JP2589867B2 - アクティブマトリクス表示装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、表示用絵素電極にスイッチング素子を介し
て駆動信号を印加することにより、表示を実行する表示
装置に関し、特に絵素電極をマトリクス状に配列して高
密度表示を行うアクティブマトリクス駆動方式の表示装
置に関する。

（従来の技術） 従来より、液晶表示装置、EL表示装置、プラズマ表示
装置等に於いては、マトリクス状に配列された絵素電極
を選択駆動することにより、画面上に表示パターンが形
成される。選択された絵素電極とこれに対向する対向電
極との間に電圧が印加され、これらの電極の間に介在す
る液晶等の表示媒体の光学的変調が行われる。この光学
的変調が表示パターンとして視認される。絵素電極の駆
動方式として、個々の独立した絵素電極を配列し、この
絵素電極のそれぞれにスイッチング素子を連結して駆動
するアクティブマトリクス駆動方式が知られている。絵
素電極を選択駆動するスイッチング素子としては、TFT
（薄膜トランジスタ）素子、MIM（金属−絶縁層−金
属）素子、MOSトランジスタ素子、ダイオード、バリス
タ等が一般的に知られている。アクティブマトリクス駆
動方式は、高コントラストの表示が可能であり、液晶テ
レビジョン、ワードプロセッサ、コンピュータの端末表
示装置等に実用化されている。

このようなアクティブマトリクス表示装置に於て、例
えばスイッチング素子が不良素子として形成されると、
その不良素子に接続された絵素電極には本来印加される
べき信号が印加されないため、表示画面上では点状の絵
素欠陥、即ち、点欠陥として現れる。

このような不良素子は、スイッチング素子を形成した
後、表示装置を組み立てる前に発見できれば、レーザト
リミング等で修正可能なものもある。しかし、表示装置
を組み立てる前の基板の状態で、何十万という数のスイ
ッチング素子の中から不良素子を検出することは極めて
困難である。即ち、量産レベルで上記の検出を行うこと
は、時間及びコストので不可能に近い。

一方、スイッチング素子を形成した基板と対向基板と
を貼り合わせて表示装置を構成した後では、バス配線に
所定の電気信号を加えることにより、点欠陥を目視で容
易に検出することができる。しかし、このように表示装
置を組み立てた状態では、逆に点欠陥の修正を行うこと
ができない。このような欠陥のある製品は廃棄せざるを
得ないため、コストが大きく上昇してしまう。

（発明が解決しようとする課題） 絵素欠陥を容易に検出でき、しかもその絵素欠陥を容
易に修正し得る構造を有する表示装置が開発されてい
る。第７図及び第８図にこのような液晶表示装置を構成
する一方の基板の平面図を示す。第７図の液晶表示装置
には、互いに平行に配列されたゲートバス配線21に直交
して、ソースバス配線23が配設されている。２本のゲー
トバス配線21及び２本のソースバス配線23に囲まれた矩
形の各領域には、絵素電極41が配されている。ゲートバ
ス配線21から分岐したゲートバス支線22上には、スイッ
チング素子として機能するTFT31が形成されている。ゲ
ートバス支線22はTFT31のゲート電極として機能する部
分と、該部分より幅の小さい部分とを有する。TFT31の
ドレイン電極33は絵素電極41に電気的に接続され、TFT3
1のソース電極32はソースバス配線23に接続されてい
る。

絵素欠陥の検出は、この表示装置を作動させることに
より目視で行い得る。TFT31の不良による絵素欠陥が発
見されると、まず、ゲートバス支線22の細くなった部分
にレーザ光を照射することにより、TFT31とゲートバス
配線21とを切り離す。次に、TFT31の入力端子であるソ
ース電極32とゲートバス支線22との重畳部と、TFT31の
出力端子であるドレイン電極33とゲートバス配線22との
重畳部とにレーザ光を照射する。これにより、ソース電
極32とドレイン電極33とがゲートバス支線22を介して電
気的に接続される。このように修正すると、不良TFT31
に接続されていた絵素電極41には、ソースバス配線23に
よって直接駆動されることになる。

第８図の表示装置には、ゲートバス配線21から分岐し
たゲートバス突出部43と、ソースバス配線23から分岐し
たソースバス突出部46とが設けられている。第８図のII
I−III線に沿った断面図を第３図に示す。第３図に示す
ように、ゲートバス突出部43のほぼ中央部には、絶縁膜
を挟んでソースバス突出部46が重畳されている。また、
ゲートバス突出部43の端部上には、絵素電極41に電気的
に接続された導電片44が、上記絶縁膜を挟んで重畳され
ている。この表示装置では、ゲートバス支線22のゲート
電極として機能している部分の幅とそれ以外の部分の幅
とは等しい。

この表示装置に於いても、絵素欠陥の検出は、この表
示装置を作動させることにより目視で行い得る。TFT31
の不良による絵素欠陥が発見されると、透明な基板を介
して、ゲートバス突出部43とソースバス突出部46との重
畳部と、ゲートバス突出部43と導電片44との重畳部とに
レーザ光が照射される。更に、レーザ光等の照射によっ
てゲートバス突出部43の付け根部分が切断され、ゲート
バス突出部43とゲートバス配線21とが切り離される。こ
れにより、リースバス配線23によって絵素電極41が直接
駆動される。

第７図及び第８図の表示装置の正常な絵素電極41に於
いては、ゲートバス配線21の選択時間内にソースバス配
線23から供給された信号は、次にこのゲートバス配線21
が選択されるまでの１周期の間保持される。しかし、上
述のように修正した絵素電極41には、ゲートバス配線21
が選択されているか否かにかかわらずリースバス配線23
の信号が印加されるため、この修正絵素電極41を１周期
を通して見ると、この周期の間にソースバス配線23に入
力された信号電圧の実効値に相当する表示が行われる。
従って、修正絵素電極41は、それに接続されているソー
スバス配線23に接続された全ての絵素電極41の平均的な
明るさの表示を行うことになり、完全な点欠陥となるこ
とを避けることができる。即ち、修正絵素電極は正常に
は作動し得ないけれども、点欠陥としてはきわめて判別
しにくいものとなる。

上記の絵素欠陥の修正に於いて、ソースバス配線23と
修正絵素電極41との接続部分は、正常なTFT31のオン状
態での抵抗値より小さくなければならない。なぜなら、
TFT31の選択期間毎に次々と変化するソースバス配線23
の信号を、速やかに修正絵素電極41に直接入力しなけれ
ばならないからである。

このような絵素欠陥の修正機能を有する表示装置で
は、例えば第９図の斜線部81に示すように、絵素電極41
と該絵素電極41に接続されているソースバス配線23との
間のリークによって絵素欠陥が生じている場合には、前
述の第７図で説明したように、TFT31のソース電極32と
ドレイン電極33とをゲートバス支線22を介して接続し、
ゲートバス支線22を切断することにより、修正され得
る。しかし、第９図の斜線部82に示すように、絵素電極
41と該絵素電極41に隣接する絵素電極に接続されている
ソースバス配線23との間のリークによって絵素欠陥が生
じている場合には、上述のような修正を行うと、隣接す
るソースバス配線23及び23が欠陥を生じている絵素電極
41を介して接続され、画面上には線欠陥が現れる。線欠
陥は点欠陥より重大な影響を及ぼすので、表示装置の歩
留りを大きく低下させることになる。

本発明はこのような問題点を解決するものであり、本
発明の目的は、絵素電極と該絵素電極に接続されている
信号線に隣接する信号線との間のリークによって絵素欠
陥が生じても、これを修正し得るアクティブマトリクス
表示装置を提供することである。

（課題を解決するための手段） 本発明のアクティブマトリクス表示装置は、一対の絶
縁性基板と、該一対の基板の何れか一方の基板上にマト
リクス状に配列された絵素電極と、該絵素電極の間に縦
横に配線された走査線及び信号線と、該走査線から分岐
した走査支線と、該走査支線の先端部に形成され、該絵
素電極に接続されたスイッチング素子と、該絵素電極に
接続された該走査線に隣接する走査線から該絵素電極の
隅部に突出する走査線突出部と、該絵素電極に接続され
た該信号線に隣接する信号線から該隅部に突出し、該走
査線突出部に絶縁膜を介して重畳された信号線突出部
と、該絵素電極に電気的に接続され、該走査線突出部の
端部に絶縁膜を介して重畳された導電体片と、を備えて
おり、そのことによって上記目的が達成される。

また、前記走査支線が、先端部の幅の大きい部分と、
該先端部以外の幅の小さい部分とを有する構成とするこ
とができる。

また、前記隣接する走査線から前記絵素電極の他の隅
部に突出する他の走査線突出部と、該絵素電極に接続さ
れた前記信号線から該他の隅部に突出し、該他の走査線
突出部に絶縁膜を介して重畳された他の信号線突出部
と、該絵素電極に電気的に接続され、該他の走査線突出
部の端部に絶縁膜を介して重畳された他の導電体片と、
を更に備えた構成とすることができる。

更に、本発明のアクティブマトリクス表示装置は、一
対の絶縁性基板と、該一対の基板の何れか一方の基板上
にマトリクス状に配列された絵素電極と、該絵素電極の
間に縦横に配線された走査線及び信号線と、該走査線か
ら分岐た走査支線と、該走査支線の先端部に形成され、
該絵素電極に接続されたスイッチング素子と、該絵素電
極に重畳された付加容量配線と、該付加容量配線から該
絵素電極の隅部に突出する付加容量配線突出部と、該絵
素電極に接続された該信号線に隣接する信号線から該隅
部に突出し、該付加容量配線突出部に絶縁膜を介して重
畳された信号線突出部と、該絵素電極に電気的に接続さ
れ、該付加容量配線突出部の端部に絶縁膜を介して重畳
された導電体片と、を備えており、そのことによって上
記目的が達成される。

また、前記走査支線が、先端部の幅の大きい部分と、
該先端部以外の幅の小さい部分とを有する構成とするこ
とができる。

また、前記付加容量配線から前記絵素電極の他の隅部
に突出する他の付加容量配線突出部と、該絵素電極に接
続された前記信号線から該他の隅部に突出し、該他の付
加容量配線突出部に絶縁膜を介して重畳された他の信号
線突出部と、該絵素電極に電気的に接続され、該他の付
加容量配線突出部の端部に絶縁膜を介して重畳された他
の導電体片と、を更に備えた構成とすることができる。

（作用） 本発明のアクティブマトリクス表示装置に於いて、絵
素電極と該絵素電極に接続されている信号との間のリー
クによって絵素欠陥が生じている場合には、基板外部か
らの光エネルギー照射によって、スイッチング素子の入
力端子と出力端子とが走査支線を介して接続される。更
に、必要に応じて、走査支線が走査線から切り離され
る。

また、絵素電極と該絵素電極に接続されている信号線
に隣接する信号線との間のリークによって絵素欠陥が生
じている場合には、走査線突出部と信号線突出部との重
畳部と、走査線突出部と導電体片との重畳部とに光エネ
ルギーが照射される。更に、走査線突出部と走査線とが
光エネルギー照射によって切り離される。これにより、
該絵素電極は隣接する信号線に直接接続される。

また、付加容量配線を有する本発明のアクティブマト
リクス表示装置に於いて、絵素電極と該絵素電極に接続
されている信号線に隣接する信号線との間のリークによ
って絵素欠陥が生じている場合には、付加容量配線突出
部と信号線突出部との重畳部と、付加容量配線突出部と
導電体片との重畳部とに光エネルギーが照射される。更
に、付加容量配線突出部と付加容量配線とが光エネルギ
ー照射によって切り離される。これにより、該絵素電極
は隣接する信号線に直接接続される。

（実施例） 本発明の実施例について以下に説明する。

第１図に本発明の表示装置の一実施例に用いられるア
クティブマトリクス基板の平面図を示す。第２図に第１
図のII−II線に沿ったこの表示装置の断面図を示す。第
３図に第１図のIII−III線に沿った断面図を示す。本実
施例のアクティブマトリクス型表示装置を製造工程に従
って説明する。本実施例の表示装置は、一対の絶縁性基
板１及び２と、一方の基板１上にマトリクス状に配列さ
れた絵素電極41と、絵素電極41の間に縦横に配線された
走査線として機能するゲートバス配線21、及び信号線と
して機能するソースバス配線23と、ゲートバス配線21か
ら分岐した走査支線としてのゲートバス支線22と、ゲー
トバス支線22の先端部に形成され、絵素電極41に接続さ
れたスイッチング素子として機能するTFT31と、絵素電
極41に接続されたゲートバス配線21aに隣接するゲート
バス配線21bから絵素電極41の隅部に突出するゲートバ
ス突出部43と、絵素電極41に接続されたソースバス配線
23aに隣接するソースバス配線23bから該隅部に突出し、
ゲートバス突出部43にゲート絶縁膜11を介して重畳され
たソースバス突出部46と、絵素電極41に電気的に接続さ
れ、ゲートバス突出部43の端部にゲート絶縁膜11を介し
て重畳された導電体片44と、を備えている。ゲートバス
支線22は、ゲート電極25として機能する先端部の幅の大
きい部分と、該先端部以外の幅の小さい部分とを有す
る。ゲートバス配線21は各ゲートバス配線21a、21b…か
らなり、ソースバス配線23は各ソースバス配線23a、23b
…からなる。

本実施例では、絶縁性基板１として透明のガラス基板
を用いた。ゲートバス配線21、ゲートバス支線22、及び
ゲートバス突出部43は、一般にTa、Ti、Al、Cr等の単層
又はこれらの多層金属で形成されるが、本実施例ではTa
を使用した。ゲートバス配線21、ゲートバス支線22及び
ゲートバス突出部43は、スパッタリング法により形成さ
れたTa金属層をパターニングすることにより形成され
る。ゲートバス配線21等を形成する前に、ガラス基板１
上にTa₂O₅等から成るベースコート膜を形成してもよ
い。

ゲートバス配線21、ゲートバス支線22及びゲートバス
突出部43上には、SiN_Xからなるベース絶縁膜11を全面に
形成した。ゲート絶縁膜11は、プラズマCVD法により300
0Åの厚さに形成されている。ゲート絶縁膜11を形成す
る前に、ゲートバス配線21、ゲートバス支線22及びゲー
トバス突出部43の陽極酸化を行って、Ta₂O₅からなる陽
極酸化膜を形成してもよい。

次に、ゲートバス支線22の先端部に、スイッチング素
子として機能するTFT31を形成した。TFT31について第２
図を参照しながら説明する。上述のようにゲート絶縁膜
11を形成した後、後にチャネル層12となるアモルファス
シリコン（ａ−Si）層と、後にエッチングストッパ層13
となるSiN_X層とを堆積させた。ａ−Si層の厚さは300
Å、SiN_X層の厚さは2000Åである。次に、SiN_X層のパタ
ーニングを行い、エッチングストッパ層13を形成した。
更に、ａ−Si層及びエッチングストッパ層13上の全面
に、後にコンタクト層14、14となる、Ｐ（リン）を添加
したn⁺型ａ−Si層を、プラズマCVD法により800Åの厚さ
に堆積させた。次に、上記ａ−Si層及びn⁺型ａ−Si層の
パターニングを同時に行い、チャネル層12及びコンタク
ト層14、14を形成した。

次に、後にソース電極32、ソースバス配線23、ドレイ
ン電極33および導電体片44となるTi金属層を形成した。
上記ソースバス配線23等は、一般に、Ti、Al、Mo、Cr等
の単層又はこれらの多層金属で形成されるが、本実施例
ではTiを使用した。Ti金属層はスパッタリング法により
形成される。このTi金属層をパターニングすることによ
り、ソース電極32、ソースバス配線23、ドレイン電極3
3、及び導電体片44を形成した。ソースバス配線23はゲ
ートバス配線21と、前述のゲート絶縁膜11を挟んで交差
している。また、第１図及び第３図に示すように、ソー
スバス突出部46はゲートバス突出部43のほぼ中央部にゲ
ート絶縁膜11を挟んで重畳されるように形成される。導
電体片44はゲートバス突出部43の端部の上にゲート絶縁
膜11を挟んで形成される。

次に、第１図に示すように、ゲートバス配線21とソー
スバス配線23とに囲まれた矩形の領域に、ITO（Indium
tin oxide）から成る絵素電極41を形成した。絵素電極4
1はTFT31のドレイン電極33の端部に重畳され、ドレイン
電極33に電気的に接続されている。また、第３図に示す
ように、絵素電極41は導電体片44上にも重畳されて形成
される。

更に、絵素電極41を形成した基板上の全面に、SiN_Xか
らなる保護膜17を堆積した。保護膜17は、絵素電極41の
中央部で除去した窓状の形状としてもよい。保護膜17上
には配向膜19を形成した。ガラス基板１に対向するガラ
ス基板２上には、対向電極３及び配向膜９が形成されて
いる。これらの基板１及び２の間に液晶層18を封入し、
本実施例のアクティブマトリクス型表示装置が完成す
る。

本実施例のアクティブマトリクス表示装置を全面駆動
させることにより、絵素欠陥の発生位置は目視で容易に
特定される。TFT31の不良により絵素電極41にソースバ
ス配線23の信号を十分に印加できないことによる絵素欠
陥、又は絵素電極41と該絵素電極41に接続されているソ
ースバス配線23aとの間のリークによる絵素欠陥が生じ
ている場合には、基板１又は２の外部からレーザ光等の
光エネルギーが照射される。本実施例では、光エネルギ
ーとして、YAGレーザ光を用いた。レーザ光照射によっ
てゲート絶縁膜11が破壊され、TFT31のソース電極32と
ドレイン電極33とがゲート電極25を介して接続される。
更に、必要に応じて、ゲートバス支線22がゲートバス配
線21から切り離される。このように、同じレーザ光を用
いても条件を適切に設定すれば、金属層の切断と金属層
間の接続とを行い得る。また、ソース電極32とドレイン
電極33との接続と、ゲートバス支線22の切断とを逆の順
序で行ってもよい。

このようにして修正された絵素電極41は、リースバス
配線23aに接続された全ての絵素電極41の平均的な明る
さの表示を行うことになり、完全な点欠陥となることを
避けることができる。また、基板１上の全面には保護膜
17が形成されているので、レーザ光を照射しても表示媒
体である液晶層18の特性劣化は生じない。

また、絵素電極41と該絵素電極41に接続されているソ
ースバス配線23aに隣接するソースバス配線23bとの間の
リークによって絵素欠陥が生じている場合には、ゲート
バス突出部43とソースバス突出部46との重畳部と、ゲー
トバス突出部43と導電体片44との重畳部とにレーザ光が
照射される。更に、ゲートバス突出部43とゲートバス配
線21bとがレーザ光照射によって切り離される。これに
より、絵素欠陥を生じていた絵素電極41は隣接するソー
スバス配線23bに直接接続される。

このようにして修正された絵素電極41は、該絵素電極
41が接続されているソースバス配線23aに隣接するソー
スバス配線23bに接続された全ての絵素電極41の、平均
的な明るさの表示を行うことになり、完全な点欠陥とな
ることを避けることができる。

第４図に本発明の他の実施例に用いられるアクティブ
マトリクス基板の平面図を示す。この表示装置には、前
述の第１図の構成に加えて、ゲートバス配線21bから絵
素電極41の他の隅部に突出する他のゲートバス突出部53
と、ソースバス配線23aから該他の隅部に突出し、ゲー
トバス突出部53にゲート絶縁膜11を介して重畳された他
のソースバス突出部56と、絵素電極41に電気的に接続さ
れ、ゲートバス突出部53の端部にゲート絶縁膜11を介し
て重畳された他の導電体片54と、を更に備えている。ま
た、ゲートバス支線22は第１図の基板とは異なり、全長
に亘って同じ幅を有している。

本実施例のアクティブマトリクス表示装置に於いて、
絵素電極41と該絵素電極41に接続されているソースバス
配線23aに隣接するソースバス配線23bとの間のリークに
よって絵素欠陥が生じている場合には、前述の第１図の
実施例の場合と同様にして修正することができる。TFT3
1の不良により絵素電極41にソースバス配線23aの信号を
十分に印加できないことによる絵素欠陥、又は絵素電極
41と該絵素電極41に接続されているソースバス配線23a
との間のリークによる絵素欠陥が生じている場合には、
ゲートバス突出部53とソースバス突出部56との重畳部
と、ゲートバス突出部53と導電体片54との重畳部とにレ
ーザ光が照射される。更に、ゲートバス突出部53とゲー
トバス配線21bとがレーザ光照射によって切り離され
る。これにより、絵素欠陥を生じていた絵素電極41はソ
ースバス配線23aに直接接続される。

第５図に本発明の表示装置の更に他の実施例に用いら
れるアクティブマトリクス基板の平面図を示す。本実施
例の表示装置では、ゲートバス配線21が絵素電極41に重
畳され、ゲートバス配線21と絵素電極41との重畳部に付
加容量42（斜線部）が形成されている。本実施例の表示
装置では、後述する第６図の実施例に比べ、付加容量42
を有しているにもかかわらず開口率が大きいという利点
を有している。付加容量42は、絵素電極41に蓄積された
ソースバス配線23からの信号を保持する機能を果たす。
本実施例に於いても、第４図の実施例と同様に絵素欠陥
の修正を行うことができる。

第６図に本発明の表示装置の更に他の実施例に用いら
れるアクティブマトリクス基板の平面図を示す。本実施
例の表示装置では、付加容量配線24が設けられ、絵素電
極41と付加容量配線24との重畳部に付加容量42（斜線
部）が形成されている。付加容量配線24には対向基板２
上の対向電極３と同じ信号が印加される。付加容量配線
24はゲートバス配線21と同時に形成される。本実施例で
は、前述の第５図の実施例に於けるゲートバス突出部43
及び53に代えて、それぞれ付加容量配線24から突出した
付加容量突出部45及び55が、絵素電極41の隅部のそれぞ
れに突出している。従って、本実施例では、付加容量配
線突出部45とソースバス突出部46との重畳部と、付加容
量配線突出部45と導電体片44との重畳部とにレーザ光を
照射することにより、絵素欠陥が修正される。同様に、
付加容量配線突出部55とソースバス突出部56との重畳部
と、付加容量配線突出部55と導電体片54との重畳部とに
レーザ光を照射することにより、絵素欠陥が修正され
る。

第５図及び第６図の実施例では、前述の第４図の実施
例に付加容量を設けた構成について説明したが、本発明
は第１図の構成に付加容量を設けた構成とすることもで
きる。

（発明の効果） 本発明のアクティブマトリクス型表示装置では、絵素
欠陥を容易に検出することができる表示装置の状態で、
スイッチング素子の不良や絵素電極と該絵素電極に接続
された信号線との間のリークによる絵素欠陥を目立たな
いように修正することができる。また、絵素電極と該絵
素電極に接続されている信号線に隣接する信号線との間
のリークによって絵素欠陥が生じても、これを目立たな
いように修正することができる。従って、本発明によれ
ば、高い歩留りで表示装置を生産することができ、表示
装置のコスト低下に寄与することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例のアクティブマトリクス型表
示装置に用いられるアクティブマトリクス基板の平面
図、第２図は第１図の基板を用いた表示装置の第１図に
於けるII−II線に沿った断面図、第３図は第１図のIII
−III線に沿った断面図、第４図は本発明の表示装置の
他の実施例に用いられる基板の平面図、第５図及び第６
図は付加容量を有する本発明の表示装置の実施例に用い
られる基板の平面図、第７図及び第８図はアクティブマ
トリクス型表示装置の改良例に用いられるアクティブマ
トリクス基板の平面図、第９図は従来のアクティブマト
リクス基板に於ける絵素電極のリーク発生原因を示す図
である。 1,2……ガラス基板、３……対向電極、9,19……配向
膜、11……ゲート絶縁膜、12……チャネル層、13……エ
ッチングストッパ層、14……コンタクト層、18……液晶
層、21,21a,21b……ゲートバス配線、22……ゲートバス
支線、23,23a,23b……ソースバス配線、24……付加容量
配線、25……ゲート電極、31……TFT、32……ソース電
極、33……ドレイン電極、41……絵素電極、42……付加
容量、43,53……ゲートバス突出部、44,54……導電体
片、46,56……ソースバス突出部、55……付加容量配線
突出部。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤原 敏昭 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 藤木 裕 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 丸本 英治 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−48037（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−255831（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−135320（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−193114（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−157322（ＪＰ，Ｕ)

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一対の絶縁性基板と、 該一対の基板の何れか一方の基板上にマトリクス状に配
   列された絵素電極と、 該絵素電極の間に縦横に配線された走査線及び信号線
   と、 該走査線から分岐した走査支線と、 該走査支線の先端部に形成され、該絵素電極に接続され
   たスイッチング素子と、 該絵素電極に接続された該走査線に隣接する走査線から
   該絵素電極の隅部に突出する走査線突出部と、 該絵素電極に接続された該信号線に隣接する信号線から
   該隅部に突出し、該走査線突出部に絶縁膜を介して重畳
   された信号線突出部と、 該絵素電極に電気的に接続され、該走査線突出部の端部
   に絶縁膜を介して重畳された導電体片と、 を備えたアクティブマトリクス表示装置。
2. 【請求項２】前記走査支線が、先端部の幅の大きい部分
   と、該先端部以外の幅の小さい部分とを有する、請求項
   １に記載のアクティブマトリクス表示装置。
3. 【請求項３】前記隣接する走査線から前記絵素電極の他
   の隅部に突出する他の走査線突出部と、 該絵素電極に接続された前記信号線から該他の隅部に突
   出し、該他の走査線突出部に絶縁膜を介して重畳された
   他の信号線突出部と、 該絵素電極に電気的に接続され、該他の走査線突出部の
   端部に絶縁膜を介して重畳された他の導電体片と、 を更に備えた請求項１に記載のアクティブマトリクス表
   示装置。
4. 【請求項４】一対の絶縁性基板と、 該一対の基板の何れか一方の基板上にマトリクス状に配
   列された絵素電極と、 該絵素電極の間に縦横に配線された走査線及び信号線
   と、 該走査線から分岐た走査支線と、 該走査支線の先端部に形成され、該絵素電極に接続され
   たスイッチング素子と、 該絵素電極に重畳された付加容量配線と、 該付加容量配線から該絵素電極の隅部に突出する付加容
   量配線突出部と、 該絵素電極に接続された該信号線に隣接する信号線から
   該隅部に突出し、該付加容量配線突出部に絶縁膜を介し
   て重畳された信号線突出部と、 該絵素電極に電気的に接続され、該付加容量配線突出部
   の端部に絶縁膜を介して重畳された導電体片と、 を備えたアクティブマトリクス表示装置。
5. 【請求項５】前記走査支線が、先端部の幅の大きい部分
   と、該先端部以外の幅の小さい部分とを有する、請求項
   ４に記載のアクティブマトリクス表示装置。
6. 【請求項６】前記付加容量配線から前記絵素電極の他の
   隅部に突出する他の付加容量配線突出部と、 該絵素電極に接続された前記信号線から該他の隅部に突
   出し、該他の付加容量配線突出部に絶縁膜を介して重畳
   された他の信号線突出部と、 該絵素電極に電気的に接続され、該他の付加容量配線突
   出部の端部に絶縁膜を介して重畳された他の導電体片
   と、 を更に備えた請求項４に記載のアクティブマトリクス表
   示装置。