JPH0372327A - アクティブマトリクス表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野〉 本発明は、液晶、ＥＬ発光体、プラズマ発光体等と、ア
クティブマトリクス基板とを組み合わせた、アクティブ
マトリクス表示装置に関する。

（従来の技術） 従来より、高い画像品位を要求されるマトリクス表示装
置には、アクティブマトリクス駆動方式が用いられてい
る。この駆動方式では、個々の絵素電極がスイッチング
素子によって選択され、選択された複数の絵素電極によ
って、表示パターンが形成される。

第７図に従来のアクティブマトリクス基板の平面図を示
す。マトリクス状に配された絵素電極８の間に、走査線
として機能するゲートパスライン９が平行し、ゲートパ
スライン９からはゲート電極２が分岐している。ゲート
電極２上にはスイッチング素子として薄膜トランジスタ
（以下では「ＴＦＴＪと称する）１１が形成されている
。ゲートパスライン９に直交して、信号線として機能す
るソースパスライン１０が平行している。ＴＦＴｌｌの
ソース’１極７ａは、ソースパスライン１０に接続され
ている。ＴＦＴＩＩのドレイン電極７ｂは絵素電極８に
接続されている。ゲートパスライン９とソースパスライ
ン１０との間には、基板全面に形成されたゲート絶縁膜
が形成されている。

上述のアクティブマトリクス基板と対向基板との間に、
液晶等の表示媒体が封入され、アクティブマトリクス表
示装置が構成される。このようなアクティブマトリクス
基板上の絵素電極８と、対向基板上の対向電極との間の
表示媒体に電圧が印加され、表示が行われる。

精細な画像表示を行う表示装置のアクティブマトリクス
基板上には、通常、数百〜数百万の絵素電極が形成され
ている。このように多くの絵素電極が形成されたアクテ
ィブマトリクス表示装置では、絵素欠陥の発生が大きな
問題となる。絵素欠陥の発生原因としては、ＴＰＴ形成
工程に於けるパターニング時のレジスト不良、エツチン
グ不良、薄膜形成工程に於ける膜中の欠陥の発生、或い
は液晶中への導電性異物の混入等が挙げられる。このよ
うな絵素欠陥は画像品位を著しく低下させ、表示装置の
製造歩留りを低下させる大きな原因となっている。

絵素欠陥が発生した場合の画像品位の低下を軽減するた
めに、第８図に示すアクティブマトリクス基板を用いる
ことが提唱されている。このアクティブマトリクス基板
では、絵素電極８は２つの分割電極２０．２１に分割さ
れ、分割電極２０及び２１は間隙２３を隔てて設けられ
ている。分割電極２０及び２１には、ＴＦＴｌｌａ及び
ｌｌｂが、それぞれドレイン電極２２ａ及び２２ｂによ
って接続されている。ＴＰＴｌｌａ及びｌｌｂのソース
電極２１ａ及び２１ｂは、同一のソースパスライン１０
に接続され、ＴＦＴＩ　１　ａ及び１１ｂに共通のゲー
ト電極２は、ゲートパスライン９に接続されている。従
って、分割電極２０及び２１は同じゲートパスライン９
及びソースパスライン１０によって、同時に駆動される
ことになる。

この基板を用いて表示装置を組み立て、第８図に於ける
ＩＸ−ＩＸ線に沿って切断した断面図を第９図に示す。

ガラス基板１上にタンタル（Ｔａ）から成るゲート電極
２が２５００Ａの厚さに形成され、ゲート電極２上には
酸化タンタル（Ｔａ２０ｓ）から成る陽極酸化膜３が３
０００Ａの厚さに形成されている。陽極酸化膜３を覆っ
て全面に、窒化シリコン（ＳｆＮｘ）から戊るゲート絶
縁膜４が３０００大の厚さに堆積されている。

ゲート電極２の上方のゲート絶縁膜４上には、真性半導
体非晶質シリコン（以下ではｒａ−５Ｌ（Ｉ）」と称す
る）の半導体層５が１０００２の厚さに形成され、更に
半導体層５上にはｎ型半導体非晶質シリコン（以下では
ｒａ−３ｌ　（ｎ”）　Ｊと称する）のコンタクト層６
．６が５００Ａの厚さに形成されている。コンタクト層
６．６上には、チタン（ＴＩ）から成るソース電極２１
ａ及びドレイン電極２２ａが３０００Åの厚さに形成さ
れ、ＴＰＴｌｌａが構成されている。

ゲート絶縁膜４とドレイン電極２２ａとの上には、ＩＴ
Ｏから成る絵素電極８が１００ＯＡの厚さにパターン形
成されている。更に、基板の全面に厚さ３０００Ａの５
ＩＮｘから成る保護膜１６、及び配向膜１７が形成され
ている。

以上のようにして形成されたアクティブマトリクス基板
に対向する対向基板では、ガラス基板１２上にカラーフ
ィルタ１４、及びブラックストライブ１５が備えられて
いる。更に、対向基板の全面に、ＩＴＯから成る対向電
極１３及び配向膜１８が形成されている。２つの配向膜
１７及び１８の間に液晶１９が封入され、アクティブマ
トリクス表示装置が構成されている。

（発明が解決しようとする課題） このような構成とすることにより、一方の分割電極に欠
陥が発生しても、他方の分割電極が正常に作動するので
、絵素欠陥を目立たないようにすることができる。しか
し、絵素欠陥を生じていない絵素電極では、２つの分割
電極２０及び２１の間に間隙２３が存在し、この間隙２
３と対向電極１３との間の液晶１９には電圧が印加され
ないので、間隙２３の部分は表示には寄与し得ない。そ
のため、以下のような新たな問題が生じる。即ち、ノー
マリホワイトモードの液晶表示装置では、電圧印加時に
於いても光が間隙２３を透過するため、コントラストが
低下する。ノーマリブラックモードの液晶表示装置では
、電圧印加時に於いても光は間隙２３を透過しないため
、表示画面全体が暗くなる。プラズマ、ＥＬ発光体等を
表示媒体として用いた表示装置では、単位面積当りの発
光量の低下により、表示画面全体が暗くなる。

このような問題点を解消するため、第１０図及び第１２
図に示すようなアクティブマトリクス基板が考えられる
。第１１図には第１０図のＸＩ−ＸＩ線に沿った断面図
を示す。第１３図には第１２図のｘｍ−ｘｍ線に沿った
断面図を示す。第１Ｏ図及び第１２図に示す表示装置は
、第８図に示すものと同様であるが、分割電極２０と２
１とが隣接する領域に、重畳領域５７が設けられている
点が異なる。これらの表示装置では重畳領域５７が設け
られているため、分割電極２０及び２１の間も表示に寄
与することができる。即ち、第１０図及び第１１図に示
す表示装置の重畳領域５７では、分割電極２０と分割電
極２１とがゲート絶縁膜２８を介して重畳されているた
め、この領域５７と対向電極３９との間の液晶４１にも
電圧が印加され得る。第１２図及び第１３図に示す表示
装置では、分割電極２０及び２１が２層構造からなり、
重畳領域５７では上層分割電極２０ｔ）及び下層分割電
極２１ａが重畳されている。従って、この表示装置に於
いても、重畳領域５７と対向電極３９との間の液晶４１
にも電圧が印加され得る。

このように第１０図及び第１２図の表示装置では、分割
電極２０と２１との間に表示に寄与しない領域が存在し
ないため、前述のコントラストの低下や表示画面の明る
さの低下が起こらない。

しかし、このような構成としても分割電極に絵素欠陥が
発生すれば、前述のように画像品位の低下は免れない。

このような絵素欠陥の発生を避けるために、レーザ光線
を用いた修正技術が開発されている。例えば、特開昭５
９−１０１６９３では、ＴＰＴの不良が発生した場合に
、ＴＰＴをレーザ光を用いてゲートパスライン及びソー
スパスラインから切り離し、欠陥を生じた絵素電極を隣
接する絵素電極に接続することによって修復される。こ
の接続は予め設けられた修復構造に、レーザ光を照射す
ることによって行われる。この修復構造は、隣接する２
つの絵素電極の間を橋絡して設けられた導電膜によって
構成されている。この導電膜は一方の絵素電極に接し、
他方の絵素電極に非導通状態で重畳している。非導通状
態で重畳した絵素電極と導電膜とをレーザ光によって導
通させることによって修復が行われる。このように修復
することによって絵素欠陥となることは免れるが、修復
された絵素電極は接続された隣の絵素電極と同じ動作を
行い、本来の動作を行うことはできない。

ＴＰＴの欠陥等によって発生した絵素欠陥箇所の特定は
、表示装置を組み立てて実際に表示した状態で行うのが
簡単で正確な方法である。これに比べ、アクティブマト
リクス基板の状態でＴＰＴの欠陥発生箇所を特定する方
法では、多数の絵素電極に接続された全てのＴＰＴの動
作特性を個々に検査する必要があるので簡単ではない。

このような検査を行うには、極めて高精度の測定機器を
使用して、複雑な検査工程を経なければならない。

一方、前述のレーザ光をもちいた絵素欠陥の修復作業は
、従来よりアクティブマトリクス基板の状態で行われて
いるが、絵素数の多い大型表示装置では、個々の絵素欠
陥を電気的に検出することは非常に困難である。そのた
め、量産性が著しく阻害されるという結果となる。

本発明はこのような問題点を解決するものであり、本発
明の目的は、絵素欠陥が発生しても表示装置の外部から
、この欠陥絵素を光学的に検出した後、画像品位を低下
させることなく該欠陥を修正でき、しかも、表示画面の
フントラストや明るさが低下しないアクティブマトリク
ス表示装置を提供することである。

（課題を解決するための手段） 本発明のアクティブマトリクス表示装置は、少なくとも
一方が透光性を有する一対の基板と、該一対の基板の何
れか一方の基板内面にマトリクス状に配され、２以上の
分割電極に分割された絵素電極と、を備えたアクティブ
マトリクス表示装置であって、互いに隣り合う２つの該
分割電極間を橋絡し、少なくとも一方の該分割電極と非
導通状態の導電膜を有し、該２つの分割電極の隣接領域
に於いて、該２つの分割電極が互いに絶縁膜を介して重
畳されており、そのことによって上記目的が達成される
。

（作用） 本発明のアクティブマトリクス表示装置では、絵素電極
が２以上の分割電極に分割されている。

互いに隣合う２つの分割電極の隣接領域に於いて、これ
ら２つの分割電極が互いに絶縁膜を介して重畳されてい
る。このような構成により、分割電極の隣接する領域と
対向電極との間の表示媒体にも電圧が印加され得る。そ
のため、この隣接領域も表示に寄与することができる。

従って、表示画面のコントラストの低下や明るさの低下
が起こらない。

また、本発明のアクティブマトリクス表示装置では、互
いに隣り合う２つの該分割電極の隣接領域に於いて、該
２つの分割電極に重畳して導電膜が設けられている。こ
の導電膜は少なくとも一方の分割電極と非導通状態であ
る。もし、一方の分割電極に絵素欠陥を生じていれば、
この非導通状態の導電膜と分割電極との重畳部に、表示
装置の外部からレーザ光等のエネルギーを照射すること
により、導電膜と分割電極とが電気的に接続される。こ
れにより隣接する２つの分割電極が、導電膜を介して電
気的に接続される。従って、絵素欠陥を生じていた分割
電極は隣接する分割電極のスイッチング素子によって駆
動され得る。絵素欠陥の発生原因がスイッチング素子の
絶縁不良等である場合には、絵素欠陥を生じている分割
電極に接続されているスイッチング素子が、レーザ光照
射によって分割電極から切り離される。以上のようにし
て絵素欠陥が修正される。

（実施例） 本発明を実施例について以下に説明する。第１図に本発
明の表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板の
１実施例を示す。本実施例は透過型の表示装置である。

この表示装置では、絵素電極８は２つの分割電極２０及
び２１に分割され、分割電極２０及び２１には、スイッ
チング素子としてＴＦＴ４４及び４５が、それぞれドレ
イン電極５５及び５６によって接続されている。ＴＦＴ
４４及び４５のソース電極５３及び５４は、同一のソー
スパスライン３１に接続され、ＴＦＴ４４及び４５に共
通のゲート電極２６は、ゲートパスライン２５に接続さ
れている。従って、分割電極２０及び２１は、同一のゲ
ートパスライン２５及び同一のソースパスライン３１に
よって駆動される。分割電極２０及び２１が隣接する領
域には、重畳領域５７が設けられている。

この基板を用いて表示装置を組み立て、第１図に於ける
ＸＩ−ＸＩ線に沿って切断した断面図は第１１図と同様
である。第１１図を参照しながら、ＴＦＴ４４の断面構
成について説明する。ＴＦＴ４５の断面構成もＴＦＴ４
４と同様である。ガラス基板２４上にＴａから成るゲー
ト電極２６が２５００大の厚さに形成され、ゲート電極
２６上にはＴａ２０５から成る陽極酸化膜２７が３００
ＯＡの厚さに形成されている。陽極酸化膜２７を覆って
、５ＩＮｘから成るゲート絶縁膜２８が堆積されている
。ゲート絶縁膜２８として適切な厚さは２０００λ〜１
００００大であるが、本実施例では３０００λとした。

ゲート電極２６の上方のゲート絶縁膜２８上には、ａ−
３ｌ　（１）から成る半導体層２９が１０００大の厚さ
に形成され、更に半導体層２９上にはａ−Ｓｌ（ｎ”）
から成るコンタクト層３０．３０が５０ＯＡの厚さに形
成されている。コンタクト層３０．３０上にはＴＩから
成るソース電極５３及びドレイン電極５５が、３０００
大の厚さに形成されている。

次に、重畳領域５７の断面構成について説明する。ガラ
ス基板２４上に分割電極２０が５ｎ０２により、１ｏｏ
ｏ入の厚さに形成されている。分割電極２０の側方には
、分割電極２１がＩＴＯにより、１０００大の厚さに形
成されている。分割電極２０及び２１が形成されている
領域では、第１図の破線で示すように、該電極２０及び
２１の外周より内側の部分のゲート絶縁膜２８が除去さ
れている。分割電極２０及び２１が隣接する重畳領域５
７では、ゲート絶縁膜２８は該電極２０の直上及び該電
極２１の直下に跨っている。分割電極２０及び２１は、
重畳部４９に於いて互いにゲート絶縁膜２８を介して重
畳されている。

本実施例では分割電極２０上にゲート絶縁膜２８を介し
て分割電極２１が重畳されることによって、重畳領域５
７が形成される例を示したが、分割電極２１上にゲート
絶縁膜２８を介して分割電極２０が重畳されることによ
って、重畳領域５７が形成される構成とすることもでき
る。

分割電極２０及び２１が隣接する領域のＴＦＴ４４及び
４５から最も遠い部分には、接続部５８が形成されてい
る。第１図の■−■線に沿った接続部５８の断面構成を
第２図に示す。第２図を参照しながら、接続部５８の断
面構成について説明する。ガラス基板２４上に導電膜５
９がＴａにより、２５００大の厚さに形成されている。

本実施例では導電膜５９はゲートパスライン２５及びゲ
ート電極２６と同時に形成されている。導１１＃５９の
一方の端部の上には分割電極２０が重畳されている。更
に、導電膜５９を覆って、前述のゲート絶縁膜２８が除
去されずに残されている。導電膜５９０分割電極２０が
重畳されていない端部の上方には、ゲート絶縁膜２８を
介して分割電極２１が重畳されている。

このようにＴＦＴ４４、分割電極２ｏ及び２１、重畳部
５７、接続部５８等を形成した基板の全面に、ＳＩＮ、
から成る保護膜３４が形成されている。

保護膜３４の接続部５８上での好ましい厚さは１５００
〜１５０００大であるが、本実施例では３０００Ａとし
た。更に、保護膜３４上には配向膜３５が形成され、ア
クティブマトリクス基板が構成される。

このようにして形成されたアクティブマトリクス基板に
対向する対向基板では、第１１図にしめすようにガラス
基板３６上にカラーフィルタ３７及びブラックストライ
プ３８が設けられ、更に対向基板の全面にＩＴＯから成
る対向電極３９が積層されている。対向電極３９上には
配向膜４ｏが形成されている。２つの配向膜３４及び４
ｏの間に液晶４１が封入され、本実施例のアクティブマ
トリクス表示装置が構成されている。

本実施例に於いて、一方の分割電極に絵素欠陥が生じて
いるか否かを検出するために、例えば全絵素に交流パル
スを一斉に印加し、絵素のコントラストの変化を視覚的
に確認する。欠陥を生じている絵素ではこのコントラス
トの変化が異常となるので、欠陥絵素を光学的に容易に
確認することができる。生じた絵素欠陥は、接続部５８
を用いて修正される。この修正は第２図の矢印７０に示
す位置にレーザ光等のエネルギーを照・射することによ
り行われる。レーザ光照射によってゲート絶縁膜２８が
破壊され、導電膜５９と分割電極２１とが電気的に接続
される。これにより、分割電極２０及び２１は導電膜５
９を介して接続される。

更に、絵素欠陥がＴＰＴの絶縁不良などによって生じて
いる場合には、レーザ光照射によって該不良ＴＰＴが分
割電極から切り離される。このようにして絵素欠陥を生
じた分割電極は隣接する分割電極のＴＰＴによって駆動
され、絵素欠陥が修正される。

本実施例では、２つの分割電極２ｏ及び２１が隣接する
領域には重畳領域５７が形成されているので、この領域
５７と対向電極３９との間の液晶４１にも電圧が印加さ
れる。そのため、絵素全体の表示面積は減少せず、表示
画面のコントラストの低下や明るさの低下を生じない。

第３図に本発明の表示装置に用いられるアクティブマト
リクス基板の他の実施例を示す。本実施例でも、絵素電
極８は２つの分割電極２０及び２１に分割され、分割電
極２０及び２１には、ＴＦＴ４４及び４５が、それぞれ
ドレイン電極５５及び５６によって接続されている。Ｔ
ＦＴ４４及び４５のソース電極５３及び５４は、同一の
ソースパスライン３１に接続され、ＴＦＴ４４及び４５
に−ｉｆのゲート電極２６は、ゲートパスライン２５に
接続されている。従って、分割電極２０及び２１は、同
一のゲートパスライン２５及び同一のソースパスライン
３１によって駆動される。分割電極２０及び２１が隣接
する領域には、重畳領域５７が設けられている。

この基板を用いて表示装置を組み立て、第３図に於ける
ｘｍ−ｘｍ線に沿って切断した断面図は第１３図と同様
である。本実施例のＴＦＴ４４及び４５の断面構成は、
前述の第１１図で説明したＴＦＴ４４と同様である。絵
素電極８及び重畳領域５７の断面構成について、第１３
図を参照しながら説明する。本実施例では、分割電極２
０は下層分割電極２０ａ及び上層分割電極２０ｂの２層
構造から成る。同様に、分割電極２１は下層分割電極２
１ａ及び上層分割電極２１ｂの２層構造から戊る。ガラ
ス基板２４上に下層分割電極２０ａ及び２１ａがＩＴＯ
により、５００〜７００大の厚さに形成されている。下
層分割電極２０ａ及び２１ａは間隙４７を隔てて設けら
れている。下層分割電極２０ａ及び２１ａが形成されて
いる領域では、第３図の破線で示すように、該電極２０
ａ及び２１ａの外周より内側の部分のゲート絶縁膜２８
が除去されている。下層分割電極２０ａと２１ａとが隣
接する重畳領域５７では、これらの電極２０ａ及び２１
ａ上に跨って、ゲート絶縁膜２８が残されている。

下層分割電極２０ａ及び２１ａの上には、それぞれ上層
分割電極２０ｂ及び２１ｂがＩＴＯにより、５００〜７
００大の厚さに形成されている。

上層分割電極２０ｂはドレイン電極５５とノコンタクト
を確実にするため、該電極５５上にも形成されている。

また、上層分割電極２０ｂ及び２１ｂは、重畳領域５７
ではゲート絶縁膜２８上に形成され、間隙４８を隔てて
設けられている。間隙４８は下層分割電極２０ａ及び２
１ａの間の間隙４７とは重畳しないように設けられる。

即ち、間隙４７上方には上層分割電極２０ｂが位置し、
間隙４８の下方には下層分割電極２１ａが位置する。

そして、上層分割電極２０ｂと下層分割電極２１ａとは
ゲート絶縁Ｊ！１２８を介して重畳され、重畳部４９を
形成している。

本実施例では上層分割電極２０ｂと下層分割電極２１ａ
とが重畳されることによって、重畳部４９が形成されて
いる例を示したが、上層分割電極２１ｂと下層分割電極
２０ａとが重畳されることによって、重畳部４９が形成
される構成とすることもできる。この場合には間隙４７
の上方には上層分割電極２１ｂが位置し、間隙４８の下
方には下層分割電極２０ａが位置することになる。

分割電極２０及び２１が隣接する領域のＴＦＴ４４及び
４５から最も遠い部分には、接続部５８が形成されてい
る。第３図のｒＶ−ｒＶ線に沿った接続部５８の断面構
成を第４図に示す。第４図を参照しながら、接続部５８
の断面構成について説明する。ガラス基板２４上に導電
膜５９がＴａにより、２５００λの厚さに形成されてい
る。本実施例では導電膜５９はゲートパスライン２５及
びゲート電極２６と同時に形成され、下層分割電極２０
ａ及び２１ａの間に形成されている。導電膜５９の両端
部の上方には、それぞれ金属片６７及び６８がゲート絶
縁膜２８を介して設けられている。

金属片６７及び６８上には、それぞれ上層分割電極２０
ｔ）及び２１ｂが重畳されている。

このようにＴＦＴ４４、分割電極２０及び２１、重畳部
５７、接続部５８等を形成した基板の全面に、５ＩＮＸ
から成る保護膜３４が３０００大の厚さに形成されてい
る。更に、保護膜３４上には配向膜３５が形成され、ア
クティブマトリクス基板が構成されている。

このようにして形成されたアクティブマトリクス基板に
対向する対向基板は、第１１図で説明したものと同様で
ある。２つの配向膜３４及び４゜の間に液晶４１が封入
され、本実施例のアクティブマトリクス表示装置が構成
されている。

本実施例に於いても、一方の分割電極に絵素欠陥が生じ
ている場合には、接続部５８によって修正される。この
修正は第４図の矢印７ｏ及び７１に示す位置にレーザ光
等のエネルギーを照射することにより行われる。レーザ
光照射によってゲート絶縁膜２８が破壊され、導電膜５
９と分割電極２０及び２１とが電気的に接続される。こ
れにより、分割電極２０及び２１は導電膜５９を介して
接続される。更に、絵素欠陥がＴＰＴの絶縁不良などに
よって生じている場合には、レーザ光照射によって該不
良ＴＰＴが分割電極から切り離される。このようにして
絵素欠陥を生じた分割電極は隣接する分割電極のＴＰＴ
によって駆動され、絵素欠陥が修正される。

本実施例では、２つの分割電極４２及び４３が隣接する
領域に、重畳領域５７が形成されている。

重畳領域５７には上層分割電極４２ｂ及び下層分割電極
４３ａのうちの何れかが存在するので、この領域５７と
対向電極３９との間の液晶４１にも電圧が印加される。

そのため、絵素全体の表示面積は減少せず、表示画面の
コントラストの低下や明るさの低下を生じない。

第５図及び第６図に他の接続部５８の実施例を示す。第
５図に示す接続部５８では、金属片６７及び６８が設け
られておらず、レーザ光照射によって導電膜５９と上層
分割電極２０ｂ及び２１ｂとが、直接電気的に接続され
る。第６図に示す接続部５８では、導電膜５９と下層分
割電極２１ａとが予め電気的に接続され、レーザ光照射
によって導電膜５９と一方の上層分割電極２０ｂとが電
気的に接続される。

上記実施例ではスイッチング素子としてＴＰＴを用いた
が、本発明は例えばＭＩＭ　（金属−絶縁層−金属）素
子、ダイオード、バリスタ等をスイッチング素子として
用いた広範囲の表示装置にも適用することができる。

また、上記実施例では絵素電極が２つの分割電極に分割
される場合について説明したが、本発明は絵素電極を３
以上の分割電極に分割した構成とすることもできる。

（発明の効果） 本発明のアクティブマトリクス表示装置では、絵素欠陥
が発生しても、表示装置の外部から欠陥絵素を検出した
後、画像品位を低下させることなく該欠陥を修正できる
。しかも、表示画面のコントラストの低下や明るさの低
下が起こらないので、画像品位の高い表示装置を高い歩
留りで得ることができ、表示装置のコストダウンに寄与
することができる。

４、゛　　の　　な！日 第１図は本発明の表示装置を構成するアクティブマトリ
クス基板の１実施例の平面図、第２図は第１図の基板を
用いた表示装置の、第１図に於けるｎ−ｎ線に沿った断
面図、第３図は本発明の表示装置を構成するアクティブ
マトリクス基板の他の実施例の平面図、第４図は第３図
の基板を用いた表示装置の、第３図に於けるＩＶ−ｒＶ
線に沿った断面図、第５図及び第６図は接続部の他の実
施例の断面図、第７図は従来のアクティブマトリクス基
板の平面図、第８図は絵素電極を２つの分割電極に分割
したアクティブマトリクス基板の例を示す図、第９図は
第８図の基板を用いた表示装置の、第８図に於けるＩＸ
−ＩＸ線に沿った断面図、第１Ｏ図はアクティブマトリ
クス基板の改良例の平面図、第１１図は第１図及び第１
Ｏ図のＸＩ−ＸＩ線に沿った断面図、第１２図はアクテ
ィブマトリクス基板の他の改良例の平面図、第１３図は
第３図及び第１２図のｘｍ−ｘｍ線に沿った断面図であ
る。

８・・・絵素電極、２０．２１・・・分割電極、２０　
ａ。

２１ａ・・・下層分割電極、２０ｔ）、２１ｂ・・・上
層分割電極、２４．３６・・・ガラス基板、２５・・・
ゲートパスライン、２６・・・ゲート電極、２７・・・
陽極酸化膜、２８・・・ゲート絶縁膜、２９・・・半導
体層、３０・・・コンタクトＪｉ、３１・・・ソースパ
スライン、３４・・・保護膜、３５．４０・・・配向膜
、３９・・・対向電極、４１・・・液晶、４４．４５・
・・ＴＰＴ、５３．　５４・・・ソース１ｉＬ　　５５
．　５６・・・ドレイン電極、５７・・・重畳領域、５
８・・・接続部、５９・・・導電膜、６７゜６８・・・
金属片。

以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、少なくとも一方が透光性を有する一対の基板と、該
   一対の基板の何れか一方の基板内面にマトリクス状に配
   され、２以上の分割電極に分割された絵素電極と、を備
   えたアクティブマトリクス表示装置であって、 互いに隣り合う２つの該分割電極間を橋絡し、少なくと
   も一方の該分割電極と非導通状態の導電膜を有し、該２
   つの分割電極の隣接領域に於いて、該２つの分割電極が
   互いに絶縁膜を介して重畳されているアクティブマトリ
   クス表示装置。