JPH0669126A - ウエハ周辺部クリーニング装置 - Google Patents
ウエハ周辺部クリーニング装置Info
- Publication number
- JPH0669126A JPH0669126A JP21915992A JP21915992A JPH0669126A JP H0669126 A JPH0669126 A JP H0669126A JP 21915992 A JP21915992 A JP 21915992A JP 21915992 A JP21915992 A JP 21915992A JP H0669126 A JPH0669126 A JP H0669126A
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- Japan
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- resist
- peripheral portion
- peripheral
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハの周辺部のレジストを完全に除去でき
るとともに、レジスト以外のゴミ等も除去することがで
きるウエハ周辺部クリーニング装置を提供すること。 【構成】 ウエハ1の周辺部2dは有機溶剤がしみ込ん
でいるクリーニングリボン9と接触している。周辺部2
dがクリーニングリボン9に対して相対的に移動するこ
とにより、周辺露光やサイドリンス処理後に周辺部2d
上に残っている不要レジスト等を完全に除去することが
できる。
るとともに、レジスト以外のゴミ等も除去することがで
きるウエハ周辺部クリーニング装置を提供すること。 【構成】 ウエハ1の周辺部2dは有機溶剤がしみ込ん
でいるクリーニングリボン9と接触している。周辺部2
dがクリーニングリボン9に対して相対的に移動するこ
とにより、周辺露光やサイドリンス処理後に周辺部2d
上に残っている不要レジスト等を完全に除去することが
できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、ウエハの周辺部に付
着した不要レジストやゴミを除去するウエハ周辺部クリ
ーニング装置に関するものである。
着した不要レジストやゴミを除去するウエハ周辺部クリ
ーニング装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造工程の1つにリソグラ
フィがある。リソグラフィは、ウエハ上にシリコン酸化
膜等の薄膜、レジストを順に形成し、レジストを所定の
パターンに露光し、そしてレジストをマスクとしてシリ
コン酸化膜等の薄膜をエッチング除去し、シリコン酸化
膜等の薄膜に所定のパターニングを施すことである。
フィがある。リソグラフィは、ウエハ上にシリコン酸化
膜等の薄膜、レジストを順に形成し、レジストを所定の
パターンに露光し、そしてレジストをマスクとしてシリ
コン酸化膜等の薄膜をエッチング除去し、シリコン酸化
膜等の薄膜に所定のパターニングを施すことである。
【0003】図4はウエハの平面図である。ウエハ1上
にはシリコン酸化膜等の薄膜、レジストが順に形成され
ている。3はレジストを示している。2cはオリエンテ
ーションフラットである。
にはシリコン酸化膜等の薄膜、レジストが順に形成され
ている。3はレジストを示している。2cはオリエンテ
ーションフラットである。
【0004】レジスト露光後、エッチングやイオン注入
等の工程があるが、エッチングやイオン注入等はウエハ
1の周辺部2dをクランプや爪等で固定することにより
行なう。クランプや爪等で固定する際にレジストによる
発塵を防ぐために、ウエハ1の周辺部2dでは2〜3m
mの幅で予めレジスト3が除去される。
等の工程があるが、エッチングやイオン注入等はウエハ
1の周辺部2dをクランプや爪等で固定することにより
行なう。クランプや爪等で固定する際にレジストによる
発塵を防ぐために、ウエハ1の周辺部2dでは2〜3m
mの幅で予めレジスト3が除去される。
【0005】ウエハ1の周辺部2d上にあるレジスト3
を除去する方法の一例としてサイドリンスがある。図5
はサイドリンスを行なっている状態を示す模式図であ
る。ウエハ回転軸17上にはスピンチャック15が固定
されており、スピンチャック15上にはウエハ1が載置
されている。ウエハ1の周辺部上にはサイドリンスノズ
ル23が位置しており、サイドリンスノズル23からサ
イドリンス25が滴下されている。
を除去する方法の一例としてサイドリンスがある。図5
はサイドリンスを行なっている状態を示す模式図であ
る。ウエハ回転軸17上にはスピンチャック15が固定
されており、スピンチャック15上にはウエハ1が載置
されている。ウエハ1の周辺部上にはサイドリンスノズ
ル23が位置しており、サイドリンスノズル23からサ
イドリンス25が滴下されている。
【0006】サイドリンスによるウエハ周辺部上にある
レジスト除去について説明する。まず、ウエハ1上にレ
ジスト3を回転塗布した後、引続きウエハ1を回転させ
ながらサイドリンスノズル23を用いて溶剤25をウエ
ハ1の周辺部に滴下する。これによりウエハ1の周辺部
上にあるレジスト3は溶解する。そして溶解したレジス
ト3は遠心力によりウエハ1の周辺部上から振り切られ
これにより除去される。
レジスト除去について説明する。まず、ウエハ1上にレ
ジスト3を回転塗布した後、引続きウエハ1を回転させ
ながらサイドリンスノズル23を用いて溶剤25をウエ
ハ1の周辺部に滴下する。これによりウエハ1の周辺部
上にあるレジスト3は溶解する。そして溶解したレジス
ト3は遠心力によりウエハ1の周辺部上から振り切られ
これにより除去される。
【0007】ウエハの周辺部上にあるレジストを除去す
る他の方法として周辺露光がある。図6は周辺露光を行
なっている状態を示す模式図である。図5中の符号が示
すものと同一のものについては同一の符号を付すことに
より説明を省略する。27は周辺露光照射ノズルであ
り、周辺露光照射ノズル27からUV光29がウエハ1
の周辺部2d上にあるレジスト3に照射されている。
る他の方法として周辺露光がある。図6は周辺露光を行
なっている状態を示す模式図である。図5中の符号が示
すものと同一のものについては同一の符号を付すことに
より説明を省略する。27は周辺露光照射ノズルであ
り、周辺露光照射ノズル27からUV光29がウエハ1
の周辺部2d上にあるレジスト3に照射されている。
【0008】周辺露光は次のようにしてウエハ1の周辺
部2d上にあるレジスト3を除去する。まず、レジスト
3をウエハ1上に回転塗布した後、ウエハ1の中央部上
にあるレジスト3を所定のパターンに露光する前あるい
は露光した後に、ウエハ1の周辺部2d上にあるレジス
ト3を露光する。次に感光したレジスト3を現像して除
去する。
部2d上にあるレジスト3を除去する。まず、レジスト
3をウエハ1上に回転塗布した後、ウエハ1の中央部上
にあるレジスト3を所定のパターンに露光する前あるい
は露光した後に、ウエハ1の周辺部2d上にあるレジス
ト3を露光する。次に感光したレジスト3を現像して除
去する。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかし、サイドリンス
によるウエハ1の周辺部2d上にあるレジスト3の除去
は完全ではない。すなわち、レジスト3と溶剤25との
混合物が遠心力によってウエハ1上から振り切られると
き、周辺部2d上に微量ではあるが糸状に混合物が残
る。また、図5に示すようにウエハ1を回転させながら
溶剤25を滴下しているので、図4に示すオリエンテー
ションフラット2c上には溶剤25を滴下することがで
きない。したがってオリエンテーションフラット2c上
にあるレジスト3は除去することができなかった。
によるウエハ1の周辺部2d上にあるレジスト3の除去
は完全ではない。すなわち、レジスト3と溶剤25との
混合物が遠心力によってウエハ1上から振り切られると
き、周辺部2d上に微量ではあるが糸状に混合物が残
る。また、図5に示すようにウエハ1を回転させながら
溶剤25を滴下しているので、図4に示すオリエンテー
ションフラット2c上には溶剤25を滴下することがで
きない。したがってオリエンテーションフラット2c上
にあるレジスト3は除去することができなかった。
【0010】周辺露光を用いればオリエンテーションフ
ラット2cのところにあるレジスト3を除去することが
できる。しかし周辺露光では、レジストの発泡や残渣と
いう問題が生じる。
ラット2cのところにあるレジスト3を除去することが
できる。しかし周辺露光では、レジストの発泡や残渣と
いう問題が生じる。
【0011】すなわち、レジスト3を露光するとレジス
ト3中の感光剤は光により反応し、その際に気体を放出
する。この気体によりレジスト3が発泡する。レジスト
3が発泡すると発泡したレジストが飛び散りウエハ1上
の集積回路形成部に発泡したレジスト3が飛び散る場合
がある。これが原因で半導体装置が不良品になる場合が
ある。
ト3中の感光剤は光により反応し、その際に気体を放出
する。この気体によりレジスト3が発泡する。レジスト
3が発泡すると発泡したレジストが飛び散りウエハ1上
の集積回路形成部に発泡したレジスト3が飛び散る場合
がある。これが原因で半導体装置が不良品になる場合が
ある。
【0012】また、オリエンテーションフラット2cと
周辺部2dとの境界部はレジスト3を回転塗布する際に
膜厚が他の部分よりも厚くなる。レジスト3が薄い部分
での発泡を防ぐために、露光は薄い部分を基準に行なう
が、このためレジスト3が厚い部分では露光が不十分と
なり残渣が生じやすい。レジスト3が厚い部分を基準に
露光すると薄い部分ではレジストの発泡が生じる他、周
辺露光の時間が長くなり、スループットが低下する。
周辺部2dとの境界部はレジスト3を回転塗布する際に
膜厚が他の部分よりも厚くなる。レジスト3が薄い部分
での発泡を防ぐために、露光は薄い部分を基準に行なう
が、このためレジスト3が厚い部分では露光が不十分と
なり残渣が生じやすい。レジスト3が厚い部分を基準に
露光すると薄い部分ではレジストの発泡が生じる他、周
辺露光の時間が長くなり、スループットが低下する。
【0013】また、周辺露光ではウエハ1の周辺部2d
のテーパ部上のレジスト3を完全に除去することは困難
であった。
のテーパ部上のレジスト3を完全に除去することは困難
であった。
【0014】さらに、ウエハカセットやクランプを介し
てウエハ1の周辺部2dに付着したゴミは、周辺露光や
サイドリンスによっては除去することができなかった。
てウエハ1の周辺部2dに付着したゴミは、周辺露光や
サイドリンスによっては除去することができなかった。
【0015】この発明は係る従来の問題点を解決するた
めになされたものである。この発明の目的は、ウエハの
周辺部上のレジストを完全に除去できるとともに、レジ
スト以外のゴミ等の付着物も除去することができるウエ
ハ周辺部クリーニング装置を提供することである。
めになされたものである。この発明の目的は、ウエハの
周辺部上のレジストを完全に除去できるとともに、レジ
スト以外のゴミ等の付着物も除去することができるウエ
ハ周辺部クリーニング装置を提供することである。
【0016】
【課題を解決するための手段】この発明はウエハの周辺
部に付着した付着物を除去するウエハ周辺部クリーニン
グ装置であって、周辺部と接触する接触手段と、周辺部
に接触手段を接触させた状態で周辺部を接触手段に対し
て相対的に移動させて付着物を除去する移動手段と、を
備えている。
部に付着した付着物を除去するウエハ周辺部クリーニン
グ装置であって、周辺部と接触する接触手段と、周辺部
に接触手段を接触させた状態で周辺部を接触手段に対し
て相対的に移動させて付着物を除去する移動手段と、を
備えている。
【0017】
【作用】この発明に従ったウエハ周辺部クリーニング装
置は、接触手段をウエハ周辺部と接触させた状態で、移
動手段を用いてウエハ周辺部を接触手段に対して相対的
に移動させることにより、ウエハ周辺部の不要レジスト
やゴミ等の付着物を除去している。
置は、接触手段をウエハ周辺部と接触させた状態で、移
動手段を用いてウエハ周辺部を接触手段に対して相対的
に移動させることにより、ウエハ周辺部の不要レジスト
やゴミ等の付着物を除去している。
【0018】ウエハ周辺部のレジストを除去する場合、
予め周辺露光やサイドリンス処理を行なった後、この発
明を用いれば周辺露光やサイドリンスで除去しきれなか
ったレジストも除去することができる。
予め周辺露光やサイドリンス処理を行なった後、この発
明を用いれば周辺露光やサイドリンスで除去しきれなか
ったレジストも除去することができる。
【0019】
【実施例】図1はこの発明に従ったウエハ周辺部クリー
ニング装置の一実施例の平面図であり、図2は断面図で
ある。図1および図2を参照して、ウエハ1上には薄
膜、レジスト3が順に形成されている。図1において薄
膜の図示が省略され、図2においては薄膜およびレジス
トの図示が省略されている。ウエハ1の周辺部2dにお
いては周辺露光を用いて大部分のレジストが除去されて
いる。クリーニングリボン9はリボンガイド7の部分で
図3に示すようにウエハ1の周辺部2dと接触してい
る。図3のウエハ1上にある薄膜やレジストは図示が省
略されている。
ニング装置の一実施例の平面図であり、図2は断面図で
ある。図1および図2を参照して、ウエハ1上には薄
膜、レジスト3が順に形成されている。図1において薄
膜の図示が省略され、図2においては薄膜およびレジス
トの図示が省略されている。ウエハ1の周辺部2dにお
いては周辺露光を用いて大部分のレジストが除去されて
いる。クリーニングリボン9はリボンガイド7の部分で
図3に示すようにウエハ1の周辺部2dと接触してい
る。図3のウエハ1上にある薄膜やレジストは図示が省
略されている。
【0020】クリーニングリボン9は滑車5a、5b、
駆動輪11に掛けられており、駆動輪11を駆動する駆
動用モータ21により矢印B方向に動く。
駆動輪11に掛けられており、駆動輪11を駆動する駆
動用モータ21により矢印B方向に動く。
【0021】ウエハ回転軸17上にはスピンチャック1
5が固定されており、スピンチャック15上にはウエハ
1が載置されている。ウエハ回転軸17を中心にウエハ
1はA方向に回転する。19はならいカムである。リボ
ン湿潤用溶剤滴下ノズル13からクリーニングリボン9
に溶剤が滴下される。
5が固定されており、スピンチャック15上にはウエハ
1が載置されている。ウエハ回転軸17を中心にウエハ
1はA方向に回転する。19はならいカムである。リボ
ン湿潤用溶剤滴下ノズル13からクリーニングリボン9
に溶剤が滴下される。
【0022】周辺露光やサイドリンス処理後のウエハの
周辺部に残っているレジストを除去する場合、クリーニ
ングリボン9にアセトン、酢酸ブチル、MMP(メチル
メトキシプロピオネート)などの有機溶剤をしみ込ませ
る。したがってクリーニングリボン9の材料はこれらの
有機溶剤に耐性のあるテフロン、セルロースエステル、
ポリプロピレン、ナイロン系の繊維を用いる。有機溶剤
が浸透、保持されるようにこれらの繊維を多層や多孔質
に加工してクリーニングリボン9にする。
周辺部に残っているレジストを除去する場合、クリーニ
ングリボン9にアセトン、酢酸ブチル、MMP(メチル
メトキシプロピオネート)などの有機溶剤をしみ込ませ
る。したがってクリーニングリボン9の材料はこれらの
有機溶剤に耐性のあるテフロン、セルロースエステル、
ポリプロピレン、ナイロン系の繊維を用いる。有機溶剤
が浸透、保持されるようにこれらの繊維を多層や多孔質
に加工してクリーニングリボン9にする。
【0023】ウエハ1の周辺部2dに付着したウエハの
破片等を除去する場合は、片面に粘着剤のついたクリー
ニングリボン9を用いる。
破片等を除去する場合は、片面に粘着剤のついたクリー
ニングリボン9を用いる。
【0024】また、酸やアルカリを用いてウエハを洗浄
した後、ウエハ1の周辺部2dに付着した酸やアルカリ
の結晶からなる残渣を除去する場合は、水等を浸透させ
たクリーニングリボン9を用いる。
した後、ウエハ1の周辺部2dに付着した酸やアルカリ
の結晶からなる残渣を除去する場合は、水等を浸透させ
たクリーニングリボン9を用いる。
【0025】図3に示すようにクリーニングリボン9は
ウエハ1の周辺部2dのテーパ2aや側面2bにも接触
しているので、これらの面に付着したレジストやゴミ等
を除去することができる。
ウエハ1の周辺部2dのテーパ2aや側面2bにも接触
しているので、これらの面に付着したレジストやゴミ等
を除去することができる。
【0026】また、レジストの上にCEL(コントラン
ス エンハンスト リソグラフィ)やARCOR(アン
チ リフレフティング コーティング オン レジス
ト)等の高分子膜を形成した場合、これらの高分子膜も
除去することができる。
ス エンハンスト リソグラフィ)やARCOR(アン
チ リフレフティング コーティング オン レジス
ト)等の高分子膜を形成した場合、これらの高分子膜も
除去することができる。
【0027】
【発明の効果】この発明に従ったウエハ周辺部クリーニ
ング装置は、接触手段をウエハ周辺部と接触させた状態
で移動手段を用いてウエハ周辺部を接触手段に対して相
対的に移動させているので、ウエハ周辺部に付着したレ
ジストやゴミ等を除去することができる。これにより半
導体装置製造工程のクリーン化を図ることができ、半導
体装置の歩留まりを向上させることができる。
ング装置は、接触手段をウエハ周辺部と接触させた状態
で移動手段を用いてウエハ周辺部を接触手段に対して相
対的に移動させているので、ウエハ周辺部に付着したレ
ジストやゴミ等を除去することができる。これにより半
導体装置製造工程のクリーン化を図ることができ、半導
体装置の歩留まりを向上させることができる。
【図1】この発明に従ったウエハ周辺部クリーニング装
置の一実施例の平面図である。
置の一実施例の平面図である。
【図2】この発明に従ったウエハ周辺部クリーニング装
置の一実施例の断面図である。
置の一実施例の断面図である。
【図3】クリーニングリボン9と周辺部2dとの接触状
態を示す拡大断面図である。
態を示す拡大断面図である。
【図4】ウエハの平面図である。
【図5】サイドリンスを行なっている状態を示す模式図
である。
である。
【図6】周辺露光を行なっている状態を示す模式図であ
る。
る。
1 ウエハ 2d 周辺部 3 レジスト 9 クリーニングリボン 17 ウエハ回転軸
Claims (1)
- 【請求項1】 ウエハの周辺部に付着した付着物を除去
するウエハ周辺部クリーニング装置であって、 前記周辺部と接触する接触手段と、 前記周辺部に前記接触手段を接触させた状態で前記周辺
部を前記接触手段に対して相対的に移動させて前記付着
物を除去する移動手段と、 を備えたウエハ周辺部クリーニング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21915992A JPH0669126A (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | ウエハ周辺部クリーニング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21915992A JPH0669126A (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | ウエハ周辺部クリーニング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0669126A true JPH0669126A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=16731129
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21915992A Withdrawn JPH0669126A (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | ウエハ周辺部クリーニング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0669126A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006332185A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
WO2007001045A1 (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-04 | Nikon Corporation | 露光装置、基板処理方法、及びデバイス製造方法 |
JP2007157928A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Shibaura Mechatronics Corp | 処理装置及び処理方法 |
JP2007311734A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-11-29 | Nikon Corp | 露光装置、基板処理方法、及びデバイス製造方法 |
JP2008084934A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体基板の洗浄方法 |
JP2015035471A (ja) * | 2013-08-08 | 2015-02-19 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置及び基板処理装置 |
-
1992
- 1992-08-18 JP JP21915992A patent/JPH0669126A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006332185A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
WO2007001045A1 (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-04 | Nikon Corporation | 露光装置、基板処理方法、及びデバイス製造方法 |
JP2007311734A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-11-29 | Nikon Corp | 露光装置、基板処理方法、及びデバイス製造方法 |
JP2007157928A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Shibaura Mechatronics Corp | 処理装置及び処理方法 |
JP4716367B2 (ja) * | 2005-12-02 | 2011-07-06 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
JP2008084934A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体基板の洗浄方法 |
JP2015035471A (ja) * | 2013-08-08 | 2015-02-19 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置及び基板処理装置 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991102 |