JPH0351979Y2 - - Google Patents
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- JPH0351979Y2 JPH0351979Y2 JP18016782U JP18016782U JPH0351979Y2 JP H0351979 Y2 JPH0351979 Y2 JP H0351979Y2 JP 18016782 U JP18016782 U JP 18016782U JP 18016782 U JP18016782 U JP 18016782U JP H0351979 Y2 JPH0351979 Y2 JP H0351979Y2
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- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 33
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 31
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 31
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 5
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
技術分野
本考案は半導体装置に関し、特に半導体ペレツ
トを載置した放熱基板の全面を樹脂材にて被覆し
た絶縁型の半導体装置に関する。
トを載置した放熱基板の全面を樹脂材にて被覆し
た絶縁型の半導体装置に関する。
背景技術
中電力用乃至大電力用の半導体装置は半導体ペ
レツトが発生する熱を良好に放熱するため放熱基
板上に載置され、さらには外部放熱器に固定され
る。このような半導体装置の一例を第１図及び第
２図から説明する。図において１は平板状の放熱
基板で、１ａは外部放熱器等への取付用の穴を示
す。２は放熱基板１に載置した半導体ペレツト、
３は図示例では３本１組のリードで、平行配列さ
れ、中央のリード３ａの一端は半導体ペレツト２
近傍の放熱基板１端部に固定され、他のリード３
ｂ，３ｃの一端はそれぞれ半導体ペレツト２の両
側近傍に配置されている。４，４は半導体ペレツ
ト２上の電極（図示せず）と各リード３ｂ，３ｃ
とを電気的に接続した金属細線、５は半導体ペレ
ツト２を含む主要部分を被覆した樹脂材を示す。
レツトが発生する熱を良好に放熱するため放熱基
板上に載置され、さらには外部放熱器に固定され
る。このような半導体装置の一例を第１図及び第
２図から説明する。図において１は平板状の放熱
基板で、１ａは外部放熱器等への取付用の穴を示
す。２は放熱基板１に載置した半導体ペレツト、
３は図示例では３本１組のリードで、平行配列さ
れ、中央のリード３ａの一端は半導体ペレツト２
近傍の放熱基板１端部に固定され、他のリード３
ｂ，３ｃの一端はそれぞれ半導体ペレツト２の両
側近傍に配置されている。４，４は半導体ペレツ
ト２上の電極（図示せず）と各リード３ｂ，３ｃ
とを電気的に接続した金属細線、５は半導体ペレ
ツト２を含む主要部分を被覆した樹脂材を示す。
この半導体装置は外部放熱器等に固定する際に
放熱基板１と半導体ペレツト２とが電気的に接続
されているため、第３図に示すように、放熱基板
１と放熱器６の間にマイカ板やマイラ板等の絶縁
薄板７を介在させ、穴１ａには絶縁ブツシユ８を
挿入した上でネジ９で固定する必要があり、また
熱伝導性を良好にするためには絶縁薄板７の両面
にシリコーンオイル等を充填しなくてはならず作
業性が悪かつた。
放熱基板１と半導体ペレツト２とが電気的に接続
されているため、第３図に示すように、放熱基板
１と放熱器６の間にマイカ板やマイラ板等の絶縁
薄板７を介在させ、穴１ａには絶縁ブツシユ８を
挿入した上でネジ９で固定する必要があり、また
熱伝導性を良好にするためには絶縁薄板７の両面
にシリコーンオイル等を充填しなくてはならず作
業性が悪かつた。
そのため、第４図に示すように放熱基板１の露
呈部を樹脂材５で被覆した絶縁型半導体装置が実
用されている。
呈部を樹脂材５で被覆した絶縁型半導体装置が実
用されている。
これにより絶縁薄板７や絶縁ブツシユ８が省
け、また放熱器６への密着性も良いためシリコー
ンオイル等の充填材も省くことが可能となり取付
け作業性が良好となる。
け、また放熱器６への密着性も良いためシリコー
ンオイル等の充填材も省くことが可能となり取付
け作業性が良好となる。
この半導体装置は第５図に示す樹脂モールド装
置を用いて樹脂モールドされる。図において、１
０は下型で、ワイヤボンデイングを完了した半導
体装置組立体が装着されるキヤビテイ１１が設け
られている。１２はキヤビテイ１１から突設され
放熱基板１の穴１ａに間〓をもつて貫通する突出
体、１３は上型で、突出体１２と嵌合する穴１４
を有し、放熱基板１と間〓をもつてキヤビテイ１
１を閉塞する。リード３の中間部は上下型１０，
１３で締付けられ、放熱基板１はキヤビテイ１１
内に位置規正される。また１５はキヤビテイ１１
角部の上下型１０，１３の接合部に設けたゲート
を示す。
置を用いて樹脂モールドされる。図において、１
０は下型で、ワイヤボンデイングを完了した半導
体装置組立体が装着されるキヤビテイ１１が設け
られている。１２はキヤビテイ１１から突設され
放熱基板１の穴１ａに間〓をもつて貫通する突出
体、１３は上型で、突出体１２と嵌合する穴１４
を有し、放熱基板１と間〓をもつてキヤビテイ１
１を閉塞する。リード３の中間部は上下型１０，
１３で締付けられ、放熱基板１はキヤビテイ１１
内に位置規正される。また１５はキヤビテイ１１
角部の上下型１０，１３の接合部に設けたゲート
を示す。
この樹脂モールドの際に、放熱基板１と上型１
３の間〓t1と放熱基板１とキヤビテイ１１側壁の
間〓t2を比較すると、t1は熱伝導性を良好にする
ため薄くする必要があつてt1≦t2に設定されてい
る。また間〓t1，t2に対応する巾w1，w2を比較す
るとw1≫w2に設定されている。そのためキヤビ
テイ１１に注入された樹脂は放熱基板１の側壁側
を通り易く、下型１０側キヤビテイに速く充填さ
れ上型１３側キヤビテイには不完全充填状態とな
ることがあつて、ボイドを生じこのような半導体
装置を放熱器に取付けると放熱基板１と放熱器と
は離れた状態でも沿面距離が短かくなつて、表面
汚染等により耐電圧が低下するという問題があつ
た。
３の間〓t1と放熱基板１とキヤビテイ１１側壁の
間〓t2を比較すると、t1は熱伝導性を良好にする
ため薄くする必要があつてt1≦t2に設定されてい
る。また間〓t1，t2に対応する巾w1，w2を比較す
るとw1≫w2に設定されている。そのためキヤビ
テイ１１に注入された樹脂は放熱基板１の側壁側
を通り易く、下型１０側キヤビテイに速く充填さ
れ上型１３側キヤビテイには不完全充填状態とな
ることがあつて、ボイドを生じこのような半導体
装置を放熱器に取付けると放熱基板１と放熱器と
は離れた状態でも沿面距離が短かくなつて、表面
汚染等により耐電圧が低下するという問題があつ
た。
そのため、第６図に示すように放熱基板１の上
下面で樹脂材５の厚みを薄くして、樹脂を放熱基
板１の上下面に均等に注入することもできるが、
ネジ締めの際に樹脂が欠け易いという欠点もあつ
た。
下面で樹脂材５の厚みを薄くして、樹脂を放熱基
板１の上下面に均等に注入することもできるが、
ネジ締めの際に樹脂が欠け易いという欠点もあつ
た。
考案の開示
本考案は上記問題点に鑑み提案されたもので、
上記欠点を除き、放熱基板裏面の樹脂層にボイド
を生じなくした半導体装置を提供する。
上記欠点を除き、放熱基板裏面の樹脂層にボイド
を生じなくした半導体装置を提供する。
本考案は、放熱基板上に載置した半導体ペレツ
トと、一端を半導体ペレツトの近傍に配置したリ
ードとを電気的に接続し、半導体ペレツトを含み
かつ放熱基板の全周を樹脂材にて被覆したものに
おいて、上記放熱基板の半導体ペレツトから離隔
した端部をペレツト載置面側に折曲すると共に折
曲部の上下端部における樹脂材の厚みを略等しく
したこを特徴とする。
トと、一端を半導体ペレツトの近傍に配置したリ
ードとを電気的に接続し、半導体ペレツトを含み
かつ放熱基板の全周を樹脂材にて被覆したものに
おいて、上記放熱基板の半導体ペレツトから離隔
した端部をペレツト載置面側に折曲すると共に折
曲部の上下端部における樹脂材の厚みを略等しく
したこを特徴とする。
本考案は上記構成により次のような効果を有す
る。
る。
１ 放熱基板の裏面に形成される樹脂層にボイド
の発生がなく、耐電圧特性が安定する。
の発生がなく、耐電圧特性が安定する。
２ 放熱基板が補強されネジ締等によつても樹脂
の剥離がない。
の剥離がない。
考案を実施するための最良の形態
以下に本考案の一実施例を第７図及び第８図か
ら説明する。
ら説明する。
図において、第４図と同一符号は同一物を示し
説明を省略する。第４図装置と相違するのは放熱
基板１６のみで、放熱基板１６のリード３が接続
された端部とは反対の端部を、半導体ペレツト２
載置面側に略90度折り曲げて折曲部１６ａを形成
したもので、１６ｂは取り付け用の穴を示す。
説明を省略する。第４図装置と相違するのは放熱
基板１６のみで、放熱基板１６のリード３が接続
された端部とは反対の端部を、半導体ペレツト２
載置面側に略90度折り曲げて折曲部１６ａを形成
したもので、１６ｂは取り付け用の穴を示す。
これによれば、放熱基板１の裏面の樹脂層の厚
み、巾をそれぞれt1，w1とし、折曲部１６ａの側
面の樹脂層の厚み、巾をそれぞれt2，w2、折曲部
１６ａの端面部分（放熱基板１６の主面と平行な
部分）の樹脂層の厚み、巾をそれぞれt3，w3とす
れば、第５図に示す樹脂モールド装置を用い樹脂
モールドする際にt2＜t1としても、w2が長くなつ
た上t3≒t1あるいはt3＜t1とすることによつて放
熱基板１６裏面への樹脂の廻り込みを良好にでき
ボイドの発生を防止できる。ここで放熱基板１６
の主面はペレツト載置面と、この面と反対の面
（裏面）の２つの面があるが、折曲部１６ａの端
面はいずれか一方の主面に対して平行にすればよ
い。
み、巾をそれぞれt1，w1とし、折曲部１６ａの側
面の樹脂層の厚み、巾をそれぞれt2，w2、折曲部
１６ａの端面部分（放熱基板１６の主面と平行な
部分）の樹脂層の厚み、巾をそれぞれt3，w3とす
れば、第５図に示す樹脂モールド装置を用い樹脂
モールドする際にt2＜t1としても、w2が長くなつ
た上t3≒t1あるいはt3＜t1とすることによつて放
熱基板１６裏面への樹脂の廻り込みを良好にでき
ボイドの発生を防止できる。ここで放熱基板１６
の主面はペレツト載置面と、この面と反対の面
（裏面）の２つの面があるが、折曲部１６ａの端
面はいずれか一方の主面に対して平行にすればよ
い。
また放熱基板１６は折曲部１６ａによつて補強
されるため変形し難く、ネジ締め等によつて樹脂
が剥離する虞れもなくすことができる。
されるため変形し難く、ネジ締め等によつて樹脂
が剥離する虞れもなくすことができる。
尚、本考案は上記実施例のみに限定されること
なく、例えば第９図に示すように折曲部１６ａの
長さw2はネジ締めによつて放熱基板１６上面の
樹脂が欠けない程度の厚みが確保できる範囲で短
かくすることもできる。
なく、例えば第９図に示すように折曲部１６ａの
長さw2はネジ締めによつて放熱基板１６上面の
樹脂が欠けない程度の厚みが確保できる範囲で短
かくすることもできる。
第１図は半導体装置の一例を示す透視平面図、
第２図は第１図Ａ−Ａ断面図、第３図は第１図装
置の取付例を示す要部側断面図、第４図は絶縁型
半導体装置の側断面図、第５図は第４図装置の樹
脂モールド装置の側断面図、第６図は絶縁型半導
体装置の変形例を示す側断面図、第７図は本考案
による半導体装置の一部透視平面図、第８図は第
７図Ｂ−Ｂ断面図、第９図は本考案の他の実施例
を示す部分断面側面図である。 ２……半導体ペレツト、３……リード、５……
樹脂材、１６……放熱基板、１６ａ……折曲部、
１６ｂ……取付用の穴。
第２図は第１図Ａ−Ａ断面図、第３図は第１図装
置の取付例を示す要部側断面図、第４図は絶縁型
半導体装置の側断面図、第５図は第４図装置の樹
脂モールド装置の側断面図、第６図は絶縁型半導
体装置の変形例を示す側断面図、第７図は本考案
による半導体装置の一部透視平面図、第８図は第
７図Ｂ−Ｂ断面図、第９図は本考案の他の実施例
を示す部分断面側面図である。 ２……半導体ペレツト、３……リード、５……
樹脂材、１６……放熱基板、１６ａ……折曲部、
１６ｂ……取付用の穴。
Claims (1)
- 取付用の穴を有し複数本一組のリードのうち少
なくとも一本のリードが連結された放熱基板上の
取付穴とリード間に半導体ペレツトを載置しリー
ドと半導体ペレツトとを電気的に接続して、リー
ドの一部及び半導体ペレツト、放熱基板の全面を
樹脂にて被覆しかつ放熱基板のペレツト載置面の
樹脂厚を反対面（裏面）の樹脂厚より厚く形成し
た半導体装置において、上記放熱基板のリード側
端部に対して反対側端部をペレツト載置面側に折
曲すると共にこの折曲部の放熱基板主面と平行な
部分の樹脂厚を放熱基板裏面の樹脂厚と略等しく
するとともに折曲部の取付用の穴に対して反対の
面側の樹脂厚を放熱基板裏面の樹脂厚より厚く形
成したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18016782U JPS5983052U (ja) | 1982-11-29 | 1982-11-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18016782U JPS5983052U (ja) | 1982-11-29 | 1982-11-29 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5983052U JPS5983052U (ja) | 1984-06-05 |
| JPH0351979Y2 true JPH0351979Y2 (ja) | 1991-11-08 |
Family
ID=30390716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18016782U Granted JPS5983052U (ja) | 1982-11-29 | 1982-11-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5983052U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02290032A (ja) * | 1989-12-14 | 1990-11-29 | Hitachi Ltd | レジンモールド型半導体装置の製造方法 |
-
1982
- 1982-11-29 JP JP18016782U patent/JPS5983052U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5983052U (ja) | 1984-06-05 |
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