JPH0362923A - プラズマｃｖｄ装置用電極構造 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置用電極構造Info
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- JPH0362923A JPH0362923A JP19993389A JP19993389A JPH0362923A JP H0362923 A JPH0362923 A JP H0362923A JP 19993389 A JP19993389 A JP 19993389A JP 19993389 A JP19993389 A JP 19993389A JP H0362923 A JPH0362923 A JP H0362923A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は半導体素子などの製造工程において各種の薄膜
を基板に形成するために使用されるプラズマＣＶＤ装置
の電極構造に係り、特に運転中のＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）生成物
の剥離による塵埃粒子の発生を抑制し、それによって膜
面欠陥の防止と装置の連続運転時間の延長を可能ならし
める平行平板型シャワ一方式のプラズマＣＶＤ装置用電
極構造に関する。
を基板に形成するために使用されるプラズマＣＶＤ装置
の電極構造に係り、特に運転中のＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）生成物
の剥離による塵埃粒子の発生を抑制し、それによって膜
面欠陥の防止と装置の連続運転時間の延長を可能ならし
める平行平板型シャワ一方式のプラズマＣＶＤ装置用電
極構造に関する。
プラズマＣＶＤ装置は、高周波電圧を印加するための１
対の電極が真空容器内に設置され、容器内に導入された
稀薄プロセスガスを電極間のグロー放電によって分解・
励起してプラズマ状態とすることにより電極上に装着さ
れた基板表面にガス分子を選択的に固着堆積させて薄膜
を形成するものであって、ガス分子の選択性および固着
の度合は基板温度に支配されるものである。
対の電極が真空容器内に設置され、容器内に導入された
稀薄プロセスガスを電極間のグロー放電によって分解・
励起してプラズマ状態とすることにより電極上に装着さ
れた基板表面にガス分子を選択的に固着堆積させて薄膜
を形成するものであって、ガス分子の選択性および固着
の度合は基板温度に支配されるものである。
従来のプラズマＣＶＤ装置用電極としては例えば第７図
示のような平行平板型シャワ一方式のものがある。真空
容器１の内に、基板ホルダ２と多数の細孔７を有するガ
ス分散板３とからなるプラズマ発生電極が設けられ、１
対の平行平板型電極を構成している。薄膜が形成される
基板４は基板ホルダ２に装着され、基板ホルダ２と対向
するガス分散板３の面にある基板ヒータ５によって基板
４は基板ホルダ２と共にプロセス条件温度まで加熱され
る。
示のような平行平板型シャワ一方式のものがある。真空
容器１の内に、基板ホルダ２と多数の細孔７を有するガ
ス分散板３とからなるプラズマ発生電極が設けられ、１
対の平行平板型電極を構成している。薄膜が形成される
基板４は基板ホルダ２に装着され、基板ホルダ２と対向
するガス分散板３の面にある基板ヒータ５によって基板
４は基板ホルダ２と共にプロセス条件温度まで加熱され
る。
基板ホルダ２をアノード側電極、ガス分散板３及び基板
ヒータ５をカソード側電極とする二極構成の電極が形成
されている。
ヒータ５をカソード側電極とする二極構成の電極が形成
されている。
６はガス導入口６ａを有するガス導入管、８は高周波絶
縁処理された真空シール、９は絶縁物、１０は高周波シ
ールド、１１は加熱用シース線、１２は高周波電源であ
る。
縁処理された真空シール、９は絶縁物、１０は高周波シ
ールド、１１は加熱用シース線、１２は高周波電源であ
る。
前記従来例にあっては、基板ヒータ５によって基板４の
加熱を行った場合、輻射伝熱により基板ホルダ２が加熱
され、その接触伝熱により基板４がプロセス条件温度ま
で加熱されるが、プロセス条件を左右する基板温度が直
接加熱でないため、プロセス条件の温度コントロールが
難しいばかりでなく、基板４がコールドウオールになる
ため、良好な薄膜を生成できず、かつコールドウオール
の存在のためプラズマによって励起されたガス分子が温
度の低いアノード側に固着する度合は弱いので、この固
着物はＣＶＤ操作中に剥離を生じ易く、剥離による塵埃
粒子が基板４上に生成する薄膜に表面欠陥を生じる主因
となるので、プラズマＣＶＤ装置の運転に際してはアノ
ード側固着物の除去を頻繁に行うことが現状では不可避
の条件とされ、これが従来のプラズマＣＶＤ装置の連続
運転を大きく阻害する要因となっている。
加熱を行った場合、輻射伝熱により基板ホルダ２が加熱
され、その接触伝熱により基板４がプロセス条件温度ま
で加熱されるが、プロセス条件を左右する基板温度が直
接加熱でないため、プロセス条件の温度コントロールが
難しいばかりでなく、基板４がコールドウオールになる
ため、良好な薄膜を生成できず、かつコールドウオール
の存在のためプラズマによって励起されたガス分子が温
度の低いアノード側に固着する度合は弱いので、この固
着物はＣＶＤ操作中に剥離を生じ易く、剥離による塵埃
粒子が基板４上に生成する薄膜に表面欠陥を生じる主因
となるので、プラズマＣＶＤ装置の運転に際してはアノ
ード側固着物の除去を頻繁に行うことが現状では不可避
の条件とされ、これが従来のプラズマＣＶＤ装置の連続
運転を大きく阻害する要因となっている。
本発明は上記の課題を解決するべく、基板ホルダ、ガス
分散板または基板ヒータ等に熱放射用部材を設けて輻射
伝熱効率を高めることによりγノード側、カソード側及
び基板の温度差を最小限にしてプロセス条件の温度を容
易にコントロールし、またアノード側、カソード側にも
、固着物を強固に形成させ、操作中の固着物の剥離を回
避し塵埃粒子の発生を抑制すると共に実装置における連
続運転時間の延長を可能とし、良好な薄膜を形成し品質
向上を図ろうとするものである。
分散板または基板ヒータ等に熱放射用部材を設けて輻射
伝熱効率を高めることによりγノード側、カソード側及
び基板の温度差を最小限にしてプロセス条件の温度を容
易にコントロールし、またアノード側、カソード側にも
、固着物を強固に形成させ、操作中の固着物の剥離を回
避し塵埃粒子の発生を抑制すると共に実装置における連
続運転時間の延長を可能とし、良好な薄膜を形成し品質
向上を図ろうとするものである。
即ち、本発明の第１電極構造は第１図示のように真空容
器１内に設けられ基板４が装着された基板ホルダ２と、
これに対向配置したガス分散板３とよりなり、基板ホル
ダ２及びガス分散板３にそれぞれ熱放射用部材１４を設
けてなる構成としたものである。
器１内に設けられ基板４が装着された基板ホルダ２と、
これに対向配置したガス分散板３とよりなり、基板ホル
ダ２及びガス分散板３にそれぞれ熱放射用部材１４を設
けてなる構成としたものである。
本発明の第２電極構造は第２図示のように真空容器１内
に設けられ基板４が装着された基板ホルダ２と、これに
対向配置した基板ヒータ５と、この基板ヒータ５の背面
に設けられたガス分散板３とよりなり、基板ホルダ２及
び基板ヒータ５にそれぞれ熱放射用部材１４を設けてな
る構成としたものである。
に設けられ基板４が装着された基板ホルダ２と、これに
対向配置した基板ヒータ５と、この基板ヒータ５の背面
に設けられたガス分散板３とよりなり、基板ホルダ２及
び基板ヒータ５にそれぞれ熱放射用部材１４を設けてな
る構成としたものである。
第１．第２電極構造は上記のような構成であるから、ガ
ス分散板３または基板ヒータ５に設けられた熱放射用部
材１４により赤外線を放射して基板４を直接加熱するこ
とになり、基板４はプロセス条件まで加熱されることに
なる。
ス分散板３または基板ヒータ５に設けられた熱放射用部
材１４により赤外線を放射して基板４を直接加熱するこ
とになり、基板４はプロセス条件まで加熱されることに
なる。
また、基板ホルダ２に設けられた熱放射用部材１４によ
り基板ホルダ２も加熱されることになる。
り基板ホルダ２も加熱されることになる。
そのためカソード側電極、基板４．アノード側電極の温
度差が少なくなり、上記従来電極構造と相違し、電極加
熱中、カソード側電極、アノード側電極及び基板４に固
着物が強固に付着し、剥離による塵埃粒子の発生が抑制
されることになり、運転中のアノード側電極またはカソ
ード側電極の固着物を頻繁に除去することが回避される
と共に均一な薄膜の形成が可能となり品質の向上が図れ
る。
度差が少なくなり、上記従来電極構造と相違し、電極加
熱中、カソード側電極、アノード側電極及び基板４に固
着物が強固に付着し、剥離による塵埃粒子の発生が抑制
されることになり、運転中のアノード側電極またはカソ
ード側電極の固着物を頻繁に除去することが回避される
と共に均一な薄膜の形成が可能となり品質の向上が図れ
る。
以下図面により本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明電極構造の第１実施例を適用したプラズ
マＣＶＤ装置の構成を示す断面図で、１は真空容器、２
．３はそれぞれこの真空容器１内に対向配設した基板ホ
ルダ及び多数の細孔７を有するガス分散板である。基板
ホルダ２には基板４が装着され、基板ホルダ２の背面に
基板ヒータ５が取付けられており、ヒータ加熱用シース
線１１は、真空容器１に貫通して支持され接地されてい
る。
マＣＶＤ装置の構成を示す断面図で、１は真空容器、２
．３はそれぞれこの真空容器１内に対向配設した基板ホ
ルダ及び多数の細孔７を有するガス分散板である。基板
ホルダ２には基板４が装着され、基板ホルダ２の背面に
基板ヒータ５が取付けられており、ヒータ加熱用シース
線１１は、真空容器１に貫通して支持され接地されてい
る。
基板ホルダ２及びガス分散板３にそれぞれセラミックス
等の熱放射用部材１４が溶射により設けられており、基
板ホルダ２及び基板ヒータ５はアノード側電極を、ガス
分散板３はカソード側電極を構成している。
等の熱放射用部材１４が溶射により設けられており、基
板ホルダ２及び基板ヒータ５はアノード側電極を、ガス
分散板３はカソード側電極を構成している。
６はガス分散板３のガス導入管で、ガス導入口６ａを有
する。１０はガス分散板３の背面及びガス導入管６の周
囲に設けられた高周波シールド、８は高周波シールドｌ
Ｏとガス導入管６との間に埋設され高周波絶縁処理され
た真空シール、９はガス分散板３と高周波シールド１０
との間に設けられた絶縁物、１２はヒータ加熱用シース
線１１とガス導入管６との間に接続された高周波電源で
ある。
する。１０はガス分散板３の背面及びガス導入管６の周
囲に設けられた高周波シールド、８は高周波シールドｌ
Ｏとガス導入管６との間に埋設され高周波絶縁処理され
た真空シール、９はガス分散板３と高周波シールド１０
との間に設けられた絶縁物、１２はヒータ加熱用シース
線１１とガス導入管６との間に接続された高周波電源で
ある。
第２図は第２実施例を適用したプラズマＣＶＤ装置の構
成を示す断面図で、この第２実施例は基板ホルダ２及び
基板ヒータ５にそれぞれ熱放射用部材１４が設けられて
おり、基板ホルダ２はアノード側電極を、ガス分散板３
及び基板ヒータ５はカソード側電極を構成している。
成を示す断面図で、この第２実施例は基板ホルダ２及び
基板ヒータ５にそれぞれ熱放射用部材１４が設けられて
おり、基板ホルダ２はアノード側電極を、ガス分散板３
及び基板ヒータ５はカソード側電極を構成している。
上記第１．第２実施例の構成において、ガス分散板３ま
たは基板ヒータ５に設けられた熱放射用部材１４により
赤外線を放射して基板４を直接加熱することになり、基
板４はプロセス条件まで加熱されることになる。
たは基板ヒータ５に設けられた熱放射用部材１４により
赤外線を放射して基板４を直接加熱することになり、基
板４はプロセス条件まで加熱されることになる。
また、基板ホルダ２に設けられた熱放射用部材１４によ
り基板ホルダ２も加熱されることになる。
り基板ホルダ２も加熱されることになる。
そのためカソード側電極、基板４．アノード側電極の温
度差が少なくなり、上記従来電極構造と相違し、電極加
熱中、カソード側電極、アノード側電極及び基板４に固
着物が強固に付着し、剥離による塵埃粒子の発生が抑制
されることになり、運転中のアノード側電極またはカソ
ード側電極の固着物を頻繁に除去することが回避される
と共に均一な薄膜のｉａが可能となり品質の向上が図れ
る。
度差が少なくなり、上記従来電極構造と相違し、電極加
熱中、カソード側電極、アノード側電極及び基板４に固
着物が強固に付着し、剥離による塵埃粒子の発生が抑制
されることになり、運転中のアノード側電極またはカソ
ード側電極の固着物を頻繁に除去することが回避される
と共に均一な薄膜のｉａが可能となり品質の向上が図れ
る。
第３図は第３実施例を適用したプラズマＣＶＤ装置の構
成を示す断面図で、この第３実施例は上記第１または第
２実施例において基板ホルダ２の軸２ａに軸封じ部３２
を摺動自在に取付け、この軸封じ部３２と真空容器１と
の間を可撓性接手３１で連結せしめてなる。
成を示す断面図で、この第３実施例は上記第１または第
２実施例において基板ホルダ２の軸２ａに軸封じ部３２
を摺動自在に取付け、この軸封じ部３２と真空容器１と
の間を可撓性接手３１で連結せしめてなる。
このような構成の第３実施例にあっては、基板ホルダ２
の回転、水平または垂直移動等が容易に行なえるので、
カソード側電極とアノード側電極間の間隔の調整、基板
４の着脱が短時間で可能となり、従来電極構造に比べて
操作性を改善することができる。
の回転、水平または垂直移動等が容易に行なえるので、
カソード側電極とアノード側電極間の間隔の調整、基板
４の着脱が短時間で可能となり、従来電極構造に比べて
操作性を改善することができる。
第４図は第４実施例を適用したプラズマＣＶＤ装置の構
成を示す断面図で、この第４実施例は第１、第２または
第３実施例において真空容器１内に基板ホルダ２．基板
ヒータ５及びガス分散板３の直角方向に加熱板４１を収
設し、加熱板４１の軸４１ａと基板ホルダ２の軸２ａと
を接続せしめ、加熱板４１に熱放射用部材１４を設けて
なる。
成を示す断面図で、この第４実施例は第１、第２または
第３実施例において真空容器１内に基板ホルダ２．基板
ヒータ５及びガス分散板３の直角方向に加熱板４１を収
設し、加熱板４１の軸４１ａと基板ホルダ２の軸２ａと
を接続せしめ、加熱板４１に熱放射用部材１４を設けて
なる。
カソード側電極、アノード側電極を直立配置した場合、
電極上方の真空容器器壁に温度の低い部分が存在し、そ
こからの固着物の剥離による塵埃粒子の落下が膜面欠陥
発生の原因となるが、第４実施例では電極上方にも図示
のような加熱板４１を設け、これにも熱放射用部材１４
を設けたので、電極上方の真空容器器壁にホットウォー
ルが形成されることになり、器壁からの塵埃粒子の直接
の落下を防止し膜面欠陥発生の効果を更に強化すること
ができる。
電極上方の真空容器器壁に温度の低い部分が存在し、そ
こからの固着物の剥離による塵埃粒子の落下が膜面欠陥
発生の原因となるが、第４実施例では電極上方にも図示
のような加熱板４１を設け、これにも熱放射用部材１４
を設けたので、電極上方の真空容器器壁にホットウォー
ルが形成されることになり、器壁からの塵埃粒子の直接
の落下を防止し膜面欠陥発生の効果を更に強化すること
ができる。
第５図は第５実施例を適用したプラズマＣＶＤ装置の構
成を示す断面図で、この第５実施例は真空容器１内に基
板ヒータ５とガス分散板３を１組として２組、対向収設
し、その間に基板ホルダ２を配置せしめ、２組のガス分
散板３．３または基板ヒータ５，５及び基板ホルダ２の
両面にそれぞれ熱放射用部材１４を設けてなる。
成を示す断面図で、この第５実施例は真空容器１内に基
板ヒータ５とガス分散板３を１組として２組、対向収設
し、その間に基板ホルダ２を配置せしめ、２組のガス分
散板３．３または基板ヒータ５，５及び基板ホルダ２の
両面にそれぞれ熱放射用部材１４を設けてなる。
この第５実施例にあっては、基板ホルダ２は両側のカソ
ード側電極からの赤外線により直接加熱されるので片側
加熱の場合に比べて加熱効率を大幅に改善することがで
き、更に基板装着枚数を２倍とすることができるので、
装置効率の大幅改善が可能である。
ード側電極からの赤外線により直接加熱されるので片側
加熱の場合に比べて加熱効率を大幅に改善することがで
き、更に基板装着枚数を２倍とすることができるので、
装置効率の大幅改善が可能である。
第６図は第６実施例を適用したプラズマＣＶＤ装置の構
成を示す断面図で、この第６実施例は第５実施例におい
て基板ホルダ２にホルダ移送機構６１を設けてなる。
成を示す断面図で、この第６実施例は第５実施例におい
て基板ホルダ２にホルダ移送機構６１を設けてなる。
この第６実施例によれば、第５実施例と同様の作用効果
を奏する以外に、アノード側電極を共通の単板型基板ホ
ルダ（両面装着）２とし、下部にホルダ移送機構６１（
接地機能を含む）を設けたので基板ホルダ２の送入送出
を容易に行うことができ、基板の着脱の操作軸を改善す
ることが可能である。
を奏する以外に、アノード側電極を共通の単板型基板ホ
ルダ（両面装着）２とし、下部にホルダ移送機構６１（
接地機能を含む）を設けたので基板ホルダ２の送入送出
を容易に行うことができ、基板の着脱の操作軸を改善す
ることが可能である。
本発明を実施することにより、プラズマＣＶＤ装置の操
作時における基板周辺部分、カソード側またはアノード
側電極面からの固着物の剥離による塵埃粒子発生の抑制
効果は実験により明らかであった。実装置の連続運転時
間の延長が可能になること、また第２図に示す第２実施
例ではアノード側（接地側）電極が極めて単純化される
ので装置の操作性向上が可能となることなどにより装置
のスループットの改善効果は極めて大きい。
作時における基板周辺部分、カソード側またはアノード
側電極面からの固着物の剥離による塵埃粒子発生の抑制
効果は実験により明らかであった。実装置の連続運転時
間の延長が可能になること、また第２図に示す第２実施
例ではアノード側（接地側）電極が極めて単純化される
ので装置の操作性向上が可能となることなどにより装置
のスループットの改善効果は極めて大きい。
上述の説明より明らかなように本発明によれば、ガス分
散板３または基板ヒータ５に設けられた熱放射用部材１
４により赤外線を放射して基板４を直接加熱しプロセス
条件まで加熱することができ、かつ基板ホルダ２に設け
られた熱放射用部材１４により基板ホルダ２も加熱され
るので、カソード側電極、アノード側電極、基板４の温
度差を少なくでき、電極加熱中、カソード側電極、アノ
ード側電極及び基板４に固着物を強固に付着できるため
、剥離による塵埃粒子の発生を抑制でき、運転中のアノ
ード側電極またはカソード側電極の固着物を頻繁に除去
することを回避できると共に、均一な膜質の形成ができ
、品質の向上を図ることができる。また、基板４を直接
加熱できるため、プロセス条件の温度コントロールが容
易になり、また基板４部分がホットウォールになるため
、良好な薄膜を生成できるばかりでなく、プラズマＣＶ
Ｄ装置の連続運転時間の延長を図ることができる等の効
果を奏する。
散板３または基板ヒータ５に設けられた熱放射用部材１
４により赤外線を放射して基板４を直接加熱しプロセス
条件まで加熱することができ、かつ基板ホルダ２に設け
られた熱放射用部材１４により基板ホルダ２も加熱され
るので、カソード側電極、アノード側電極、基板４の温
度差を少なくでき、電極加熱中、カソード側電極、アノ
ード側電極及び基板４に固着物を強固に付着できるため
、剥離による塵埃粒子の発生を抑制でき、運転中のアノ
ード側電極またはカソード側電極の固着物を頻繁に除去
することを回避できると共に、均一な膜質の形成ができ
、品質の向上を図ることができる。また、基板４を直接
加熱できるため、プロセス条件の温度コントロールが容
易になり、また基板４部分がホットウォールになるため
、良好な薄膜を生成できるばかりでなく、プラズマＣＶ
Ｄ装置の連続運転時間の延長を図ることができる等の効
果を奏する。
第１図は本発明電極構造の第１実施例を適用したプラズ
マＣＶＤ装置の構成を示す断面図、第２図は第２実施例
を適用したプラズマＣＶＤ装置の構成を示す断面図、第
３図は第３実施例を適用したプラズマＣＶＤ装置の構成
を示す断面図、第４図は第４実施例を適用したプラズマ
ＣＶＤ装置の構成を示す断面図、第５図は第５実施例を
適用したプラズマＣＶＤ装置の構成を示す断面図、第６
図は第６実施例を適用したプラズマＣＶＤ装置の構成を
示す断面図、第７図は従来の電極構造の一例を適用した
プラズマＣＶＤ装置の構成を示す断面図である。 １・・・・・・真空容器、２・・・・・・基板ホルダ、
２ａ・・・・・・軸、３・・・・・・ガス分散板、４・
・・・・・基板、５・・・・・・基板ヒータ、１４・・
・・・・熱放射用部材、３１・・・・・・可撓性接手、
３２・・・・・・軸封じ部、４１・・・・・・加熱板、
４１ａ・・・・・・軸、６１・・・喜３甜 洛９回
マＣＶＤ装置の構成を示す断面図、第２図は第２実施例
を適用したプラズマＣＶＤ装置の構成を示す断面図、第
３図は第３実施例を適用したプラズマＣＶＤ装置の構成
を示す断面図、第４図は第４実施例を適用したプラズマ
ＣＶＤ装置の構成を示す断面図、第５図は第５実施例を
適用したプラズマＣＶＤ装置の構成を示す断面図、第６
図は第６実施例を適用したプラズマＣＶＤ装置の構成を
示す断面図、第７図は従来の電極構造の一例を適用した
プラズマＣＶＤ装置の構成を示す断面図である。 １・・・・・・真空容器、２・・・・・・基板ホルダ、
２ａ・・・・・・軸、３・・・・・・ガス分散板、４・
・・・・・基板、５・・・・・・基板ヒータ、１４・・
・・・・熱放射用部材、３１・・・・・・可撓性接手、
３２・・・・・・軸封じ部、４１・・・・・・加熱板、
４１ａ・・・・・・軸、６１・・・喜３甜 洛９回
Claims (7)
- （１）真空容器（１）内に設けられ基板（４）が装着さ
れた基板ホルダ（２）と、これに対向配置したガス分散
板（３）とよりなり、基板ホルダ（２）及びガス分散板
（３）にそれぞれ熱放射用部材（１４）を設けてなるプ
ラズマＣＶＤ装置用電極構造。 - （２）基板ホルダ（２）の背面に基板ヒータ（５）を設
けてなる請求項第１項記載のプラズマＣＶＤ装置用電極
構造。 - （３）真空容器（１）内に設けられ基板（４）が装着さ
れた基板ホルダ（２）と、これに対向配置した基板ヒー
タ（５）と、この基板ヒータ（５）の背面に設けられた
ガス分散板（３）とよりなり、基板ホルダ（２）及び基
板ヒータ（５）にそれぞれ熱放射用部材（１４）を設け
てなるプラズマＣＶＤ装置用電極構造。 - （４）基板ホルダ（２）の軸（２ａ）に軸封じ部（３２
）を摺動自在に取付け、この軸封じ部（３２）と真空容
器（１）との間を可撓性接手（３１）で連結せしめてな
る請求項第１項〜第３項のいずれかに記載のプラズマＣ
ＶＤ装置用電極構造。 - （５）真空容器（１）内に基板ホルダ（２），基板ヒー
タ（５）及びガス分散板（３）の直角方向に加熱板（４
１）を収設し、加熱板（４１）の軸（４１ａ）と基板ホ
ルダ（２）の軸（２ａ）とを接続せしめ、加熱板（４１
）に熱放射用部材（１４）を設けてなる請求項第１項〜
第４項のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ装置用電極構
造。 - （６）真空容器（１）内に基板ヒータ（５）とガス分散
板（３）を１組として２組，対向収設し、その間に基板
ホルダ（２）を配置せしめ、２組のガス分散板（３，３
）または基板ヒータ（５，５）及び基板ホルダ（２）の
両面にそれぞれ熱放射用部材（１４）を設けてなるプラ
ズマＣＶＤ装置用電極構造。 - （７）基板ホルダ（２）にホルダ移送機構（６１）を設
けてなる請求項第６項記載のプラズマＣＶＤ装置用電極
構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1199933A JP2701242B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | プラズマｃｖｄ装置用電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1199933A JP2701242B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | プラズマｃｖｄ装置用電極構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0362923A true JPH0362923A (ja) | 1991-03-19 |
| JP2701242B2 JP2701242B2 (ja) | 1998-01-21 |
Family
ID=16416009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1199933A Expired - Fee Related JP2701242B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | プラズマｃｖｄ装置用電極構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2701242B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04123257U (ja) * | 1991-04-16 | 1992-11-06 | ソニー株式会社 | バイアスｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 |
| JP2007279440A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Toshiba Corp | ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法 |
| CN104772306A (zh) * | 2015-04-20 | 2015-07-15 | 大连理工大学 | 直流级联弧等离子体炬清洗托卡马克第一镜的方法 |
| CN104772305A (zh) * | 2015-04-20 | 2015-07-15 | 大连理工大学 | 直流级联弧等离子体炬清洗托卡马克第一镜的装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62218577A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 気相反応装置用電極 |
| JPS62299014A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-26 | Fujitsu Ltd | 半導体膜の製造方法及びプラズマｃｖｄ用マスク |
-
1989
- 1989-07-31 JP JP1199933A patent/JP2701242B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62218577A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 気相反応装置用電極 |
| JPS62299014A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-26 | Fujitsu Ltd | 半導体膜の製造方法及びプラズマｃｖｄ用マスク |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2007279440A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Toshiba Corp | ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法 |
| CN104772306A (zh) * | 2015-04-20 | 2015-07-15 | 大连理工大学 | 直流级联弧等离子体炬清洗托卡马克第一镜的方法 |
| CN104772305A (zh) * | 2015-04-20 | 2015-07-15 | 大连理工大学 | 直流级联弧等离子体炬清洗托卡马克第一镜的装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2701242B2 (ja) | 1998-01-21 |
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