ接合を行う電子部品２
についてその説明を行ったが、ＰＣＡのような接合バッ
ド５４にリード５２を当接させて電子部品５１の実装を
行うようなものでは、第５図および第６図に示すように
、接合バッド５４を分断して、その分断された位置にワ
イヤ配線用溝５６を形成し、結果的にリード間にワイヤ
５２を配線するようにしている。

本実施例では、絶縁層５３の厚みおよびリード５２の長
さによってワイヤ５７が不用に′ｆｉｉ膜多層セラミッ
ク基板５０から浮遊することがない。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明においては、ワイヤのショー
ト／オーブンを防止しつつ高密度実装を行うことができ
るので、ワイヤ配線を行った薄膜多層セラミック基板の
性能向上、信軌性の向上に寄与することろが大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例を示す図であり、第２図は、
Ａ−Ａ″断面図であり、 第３図は、接合部拡大図であり、 第４図は、ワイヤの配線状態を示す図であり、第５図は
、本発明の他の実施例を示す図であり、第６図は、第５
図の要部拡大図であり、第７図は、従来例を示す図であ
り、 第８図は、課題を示す図である。 図において １・−・−・−−−一−−−−−プリント基板（ｍｌ膜
多層セラミック基板）。 ２・−・・・・・・・−・−・・・電子部品。 ３・−−−−−−・−−−一一一一一接合パッド。 ４−〜−−−−−−−−−−−−−−絶縁層。 ５−−−−−−−−−−−一・・−ワイヤ配線用溝。 ７−−−−−−−−−−−−−−−−ワイヤ。 をそれぞれ示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 プリント基板（１）と、 該プリント基板（１）上に搭載される電子部品（２）と
   、 該プリント基板（１）上に形成される所定膜厚を有する
   絶縁層（４）と、 該絶縁層（４）の表面に形成され、該電子部品（２）と
   半田接合する接合パッド（３）と、該接合パッド（３）
   を含む絶縁層（４）の所定の位置に形成されるワイヤ配
   線用溝（５）と、該溝（５）中に配置されるワイヤ（７
   ）と、を有することを特徴とするワイヤ配線構造。