JPH03502627A - 太陽電池用接点製作の改良された方法 - Google Patents
太陽電池用接点製作の改良された方法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 43
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 35
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 34
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 33
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 16
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 15
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical group CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 claims description 5
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 claims description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 4
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 3
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 3
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 claims description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical compound [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003570 air Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 229910018134 Al-Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018467 Al—Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000282994 Cervidae Species 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHBRHBQMHLEELN-UHFFFAOYSA-N acetic acid;1-butoxybutane Chemical compound CC(O)=O.CCCCOCCCC OHBRHBQMHLEELN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- -1 fluoride ions Chemical class 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000001012 protector Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
轡゛ 占「1の 一
本発明は固体素子半導体装置の製作に関する。更に詳しくは、本発明は窒化ケイ
素で被覆されたケイ素ウェーハの前側に導電性金属接点を形成するための改良さ
れた方法に関する。
光里夏λ景
これまで、ケイ素太陽電池を製作する一般的な方法は、(1)浅い接合を形成す
るようにP型ケイ素すボン中ヘホスフィンを拡散すること、(2)リボンの接合
側に窒化ケイ素の薄い被覆を形成すること、(3)写真平版(適当なホトレジス
ト組成物及びエツチングを使用する)によって窒化ケイ素被覆に格子電極パター
ンを形成すること、(4)アルミニウムペーストでケイ素リボンの他方の側を被
覆すること、(5)アルミニウム及びケイ素を合金にするようにケイ素を加熱す
ること、(6)リボンの両側で露出したケイ素をニッケルでめっきすること、(
7)ケイ化ニッケルを形成するためにニッケルを焼結すること、及び(8)ケイ
素の金属で覆われた部分上へ追加の金属をめっきすることの工程を含んでいた。
そのような方法のより詳細な説明は米国特許第4451.969号でみられるこ
とができる。
残留レジストの除去を必要上含む写真平版による格子電極の形成工程は非常にを
効である。しかしながら、写真平版は幾つかの時間を消費する工程を含み且つ太
陽電池を作る全コストに不相応に高い負担を加える。
米国特許第4375007号、同第4388346号及び同第4640001号
並びにそれらで引用された文献は従来技術の状態を例示している。米国特許第4
375007号はアルミニウムーマグネシウム合金の低抵抗接点を存するケイ素
太陽電池を開示している。 Al−Mg合金はNi−5b合金又はAIを粉末の
形で混合され、5iJaで被覆されたケイ素太陽電池に低抵抗導電性接点を作る
。
米国特許第4388346号は固体素子装置のための電極を開示している。!極
は、気化可能な結合側ポリマー及びフルオロカーボンポリマーを含む液体ビヒク
ル中に分散された低融点の焼結可能な金属で被覆された卑金属粒子の分散液を含
有するインクのパターンをマスクを通してスクリーン印刷することによって形成
される。スクリーン印刷された装置を焼成する際に、被覆された金属粒子は酸化
されることなく焼結して接点電極を形成する。無反射被覆が次に電池に施される
。
より最近に、米国特許第4640001号(コイワイほか)はケイ素ウェーハが
250°C及び600°Cの間の温度でプラズマCVD蒸着によって窒化ケイ素
の無反射被覆で被覆された太陽電池製作方法を開示している。窒化ケイ素被覆は
ケイ素電池の表面をスクリーン印刷された電極の焼成を受入れ難くする。それ故
、被覆は電極が形成される領域でエツチングによって部分的に除去され、電極が
ケイ素ウェーハへ結合されるのを保証する。
本発明が考えられた時点では、光電池式の太陽電池の広まった使用が比較的低い
コストで12%又はそれより高い変換効率を有する信頼性ある太陽電池を作り得
る製作技術の開発に依存することは広く認識されていた。他の半導体装置のよう
に、太陽電池のコストは出発材料のコストと出発材料を完成製品に変換するコス
トとに依存する。ケイ素を少なくとも12%の有効なケイ素太陽電池に低コスト
で変換することは、格子電極を形成するために適当な低コストの金属化技術なし
では達成されることができない。
皇里皇且釣
従って、主たる目的は、金属ペーストが窒化ケイ素を通して焼成されて導電性接
点を形成する太¥lA電池の製作の低コストの工程手順を提供することである。
本発明の別の目的は、金属ペーストが窒化ケイ素被覆を通して焼成されて基体と
共に導電性接点を形成すると同時に周囲の窒化ケイ素を無反射層として且つ基体
の環境保護体としても作用させる光電池式半導体接合装置を作る改良された低コ
ストの方法を提供することである。
更に別の重要な目的は、窒化ケイ素の層が各電池上で無反射被覆として作用し、
且つ金属接点の形成が窒化ケイ素を通して得られる半導体太陽電池を作る改良さ
れた方法を提供することである。
本発明の更に別の目的は、ニッケル又は銀を利用するペーストが窒化ケイ素層を
通して焼成されて導電性接点特表平3−502627 (3)
を形成する太陽電池を作る方法を提供することである。
本発明の追加の目的は、(イ)金属接点の通用のip備中に窒化ケイ素層に格子
パターンをエツチングすることなく、且つ(ロ)接点形成の過程で電池性能を劣
化することなく、前述した目的を達成する窒化ケイ素被覆を有するケイ素太陽電
池を製作する改良された方法を提供することである。
本発明の他の目的は、ニッケル又は銀接点を形成する従来の方法よりも少ない出
費であるが信頼性が少なくないケイ素太陽電池を作る改良された方法を提供する
ことである。
上述した目的は、次の工程、即ち(1)P−N接合を有し且つ該接合に近接した
基体の前表面上に窒化ケイ素の層を有するケイ素の基体を準備すること、(2)
層が窒化ケイ素上に選択された接点パターンを形成するように選択された金属ペ
ーストで窒化ケイ素層を選択的に被覆すること、及び(3)金属被覆を窒化ケイ
素層に迅速に且つ有効に侵入させ且つ金属オーム接点を基体の前表面上に形成す
るように基体を加熱することを含む説明した特徴の太陽電池製作手順によって達
成される。新規な方法は背側のオーム接点を既に有するケイ素太陽電池で実施さ
れることができ、又は背側のオーム接点は前表面接点が形成された後に形成され
ることができる。
好適な実施例は、とりわけ次の工程、即ち(1)P−N接合を有し且つ前表面上
に窒化ケイ素の層を有するケイ素基体を準備すること、(2)アルミニウムのペ
ーストでケイ素基体の後側を被覆すること、(3)選択された銀又はニッケルペ
ーストでケイ素基体の前側を選択的に被覆すること、及び(4)(イ)アルミニ
ウムによる付着性導電性後側接点の形成及び(ロ)ペースト中の金属及びフリッ
ト組成物の窒化ケイ素層への侵入及び付着性導電性前側接点の形成を迅速に且つ
有効に行うためにケイ素基体を加熱することを含む、その後、基体は例えばそれ
を電気回路への連結に備えるために更に加工されることができる。
基体中へ焼成される金属ペーストは次の特性を育しなければならない。第一に、
それは太陽電池の完全性が破壊されない比較的低い温度で、即ち約900°Cよ
り低い温度で窒化ケイ素層に迅速に侵入することができなければならない、第二
に、それはそのP−N接合を変えるように従って電池性能を劣化するようにケイ
素基体中へ拡散してはならない、第三に、それは窒化ケイ素層を熱処理中にひび
割れさせないようにしなければならない、第四に、それは無反射素子として作用
する窒化ケイ素層の能力を大きく変えてはならない。
本発明の他の目的は一部明白であり且つ一部以下で明らかになろう、従って本発
明は幾つかの工程を含み且つ以下の詳細な説明で例示される該工程の1つ以上の
工程の他の工程のそれぞれに関する関係を含み、且つその通用範囲は請求の範囲
で示される。
図1B医番屋ll【叫
本発明の本質及び目的のより充分な理解のために、本発明の好適な形による太陽
電池を作ることに含まれる多数の工程を例示する添付図面と一緒に考察される以
下の詳細な説明を参照すべきである。
図面全体を通して、同様な参照数字は同様な構造を参照する。
図面において、幾つかの被覆及び領域の厚さ及び深さは尺度をもって図示されて
いないし、また図示の便宜の■の晋 tU
次に図面を参照すると、本発明の好適な実施例はEFG生長生長炉型ケイ素リボ
ンの太陽電池の製造に関する。
この実施例のために、出発部片として半完成された電池1が準備される。半完成
された電池lは好ましくは所定長さのP型厚電性ケイ素リボンを含む基体2を存
しその一方の側(以下「前側」とする)は比較的浅い接合4(例えば約3000
及び約7000オングストローム単位深さの間の接合)と、N型(典型的にはN
+)導電性領域6と、窒化ケイ素層1Gとを設けている。基体の他方の側(以下
「後側」とする)は好ましくは基体へ合金されたアルミニウムの層12とP+j
l域14とを設けている* P 十61域14ば好ましくは約1ミクロンから
約5ミクロンまでの厚さを有する。
半完成された電池1は当業界でよく知られる多数の手段のどれかによって製作さ
れることができる0例えば、接合4及びN十導電性領域6はリンの拡散によって
P型ケイ素基体2中に形成されることができる0層12及びP十領域14は、基
体の後側を、蒸発又は燃焼によって除去され得るテルピネオール、ジエチレング
リコールモノブチルエーテルアセテート又はエチルセルロースのような揮発性有
機ビヒクル中のアルミニウム粉末からなるアルミニウムペーストの層で被覆し、
次に基体を加熱してペーストの揮発性又は熱分解可能な有機成分を除去し且つア
ルミニウムを基体へ且つP+領域から合金することによって形成され得る。しか
しながら、基体、接合、及び後側電極の他の形、及び製作の他の方法が半完成さ
れた電池1を準備するために同等によく採用されることができる。
勿論、本発明によって徒供される方法はEFG基体から太陽電池を製造すること
に制限されない、従って、例えば、鋳造された多結晶質の基体、冶金等級ケイ素
上のエピタキシャルケイ素又は化学的又は物理的蒸着によって形成される微細等
級ポリケイ素が本発明を用いて太陽電池を作るために使用され得る。更に、方法
は単一結晶ケイ素に通用できる。そのうえ、方法はN型並びにP型材料で実施さ
れることができる。また、本発明はリボン又は同様な平らな素材以外の基体、例
えば円形の部片又は円弧状又は多角形横断面を存する基体に適用され得る。
第1図に示すような予め加工された部片で出発すると、前側は、選択された導電
性金属、ケイ酸鉛ガラス又はホウケイ酸鉛ガラスのフリット、及びペーストの2
〜10重量%までの量でエチレングリコールモノエチルエーテル又はテルピネオ
ールのような低沸点液体有機ビヒクルを含有するペースト16で被覆される。好
ましくは、コスト及び他の配慮のために、金属はニッケル又は銀である。ペース
トは、所定の電極パターンに従って、例えば一端において母線又はランナへ付着
された複数個の狭いフィンガを有する格子電極の形で通用される。適当な格子電
極の1つの形は米国特許第3686036号に例示されている。ペースト16は
エレクトロニクス産業で一般に使用されている既知の技術のどれかを用いて適用
されることができる。スクリーン印刷及び直接書込み被覆技術は満足し得る。
ペースト16が適用され且つ乾燥された時、それは焼成される準備ができる。焼
成は酸素雰囲気を有する炉中で行われる。焼成温度は変えることができるが、そ
れはいずれの場合にも有機物を揮発させ又は熱分解させるため及びフリットが窒
化ケイ素層10を通して焼成するまでガラスフリットを融解するために充分であ
るべきである。炉中での時間は焼成温度によって変わり、−i的に炉中での全時
間は基体を焼成温度まで上げるに要する時間を含めて0.25分及び2.0分の
間であり得る。ペース)16での金属、ガラスフリフト及び有機物の濃度は変え
ることができる。しかしながら、好ましくは、ペーストは20〜70重量%の金
属、5〜30重量%のガラスフリフト、及び1〜12重量%の有機物からなる。
最も好ましくは、ペーストと約5重量%だけのガラスフリフトと1重量%から2
.0重量%の間のエチレングリコールモノエチルエーテル又は1.0重量%から
10重量%の間のテルピネオールとを有する。ガラスフリントは5〜80重量%
の鉛と、ケイ酸鉛ガラスの場合には40重量%までの酸化ケイ素と、ホウケイ酸
鉛ガラスの場合には1〜40重置%の酸化ホウ素とを含む。
650〜850°Cの温度がペーストを焼成するために適当であるが、約800
″Cの温度が好ましい、従って、例えば、a o o ’cまで加熱された周囲
空気を含む炉が、選択された導電性金属として銀又はニッケルを含むペーストの
ための焼成温度で15〜60秒で所望の成果を得るために充分であることが判明
している。もしニッケルがペースト16に含まれた選択された金属であるならば
、周囲空気は好ましくは例えば90〜100%の窒素と0〜10%の酸素で実質
的に取替えられる。
焼成中、ペースト16中のガラスフリフトは流動性になり且つ窒化ケイ素層10
を通して焼成し、凹部17とオーム接点18とを形成する。ベース)16中の有
機物は渾発し又は焼き払われ且つ導電性金属及びガラスフリントは基体の前表面
へ付着してオーム接点18を形成する。
代替的の好適な実施例では、基体の後側はアルミニウムのペーストで被覆されて
いる。この実施例では、前側の窒化ケイ素層lOを通しての金属ペーストの焼成
は、アルミニウムをケイ素基体の後側へ合金するためにアルミニウムペーストを
焼成することと同時に行われる。
本発明の好適な実施例では、導電性金属は銀又はニッケルである。
ペースト16は銀及びニッケルに追加して又はそれらの代わりに他の金属を含む
ことができる。これらの他の金属はパラジウム、白金及びロジウムである。ニッ
ケル及び銀と同様に、それらは好ましくは比較的低い温度でオーム接点を形成す
ることができる。
次の例は本発明を実施する好適な様態を例示する。
劃−
P型EFG生長ケイ素リボンの半完成された電池が約1〜5Ω−C−の導電率を
有して準備される。!池は、約6000オングストローム深さの浅いP−N接合
と、その前表面に約800オングストロームの窒化ケイ素層とを有する。電池の
後側はケイ素へ合金されたアルミニウムの層を有する。
銀含有ペーストの層が窒化ケイ素層上へ選択的にスクリーン印刷される。ペース
トの層は米国特許第3686036号に例示された形を有する多フィンガ付格子
電極としてパターン化される。ペーストは銀の金属と、ホウケイ酸鉛のガラスフ
リフトと、液体ビヒクルとしてテルビネオ−ルとを含む、銀金属は粉末の形であ
り且つガラスフリフトと5〜80%の鉛と、5〜30%の酸化ホウ素と、5〜4
0%の酸化ケイ素とを含む、銀金属、ガラスフリット及びビヒクルは、ペースト
の約70〜80重量%、5重量%及び15〜25重量%をそれぞれ構成する。
ペーストが乾燥した時(しかしそれは揮発性ビヒクルを蒸発させるためにペース
トを加熱することを含む必要がない)、ケイ素基体は空気炉中へ通され且つ空気
中で約800°Cまで加熱される。それはその焼成温度で約15秒間係たれる0
次にそれは炉から取出され且つ室温まで冷却される。炉中での全時間は約2分で
ある。焼成工程は、ペースト中の有機物が揮発し且つ燃え尽き且つホウケイ酸鉛
ガラスが充分に流動性になって窒化ケイ素被覆を通して焼成し且つケイ素基体の
前表面へ付着するに充分であることが判明した。ガラスフリフトはそれと共に銀
を担持し且つ銀を基体とのオーム接点を作ることを可能にする。
本発明により形成され且つ前述の例によって例証された接点を有するEFG基体
太陽電池は試験され且つ満足な結果を生じた8本発明により作られた電池は次の
特性を示した。即ち、開回路電圧589+V、短絡電流密度30、:)+A八へ
2、充填係数0.78、効率13.8パーセントであった。上述した値は、オー
ム接点を形成するためにエツチング及びめっき技術を用いる現行の加工方法で得
られた結果と比較できる。
最良の結果は焼成後フッ素イオンを含む溶液中で短時間(10〜20秒)の浴を
受けた接点から得られた。浴の作用を受けた8つの電池からの平均値は次のよう
に計算された。即ち、平均開回路電圧は588閣νであり、短絡電流は29.5
−A/c@”であり、充填係数は0.75であり、効率は12.9パーセントで
あった。
完成された装置の前側に残留する窒化ケイ素は有効な無反射被覆として作用する
。これに関連して、前述したように、窒化ケイ素被覆が加熱工程に含まれた熱処
理中にひび割れしないことは注目されるべきである。
前部接点が銀で作られる時に後部接点がアルミニウムの代わりに少量のアルミニ
ウムを含み得る銀で作られ得ることは注目されるべきである。後部接点は前部接
点を画定するペーストの通用が行われ且つ乾燥された直後に適用されることがで
きる。
これらの及び他の変更はここに含まれた本発明の範囲から逸脱せずに上述の加工
でなされ得るので、上の説明に含まれ又は添付図面に示された全ての事項は例示
的として解釈されるべきであることは意図される0本発明は添付請求の範囲が表
す用語の広く一般的な意味によって示される。
浄書(内容に変更なし)
手続補正書防幻
特許庁長官 植 松 敏 殿1、事件の表示
PCT/US89102241
、発明の名称
太陽電池用接点製作の改良された方法
3゜補正をする者
事件との関係 特許出願人
住 所 東京都千代田区大手町二丁目2番1号新大手町ビル 206区
5、補正命令の日付 平成 2年12月11日 溌送日)
Claims (25)
- 1.(イ)(1)反対方向に向いた第1及び第2の表面、及び(2)前記第1の 表面上の窒化ケイ素の層を有するケイ素基体を準備することと、 (ロ)(1)ニッケル、銀、パラジウム、白金及びロジウムからなる種類から選 択された金属、(2)ケイ酸鉛ガラス又はホウケイ酸鉛ガラスを含むガラスフリ ット、及び(3)有機ビヒクルを含有するペーストで前記窒化ケイ素の層を選択 的に覆うことと、 (ハ)前記ペーストを前記窒化ケイ素に侵入させ且つ前記第1の表面上にオーム 接点を形成するように前記基体を加熱することと、 の工程手順からなる固体素子半導体装置を製作する方法。
- 2.前記ケイ素基体が前記第1の表面に近接して予め形成されたPN接合を有す る請求の範囲第1項に記載の方法。
- 3.前記装置が光電池式である請求の範囲第1項に記載の方法。
- 4.前記金属が銀である請求の範囲第1項に記載の方法。
- 5.前記金属がニッケルである請求の範囲第1項に記載の方法。
- 6.前記ガラスフリットがケイ酸鉛ガラスである請求の範囲第1項に記載の方法 。
- 7.前記ガラスが約5〜80重量%の鉛を含有する請求の範囲第1項に記載の方 法。
- 8.前記ガラスがおよそ約30重量%までの酸化ホウ素を含有する請求の範囲第 7項に記載の方法。
- 9.前記ペーストがスクリーン印刷で適用される請求の範囲第1項に記載の方法 。
- 10.加熱工程(ハ)が酸素を含む雰囲気中で行われる請求の範囲第1項に記載 の方法。
- 11.前記金属が銀である請求の範囲第1項に記載の方法。
- 12.前記加熱工程が周囲空気のもとにおいて炉中で行われる請求の範囲第1項 に記載の方法。
- 13.前記加熱工程が650〜850℃の間の温度で行われる請求の範囲第12 項に記載の方法。
- 14.前記加熱工程が基体を650〜850℃の温度で15〜60秒間焼成する ことを含む請求の範囲第13項に記載の方法。
- 15.前記金属がニッケルである請求の範囲第14項に記載の方法。
- 16.前記金属がパラジウムである請求の範囲第1項に記載の方法。
- 17.前記金属が白金である請求の範囲第1項に記載の方法。
- 18.前記金属がロジウムである請求の範囲第1項に記載の方法。
- 19.前記基体が前記第2の表面上に第2のオーム接点を有する請求の範囲第1 項に記載の方法。
- 20.前記第2のオーム接点がアルミニウム又は銀の金属を含む請求の範囲第1 9項に記載の方法。
- 21.第2のアルミニウムを含有する被覆が前記基体に適用される請求の範囲第 1項に記載の方法。
- 22.前記ペーストがテルピネオール又はエチレングリコールモノエチルエーテ ルを、テルピネオールの場合にはペーストの10重量%を越えない量で、エーテ ルの場合には20重量%を越えない量で含む請求の範囲第1項に記載の方法。
- 23.(イ)(1)向かい合わせの第1及び第2の表面、及び(2)前記第1の 表面上の窒化ケイ素の層を有するケイ素基体を準備することと、 (ロ)(1)少なくとも1つの選択された導電性金属、(2)ケイ酸鉛ガラスフ リット及び(3)有機ビヒクルを含有するペーストで前記第1の表面を選択的に 覆うことと、 (ハ)前記選択された金属が前記第1の表面上にオーム接点を形成するように前 記ペーストを前記窒化ケイ素に侵入させるべく前記基体を加熱することと、の工 程によって形成された固体素子半導体装置。
- 24.前記ケイ素基体が前記第1の表面に近接して予め形成されたPN接合を有 する請求の範囲第23項に記載の装置。
- 25.前記ペーストがニッケル、銀、パラジウム、白金及びロジウムからなる群 から選ばれた金属を含有する請求の範囲第24項に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
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JP (1) | JPH03502627A (ja) |
KR (1) | KR900702573A (ja) |
CN (1) | CN1025905C (ja) |
AU (1) | AU626895B2 (ja) |
CA (1) | CA1323452C (ja) |
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