JPH0369138B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0369138B2 JPH0369138B2 JP2176084A JP2176084A JPH0369138B2 JP H0369138 B2 JPH0369138 B2 JP H0369138B2 JP 2176084 A JP2176084 A JP 2176084A JP 2176084 A JP2176084 A JP 2176084A JP H0369138 B2 JPH0369138 B2 JP H0369138B2
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- JP
- Japan
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- sample
- holding
- wafer
- support member
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- Expired
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 37
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体基板ウエハ(以下ウエハと呼
ぶ)等の試料保持装置に係り、特に真空中におい
て、ウエハ等の試料を保持するのに好適な試料保
持装置に関する。
ぶ)等の試料保持装置に係り、特に真空中におい
て、ウエハ等の試料を保持するのに好適な試料保
持装置に関する。
走査形電子顕微鏡あるいは電子線描画装置等で
ウエハ等の試料を観察もしくはウエハ等の試料表
面に電子線描画する場合には、大気中にあるウエ
ハ等の試料を試料台に装置してこれを真空中に導
入し真空下でウエハ等の試料を観察もしくは描画
する方法が採られている。
ウエハ等の試料を観察もしくはウエハ等の試料表
面に電子線描画する場合には、大気中にあるウエ
ハ等の試料を試料台に装置してこれを真空中に導
入し真空下でウエハ等の試料を観察もしくは描画
する方法が採られている。
従来のこの種の試料保持装置としては例えばウ
エハを保持する場合には試料保持台に固設された
板部に真空ピンセツト等でウエハの円周上の一部
を直線状に切り取つた部分(この部分をオリエン
テーシヨンフラツトと呼ぶ)の端面を押し当て且
つ前記試料保持台に固設された、ウエハの外周部
を支持する支持体に対向して該ウエハの外周部の
上面をばね等で押圧することによりウエハを保持
していた。
エハを保持する場合には試料保持台に固設された
板部に真空ピンセツト等でウエハの円周上の一部
を直線状に切り取つた部分(この部分をオリエン
テーシヨンフラツトと呼ぶ)の端面を押し当て且
つ前記試料保持台に固設された、ウエハの外周部
を支持する支持体に対向して該ウエハの外周部の
上面をばね等で押圧することによりウエハを保持
していた。
しかし上記した従来の試料保持装置にあつては
試料を保持させる為のセツトをピンセツト等を用
いて手動で行なう為に、ごみの付着確率が大であ
り、またウエハの端部もしくは上部を、ばね等で
押さえる為にウエハに傷が付く。更にウエハの位
置決めが正確に行なえない等の欠点を有してい
た。
試料を保持させる為のセツトをピンセツト等を用
いて手動で行なう為に、ごみの付着確率が大であ
り、またウエハの端部もしくは上部を、ばね等で
押さえる為にウエハに傷が付く。更にウエハの位
置決めが正確に行なえない等の欠点を有してい
た。
本発明の目的は試料を損傷することなく正確に
試料の位置決めを行い得る試料保持装置を提供す
ることにある。
試料の位置決めを行い得る試料保持装置を提供す
ることにある。
本発明は、真空中でウエハ等の試料を保持する
試料保持装置において、基台に固設された支持部
材と、基台で固設され支持部材に載置された試料
端面を保持する複数の保持部材と、支持部材に載
置された試料端面を保持する複数の保持部材と、
支持部材に載置された試料端面を前記保持部材と
共に保持するための保持体を先端に有し周囲の圧
力変化により変位する手段とからなり、該変位手
段は周囲の圧力が大気圧から真空圧に変化した時
に先端の保持体が試料端面に押圧する位置まで変
位することを特徴とするものである。
試料保持装置において、基台に固設された支持部
材と、基台で固設され支持部材に載置された試料
端面を保持する複数の保持部材と、支持部材に載
置された試料端面を保持する複数の保持部材と、
支持部材に載置された試料端面を前記保持部材と
共に保持するための保持体を先端に有し周囲の圧
力変化により変位する手段とからなり、該変位手
段は周囲の圧力が大気圧から真空圧に変化した時
に先端の保持体が試料端面に押圧する位置まで変
位することを特徴とするものである。
本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第
1図には本発明に係る試料保持装置の一実施例の
構成が示されており、同図において1は基台であ
り、該基台1には試料としてのウエハ4が載置さ
れる支持部材3が固設されており、更にウエハ4
の端面を保持する保持部材2が固設されている。
1図には本発明に係る試料保持装置の一実施例の
構成が示されており、同図において1は基台であ
り、該基台1には試料としてのウエハ4が載置さ
れる支持部材3が固設されており、更にウエハ4
の端面を保持する保持部材2が固設されている。
また基台1には支持部材3に載置されたウエハ
4の端面を保持部材2と共に保持するための保持
体7を先端に有する変位手段(本実施例では金属
ベローズ)6が固設されている。金属ベローズ6
内部には気体または液体が封入されており、金属
ベローズ6は、その内外の圧力差により保持体7
を変位させる。更に5は金属ベローズ6が周囲圧
力の変化により変位した時に保持体7の移動方向
を規制するためのガイドである。
4の端面を保持部材2と共に保持するための保持
体7を先端に有する変位手段(本実施例では金属
ベローズ)6が固設されている。金属ベローズ6
内部には気体または液体が封入されており、金属
ベローズ6は、その内外の圧力差により保持体7
を変位させる。更に5は金属ベローズ6が周囲圧
力の変化により変位した時に保持体7の移動方向
を規制するためのガイドである。
上記構成からなる試料保持装置の動作を第2図
及び第3図により説明する。第2図は動作前の状
態を示し、第3図は動作後の状態を示している。
及び第3図により説明する。第2図は動作前の状
態を示し、第3図は動作後の状態を示している。
金属ベローズ6は周囲の圧力が大気圧になつて
いる時には第2図に示す状態にあり、周囲の圧力
が真空圧に変化すると、ウエハ4を2方向にウエ
ハ4を3箇の支持部材3上部を滑りながら進ま
せ、ウエハ4のオリエンテーシヨンフラツト部と
保持部材2の2箇が接触し、3箇の保持部材2と
保持体7で保持されるまで伸び方向に変位し続け
ることによりウエハ4を保持する状態に至る(第
3図)。
いる時には第2図に示す状態にあり、周囲の圧力
が真空圧に変化すると、ウエハ4を2方向にウエ
ハ4を3箇の支持部材3上部を滑りながら進ま
せ、ウエハ4のオリエンテーシヨンフラツト部と
保持部材2の2箇が接触し、3箇の保持部材2と
保持体7で保持されるまで伸び方向に変位し続け
ることによりウエハ4を保持する状態に至る(第
3図)。
本実施例における実験結果は4インチウエハ中
心部で最大5ミクロン、ウエハ端で15ミクロンの
ずれを観測した。この時用いた保持部材2及び保
持体7の偏心量は最大1ミクロンであつた。
心部で最大5ミクロン、ウエハ端で15ミクロンの
ずれを観測した。この時用いた保持部材2及び保
持体7の偏心量は最大1ミクロンであつた。
本実施例によれば、上記したように真空室中に
おいて、下記のような特徴及び効果を有してい
る。
おいて、下記のような特徴及び効果を有してい
る。
(1) 真空室中において、上記保持装置は真空室中
の圧力の変化のみだけで自動的にウエハを保持
することが可能である。
の圧力の変化のみだけで自動的にウエハを保持
することが可能である。
(2) 上述第1項において、圧力の低下は除々に行
なわれる為にウエハをウエハ保持位置に静動的
に保持することが可能である。
なわれる為にウエハをウエハ保持位置に静動的
に保持することが可能である。
(3) ウエハを保持する為の保持力は、真空室内部
の圧力変化が大気圧からある任意の圧力までを
反復して行なわれるために保持装置における保
持部材がウエハ端面に与える保持力はほぼ一定
であり、しかも上記事項は再現性に対し非常に
効果がある。
の圧力変化が大気圧からある任意の圧力までを
反復して行なわれるために保持装置における保
持部材がウエハ端面に与える保持力はほぼ一定
であり、しかも上記事項は再現性に対し非常に
効果がある。
第4図は本発明の他の実施例を示すもので、第
1図と異なるのはウエハ4のオリエンテーシヨン
フラツト部を直接金属ベロース6にはオリエンテ
ーシヨンフラツト押板8を固定した保持部材でも
つて、オリエンテーシヨンフラツト端部を押圧す
ることによりウエハ保持位置にウエハ4を保持す
るものである。
1図と異なるのはウエハ4のオリエンテーシヨン
フラツト部を直接金属ベロース6にはオリエンテ
ーシヨンフラツト押板8を固定した保持部材でも
つて、オリエンテーシヨンフラツト端部を押圧す
ることによりウエハ保持位置にウエハ4を保持す
るものである。
本実施例では、保持部材2の数量を第1図に示
した実施例に比して少なく出来ることから、上記
保持装置における保持部材2の偏心が原因で発生
するウエハの位置ずれを減少させることが可能で
ある。
した実施例に比して少なく出来ることから、上記
保持装置における保持部材2の偏心が原因で発生
するウエハの位置ずれを減少させることが可能で
ある。
また実施例によれば被保持物体はウエハに限ら
ず三角形以上の多角形形状を有する被保持体を
も、オリエンテーシヨンフラツト押板8の形状を
相当させることにより真空中において、確実に保
持することが可能である。
ず三角形以上の多角形形状を有する被保持体を
も、オリエンテーシヨンフラツト押板8の形状を
相当させることにより真空中において、確実に保
持することが可能である。
第4図において、第1図と同一番号を付した部
材は同一部材を示すものであるので、ここでは説
明を省く。
材は同一部材を示すものであるので、ここでは説
明を省く。
本発明によれば、ウエハ等の試料を真空室中に
おいて、上記室中の圧力の変化のみでもつて自動
的かつ静動的に保持可能であり、しかも再現性が
良好であるので、試料を損傷することなく、所定
位置に正確に保持することが可能となる。
おいて、上記室中の圧力の変化のみでもつて自動
的かつ静動的に保持可能であり、しかも再現性が
良好であるので、試料を損傷することなく、所定
位置に正確に保持することが可能となる。
尚、上記実施例においてはウエハの保持につい
て詳述したが、これは単にウエハのみに限ること
ではなく、例えば磁気デスク、オーデイオデスク
等の板材あるいはブロツク等であつても同様であ
る。また変位手段として実施例では金属ベローズ
を用いているがこれらに限らず、ゴム等の弾性体
であつてもよい。
て詳述したが、これは単にウエハのみに限ること
ではなく、例えば磁気デスク、オーデイオデスク
等の板材あるいはブロツク等であつても同様であ
る。また変位手段として実施例では金属ベローズ
を用いているがこれらに限らず、ゴム等の弾性体
であつてもよい。
第1図は本発明に係る試料保持装置の一実施例
の構成を示す平面図、第2図及び第3図は第1図
に示した試料保持装置の正面図の要部を示し、第
2図は動作前の状態を、第3図は動作後の状態を
それぞれ示す図、第4図は本発明に試料保持装置
の他の実施例の構成を示す平面図である。 1…基台、2…保持部材、3…支持部材、4…
ウエハ、5…ガイド、6…変位手段、7…保持
体、8…オリエンテーシヨン押板。
の構成を示す平面図、第2図及び第3図は第1図
に示した試料保持装置の正面図の要部を示し、第
2図は動作前の状態を、第3図は動作後の状態を
それぞれ示す図、第4図は本発明に試料保持装置
の他の実施例の構成を示す平面図である。 1…基台、2…保持部材、3…支持部材、4…
ウエハ、5…ガイド、6…変位手段、7…保持
体、8…オリエンテーシヨン押板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 真空中でウエハ等の試料を保持する試料保持
装置において、基台に固設された支持部材と、基
台に固設され支持部材に載置された試料端面を保
持する複数の保持部材と、支持部材に載置された
試料端面を保持する複数の保持部材と、支持部材
に載置された試料端面を前記保持部材と共に保持
するための保持体を先端に有し周囲の圧力変化に
より変位する手段とからなり、該変位手段は周囲
の圧力が大気圧から真空圧に変化した時に先端の
保持体が試料端面に押圧する位置まで変位するこ
とを特徴とする試料保持装置。 2 前記変位手段は金属ベローズまたはゴム等の
弾性体に気体または液体を封入した構造としたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の試料
保持装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2176084A JPS60167245A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 試料保持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2176084A JPS60167245A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 試料保持装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60167245A JPS60167245A (ja) | 1985-08-30 |
JPH0369138B2 true JPH0369138B2 (ja) | 1991-10-31 |
Family
ID=12064019
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2176084A Granted JPS60167245A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 試料保持装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60167245A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0749789Y2 (ja) * | 1986-11-19 | 1995-11-13 | 富士通株式会社 | 電子ビ−ム露光装置 |
US4817556A (en) * | 1987-05-04 | 1989-04-04 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for retaining wafers |
US6509564B1 (en) | 1998-04-20 | 2003-01-21 | Hitachi, Ltd. | Workpiece holder, semiconductor fabricating apparatus, semiconductor inspecting apparatus, circuit pattern inspecting apparatus, charged particle beam application apparatus, calibrating substrate, workpiece holding method, circuit pattern inspecting method, and charged particle beam application method |
JP4636288B2 (ja) | 2005-05-18 | 2011-02-23 | 株式会社村田製作所 | 位置決めステージ、それを用いたバンプ形成装置およびバンプ形成方法 |
JP6731668B2 (ja) * | 2016-08-08 | 2020-07-29 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 顕微鏡観察方法及び顕微鏡観察補助装置 |
-
1984
- 1984-02-10 JP JP2176084A patent/JPS60167245A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60167245A (ja) | 1985-08-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |