JPS60263428A - 気相成長装置用サセプタ - Google Patents
気相成長装置用サセプタInfo
- Publication number
- JPS60263428A JPS60263428A JP12049184A JP12049184A JPS60263428A JP S60263428 A JPS60263428 A JP S60263428A JP 12049184 A JP12049184 A JP 12049184A JP 12049184 A JP12049184 A JP 12049184A JP S60263428 A JPS60263428 A JP S60263428A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- main body
- ring
- outer periphery
- temperature
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は気相成長装置用サセプタに関する。
半導体装置の製造に使用するエピタキ7ヤル装置やCV
D装置等の気相成長装置は、試料基板の大口径化および
1回の処理枚数の増加に伴い試料基板を載置するサセプ
タ面積は大形化が指向されている。このサセプタはその
全体を高周波誘導加熱方式或いは特定波長の光によるラ
ンプ加熱方式等をもって発熱させることにより、その上
面に載置されている試料基板を加熱して気相成長させて
いる。しかして半導体装置の高品質化のためには気相成
長薄膜の膜厚や膜特性等の均一制御が不可欠であり、そ
のためKはサセプタ表面温度の均一分布が強くめられて
いる。しかしながらサセプタ表面温度は加熱エネルギー
や輻射エネルギーと、これに対するガス流によって持ち
去られる伝導および対流エネルギー等の局所的なアンバ
ランスがあり、さらにサセプタ面積の大形化指向は表面
温度の均一化を困難にしていた。
D装置等の気相成長装置は、試料基板の大口径化および
1回の処理枚数の増加に伴い試料基板を載置するサセプ
タ面積は大形化が指向されている。このサセプタはその
全体を高周波誘導加熱方式或いは特定波長の光によるラ
ンプ加熱方式等をもって発熱させることにより、その上
面に載置されている試料基板を加熱して気相成長させて
いる。しかして半導体装置の高品質化のためには気相成
長薄膜の膜厚や膜特性等の均一制御が不可欠であり、そ
のためKはサセプタ表面温度の均一分布が強くめられて
いる。しかしながらサセプタ表面温度は加熱エネルギー
や輻射エネルギーと、これに対するガス流によって持ち
去られる伝導および対流エネルギー等の局所的なアンバ
ランスがあり、さらにサセプタ面積の大形化指向は表面
温度の均一化を困難にしていた。
従来の一般的なサセプタの一例を第1図および第2図に
より述べる。サセプタ11はその上面に複数の試料基板
12を載置するためザグリ加工がしてあり、その表面1
sic被覆されたカーボン板からなっている。なお13
は回転軸(図示せず)全挿入する穴である。このような
サセプタ11の周辺部は発熱体の単位体積当りの表面積
が中央部に比較すると大きいため、輻射によるエネルギ
ー損失の割合は大きくその分だけ表面温度が低下する。
より述べる。サセプタ11はその上面に複数の試料基板
12を載置するためザグリ加工がしてあり、その表面1
sic被覆されたカーボン板からなっている。なお13
は回転軸(図示せず)全挿入する穴である。このような
サセプタ11の周辺部は発熱体の単位体積当りの表面積
が中央部に比較すると大きいため、輻射によるエネルギ
ー損失の割合は大きくその分だけ表面温度が低下する。
これに対処するためサセプタ周辺部のみ加熱エネルギー
を増加させる方法によりサセプタ表面全体での温度バラ
ツキ全抑制していたが、サセプタ面積の大形化に伴いこ
の方法では良好な結果が得られなかった。
を増加させる方法によりサセプタ表面全体での温度バラ
ツキ全抑制していたが、サセプタ面積の大形化に伴いこ
の方法では良好な結果が得られなかった。
第5図はこの従来例におけるサセプタ中心からの距離に
対する温度線図であって、サセプタ11外周端面から約
251mの範囲は温度が低く均一でないため試料基板1
2を載置することはできない。
対する温度線図であって、サセプタ11外周端面から約
251mの範囲は温度が低く均一でないため試料基板1
2を載置することはできない。
勢 このようにサセプタl 1に試料基板12を載置す
ることが不可能な面積が多いことは省エネルギーおよび
省スペースの点から好ましくなかった。この問題を解決
するため、第3図および第4図に示すように、サセプタ
21の外周寄りに溝22を設け、この溝22の断熱効果
や誘導加熱による発熱の度合全変化させて溝22の内側
部分の温度の均一性を高めるようにしたものが提案され
ている(実願昭59−35719号)が、この溝22内
に付着した反応生成物がサセプタ21の温度の昇降に伴
ってはく離し、ウェハの汚染原因となる。
ることが不可能な面積が多いことは省エネルギーおよび
省スペースの点から好ましくなかった。この問題を解決
するため、第3図および第4図に示すように、サセプタ
21の外周寄りに溝22を設け、この溝22の断熱効果
や誘導加熱による発熱の度合全変化させて溝22の内側
部分の温度の均一性を高めるようにしたものが提案され
ている(実願昭59−35719号)が、この溝22内
に付着した反応生成物がサセプタ21の温度の昇降に伴
ってはく離し、ウェハの汚染原因となる。
本発明はこのような観点からなされたものでその目的は
、サセプタの表面形状をより単純な形に保ったまま、サ
セプタ表面温度をサセプタ周辺部も中央部もより均一に
できるようにした気相成長装置用サセプタを提供するこ
とにある。
、サセプタの表面形状をより単純な形に保ったまま、サ
セプタ表面温度をサセプタ周辺部も中央部もより均一に
できるようにした気相成長装置用サセプタを提供するこ
とにある。
本発明の気相成長装置用サセプタは、サセプタを2以上
の部材の組合せによりウェハを載置するザグリ部を除い
て実質的に凹凸のない板状に形成すると共に、サセプタ
の外周寄りに熱の不良導帯部を設けたことを特徴として
いる。
の部材の組合せによりウェハを載置するザグリ部を除い
て実質的に凹凸のない板状に形成すると共に、サセプタ
の外周寄りに熱の不良導帯部を設けたことを特徴として
いる。
以下本発明の一実施例を示す第6図ないし第7図につい
て説明する。サセプタ30の本体31の外周上面側には
段部32が形成され、この段部32にリング33が係合
されている。このリング33の材料としては本体31と
同じく高周波により加熱される発熱体であるカーボンで
もよく、または加熱されないが熱容量が比較的大きいと
共に熱伝導が低く、かつ耐熱性、耐食性に富む石英やS
i、C等でもよい。両者の係合は、密にせず、熱伝導を
押えるように、若干すき間が生じる程度にすることが好
ましい。
て説明する。サセプタ30の本体31の外周上面側には
段部32が形成され、この段部32にリング33が係合
されている。このリング33の材料としては本体31と
同じく高周波により加熱される発熱体であるカーボンで
もよく、または加熱されないが熱容量が比較的大きいと
共に熱伝導が低く、かつ耐熱性、耐食性に富む石英やS
i、C等でもよい。両者の係合は、密にせず、熱伝導を
押えるように、若干すき間が生じる程度にすることが好
ましい。
このように、本体31の外周部にこれとは別に形成しi
IJソング3を保合すると、本体31からリング33
への熱伝導が低下するため、第8図に示すように、リン
グ33の温度は、第1図に示した、単体のサセプタ11
の外周部の温度より低下するが、本体31自身の外周部
の温度低下は防止され、総合的に見て、温度が均一な範
囲を拡大することができる。
IJソング3を保合すると、本体31からリング33
への熱伝導が低下するため、第8図に示すように、リン
グ33の温度は、第1図に示した、単体のサセプタ11
の外周部の温度より低下するが、本体31自身の外周部
の温度低下は防止され、総合的に見て、温度が均一な範
囲を拡大することができる。
第9図は、本体31からリング33への熱伝導をより小
さく押えるため5両者の間に積極的にすき間34.35
’i形成したものである。
さく押えるため5両者の間に積極的にすき間34.35
’i形成したものである。
第10図は、本発明の他の実施例を示すもので。
サセプタ360本体37の裏面側の内、外周寄りに溝3
8.39を設け、この溝38.39内にリング40.4
1’z係合し、板42でカバーしたものである。また、
第11図は、第10図に示した本体37の溝38.39
”f空間とし、板42でおおったものであシ、溝38.
39の断熱作用により本体37の外周部の温度低下が内
部に及ぶことを押えるようにしたものである。
8.39を設け、この溝38.39内にリング40.4
1’z係合し、板42でカバーしたものである。また、
第11図は、第10図に示した本体37の溝38.39
”f空間とし、板42でおおったものであシ、溝38.
39の断熱作用により本体37の外周部の温度低下が内
部に及ぶことを押えるようにしたものである。
以上述べたように本発明によれば、サセプタの外形は従
来と同様の単純な板状であり、溝などがないため、反応
生成物が付着しても、エツチング工程によって容易に除
去することができ、このため、反応生成物が堆積しては
く離することによるウェハの汚染を防止でき、さらにサ
セプタの外周部の温度が低下しても外周寄りに設けた熱
の不良導帯部により熱伝達が押えられるので温度の均一
部分の範囲を拡大することができ、サセプタの有効面積
を拡大できると共に、より高品質の気相成長が可能にな
る。
来と同様の単純な板状であり、溝などがないため、反応
生成物が付着しても、エツチング工程によって容易に除
去することができ、このため、反応生成物が堆積しては
く離することによるウェハの汚染を防止でき、さらにサ
セプタの外周部の温度が低下しても外周寄りに設けた熱
の不良導帯部により熱伝達が押えられるので温度の均一
部分の範囲を拡大することができ、サセプタの有効面積
を拡大できると共に、より高品質の気相成長が可能にな
る。
第1図および第3図は従来装置の一例を示す平面図、第
2図および第4図は第1図の2−2線と第3図の4−4
線による断面をそれぞれ示す図、第5図は第1.2図に
示した従来装置のサセプタ中心からの距離に対する温度
線図、第6図は本発明の一実施例全示す平面図、第7図
は第6図の6−6線による断面図、第8図は第6.7図
に示した本発明のサセプタの中心からの距離に対する温
度線図、第9図は第7図に示したサセプタのより好しい
例を示す部分拡大図、第10図および第11図は本発明
の他の実施例を示す断面図である。 12・・・試料基板、 30.36・・・サセプタ、3
1.37・・・サセプタ本体、32・・・段部、33、
4Q、 41・・・リング、34.35・・・すき間、
38、39・・・溝% 42・・・板。 出願人 東芝機械株式会社 7− 片10図 42 40 38 41 J9 第11図 42 38 39
2図および第4図は第1図の2−2線と第3図の4−4
線による断面をそれぞれ示す図、第5図は第1.2図に
示した従来装置のサセプタ中心からの距離に対する温度
線図、第6図は本発明の一実施例全示す平面図、第7図
は第6図の6−6線による断面図、第8図は第6.7図
に示した本発明のサセプタの中心からの距離に対する温
度線図、第9図は第7図に示したサセプタのより好しい
例を示す部分拡大図、第10図および第11図は本発明
の他の実施例を示す断面図である。 12・・・試料基板、 30.36・・・サセプタ、3
1.37・・・サセプタ本体、32・・・段部、33、
4Q、 41・・・リング、34.35・・・すき間、
38、39・・・溝% 42・・・板。 出願人 東芝機械株式会社 7− 片10図 42 40 38 41 J9 第11図 42 38 39
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 サセプタを2以上の部材の組合せによりウェハを
載置するザグリ部を除いて実質的に凹凸のない板状に形
成すると共に、該サセプタの外周寄りに熱の不良導帯部
を設iたこと全特徴とする気相成長装置用サセプタ。 2 サセプタ本体の外周にリングを係合させたことを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の気相成長装置用サ
セプタ。 3 サセプタ本体とリングとの間に比較的太きなすき間
を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
気相成長装置用サセプタ。 4 サセプタの裏面外周寄りに溝を設け、該裏面を板で
カバーしたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の気相成長装置用サセプタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12049184A JPS60263428A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 気相成長装置用サセプタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12049184A JPS60263428A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 気相成長装置用サセプタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60263428A true JPS60263428A (ja) | 1985-12-26 |
Family
ID=14787501
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12049184A Pending JPS60263428A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 気相成長装置用サセプタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60263428A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS622614A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 赤外線加熱装置 |
US5800622A (en) * | 1995-07-21 | 1998-09-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Vapor-phase growth apparatus and compound semiconductor device fabricated thereby |
US5951774A (en) * | 1995-01-27 | 1999-09-14 | Nec Corporation | Cold-wall operated vapor-phase growth system |
WO2005017988A1 (ja) * | 2003-08-15 | 2005-02-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
-
1984
- 1984-06-12 JP JP12049184A patent/JPS60263428A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS622614A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 赤外線加熱装置 |
US5951774A (en) * | 1995-01-27 | 1999-09-14 | Nec Corporation | Cold-wall operated vapor-phase growth system |
US5800622A (en) * | 1995-07-21 | 1998-09-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Vapor-phase growth apparatus and compound semiconductor device fabricated thereby |
WO2005017988A1 (ja) * | 2003-08-15 | 2005-02-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
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