JPH0352287A - セラミック回路基板，パッケージ，その製法及び材料 - Google Patents
セラミック回路基板，パッケージ，その製法及び材料Info
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- JPH0352287A JPH0352287A JP1186014A JP18601489A JPH0352287A JP H0352287 A JPH0352287 A JP H0352287A JP 1186014 A JP1186014 A JP 1186014A JP 18601489 A JP18601489 A JP 18601489A JP H0352287 A JPH0352287 A JP H0352287A
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Landscapes
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電気絶縁性セラミック電子部品、特にセラミッ
ク回路基板、セラミック電子部品用ノくツケージ、それ
らの製法及び材料に係る。より詳しくは、ポリシラザン
系セラミック前駆体ポリマーを用いてそれを加熱してセ
ラミック化したことを特徴とするセラミック電子部品、
セラミック回路基板、セラミック電子部品用パッケージ
、及びそれらの製法と材料に係る。
ク回路基板、セラミック電子部品用ノくツケージ、それ
らの製法及び材料に係る。より詳しくは、ポリシラザン
系セラミック前駆体ポリマーを用いてそれを加熱してセ
ラミック化したことを特徴とするセラミック電子部品、
セラミック回路基板、セラミック電子部品用パッケージ
、及びそれらの製法と材料に係る。
半導体の支持部材として、セラミックの基板やパッケー
ジが用いられている。セラミック基板、パッケージは電
気絶縁性に優れ、高周波特性がよく、化学的に安定であ
り、機械的強度が大きいなどの特徴を有する。最も代表
的なセラミック基板、パッケージはアルミナ製であるが
、その他放熱性に優れる高熱伝導性の窒化アルミニウム
、炭化珪素製のものなどが知られている。
ジが用いられている。セラミック基板、パッケージは電
気絶縁性に優れ、高周波特性がよく、化学的に安定であ
り、機械的強度が大きいなどの特徴を有する。最も代表
的なセラミック基板、パッケージはアルミナ製であるが
、その他放熱性に優れる高熱伝導性の窒化アルミニウム
、炭化珪素製のものなどが知られている。
これらのセラミック基板あるいはセラミックノくッケー
ジの製造は、もっぱら、セラミック粒子と有機バインダ
ーからなるセラミックスラリーの戒形、焼戊により行わ
れている。
ジの製造は、もっぱら、セラミック粒子と有機バインダ
ーからなるセラミックスラリーの戒形、焼戊により行わ
れている。
最近では、半導体装置の微細化、高密度化にともなって
複数の配線層を絶縁層を介して積層した多層回路基板が
注目されている。多層化技術としては、セラミック焼結
体基板上に導体、絶縁体ペーストの印刷、焼戊を繰り返
し行う乾式厚膜多層法、セラミックグリーンシ一トを用
い、その上にＭｏ，Ｗなどの導体ペーストと絶縁体ペー
ストの印刷を繰り返し、焼戊する湿式印刷法、やはりセ
ラミックグリーンシ一トを用いるが、それに導体ペース
トの印刷εビアホールの形成をしたものを何層も積層し
、焼或する湿式積層法などが行われている。
複数の配線層を絶縁層を介して積層した多層回路基板が
注目されている。多層化技術としては、セラミック焼結
体基板上に導体、絶縁体ペーストの印刷、焼戊を繰り返
し行う乾式厚膜多層法、セラミックグリーンシ一トを用
い、その上にＭｏ，Ｗなどの導体ペーストと絶縁体ペー
ストの印刷を繰り返し、焼戊する湿式印刷法、やはりセ
ラミックグリーンシ一トを用いるが、それに導体ペース
トの印刷εビアホールの形成をしたものを何層も積層し
、焼或する湿式積層法などが行われている。
特に、多層基板では焼或温度が高いと導体材料として高
融点のＭｏ，Ｗなどを用いなければならず、比抵抗が大
きくなるので、Ｃｕｔ ， Ａｇなどの比抵抗の小さい
金属を用いることができる低温焼戒材料が探究され、セ
ラミック粒子と低温焼或ガラスとからなるガラスセラミ
ックが提案されている。
融点のＭｏ，Ｗなどを用いなければならず、比抵抗が大
きくなるので、Ｃｕｔ ， Ａｇなどの比抵抗の小さい
金属を用いることができる低温焼戒材料が探究され、セ
ラミック粒子と低温焼或ガラスとからなるガラスセラミ
ックが提案されている。
アルミナは優れた基板あるいはパッケージ材料であるが
、誘電率、熱膨張率、熱伝導率など、必ずしも最適では
なく、用途によっては、これにかわる材料が望まれる場
合がある。特に、アルミナの焼或温度は高いので、焼或
温度が低い、基板やパッケージとしての特性の優れたセ
ラミック材料が望まれる。
、誘電率、熱膨張率、熱伝導率など、必ずしも最適では
なく、用途によっては、これにかわる材料が望まれる場
合がある。特に、アルミナの焼或温度は高いので、焼或
温度が低い、基板やパッケージとしての特性の優れたセ
ラミック材料が望まれる。
前記の如く、特に多層基板では、低温焼或の必要性が高
く、低温焼戒ガラスセラミックなどが提案されているが
、まだ十分な材料は提供されていない。低温焼戒ガラス
セラミックでは、まだ焼或温度が充分に低くないほか、
ガラス或分の反応性が高い、得られる焼或品の特性が充
分でないなどの問題がある。
く、低温焼戒ガラスセラミックなどが提案されているが
、まだ十分な材料は提供されていない。低温焼戒ガラス
セラミックでは、まだ焼或温度が充分に低くないほか、
ガラス或分の反応性が高い、得られる焼或品の特性が充
分でないなどの問題がある。
また、セラミックスラリーの焼戊では、有機バインダー
、可塑剤などを飛ばすために脱脂工程が必要であるため
、煩雑である。さらには、有機バインダーなどの除去に
ともなう体積収縮のために、焼結品に反りの発生等の問
題もある。
、可塑剤などを飛ばすために脱脂工程が必要であるため
、煩雑である。さらには、有機バインダーなどの除去に
ともなう体積収縮のために、焼結品に反りの発生等の問
題もある。
窒化珪素は電気絶縁性、耐熱性、耐蝕性に優れるほか、
誘電率、熱膨張率が小さいなどから、電気絶縁材料とし
ても有用であるはずであるが、焼結性が悪く、焼結温度
が高い、焼結時間が長いなどのため、実用されていない
。
誘電率、熱膨張率が小さいなどから、電気絶縁材料とし
ても有用であるはずであるが、焼結性が悪く、焼結温度
が高い、焼結時間が長いなどのため、実用されていない
。
本発明は、上記の如き従来技術の問題点に鑑みて鋭意検
討した結果として為されたもので、新規なセラミック基
板、パッケージなどのセラミック電子部品、及びその製
法と材料を提供するものである。
討した結果として為されたもので、新規なセラミック基
板、パッケージなどのセラミック電子部品、及びその製
法と材料を提供するものである。
本発明は、基本的には、ポリシラザン系セラミック前駆
体ポリマー又はこれとセラミックおよび／若しくはガラ
ス粒子との混合物を加熱し、セラミック化して得られる
窒化珪素質セラミック及び／又はセラミックもしくはガ
ラス粒子とマトリックスもしくはバインダーとしての窒
化珪素質セラミックとの複合体を、上記の如きセラミッ
ク基板、パッケージ等として用いるものである。
体ポリマー又はこれとセラミックおよび／若しくはガラ
ス粒子との混合物を加熱し、セラミック化して得られる
窒化珪素質セラミック及び／又はセラミックもしくはガ
ラス粒子とマトリックスもしくはバインダーとしての窒
化珪素質セラミックとの複合体を、上記の如きセラミッ
ク基板、パッケージ等として用いるものである。
こうしてポリシラザン系セラミック前駆体ポリマーを加
熱して得られる窒化珪素質セラミックは、アルミナと同
等、又は誘電率（ＩＯＸＩＯ−’以下）、抵抗率（１０
８ Ω・Ｃｍ以上〉などではそれ以上の優れた電気絶縁
材料であり、半導体装置の用途によってはアルミナに代
わりうるちのである。
熱して得られる窒化珪素質セラミックは、アルミナと同
等、又は誘電率（ＩＯＸＩＯ−’以下）、抵抗率（１０
８ Ω・Ｃｍ以上〉などではそれ以上の優れた電気絶縁
材料であり、半導体装置の用途によってはアルミナに代
わりうるちのである。
特に、ポリシラザン系セラミック前駆体ポリマーを低温
で焼或した場合には、得られる窒化珪素質セラミックは
アモルファスであり、高強度であるほか、低誘電率、高
抵抗率を有し、品質が均一であるという利点、特徴を有
している。とくに、アモルファスな窒化珪素質セラミッ
クは従来法でセラミック粒子を同じ温度で焼結して得ら
れる窒化珪素質セラミックと比較するとその特性の優秀
性は驚くべきものがある。なお、ポリシラザン系セラミ
ック前駆体ポリマーをより高温で焼或すると結晶質の窒
化珪素質セラミックが得られるが、その電気絶縁材料も
高温焼或のゆえに優れていることはいうまでもない。
で焼或した場合には、得られる窒化珪素質セラミックは
アモルファスであり、高強度であるほか、低誘電率、高
抵抗率を有し、品質が均一であるという利点、特徴を有
している。とくに、アモルファスな窒化珪素質セラミッ
クは従来法でセラミック粒子を同じ温度で焼結して得ら
れる窒化珪素質セラミックと比較するとその特性の優秀
性は驚くべきものがある。なお、ポリシラザン系セラミ
ック前駆体ポリマーをより高温で焼或すると結晶質の窒
化珪素質セラミックが得られるが、その電気絶縁材料も
高温焼或のゆえに優れていることはいうまでもない。
また、ポリシラザン系セラミック前駆体ポリマ一は例え
ば窒素雰囲気下で４００℃程度の温度で、酸素雰囲気下
では１００℃程度でもセラミック化でき、低融点ガラス
（８００〜１０００℃程度〉 と比べても、極めて低温
で焼戒できるという特徴を有している。
ば窒素雰囲気下で４００℃程度の温度で、酸素雰囲気下
では１００℃程度でもセラミック化でき、低融点ガラス
（８００〜１０００℃程度〉 と比べても、極めて低温
で焼戒できるという特徴を有している。
従って、Ｍｏ．Ｗに代わるＡｕ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ａ
ｇ−Ｐｔなどは勿論、Ｃｕ ，さらにはＡＩをも導体材
料として用い、同時焼或することが可能である。
ｇ−Ｐｔなどは勿論、Ｃｕ ，さらにはＡＩをも導体材
料として用い、同時焼或することが可能である。
しかも、得られるものはセラミックスであり、低融点ガ
ラスと比べた時の電気絶縁材料としての優秀さはいうま
でもない（例えば耐酸性、耐アルカリ性〉。
ラスと比べた時の電気絶縁材料としての優秀さはいうま
でもない（例えば耐酸性、耐アルカリ性〉。
さらに、ポリシラザン系セラミック前駆体ポリマーにセ
ラミックもしくはガラス粒子を混合し、これを焼或し、
セラミック化すれば、マトリックスもしくはバインダー
としての窒化珪素質セラミックとセラミックもしくはガ
ラス粒子との複合体が得られる。この複合体はセラミッ
クもしくはガラス粒子として例えば窒化アルミニウムを
用いれば、高熱伝導率の電気絶縁材料が得られる如く、
適当な粒子を選択することによって、いろいろな用途に
適した電気絶縁材料を得ることができる。
ラミックもしくはガラス粒子を混合し、これを焼或し、
セラミック化すれば、マトリックスもしくはバインダー
としての窒化珪素質セラミックとセラミックもしくはガ
ラス粒子との複合体が得られる。この複合体はセラミッ
クもしくはガラス粒子として例えば窒化アルミニウムを
用いれば、高熱伝導率の電気絶縁材料が得られる如く、
適当な粒子を選択することによって、いろいろな用途に
適した電気絶縁材料を得ることができる。
ここで用いるガラス粒子は低温焼或品である必要はない
。しかも、そのようないろいろの電気絶縁材料をいずれ
も低温で焼或できる。さらに、特殊な焼結条件を必要と
するセラミック粒子でも簡単に焼結することができる。
。しかも、そのようないろいろの電気絶縁材料をいずれ
も低温で焼或できる。さらに、特殊な焼結条件を必要と
するセラミック粒子でも簡単に焼結することができる。
しかも、得られるマトリックスもしくはバインダーはセ
ラミックなので高品質である。ポリシラザン系セラミッ
ク前駆体ポリマーとセラミックもしくはガラス粒子との
混合割合は得られる窒化珪素質セラミックがセラミック
もしくはガラス粒子を単に接着するだけの場合から、窒
化珪素質セラミック中にセラミックもしくはガラス粒子
がフィラーとして分散するに留まる場合まで、いろいろ
であることができる。
ラミックなので高品質である。ポリシラザン系セラミッ
ク前駆体ポリマーとセラミックもしくはガラス粒子との
混合割合は得られる窒化珪素質セラミックがセラミック
もしくはガラス粒子を単に接着するだけの場合から、窒
化珪素質セラミック中にセラミックもしくはガラス粒子
がフィラーとして分散するに留まる場合まで、いろいろ
であることができる。
また、製法上の特徴としては、低温焼或のほかに、有機
バインダー、従って脱脂を特別に必要とせず、成形や塗
布及び焼或工程が簡単であるという特徴、さらにはポリ
シラザン系セラミック前駆体ポリマーを選べばセラミッ
ク収率を高めること、従って反りなどの変形を少なくす
ることができる、より多く多層化することができるなど
の特徴を有する。
バインダー、従って脱脂を特別に必要とせず、成形や塗
布及び焼或工程が簡単であるという特徴、さらにはポリ
シラザン系セラミック前駆体ポリマーを選べばセラミッ
ク収率を高めること、従って反りなどの変形を少なくす
ることができる、より多く多層化することができるなど
の特徴を有する。
こうして、本発明によれば、特許請求の範囲に記載した
如きセラミック電子部品、セラミック回路基板（多層製
品を含む）、セラミック電子部品用パッケージ、及びそ
れらの製法、そしてこれらに用いる成形材料、グリーン
シ一ト、ペーストが提供される。
如きセラミック電子部品、セラミック回路基板（多層製
品を含む）、セラミック電子部品用パッケージ、及びそ
れらの製法、そしてこれらに用いる成形材料、グリーン
シ一ト、ペーストが提供される。
本発明でポリシラザン系セラミック前駆体ポリマーとし
て用いることができるものは、ポリシラザン系ポリマー
で、焼或してセラミック化するものであればよい。ここ
でポリシラザン系ポリマーとは主鎮中に珪素と窒素を含
むポリマーであるが、Ｓｉ−Ｎ−（Ｃ）系の所謂ポリシ
ラザンのみならず、Ｓｉ−Ｎ−〇一（Ｃ）系のポリシロ
キサザン、Ｓｉ −Ｎ−Ｍ− （Ｃ）系のポリメタロシ
ラザンのいずれでもよい。とりわけ好ましいのは、側鎖
に有機基を全く含まないペルヒドロ系のポリシラザン、
即チベルヒドロポリシラザン、ベルヒドロボリシロキサ
ザン、ベルヒドロポリメタロシラザンなどである。
て用いることができるものは、ポリシラザン系ポリマー
で、焼或してセラミック化するものであればよい。ここ
でポリシラザン系ポリマーとは主鎮中に珪素と窒素を含
むポリマーであるが、Ｓｉ−Ｎ−（Ｃ）系の所謂ポリシ
ラザンのみならず、Ｓｉ−Ｎ−〇一（Ｃ）系のポリシロ
キサザン、Ｓｉ −Ｎ−Ｍ− （Ｃ）系のポリメタロシ
ラザンのいずれでもよい。とりわけ好ましいのは、側鎖
に有機基を全く含まないペルヒドロ系のポリシラザン、
即チベルヒドロポリシラザン、ベルヒドロボリシロキサ
ザン、ベルヒドロポリメタロシラザンなどである。
このようなポリシラザン系セラミック前駆体ポリマーは
、例えば、特開昭６０−１４５９０３号公報、特願昭６
２−２０２７６５号明細書、同６２−２０２７６７号明
細書（以上、ベルヒドロポリシラザン）、特開昭６２−
１９５０２４号公報（以上、ベルヒドロポリシロキサザ
ン〉、同６１−８９２３０号公報、同６２−１５６１３
５号公報、特願昭６２−２０２７６７号明細書く以上、
オルガノポリシラザン）、特開昭６３−８１１２２号公
報、同６３−１９１８３２号公報、特願昭６２−６８２
２１号明細書（以上、ポリメタロシラザン）を挙げるこ
とができる。
、例えば、特開昭６０−１４５９０３号公報、特願昭６
２−２０２７６５号明細書、同６２−２０２７６７号明
細書（以上、ベルヒドロポリシラザン）、特開昭６２−
１９５０２４号公報（以上、ベルヒドロポリシロキサザ
ン〉、同６１−８９２３０号公報、同６２−１５６１３
５号公報、特願昭６２−２０２７６７号明細書く以上、
オルガノポリシラザン）、特開昭６３−８１１２２号公
報、同６３−１９１８３２号公報、特願昭６２−６８２
２１号明細書（以上、ポリメタロシラザン）を挙げるこ
とができる。
セラミッ夛基板、電子部品用パッケージの製造は、基本
は従来の製造方法と共通であるが、本発明ではセラミッ
クスラリーの代わりにポリシラザン系セラミック前駆体
ポリマー又はその溶液を用い、乾燥後脱脂工程なしで直
ちに加熱（焼戊に相当）できる点が異なる。ポリシラザ
ン系セラミック前駆体ポリマーは分子量等によりそれ白
身が適当な粘度を持ち成形あるいは塗布できる性質を持
っている。また、成形及び塗布に適当な粘度はポリシラ
ザン系セラミック前駆体ポリマーに溶剤を加えることに
よっても得ることができる。また、必要に応じて添加剤
を加えてもよい。
は従来の製造方法と共通であるが、本発明ではセラミッ
クスラリーの代わりにポリシラザン系セラミック前駆体
ポリマー又はその溶液を用い、乾燥後脱脂工程なしで直
ちに加熱（焼戊に相当）できる点が異なる。ポリシラザ
ン系セラミック前駆体ポリマーは分子量等によりそれ白
身が適当な粘度を持ち成形あるいは塗布できる性質を持
っている。また、成形及び塗布に適当な粘度はポリシラ
ザン系セラミック前駆体ポリマーに溶剤を加えることに
よっても得ることができる。また、必要に応じて添加剤
を加えてもよい。
加熱枯温度は前述の如く最低１００℃程度でもよい。最
高温度は導体材料の種類などによるが、一級的には１７
００℃程度までの温度が用いられる。本発明で用いるポ
リシラザン系セラミック前駆体ポリマーは低温焼或でも
高品質のセラミックが得られ、窒化珪素質セラミックが
結晶化しない温度で焼戒することが好ましい場合がある
（１２００℃、さらには１３００℃でもアモルファスを
保つものも得られる〉。
高温度は導体材料の種類などによるが、一級的には１７
００℃程度までの温度が用いられる。本発明で用いるポ
リシラザン系セラミック前駆体ポリマーは低温焼或でも
高品質のセラミックが得られ、窒化珪素質セラミックが
結晶化しない温度で焼戒することが好ましい場合がある
（１２００℃、さらには１３００℃でもアモルファスを
保つものも得られる〉。
加熱雰囲気は窒化珪素化させるためには窒素雰囲気が好
ましいが、その他不活性雰囲気でも、また酸化性雰囲気
でよい。酸化性雰囲気で加熱すると、窒化珪素質セラミ
ック中に酸素が含まれるが、酸化珪素は良好な電気絶縁
性材料であり、本発明の用途上問題ないか、むしろ好ま
しい場合もある。
ましいが、その他不活性雰囲気でも、また酸化性雰囲気
でよい。酸化性雰囲気で加熱すると、窒化珪素質セラミ
ック中に酸素が含まれるが、酸化珪素は良好な電気絶縁
性材料であり、本発明の用途上問題ないか、むしろ好ま
しい場合もある。
しかしながら、本発明では窒素雰囲気や不活性雰囲気で
加熱でき、酸化雰囲気以外で加熱できることは、同時焼
或する導体材料を酸化させないので、非常に好ましい性
質である。
加熱でき、酸化雰囲気以外で加熱できることは、同時焼
或する導体材料を酸化させないので、非常に好ましい性
質である。
このように、本発明で窒化珪素質セラミックというとき
には、純粋な窒化珪素のみならず、酸窒化珪素、炭窒化
珪素（遊離炭素を含むものも含む〉これらの複合物、さ
らには金属を含むこれらの化合物、などの珪素と窒素を
必須とするセラミックを総称するものである。
には、純粋な窒化珪素のみならず、酸窒化珪素、炭窒化
珪素（遊離炭素を含むものも含む〉これらの複合物、さ
らには金属を含むこれらの化合物、などの珪素と窒素を
必須とするセラミックを総称するものである。
セラミック回路基板（多層製品を含む）、セラミック電
子部品用パッケージの具体的な構造は従来より公知の構
造が採用できる。ただし、本発明では前述の如く、低温
加熱、非限定的な加熱雰囲気のゆえに導体材料として従
来使用できなかったものも使用できる。
子部品用パッケージの具体的な構造は従来より公知の構
造が採用できる。ただし、本発明では前述の如く、低温
加熱、非限定的な加熱雰囲気のゆえに導体材料として従
来使用できなかったものも使用できる。
本発明によれば、新規な窒化珪素質セラミックの電子部
品、回路基板、電子部品パッケージと、ポリシラザン系
セラミック前駆体ポリマーにもとずくそれらの新規な製
造方法、およびそれに用いる絶縁性材料等が提供される
。
品、回路基板、電子部品パッケージと、ポリシラザン系
セラミック前駆体ポリマーにもとずくそれらの新規な製
造方法、およびそれに用いる絶縁性材料等が提供される
。
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。
参考例１
内容積１０ｆの四つロフラスコにガス吹きこみ管、メカ
ニカルスターラー、ジュワーコンテ゛ンサーを装置した
。反応器内部を脱酸素した乾燥窒素で置換した後、四つ
ロフラスコに脱気した乾燥ピリジン５ｌを入れ、これを
氷冷した。次にジクロロシラン５１６ｇを加えると白色
固体状のアダクト（Ｓｌ｝１２ｃ ｌ ２ ’ ２Ｃｓ
ＨａＮ）が生或した。反応混合物を氷冷し、攪拌しなが
ら、水酸化ナトリウム管及び活性炭管を通して精製した
アンモニア５１０ｇを吹き込んだ。
ニカルスターラー、ジュワーコンテ゛ンサーを装置した
。反応器内部を脱酸素した乾燥窒素で置換した後、四つ
ロフラスコに脱気した乾燥ピリジン５ｌを入れ、これを
氷冷した。次にジクロロシラン５１６ｇを加えると白色
固体状のアダクト（Ｓｌ｝１２ｃ ｌ ２ ’ ２Ｃｓ
ＨａＮ）が生或した。反応混合物を氷冷し、攪拌しなが
ら、水酸化ナトリウム管及び活性炭管を通して精製した
アンモニア５１０ｇを吹き込んだ。
反応終了後、反応混合物を遠心分離し、乾燥ピリジンを
用いて洗浄した後、更に窒素雰囲気下でろ過して、ろ液
８． ５ Ｊ２を得た。
用いて洗浄した後、更に窒素雰囲気下でろ過して、ろ液
８． ５ Ｊ２を得た。
得られたベルヒド口ポリシラザンの数平均分子量はＧＰ
Ｃにより測定したところ、９８０であった。
Ｃにより測定したところ、９８０であった。
得られたポリマーαピリジン溶液の約半量を用いて乾燥
θ−キシレンで溶媒置換後、ベルヒドロポリシラザンの
４９ｗ ｔ％θ−キシレン溶液とした。
θ−キシレンで溶媒置換後、ベルヒドロポリシラザンの
４９ｗ ｔ％θ−キシレン溶液とした。
参考例２
参考例１で得られたベルヒドロポリシラザンのピリジン
溶液（ベルヒドロポリシラザンの濃度、１０．３重量％
） ８００ｍｊ！を内容積３ｌの耐圧反応容器に入れ
、精製した無水アンモニア４１ｇを加え、密閉系で５０
℃で反応を行なった。反応後、乾燥θーキシレンで溶媒
を置換後、ベルヒドロポリシラザンの３Ｑｗｔ％θ−キ
シレン溶液とした。得られたポリマーの数平均分子量は
ＧＰＣにより測定したところ１２００であった。
溶液（ベルヒドロポリシラザンの濃度、１０．３重量％
） ８００ｍｊ！を内容積３ｌの耐圧反応容器に入れ
、精製した無水アンモニア４１ｇを加え、密閉系で５０
℃で反応を行なった。反応後、乾燥θーキシレンで溶媒
を置換後、ベルヒドロポリシラザンの３Ｑｗｔ％θ−キ
シレン溶液とした。得られたポリマーの数平均分子量は
ＧＰＣにより測定したところ１２００であった。
実施例１
参考例２で調整したベルヒドロボリシラザンの３Ｑｗｔ
％φ−キシレン溶液を、ドクターブレード法により窒素
雰囲気中でベースシ一ト上に塗布を行った。塗布したシ
ートを８０℃、窒素雰囲気中で乾燥させた後、ベースシ
一トを剥離して、ベルヒドロボリシラザンのグリーンシ
一トを得た。
％φ−キシレン溶液を、ドクターブレード法により窒素
雰囲気中でベースシ一ト上に塗布を行った。塗布したシ
ートを８０℃、窒素雰囲気中で乾燥させた後、ベースシ
一トを剥離して、ベルヒドロボリシラザンのグリーンシ
一トを得た。
得られたグリーンシ一トを６００℃窒素雰囲気中で加熱
・焼或を行い厚さ２００μのセラミックス基板を得た。
・焼或を行い厚さ２００μのセラミックス基板を得た。
金蒸着により電極を形戒し物性を測定した結果、比誘電
率は５． Ｉ ＸＩＯ−’、抵抗率は４． ５ ＸＩＯ
”Ω・Ｃｍであった。
率は５． Ｉ ＸＩＯ−’、抵抗率は４． ５ ＸＩＯ
”Ω・Ｃｍであった。
実施例２
実施例１と同じ原料を、ドクターブレード法により窒素
雰囲気中でベースシ一ト上に塗布し、８０℃、窒素雰囲
気中で乾燥後ベースシ一トを剥離してベルヒドロボリシ
ラザンのグリーンシ一トを得た。
雰囲気中でベースシ一ト上に塗布し、８０℃、窒素雰囲
気中で乾燥後ベースシ一トを剥離してベルヒドロボリシ
ラザンのグリーンシ一トを得た。
得られたグリーンシ一トを乾燥空気中２００℃で加熱・
焼或を行い、厚さ１８０μのセラミックス基板を得た。
焼或を行い、厚さ１８０μのセラミックス基板を得た。
金蒸着により電極を形成し、物性を測定した結果、比誘
電率は４． ２ Ｘ１０−６、抵抗率は１３．２Ｘ１０
１２Ω・ＣＩＩ１であった。
電率は４． ２ Ｘ１０−６、抵抗率は１３．２Ｘ１０
１２Ω・ＣＩＩ１であった。
実施例３
参考例１で調整したベルヒドロポリシラザンの４Ｑｗｔ
％φ−キシレン溶液１００ｇに、３２５メッシュ以下の
窒化アルミニウム粉（８０ｇ）を加え、ボールミルを用
いて混合し、スラリーを得た。
％φ−キシレン溶液１００ｇに、３２５メッシュ以下の
窒化アルミニウム粉（８０ｇ）を加え、ボールミルを用
いて混合し、スラリーを得た。
このスラリーをエバボレータを用い濃縮したものを原料
として、ドクターブレード法により、窒素雰囲気中でベ
ースシ一ト上に塗布し、８０℃、窒素雰囲気中で乾燥後
、ベースシ一トを剥離してグリーンシ一トを得た。
として、ドクターブレード法により、窒素雰囲気中でベ
ースシ一ト上に塗布し、８０℃、窒素雰囲気中で乾燥後
、ベースシ一トを剥離してグリーンシ一トを得た。
得られたグリーンシ一トを乾燥空気中２００℃で加熱・
焼戊を行い、厚さ１２０μのセラミックス基板を得た。
焼戊を行い、厚さ１２０μのセラミックス基板を得た。
金蒸着により電極を形成し、物性を測定した結果、比誘
電率は５． ４ ＸＩＯ−’、抵抗率は１． ２ ＸＩ
Ｏ”Ω・ｃｍであった。
電率は５． ４ ＸＩＯ−’、抵抗率は１． ２ ＸＩ
Ｏ”Ω・ｃｍであった。
実施例４
参考例２で調整したベルヒドロポリシラザンの８０ｗｔ
％φ−キシレン溶液を、ドクターブレード法により窒素
雰囲気中でベースシ一ト上に塗布し、８０℃、窒素雰囲
気中で乾燥後ベースシ一トを剥離してグリーンシ一トを
得た。
％φ−キシレン溶液を、ドクターブレード法により窒素
雰囲気中でベースシ一ト上に塗布し、８０℃、窒素雰囲
気中で乾燥後ベースシ一トを剥離してグリーンシ一トを
得た。
このシートを５０ Ｘ５Ｑｍｍの大きさに切断した後、
パンチにより所定位置にスルーホールを開けた後、銅を
主或分とする導体ペーストを用い回路パターンの形成及
び、スルーホール内の充填を行った。
パンチにより所定位置にスルーホールを開けた後、銅を
主或分とする導体ペーストを用い回路パターンの形成及
び、スルーホール内の充填を行った。
パターンが印刷されたグリーンシ一トを、ガイドに合わ
せて５枚積層し２００℃で加圧接着を行った後、窒素ガ
ス雰囲気６００℃で焼或を行った。
せて５枚積層し２００℃で加圧接着を行った後、窒素ガ
ス雰囲気６００℃で焼或を行った。
得られた基板は、層間の接合状態は良好であり、導体回
路の断線、ショートも皆無であった。
路の断線、ショートも皆無であった。
Claims (17)
- １．ポリシラザン系セラミック前駆体ポリマー又はポリ
シラザン系セラミック前駆体ポリマーとセラミック及び
／又はガラス粒子からなるスラリーを乾燥して得られる
ことを特徴とするグリーンシート。 - ２．ポリシラザン系セラミック前駆体ポリマー又はポリ
シラザン系セラミック前駆体ポリマーとセラミック及び
／又はガラス粒子を加熱して窒化珪素質セラミック化し
て成る部分を含むことを特徴とするセラミック電子部品
。 - ３．アモルファス窒化珪素質からなることを特徴とする
セラミック回路基板又は電子部品パッケージ。 - ４．アモルファス窒化珪素質をマトリックス又はバイン
ダーとしたセラミック及び／又はガラス粒子からなるこ
とを特徴とするセラミック回路基板又は電子部品パッケ
ージ。 - ５．アモルファス窒化珪素質からなる絶縁層と、導体パ
ターンを含むことを特徴とするセラミック多層回路基板
又は電子部品パッケージ。 - ６．アモルファス窒化珪素質をマトリックス又はバイン
ダーとしたセラミック及び／又はガラス粒子からなる絶
縁層と、導体パターンを含むことを特徴とするセラミッ
ク多層回路基板又は電子部品パッケージ。 - ７．導体パターンが銅又は銅合金である請求項５又は６
項に記載の基板又はパッケージ。 - ８．導体パターンがアルミニウム又はアルミニウム合金
である請求項５又は６項に記載の基板又はパッケージ。 - ９．ポリシラザン系セラミック前駆体ポリマーを成形又
は塗布し、それを加熱して窒化珪素質セラミック化する
工程を含むことを特徴とするセラミック回路基板又はパ
ッケージの製法。 - １０．ポリシラザン系セラミック前駆体ポリマーとセラ
ミック及び／又はガラス粉末からなるスラリーを成形又
は塗布し、それを加熱して窒化珪素質セラミック化する
工程を含むことを特徴とするセラミック回路基板又は電
子部品パッケージの製法。 - １１．ポリシラザン系セラミック前駆体ポリマーのシー
ト又は層とそれに印刷した導体ペーストパターンを含む
基板又はパッケージを加熱して前記前駆体ポリマーを窒
化珪素質セラミック化し、かつそれに接着された導体パ
ターンを形成する工程を含むことを特徴とするセラミッ
ク多層回路基板又は電子部品パッケージの製法。 - １２．セラミック及び／又はガラス粒子を含むポリシラ
ザン系セラミック前駆体ポリマーのシート又は層とそれ
に印刷した導体ペーストパターンを含む基板又はパッケ
ージを加熱して前記前駆体ポリマーをセラミック化し、
アモルファス窒化珪素質をマトリックス又はバインダー
としたセラミック及び／又はガラス粒子からなる絶縁基
板又は層とし、かつそれに接着された導体パターンを形
成する工程を含むことを特徴とするセラミック多層回路
基板又は電子部品パッケージの製法。 - １３．前記ポリシラザン系セラミック前駆体ポリマーが
ペルヒドロポリシラザン系セラミック前駆体ポリマーで
ある請求項９〜１２のいずれか１項に記載の製法。 - １４．ポリシラザン系セラミック前駆体ポリマーからな
ることを特徴とするセラミック電子部品用成形材料。 - １５．セラミック及び／又はガラス粒子を含むポリシラ
ザン系セラミック前駆体ポリマーからなることを特徴と
するセラミック電子部品用成形材料。 - １６．ポリシラザン系セラミック前駆体ポリマーからな
ることを特徴とする絶縁性厚膜ペースト。 - １７．セラミック及び／又はガラス粒子を含むポリシラ
ザン系セラミック前駆体ポリマーからなることを特徴と
する絶縁性厚膜ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1186014A JPH0352287A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | セラミック回路基板，パッケージ，その製法及び材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1186014A JPH0352287A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | セラミック回路基板，パッケージ，その製法及び材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0352287A true JPH0352287A (ja) | 1991-03-06 |
Family
ID=16180875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1186014A Pending JPH0352287A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | セラミック回路基板，パッケージ，その製法及び材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0352287A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04341705A (ja) * | 1991-05-16 | 1992-11-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 酸化ケイ素系層間絶縁膜の製造方法 |
| US5436083A (en) * | 1994-04-01 | 1995-07-25 | Dow Corning Corporation | Protective electronic coatings using filled polysilazanes |
| US5436084A (en) * | 1994-04-05 | 1995-07-25 | Dow Corning Corporation | Electronic coatings using filled borosilazanes |
-
1989
- 1989-07-20 JP JP1186014A patent/JPH0352287A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04341705A (ja) * | 1991-05-16 | 1992-11-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 酸化ケイ素系層間絶縁膜の製造方法 |
| US5436083A (en) * | 1994-04-01 | 1995-07-25 | Dow Corning Corporation | Protective electronic coatings using filled polysilazanes |
| EP0675537A3 (en) * | 1994-04-01 | 1997-12-29 | Dow Corning Corporation | Protective electronic coatings using filled polysilazanes |
| US5436084A (en) * | 1994-04-05 | 1995-07-25 | Dow Corning Corporation | Electronic coatings using filled borosilazanes |
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