JPH0442938Y2 - - Google Patents
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- JPH0442938Y2 JPH0442938Y2 JP1986194762U JP19476286U JPH0442938Y2 JP H0442938 Y2 JPH0442938 Y2 JP H0442938Y2 JP 1986194762 U JP1986194762 U JP 1986194762U JP 19476286 U JP19476286 U JP 19476286U JP H0442938 Y2 JPH0442938 Y2 JP H0442938Y2
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- insulating film
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- film
- conductive path
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- Expired
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
Landscapes
- Casings For Electric Apparatus (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は混成集積回路に関し、特に二枚の金属
基板から成り高密度集積化に適合した混成集積回
路の改良に関する。
基板から成り高密度集積化に適合した混成集積回
路の改良に関する。
(ロ) 従来の技術
従来絶縁フイルムを用いた折曲げ基板は第２図
に示す如く、二枚の金属基板１１，１２と、基板
１１，１２を接続する絶縁フイルム１３と、フイ
ルム１３上に設けた導電路１４と、導電路１４上
に固着した半導体集積回路、チツプ抵抗あるいは
チツプコンデンサー等の複数の回路素子１５とを
具備している。
に示す如く、二枚の金属基板１１，１２と、基板
１１，１２を接続する絶縁フイルム１３と、フイ
ルム１３上に設けた導電路１４と、導電路１４上
に固着した半導体集積回路、チツプ抵抗あるいは
チツプコンデンサー等の複数の回路素子１５とを
具備している。
金属基板１１，１２は0.5〜1.0mm厚の良熱伝導
性のアルミニウムで形成され、エポキシ樹脂等の
接着剤により基板１１，１２を夫々の厚みだけ離
間させてポリイミド等の絶縁フイルム１３で接続
する。絶縁フイルム１３の反対主面には導電路１
４となる銅箔を貼着しておき 銅箔を選択的にエ
ツチングして所望形状の導電路１４を形成する。
導電路１４は第３図からも明らかな様に一方の基
板１２の端部に外部リード１６を半田付けするパ
ツド１７を並べ、パツド１７から導電路１４を絶
縁フイルム１３上に延在させる。回路素子１５を
固着する導電路１４の部分は両方の基板１１，１
２上に位置する様に設計し、基板１１，１２の離
間部分には折り曲げのため回路素子１５を設けな
い。
性のアルミニウムで形成され、エポキシ樹脂等の
接着剤により基板１１，１２を夫々の厚みだけ離
間させてポリイミド等の絶縁フイルム１３で接続
する。絶縁フイルム１３の反対主面には導電路１
４となる銅箔を貼着しておき 銅箔を選択的にエ
ツチングして所望形状の導電路１４を形成する。
導電路１４は第３図からも明らかな様に一方の基
板１２の端部に外部リード１６を半田付けするパ
ツド１７を並べ、パツド１７から導電路１４を絶
縁フイルム１３上に延在させる。回路素子１５を
固着する導電路１４の部分は両方の基板１１，１
２上に位置する様に設計し、基板１１，１２の離
間部分には折り曲げのため回路素子１５を設けな
い。
回路素子１５を組込んだ後、基板１１，１２の
離間部分で絶縁フイルム１３を折り曲げて第４図
に示す如く、基板１１，１２の夫々の反対主面を
ちようど当接させて、外部リード１６を残して全
体を樹脂１８でモールドする。
離間部分で絶縁フイルム１３を折り曲げて第４図
に示す如く、基板１１，１２の夫々の反対主面を
ちようど当接させて、外部リード１６を残して全
体を樹脂１８でモールドする。
以上した技術は特公昭60−11809号公報に記載
されている。
されている。
また二枚基板からなる混成集積回路は第５図に
示す如く、回路素子２０が固着された二枚の混成
集積回路基板２１，２１を枠状のケース材２２に
挿入した後、固着される。二枚の混成集積回路基
板２１，２１の導通はリード２３で行われ、基板
２１，２１とケース材２２との間に樹脂２４を充
填して一体化する。
示す如く、回路素子２０が固着された二枚の混成
集積回路基板２１，２１を枠状のケース材２２に
挿入した後、固着される。二枚の混成集積回路基
板２１，２１の導通はリード２３で行われ、基板
２１，２１とケース材２２との間に樹脂２４を充
填して一体化する。
この様な混成集積回路は実公昭55−8316号公報
に記載されている。
に記載されている。
(ハ) 考案が解決しようとする問題点
しかしながら、従来の混成集積回路は種々の問
題点を有している。
題点を有している。
先ず第２図に示した折り曲げ基板は本来小型化
の混成集積回路を目的とするものであり、放熱板
となる金属基板が密接しているため、発熱を伴う
回路素子を実装するのに不向きであり、高出力タ
イプの混成集積回路を提供することができない問
題点があつた。
の混成集積回路を目的とするものであり、放熱板
となる金属基板が密接しているため、発熱を伴う
回路素子を実装するのに不向きであり、高出力タ
イプの混成集積回路を提供することができない問
題点があつた。
第５図に示した混成集積回路は金属基板が表面
に露出する構造であり、上述の問題点は解消する
ことができる。しかしながら、二枚の基板の導通
がリードによつて半田接続されるので作業性及び
信頼性が低下する問題点を有していた。
に露出する構造であり、上述の問題点は解消する
ことができる。しかしながら、二枚の基板の導通
がリードによつて半田接続されるので作業性及び
信頼性が低下する問題点を有していた。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本考案は上述した問題点に鑑みて為されたもの
であり、第１図に示す如く、絶縁フイルム２によ
つて離間結合された夫々の金属基板１，１の周端
部に剥離膜３を設け、回路素子５が対向する様に
基板間の絶縁フイルム２を折り曲げ解決する。
であり、第１図に示す如く、絶縁フイルム２によ
つて離間結合された夫々の金属基板１，１の周端
部に剥離膜３を設け、回路素子５が対向する様に
基板間の絶縁フイルム２を折り曲げ解決する。
(ホ) 作用
本考案に依れば絶縁フイルムによつて結合され
た夫々の金属基板の周端部に剥離膜を設け、回路
素子が対向する如く折り曲げ配置することによ
り、剥離膜を設けた部分の金属基板上には絶縁フ
イルムが貼着されず、折り曲げ時の金属基板間の
離間距離を調整することができる。
た夫々の金属基板の周端部に剥離膜を設け、回路
素子が対向する如く折り曲げ配置することによ
り、剥離膜を設けた部分の金属基板上には絶縁フ
イルムが貼着されず、折り曲げ時の金属基板間の
離間距離を調整することができる。
(ヘ) 実施例
以下に第１図に示した実施例に基づいて本考案
を詳細に説明する。
を詳細に説明する。
本考案の混成集積回路は第１図に示す如く、二
枚の金属基板１，１と、二枚の金属基板１，１を
離間結合する絶縁フイルム２と、折り曲げ部の金
属基板１，１の周端部に設けられた剥離膜３とか
ら構成される。
枚の金属基板１，１と、二枚の金属基板１，１を
離間結合する絶縁フイルム２と、折り曲げ部の金
属基板１，１の周端部に設けられた剥離膜３とか
ら構成される。
二枚の金属基板１，１は良熱伝導性のアルミニ
ウムで形成され、その表面は陽極酸化により酸化
アルミニウム膜が形成される。金属基板１，１は
所定間隔離間して配置し、絶縁フイルム２が折り
曲げされる側の金属基板１，１の周端部には所定
の幅を有して剥離膜３が形成される。
ウムで形成され、その表面は陽極酸化により酸化
アルミニウム膜が形成される。金属基板１，１は
所定間隔離間して配置し、絶縁フイルム２が折り
曲げされる側の金属基板１，１の周端部には所定
の幅を有して剥離膜３が形成される。
剥離膜３はシリコン系の樹脂が用いられ、上述
した金属基板１，１の周端部の全域に塗布して形
成した後、金属基板１，１を結合する絶縁フイル
ム２が貼着される。
した金属基板１，１の周端部の全域に塗布して形
成した後、金属基板１，１を結合する絶縁フイル
ム２が貼着される。
絶縁フイルム２はポリイミド樹脂等の樹脂が用
いられ、その絶縁フイルム２にはあらかじめ導電
路４を形成するための銅箔が一体化されており、
上述の如く、二枚の金属基板１，１の全面に貼着
し、絶縁フイルム２上の銅箔を選択的にエツチン
グして所望の導電路４が形成される。このとき導
電路４は金属基板１，１にまたがる様に形成さ
れ、その導電路４上にパワー半導体素子、チツプ
抵抗あるいはチツプコンデンサ等の複数の回路素
子５が固着され、更に外部リード６が固着され
る。
いられ、その絶縁フイルム２にはあらかじめ導電
路４を形成するための銅箔が一体化されており、
上述の如く、二枚の金属基板１，１の全面に貼着
し、絶縁フイルム２上の銅箔を選択的にエツチン
グして所望の導電路４が形成される。このとき導
電路４は金属基板１，１にまたがる様に形成さ
れ、その導電路４上にパワー半導体素子、チツプ
抵抗あるいはチツプコンデンサ等の複数の回路素
子５が固着され、更に外部リード６が固着され
る。
二枚の金属基板１，１間の絶縁フイルム２を折
り曲げ回路素子５が対向する如く配置することに
より、剥離膜３が設けられた部分は絶縁フイルム
２が剥離した状態となり、その剥離した距離分だ
け基板１，１間の離間を調整することができる。
また基板１，１はケース材７で離間される。
り曲げ回路素子５が対向する如く配置することに
より、剥離膜３が設けられた部分は絶縁フイルム
２が剥離した状態となり、その剥離した距離分だ
け基板１，１間の離間を調整することができる。
また基板１，１はケース材７で離間される。
(ト) 考案の効果
以上に詳述した如く、本考案に依れば、折り曲
げ部側の金属基板の周端に剥離膜を設けることに
より、剥離膜を設けた部分に絶縁フイルムが貼着
されず剥離した部だけ二枚の基板の離間距離を調
整することができる。
げ部側の金属基板の周端に剥離膜を設けることに
より、剥離膜を設けた部分に絶縁フイルムが貼着
されず剥離した部だけ二枚の基板の離間距離を調
整することができる。
第１図は本考案の実施例を示す断面図、第２図
乃至第５図は従来例の図である。 １……金属基板、２……絶縁フイルム、３……
剥離膜。
乃至第５図は従来例の図である。 １……金属基板、２……絶縁フイルム、３……
剥離膜。
Claims (1)
- 二枚の金属基板と、前記金属基板を離間して配
置し、両基板をその同一主面で結合する絶縁フイ
ルムと、前記基板が結合された反主面側のフイル
ム上に設けた所望形状の導電路と、前記導電路上
に固着される少なくとも発熱を有する複数の回路
素子とを具備し、前記金属基板間の絶縁フイルム
を折曲し前記回路素子が対向する様に配置した混
成集積回路において、前記絶縁フイルムを折り曲
げた際に露出する金属基板面の端部に所定幅のシ
リコン系樹脂よりなる膜を設けたことを特徴とす
る混成集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986194762U JPH0442938Y2 (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986194762U JPH0442938Y2 (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6398653U JPS6398653U (ja) | 1988-06-25 |
| JPH0442938Y2 true JPH0442938Y2 (ja) | 1992-10-12 |
Family
ID=31152034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986194762U Expired JPH0442938Y2 (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0442938Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0717168Y2 (ja) * | 1990-06-13 | 1995-04-19 | 山武ハネウエル株式会社 | 高密度パツケージング |
-
1986
- 1986-12-18 JP JP1986194762U patent/JPH0442938Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6398653U (ja) | 1988-06-25 |
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