JP2701242B2 - プラズマｃｖｄ装置用電極構造 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置用電極構造Info
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- JP2701242B2 JP2701242B2 JP1199933A JP19993389A JP2701242B2 JP 2701242 B2 JP2701242 B2 JP 2701242B2 JP 1199933 A JP1199933 A JP 1199933A JP 19993389 A JP19993389 A JP 19993389A JP 2701242 B2 JP2701242 B2 JP 2701242B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体素子などの製造工程において各種の
薄膜を基板に形成するために使用されるプラズマCVD装
置の電極構造に係り、特に運転中のCVD（Chemical Vapo
r Deposition）生成物の剥離による塵埃粒子の発生を抑
制し、それによって膜面欠陥の防止と装置の連続運転時
間の延長を可能ならしめる平行平板型シャワー方式のプ
ラズマCVD装置用電極構造に関する。
薄膜を基板に形成するために使用されるプラズマCVD装
置の電極構造に係り、特に運転中のCVD（Chemical Vapo
r Deposition）生成物の剥離による塵埃粒子の発生を抑
制し、それによって膜面欠陥の防止と装置の連続運転時
間の延長を可能ならしめる平行平板型シャワー方式のプ
ラズマCVD装置用電極構造に関する。
プラズマCVD装置は、高周波電圧が印加される１対の
電極が真空容器内に設置され、容器内に導入された稀薄
プロセスガスを電極間のグロー放電によって分解・励起
してプラズマ状態とすることにより電極上に装着された
基板表面にガス分子を選択的に固着堆積させて薄膜を形
成するものであって、ガス分子の選択性および固着の度
合は基板温度に支配されるものである。
電極が真空容器内に設置され、容器内に導入された稀薄
プロセスガスを電極間のグロー放電によって分解・励起
してプラズマ状態とすることにより電極上に装着された
基板表面にガス分子を選択的に固着堆積させて薄膜を形
成するものであって、ガス分子の選択性および固着の度
合は基板温度に支配されるものである。
従来のプラズマCVD装置用電極としては、例えば第７
図示のような平行平板型シャワー方式のものがある。真
空容器１の内に、基板ホルダ２と多数の細孔７を有する
ガス分散板３とからなるプラズマ発生電極が設けられ、
１対の平行平板型電極を構成している。薄膜が形成され
る基板４は基板ホルダ２に装着され、基板ホルダ２と対
向するガス分散板３にある基板ヒータ５によってガス分
散板３が加熱されることは勿論、基板４は基板ホルダ２
と共にプロセス条件温度まで加熱される。
図示のような平行平板型シャワー方式のものがある。真
空容器１の内に、基板ホルダ２と多数の細孔７を有する
ガス分散板３とからなるプラズマ発生電極が設けられ、
１対の平行平板型電極を構成している。薄膜が形成され
る基板４は基板ホルダ２に装着され、基板ホルダ２と対
向するガス分散板３にある基板ヒータ５によってガス分
散板３が加熱されることは勿論、基板４は基板ホルダ２
と共にプロセス条件温度まで加熱される。
基板ホルダ２をアノード側電極，基板ヒータ５を有す
るガス分散板３をカソード側電極とする二極構成の電極
が形成されている。
るガス分散板３をカソード側電極とする二極構成の電極
が形成されている。
６はガス導入口6aを有するガス導入管、８は高周波絶
縁処理された真空シール、９は絶縁物、10は高周波シー
ルド、11は加熱用シース線、12は高周波電源である。
縁処理された真空シール、９は絶縁物、10は高周波シー
ルド、11は加熱用シース線、12は高周波電源である。
前記従来例にあっては、基板ヒータ５によって基板４
の加熱を行った場合、輻射伝熱により基板ホルダ２が加
熱され、その接触伝熱により基板４がプロセス条件温度
まで加熱されるが、プロセス条件を左右する基板温度が
直接加熱でないため、プロセス条件の温度コントロール
が難しいばかりでなく、基板４がコールドウォールにな
るため、良好な薄膜を生成できず、かつコールドウォー
ルの存在のためプラズマによって励起されたガス分子が
温度の低いアノード側に固着する度合は弱いので、この
固着物はCVD操作中に剥離を生じ易く、剥離による塵埃
粒子が基板４上に生成する薄膜に表面欠陥を生じる主因
となるので、プラズマCVD装置の運転に際してはアノー
ド側固着物の除去を頻繁に行うことが現状では不可避の
条件とされ、これが従来のプラズマCVD装置の連続運転
を大きく阻害する要因となっている。
の加熱を行った場合、輻射伝熱により基板ホルダ２が加
熱され、その接触伝熱により基板４がプロセス条件温度
まで加熱されるが、プロセス条件を左右する基板温度が
直接加熱でないため、プロセス条件の温度コントロール
が難しいばかりでなく、基板４がコールドウォールにな
るため、良好な薄膜を生成できず、かつコールドウォー
ルの存在のためプラズマによって励起されたガス分子が
温度の低いアノード側に固着する度合は弱いので、この
固着物はCVD操作中に剥離を生じ易く、剥離による塵埃
粒子が基板４上に生成する薄膜に表面欠陥を生じる主因
となるので、プラズマCVD装置の運転に際してはアノー
ド側固着物の除去を頻繁に行うことが現状では不可避の
条件とされ、これが従来のプラズマCVD装置の連続運転
を大きく阻害する要因となっている。
本発明は上記の課題を解決するべく、基板ホルダ及び
ガス分散板にそれぞれセラミックスを溶射した熱放射用
部材を設けて輻射伝熱効率を高めることによりアノード
側，カソード側電極及び基板の温度差を最小限にしてプ
ロセス条件の温度を容易にコントロールし、また基板ヒ
ータを持たないアノード側電極又はカソード側電極に
も、固着物を強固に形成させ、操作中の固着物の剥離を
回避し塵埃粒子の発生を抑制すると共に実装置における
連続運転時間の延長を可能とし、良好な薄膜を形成し品
質向上を図ろうとするものである。
ガス分散板にそれぞれセラミックスを溶射した熱放射用
部材を設けて輻射伝熱効率を高めることによりアノード
側，カソード側電極及び基板の温度差を最小限にしてプ
ロセス条件の温度を容易にコントロールし、また基板ヒ
ータを持たないアノード側電極又はカソード側電極に
も、固着物を強固に形成させ、操作中の固着物の剥離を
回避し塵埃粒子の発生を抑制すると共に実装置における
連続運転時間の延長を可能とし、良好な薄膜を形成し品
質向上を図ろうとするものである。
即ち、本発明の電極構造は、真空容器１内に設けられ
基板４が装着される基板ホルダ２と、これに対向配置し
たガス分散板３とよりなり、基板ホルダ２又はガス分散
板３に基板ヒータ５を設け、基板ホルダ２及びガス分散
板３にそれぞれセラミックスを溶射した熱放射用部材14
を設けてなる構成としたものである。
基板４が装着される基板ホルダ２と、これに対向配置し
たガス分散板３とよりなり、基板ホルダ２又はガス分散
板３に基板ヒータ５を設け、基板ホルダ２及びガス分散
板３にそれぞれセラミックスを溶射した熱放射用部材14
を設けてなる構成としたものである。
本発明電極構造は上記のような構成であるから、基板
ヒータ５により基板ホルダ２及び基板ホルダのセラミッ
クスを溶射した熱放射用部材14上の基板４を直接加熱す
ると共に基板ホルダのセラミックスを溶射した熱放射用
部材14の加熱により放射する赤外線をガス分散板のセラ
ミックスを溶射した熱放射用部材14で熱吸収し、該セラ
ミックスを溶射した熱放射用部材14によりガス分散板３
を加熱するか又は基板ヒータ５によりガス分散板３及び
ガス分散板のセラミックスを溶射した熱放射用部材14を
加熱し、これより放射する赤外線を基板ホルダのセラミ
ックスを溶射した熱放射用部材14で熱吸収し、これより
放射する赤外線により基板ホルダ２及び基板４を直接加
熱することになり、基板４はプロセス条件まで加熱され
ることになる。
ヒータ５により基板ホルダ２及び基板ホルダのセラミッ
クスを溶射した熱放射用部材14上の基板４を直接加熱す
ると共に基板ホルダのセラミックスを溶射した熱放射用
部材14の加熱により放射する赤外線をガス分散板のセラ
ミックスを溶射した熱放射用部材14で熱吸収し、該セラ
ミックスを溶射した熱放射用部材14によりガス分散板３
を加熱するか又は基板ヒータ５によりガス分散板３及び
ガス分散板のセラミックスを溶射した熱放射用部材14を
加熱し、これより放射する赤外線を基板ホルダのセラミ
ックスを溶射した熱放射用部材14で熱吸収し、これより
放射する赤外線により基板ホルダ２及び基板４を直接加
熱することになり、基板４はプロセス条件まで加熱され
ることになる。
このように基板ヒータ５を有する電極（基板ホルダ２
又はガス分散板３）及び基板４が加熱されることは勿
論、基板ヒータ５を持たない電極（ガス分散板３又は基
板ホルダ２）及び基板４も加熱されることになるため輻
射伝熱効率を高めることができ、カソード側電極，基板
4,アノード側電極の温度差が少なくなり、プラズマ発生
と反応ガスにより基板４上に薄膜が強固に生成される
が、余分な反応ガスは上記従来電極構造と相違し、ホッ
トウォール化により基板ヒータ５を持たない電極にも固
着物（薄膜）が強固に付着し、剥離による塵埃粒子の発
生が抑制されることになり、運転中のアノード側電極ま
たはカソード側電極の固着物を頻繁に除去することが回
避されると共に均一な薄膜の形成が可能となり品質の向
上が図れる。
又はガス分散板３）及び基板４が加熱されることは勿
論、基板ヒータ５を持たない電極（ガス分散板３又は基
板ホルダ２）及び基板４も加熱されることになるため輻
射伝熱効率を高めることができ、カソード側電極，基板
4,アノード側電極の温度差が少なくなり、プラズマ発生
と反応ガスにより基板４上に薄膜が強固に生成される
が、余分な反応ガスは上記従来電極構造と相違し、ホッ
トウォール化により基板ヒータ５を持たない電極にも固
着物（薄膜）が強固に付着し、剥離による塵埃粒子の発
生が抑制されることになり、運転中のアノード側電極ま
たはカソード側電極の固着物を頻繁に除去することが回
避されると共に均一な薄膜の形成が可能となり品質の向
上が図れる。
以下図面により本発明の実施例を説明する。
第１図は本発明電極構造の第１実施例を適用したプラ
ズマCVD装置の構成を示す断面図で、１は真空容器、2,3
はそれぞれこの真空容器１内に対向配設した基板ホルダ
及び多数の細孔７を有するガス分散板である。基板ホル
ダ２には基板４が装着され、基板ホルダ２の背面に基板
ヒータ５が取付けられており、ヒータ加熱用シース線11
は、真空容器１に貫通して支持され接地されている。
ズマCVD装置の構成を示す断面図で、１は真空容器、2,3
はそれぞれこの真空容器１内に対向配設した基板ホルダ
及び多数の細孔７を有するガス分散板である。基板ホル
ダ２には基板４が装着され、基板ホルダ２の背面に基板
ヒータ５が取付けられており、ヒータ加熱用シース線11
は、真空容器１に貫通して支持され接地されている。
基板ホルダ２及びガス分散板３にそれぞれ無孔のセラ
ミックスからなる熱放射用部材14及び該ガス分散板３の
細孔７と同一孔径の孔を有する同様の熱放射用部材14が
溶射により設けられており、基板ヒータ５を有する基板
ホルダ２はアノード側電極を，ガス分散板３はカソード
側電極を構成している。
ミックスからなる熱放射用部材14及び該ガス分散板３の
細孔７と同一孔径の孔を有する同様の熱放射用部材14が
溶射により設けられており、基板ヒータ５を有する基板
ホルダ２はアノード側電極を，ガス分散板３はカソード
側電極を構成している。
６はガス分散板３のガス導入管で、ガス導入口6aを有
する。10はガス分散板３の背面及びガス導入管６の周囲
に設けられた高周波シールド、８は高周波シールド10と
ガス導入管６との間に埋設され高周波絶縁処理された真
空シール、９はガス分散板３と高周波シールド10との間
に設けられた絶縁物、12はヒータ加熱用シース線11とガ
ス導入管６との間に接続された高周波電源である。
する。10はガス分散板３の背面及びガス導入管６の周囲
に設けられた高周波シールド、８は高周波シールド10と
ガス導入管６との間に埋設され高周波絶縁処理された真
空シール、９はガス分散板３と高周波シールド10との間
に設けられた絶縁物、12はヒータ加熱用シース線11とガ
ス導入管６との間に接続された高周波電源である。
第２図は第２実施例を適用したプラズマCVD装置の構
成を示す断面図で、この第２実施例は、基板ヒータ５を
有するガス分散板３及び基板ホルダ２に、それぞれ有孔
及び無孔の、セラミックスを溶射した熱放射用部材14が
設けられており、基板ホルダ２はアノード側電極を，基
板ヒータ５を有するガス分散板３はカソード側電極を構
成している。
成を示す断面図で、この第２実施例は、基板ヒータ５を
有するガス分散板３及び基板ホルダ２に、それぞれ有孔
及び無孔の、セラミックスを溶射した熱放射用部材14が
設けられており、基板ホルダ２はアノード側電極を，基
板ヒータ５を有するガス分散板３はカソード側電極を構
成している。
基板ヒータ５により基板ホルダ２及び無孔の、セラミ
ックスを溶射した熱放射用部材14上の基板４を直接加熱
すると共に無孔の、セラミックスを溶射した熱放射用部
材14の加熱により放射する赤外線を有孔の、セラミック
スを溶射した熱放射用部材14で熱吸収し、該有孔の、セ
ラミックスを溶射した熱放射用部材14によりガス分散板
３を加熱するか又は基板ヒータ５によりガス分散板３及
び有孔の、セラミックスを溶射した熱放射用部材14を加
熱し、これより放射する赤外線を無孔の、セラミックス
を溶射した熱放射用部材14で熱吸収し、これより放射す
る赤外線により基板ホルダ２及び基板４を直接加熱する
ことになり、基板４はプロセス条件まで加熱されること
になる。
ックスを溶射した熱放射用部材14上の基板４を直接加熱
すると共に無孔の、セラミックスを溶射した熱放射用部
材14の加熱により放射する赤外線を有孔の、セラミック
スを溶射した熱放射用部材14で熱吸収し、該有孔の、セ
ラミックスを溶射した熱放射用部材14によりガス分散板
３を加熱するか又は基板ヒータ５によりガス分散板３及
び有孔の、セラミックスを溶射した熱放射用部材14を加
熱し、これより放射する赤外線を無孔の、セラミックス
を溶射した熱放射用部材14で熱吸収し、これより放射す
る赤外線により基板ホルダ２及び基板４を直接加熱する
ことになり、基板４はプロセス条件まで加熱されること
になる。
このように基板ヒータ５を有する電極（基板ホルダ２
又はガス分散板３）及び基板４が加熱されることは勿
論、基板ヒータ５を持たない電極（ガス分散板３又は基
板ホルダ２）及び基板４も加熱されることになるため輻
射伝熱効率を高めることができ、カソード側電極，基板
4,アノード側電極の温度差が少なくなり、プラズマ発生
と反応ガスにより基板４上に薄膜が強固に生成される
が、余分な反応ガスは上記従来電極構造と相違し、ホッ
トウォール化により基板ヒータ５を持たない電極にも固
着物（薄膜）が強固に付着し、剥離による塵埃粒子の発
生が抑制されることになり、運転中のアノード側電極ま
たはカソード側電極の固着物を頻繁に除去することが回
避されると共に均一な薄膜の形成が可能となり品質の向
上が図れる。
又はガス分散板３）及び基板４が加熱されることは勿
論、基板ヒータ５を持たない電極（ガス分散板３又は基
板ホルダ２）及び基板４も加熱されることになるため輻
射伝熱効率を高めることができ、カソード側電極，基板
4,アノード側電極の温度差が少なくなり、プラズマ発生
と反応ガスにより基板４上に薄膜が強固に生成される
が、余分な反応ガスは上記従来電極構造と相違し、ホッ
トウォール化により基板ヒータ５を持たない電極にも固
着物（薄膜）が強固に付着し、剥離による塵埃粒子の発
生が抑制されることになり、運転中のアノード側電極ま
たはカソード側電極の固着物を頻繁に除去することが回
避されると共に均一な薄膜の形成が可能となり品質の向
上が図れる。
第３図は第３実施例を適用したプラズマCVD装置の構
成を示す断面図で、この第３実施例は、上記第１または
第２実施例において、基板ホルダ２の軸2aに軸封じ部32
を摺動自在に取付け、この軸封じ部32と真空容器１との
間を可撓性接手31で連結せしめてなる。
成を示す断面図で、この第３実施例は、上記第１または
第２実施例において、基板ホルダ２の軸2aに軸封じ部32
を摺動自在に取付け、この軸封じ部32と真空容器１との
間を可撓性接手31で連結せしめてなる。
このような構成の第３実施例にあっては、基板ホルダ
２の回転，水平または垂直移動等が容易に行なえるの
で、カソード側電極とアノード側電極間の間隔の調整，
基板４の着脱が短時間で可能となり、従来電極構造に比
べて操作性を改善することができる。
２の回転，水平または垂直移動等が容易に行なえるの
で、カソード側電極とアノード側電極間の間隔の調整，
基板４の着脱が短時間で可能となり、従来電極構造に比
べて操作性を改善することができる。
第４図は第４実施例を適用したプラズマCVD装置の構
成を示す断面図で、この第４実施例は、第1,第２または
第３実施例において、真空容器１内に基板ホルダ2,基板
ヒータ５及びガス分散板３の直角方向に加熱板41を収設
し、加熱板41の軸41aと基板ホルダ２の軸2aとを接続せ
しめ、加熱板41にセラミックスを溶射した熱放射用部材
14を設けてなる。
成を示す断面図で、この第４実施例は、第1,第２または
第３実施例において、真空容器１内に基板ホルダ2,基板
ヒータ５及びガス分散板３の直角方向に加熱板41を収設
し、加熱板41の軸41aと基板ホルダ２の軸2aとを接続せ
しめ、加熱板41にセラミックスを溶射した熱放射用部材
14を設けてなる。
カソード側電極，アノード側電極を直立配置した場
合、電極上方の真空容器器壁に温度の低い部分が存在
し、そこからの固着物の剥離による塵埃粒子の落下が膜
面欠陥発生の原因となるが、第４実施例では電極上方に
も図示のような加熱板41を設け、これにもセラミックス
を溶射した熱放射用部材14を設けたので、電極上方の真
空容器器壁にホットウォールが形成されることになり、
器壁からの塵埃粒子の直接の落下を防止し膜面欠陥発生
の効果を更に強化することができる。
合、電極上方の真空容器器壁に温度の低い部分が存在
し、そこからの固着物の剥離による塵埃粒子の落下が膜
面欠陥発生の原因となるが、第４実施例では電極上方に
も図示のような加熱板41を設け、これにもセラミックス
を溶射した熱放射用部材14を設けたので、電極上方の真
空容器器壁にホットウォールが形成されることになり、
器壁からの塵埃粒子の直接の落下を防止し膜面欠陥発生
の効果を更に強化することができる。
第５図は第５実施例を適用したプラズマCVD装置の構
成を示す断面図で、この第５実施例は、真空容器１内に
基板ヒータ５を有するガス分散板３を２枚，対向収設
し、その間に基板ホルダ２を配置せしめ、２組のガス分
散板3,3及び基板ホルダ２の両面に、それぞれ有孔及び
無孔の、セラミックスを溶射した熱放射用部材14を設け
てなる。
成を示す断面図で、この第５実施例は、真空容器１内に
基板ヒータ５を有するガス分散板３を２枚，対向収設
し、その間に基板ホルダ２を配置せしめ、２組のガス分
散板3,3及び基板ホルダ２の両面に、それぞれ有孔及び
無孔の、セラミックスを溶射した熱放射用部材14を設け
てなる。
この第５実施例にあっては、基板ホルダ２及び基板４
は両側のカソード側電極に設けた有孔の、セラミックス
を溶射した熱放射用部材14からの赤外線により直接加熱
されるので、片側加熱の場合に比べて加熱効率を大幅に
改善することができ、更に基板装着枚数を２倍とするこ
とができるので、装置効率の大幅改善が可能である。
は両側のカソード側電極に設けた有孔の、セラミックス
を溶射した熱放射用部材14からの赤外線により直接加熱
されるので、片側加熱の場合に比べて加熱効率を大幅に
改善することができ、更に基板装着枚数を２倍とするこ
とができるので、装置効率の大幅改善が可能である。
第６図は第６実施例を適用したプラズマCVD装置の構
成を示す断面図で、この第６実施例は、第５実施例にお
いて基板ホルダ２にホルダ移送機構61を設けてなる。
成を示す断面図で、この第６実施例は、第５実施例にお
いて基板ホルダ２にホルダ移送機構61を設けてなる。
この第６実施例によれば、第５実施例と同様の作用効
果を奏する以外に、アノード側電極を共通の単板型基板
ホルダ（両面装着）２とし、下部にホルダ移送機構61
（接地機構を含む）を設けたので基板ホルダ２の送入送
出を容易に行うことができ、基板の着脱の操作軸を改善
することが可能である。
果を奏する以外に、アノード側電極を共通の単板型基板
ホルダ（両面装着）２とし、下部にホルダ移送機構61
（接地機構を含む）を設けたので基板ホルダ２の送入送
出を容易に行うことができ、基板の着脱の操作軸を改善
することが可能である。
本発明を実施することにより、プラズマCVD装置の操
作時における基板周辺部分，カソード側またはアノード
側電極面からの固着物の剥離による塵埃粒子発生の抑制
効果は実験により明らかであった。実装置の連続運転時
間の延長が可能になること、また第２図に示す第２実施
例ではアノード側（接地側）電極が極めて単純化される
ので装置の操作性向上が可能となることなどにより装置
のスループットの改善効果は極めて大きい。
作時における基板周辺部分，カソード側またはアノード
側電極面からの固着物の剥離による塵埃粒子発生の抑制
効果は実験により明らかであった。実装置の連続運転時
間の延長が可能になること、また第２図に示す第２実施
例ではアノード側（接地側）電極が極めて単純化される
ので装置の操作性向上が可能となることなどにより装置
のスループットの改善効果は極めて大きい。
上述の説明より明らかなように本発明によれば、基板
ヒータ５を有する電極（基板ホルダ２又はガス分散板
３）及び基板４が基板ヒータ５により加熱されることは
勿論、基板ヒータ５を持たない電極（ガス分散板３又は
基板ホルダ２）及び基板４も、基板ヒータ５により熱さ
れて、基板ヒータ５を有する電極側のセラミックスを溶
射した熱放射用部材14より放射する赤外線を、基板ヒー
タ５を持たない電極側のセラミックスを溶射した熱放射
用部材14に熱吸収し、これより放射する赤外線で加熱さ
れるので、輻射伝熱効率を高めることができ、カソード
側電極，アノード側電極，基板４の温度差を少なくで
き、プラズマ発生と反応ガスにより基板４上に薄膜を強
固に生成するが、余分な反応ガスはホットウォール化に
より基板ヒータ５を持たない電極にも固着物（薄膜）を
強固に付着できるため、剥離による塵埃粒子の発生を抑
制でき、運転中のアノード側電極またはカソード側電極
の固着物を頻繁に除去することを回避できると共に、均
一な膜質の形成ができ、品質の向上を図ることができ
る。また、基板４を両電極に設けられたセラミックスを
溶射した熱放射用部材14により直接加熱できるため、プ
ロセス条件の温度コントロールが容易になり、また基板
４部分がホットウォールになるため、良好な薄膜を生成
できるばかりでなく、プラズマCVD装置の連続運転時間
の延長を図ることができる等の効果を奏する。
ヒータ５を有する電極（基板ホルダ２又はガス分散板
３）及び基板４が基板ヒータ５により加熱されることは
勿論、基板ヒータ５を持たない電極（ガス分散板３又は
基板ホルダ２）及び基板４も、基板ヒータ５により熱さ
れて、基板ヒータ５を有する電極側のセラミックスを溶
射した熱放射用部材14より放射する赤外線を、基板ヒー
タ５を持たない電極側のセラミックスを溶射した熱放射
用部材14に熱吸収し、これより放射する赤外線で加熱さ
れるので、輻射伝熱効率を高めることができ、カソード
側電極，アノード側電極，基板４の温度差を少なくで
き、プラズマ発生と反応ガスにより基板４上に薄膜を強
固に生成するが、余分な反応ガスはホットウォール化に
より基板ヒータ５を持たない電極にも固着物（薄膜）を
強固に付着できるため、剥離による塵埃粒子の発生を抑
制でき、運転中のアノード側電極またはカソード側電極
の固着物を頻繁に除去することを回避できると共に、均
一な膜質の形成ができ、品質の向上を図ることができ
る。また、基板４を両電極に設けられたセラミックスを
溶射した熱放射用部材14により直接加熱できるため、プ
ロセス条件の温度コントロールが容易になり、また基板
４部分がホットウォールになるため、良好な薄膜を生成
できるばかりでなく、プラズマCVD装置の連続運転時間
の延長を図ることができる等の効果を奏する。
第１図は本発明電極構造の第１実施例を適用したプラズ
マCVD装置の構成を示す断面図、第２図は第２実施例を
適用したプラズマCVD装置の構成を示す断面図、第３図
は第３実施例を適用したプラズマCVD装置の構成を示す
断面図、第４図は第４実施例を適用したプラズマCVD装
置の構成を示す断面図、第５図は第５実施例を適用した
プラズマCVD装置の構成を示す断面図、第６図は第６実
施例を適用したプラズマCVD装置の構成を示す断面図、
第７図は従来の電極構造の一例を適用したプラズマCVD
装置の構成を示す断面図である。 １……真空容器、２……基板ホルダ、2a……軸、３……
ガス分散板、４……基板、５……基板ヒータ、14……セ
ラミックスを溶射した熱放射用部材、31……可撓性接
手、32……軸封じ部、41……加熱板、41a……軸、61…
…ホルダ移送機構。
マCVD装置の構成を示す断面図、第２図は第２実施例を
適用したプラズマCVD装置の構成を示す断面図、第３図
は第３実施例を適用したプラズマCVD装置の構成を示す
断面図、第４図は第４実施例を適用したプラズマCVD装
置の構成を示す断面図、第５図は第５実施例を適用した
プラズマCVD装置の構成を示す断面図、第６図は第６実
施例を適用したプラズマCVD装置の構成を示す断面図、
第７図は従来の電極構造の一例を適用したプラズマCVD
装置の構成を示す断面図である。 １……真空容器、２……基板ホルダ、2a……軸、３……
ガス分散板、４……基板、５……基板ヒータ、14……セ
ラミックスを溶射した熱放射用部材、31……可撓性接
手、32……軸封じ部、41……加熱板、41a……軸、61…
…ホルダ移送機構。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青木 大也 東京都西多摩郡羽村町神明台２―１―１ 国際電気株式会社羽村工場内 (72)発明者 村松 文雄 東京都西多摩郡羽村町神明台２―１―１ 国際電気株式会社羽村工場内 (56)参考文献 特開 昭62−299014（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−218577（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】真空容器（１）内に設けられ基板（４）が
装着された基板ホルダ（２）と、これに対向配置したガ
ス分散板（３）とよりなり、基板ホルダ（２）又はガス
分散板（３）に基板ヒータ（５）を設け、基板ホルダ
（２）及びガス分散板（３）にそれぞれセラミックスを
溶射した熱放射用部材（14）を設けてなるプラズマCVD
装置用電極構造。 - 【請求項２】基板ホルダ（２）の軸（2a）に軸封じ部
（32）を摺動自在に取付け、この軸封じ部（32）と真空
容器（１）との間を可撓性接手（31）で連結せしめてな
る請求項第１項に記載のプラズマCVD装置用電極構造。 - 【請求項３】真空容器（１）内に基板ホルダ（２）及び
ガス分散板（３）の直角方向に加熱板（41）を収設し、
加熱板（41）の軸（41a）と基板ホルダ（２）の軸（2
a）とを接続せしめ、加熱板（41）にセラミックスを溶
射した熱放射用部材（14）を設けてなる請求項第１項，
第２項のいずれかに記載のプラズマCVD装置用電極構
造。 - 【請求項４】真空容器（１）内に基板ヒータ（５）を有
するガス分散板（３）を２枚，対向収設し、その間に基
板ホルダ（２）を配置せしめ、２組のガス分散板（3,
3）及び基板ホルダ（２）の両面にそれぞれセラミック
スを溶射した熱放射用部材（14）を設けてなるプラズマ
CVD装置用電極構造。 - 【請求項５】基板ホルダ（２）にホルダ移送機構（61）
を設けてなる請求項第４項記載のプラズマCVD装置用電
極構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1199933A JP2701242B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | プラズマｃｖｄ装置用電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1199933A JP2701242B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | プラズマｃｖｄ装置用電極構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0362923A JPH0362923A (ja) | 1991-03-19 |
| JP2701242B2 true JP2701242B2 (ja) | 1998-01-21 |
Family
ID=16416009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1199933A Expired - Fee Related JP2701242B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | プラズマｃｖｄ装置用電極構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2701242B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2532401Y2 (ja) * | 1991-04-16 | 1997-04-16 | ソニー株式会社 | バイアスｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 |
| JP2007279440A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Toshiba Corp | ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法 |
| CN104772305B (zh) * | 2015-04-20 | 2017-12-26 | 大连理工大学 | 直流级联弧等离子体炬清洗托卡马克第一镜的装置 |
| CN104772306A (zh) * | 2015-04-20 | 2015-07-15 | 大连理工大学 | 直流级联弧等离子体炬清洗托卡马克第一镜的方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62218577A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 気相反応装置用電極 |
| JPS62299014A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-26 | Fujitsu Ltd | 半導体膜の製造方法及びプラズマｃｖｄ用マスク |
-
1989
- 1989-07-31 JP JP1199933A patent/JP2701242B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0362923A (ja) | 1991-03-19 |
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