JPH0359591B2 - - Google Patents

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JPH0359591B2
JPH0359591B2 JP58016576A JP1657683A JPH0359591B2 JP H0359591 B2 JPH0359591 B2 JP H0359591B2 JP 58016576 A JP58016576 A JP 58016576A JP 1657683 A JP1657683 A JP 1657683A JP H0359591 B2 JPH0359591 B2 JP H0359591B2
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JP
Japan
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insulating film
integrated circuit
conductive path
substrate
connecting body
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JP58016576A
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JPS59141258A (ja
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Akira Kazami
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
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    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
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    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
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    • H05K1/00—Printed circuits
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Description

【発明の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本発明は混成集積回路、特に高密度集積化に適
合した混成集積回路の改良に関する。
(ロ) 従来技術 従来の混成集積回路は第１図に示す如く、金属
基板１の一主面に絶縁薄層を設けて所望の導電路
２を設け、導電路２上に半導体集積回路、チツプ
抵抗あるいはチツプコンデンサー等の回路素子３
を固着して、第２図の如く外部リード４のみを残
して全体を樹脂５でモールドして形成していた。
斯る混成集積回路は金属基板１の一主面に形成
されるため、ある程度の集積度を確保するには高
さが必要となり、電子機器の薄型化設計の難点と
なつていた。この原因は主として外部リード４の
固着パツド６にかなりの面積が必要となるためで
ある。
本発明者は斯上の欠点を除去するために第３図
および第４図に示す混成集積回路を考えた。この
混成集積回路は２枚の金属基板１１，１２と、基
板１１，１２を接続する絶縁フイルム１３と、フ
イルム１３上に設けた導電路１４と、導電路１４
上に固着した半導体集積回路、チツプ抵抗あるい
はチツプコデンサー等の複数の回路素子１５とを
具備し、基板１１，１２の離間部分で絶縁フイル
ム１３を折り曲げて第４図の如くプリント基板１
６に実装される。この構造に依れば従来と同じ集
積度を有する混成集積回路を約半分の高さにでき
る利点を有する。
しかし折曲部分がフレキシブルな絶縁フイルム
１３であるので、折曲角度等の形状を定型化でき
ず自動挿入を行なえず、また絶縁フイルム１３で
の破断も発生するおそれがあつた。
(ハ) 発明の目的 本発明は斯上した欠点に鑑みてなされ、斯る欠
点を大巾に除去した量産容易な混成集積回路を提
供することにある。
(ニ) 発明の構成 本発明による混成集積回路は第５図に示す如
く、金属基板２１と、基板２１と折曲部分に設け
た切欠孔２２および連結体２３と、基板２１の一
主面に付着した絶縁フイルム２４と、絶縁フイル
ム２４上に設けた導電路２５と、導電路２５上に
固着した複数の回路素子２６とを具備し、絶縁フ
イルム２４を連結体２３部分で切欠いたことを特
徴としている。
(ホ) 実施例 金属基板２１は0.5〜1.0mm厚の良熱伝導性のア
ルミニウムで形成され、その表面は酸化アルミニ
ウム膜で被覆しても良い。金属基板２１の折曲部
分２０となる中央部にはプレス打抜きで設けた細
長い切欠孔２２と金属基板２１をそのまま残存さ
せた複数本の連結体２３を設ける。連結体２３は
金属基板２１を一体的に支持し、折曲げても定型
を保持する働きを有する。絶縁フイルム２４はポ
リイミド等を用い、金属基板２１の一主面の略全
面にエポキシ樹脂等の接着剤で付着する。絶縁フ
イルム２４の一主面には導電路２５となる銅箔を
貼着しておき、この銅箔を選択的にエツチングし
て所望形状の導電路２５と形成する。導電路２５
は第５図から明らかな様に両端に実装するプリン
ト基板の電極に半田付けするパツド２７を配列
し、パツド２７から導電路２５を絶縁フイルム２
４上に延在させる。回路素子２６が固着される導
電路２５の部分は基板２１全体に位置する様に設
計し、基板２１の折曲部分を除いて半導体集積回
路、チツプ抵抗あるいはチツプコンデンサー等の
複数の回路素子を導電路２５上に固着する。
本発明の特徴は絶縁フイルム２４を金属基板２
１の連結体２３の部分で切欠くことにある。即ち
絶縁フイルム２４は折曲部分では切欠孔２２上に
のみ存在させるのである。その結果金属基板２１
を折曲部分で曲折しても、第６図の如く連結体２
３が単に曲折されているだけで、絶縁フイルム２
４のある曲折部分では切欠孔２２の存在により絶
縁フイルム２４が引き伸ばされることなく基板２
１を曲折できる。
(ハ) 発明の効果 本発明に依れば、従来と同じ集積度を有する混
成集積回路を約半分の高さにでき、且つフレキシ
ブルな絶縁フイルム２４により基板の折曲も容易
に行なえる利点を有する。
更に絶縁フイルム２４の切欠によつて基板２１
の曲折を連結体２３ででき、絶縁フイルム２４が
無用に引つ張られるおそれは完全に防止できる。
そして基板２１の曲折形状は任意であり、その形
状に定型化でき、実装上きわめて有利となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の混成集積回路を説明する平面
図、第２図はその側面断面図、第３図は従来の改
良した混成集積回路を説明する平面図、第４図は
第３図の混成集積回路を実装した側面断面図、第
５図は本発明の混成集積回路を説明する平面図、
第６図および第７図は本発明の混成集積回路の側
面断面図である。 主な図番の説明、２１は金属基板、２２は切欠
孔、２３は連結体、２４は絶縁フイルム、２５は
導電路、２６は回路素子である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 金属基板と、 前記金属基板の折り曲げ部分に設けらた細長い
    切欠孔と前記基板の切欠孔両端部に設けられた連
    結体と、 前記基板の表面に付着した絶縁フイルムと、 前記フイルム上に設けた所望の導電路と、 前記導電路上に固着された複数の回路素子とを
    具備し、 前記絶縁フイルムを前記連結体部分で切欠き、
    前記連結体を用いて折り曲げ配置し、前記切欠孔
    で分離された基板の夫々の金属露出面を対向保持
    させたことを特徴とする混成集積回路。
JP58016576A 1983-02-02 1983-02-02 混成集積回路 Granted JPS59141258A (ja)

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JP58016576A JPS59141258A (ja) 1983-02-02 1983-02-02 混成集積回路

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JPS59141258A JPS59141258A (ja) 1984-08-13
JPH0359591B2 true JPH0359591B2 (ja) 1991-09-11

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JP58016576A Granted JPS59141258A (ja) 1983-02-02 1983-02-02 混成集積回路

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JPS61207041U (ja) * 1985-06-14 1986-12-27
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