JPH04117721A - プルアップ付入力回路 - Google Patents

プルアップ付入力回路

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JPH04117721A
JPH04117721A JP2236443A JP23644390A JPH04117721A JP H04117721 A JPH04117721 A JP H04117721A JP 2236443 A JP2236443 A JP 2236443A JP 23644390 A JP23644390 A JP 23644390A JP H04117721 A JPH04117721 A JP H04117721A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pull
mosfet
input circuit
power supply
current flowing
Prior art date
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Pending
Application number
JP2236443A
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English (en)
Inventor
Masayuki Oshima
大嶋 正幸
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、半導体集積回路におけるプルアップ付入力回
路に関する。
[従来の技術] 従来のプルアップ付入力回路のプルアップ用MOSFE
Tは、第2図に示されるようにエンハンスメント型MO
SFETであった。
[発明が解決しようとする課題] 従来のプルアップ付入力回路は前述したようにプルアッ
プ用MOSFETがエンハンスメント型MOSFETで
形成されている為、電fi電圧によりプルアップ用MO
SFETを流れる電流が変化するという問題点を有する
そこで本発明は従来のプルアップ付入力回路の問題点を
解決するもので、その目的とするところは、ブルア・ン
ブMOSFETを流れる電ン蚕が電源電圧に依存せず定
電流であるプルアップ付入力回路を提供するところにあ
る。
[課題を解決するための手段] 本発明のプルアップ付入力回路は、 a)MOSFETを用いた半導体集積回路においで、 b)入力回路と、 C)前記入力回路内に設けられたプルアップ用MOSF
ETとからなり、 d)前記プルアップ用MOSFETがデプリーション型
MOSFETであることを特徴とする。
〔実 施 例j 本発明の第1の実施例として第1図にプルアップ付入力
回路の回路図を示す。
第1図において101は入力回路であり、103は入力
回路101の入力端子であり、104は入力回路101
の出力端子である。
102はデブリ〜ジョンP型MOSFETであり、ソー
ス電極105とゲート電極1.06がV。0に接続し、
ドレイン電極107が入力端子103に接続してプルア
ップ回路を形成している。
ここでデプリーションP型MOS F ETのゲト電極
106が■。Dに接続している為、ソース電極]05と
ドレイン電極107の間の電位差が、デプリーションP
型MO5FE丁106のスレッショルド電圧以上になる
とソース・ドレイン間を流れる電流は電?I!電圧に依
存せず一定となる。
このように第1図のようなプルアップ用MO3FETに
デプリーションP型M OS F E Tを用いる構成
により、プルアップ用MOSFETを流れる電流が電源
電圧に依存せず一定であるプルアップ付入力回路を作成
することが出来る。尚1本発明の実施例におけるM O
S F E TのタイプをNチャンネルとし、it源の
関係を逆にすれば、プルダウン抵抗としても実施するこ
とができる。
[発明の効果] 以上述べたように、本発明によればプルアップ用MOS
FETをデプリーション型MOSFETにすることによ
り、プルアップ用M OS F E Tを流れる電流が
電源電圧に依存せず一定であるプルアップ付入力回路を
得られるという効果がある。
また、プルアップ用MOSFETのゲート電極の電位が
ソース電極の電源と同一であるため、パターンのレイア
ウトが容易で配線面積を縮小できるという効果もある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の第1の実施例を示すプルアップ付入
力回路の回路図である。 第2図は、従来例を示すプルアップ付入力回路の回路図
である。 101  、201 ・ 102 ・ 202 ・ 103. 104. 105. 106. 107. 203 ・ 204 ・ 205  ・ 206 ・ 207 ・ ・入力回路 デプリーションP型MOS ET ・エンハンスメントP型MO FET ・入力端子 出力端子 ・ソース電極 ・ゲート電極 ・ドレイン電極 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部(他1名)¥ ユ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 a)絶縁ゲート電界効果トランジスタ(以下、M@O@
    SFETと略す)を用いた半導体集積回路において、 b)入力回路と、 c)前記入力回路内に設けられたプルアップ用M@O@
    SFETとからなり、 d)前記プルアップ用M@O@SFETがデプリーショ
    ン型M@O@SFETであることを特徴とした、プルア
    ップ付入力回路
JP2236443A 1990-09-06 1990-09-06 プルアップ付入力回路 Pending JPH04117721A (ja)

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