JPH03501670A - 炭化珪素製mosfet - Google Patents
炭化珪素製mosfetInfo
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- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 167
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 158
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 105
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 79
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 73
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 46
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 40
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 38
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 28
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 20
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 19
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 17
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 16
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 15
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 13
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 11
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 11
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 10
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910021431 alpha silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims 2
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 21
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000779 depleting effect Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 240000001492 Carallia brachiata Species 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000032750 Device leakage Diseases 0.000 description 1
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 1
- 241000282376 Panthera tigris Species 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 235000015067 sauces Nutrition 0.000 description 1
- HWEYZGSCHQNNEH-UHFFFAOYSA-N silicon tantalum Chemical compound [Si].[Ta] HWEYZGSCHQNNEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1608—Silicon carbide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
炭化珪素製MO3FET
発明の分野
本発明は、金属酸化物半導体電界効果トランジスター(MOSFET ’)、特
に炭化珪素製金属酸化物半導体電界効果トランジスターに関する。
発明の背景
半導体を電気的利用に使用する面での発展は、回路と電気部品の創作において特
別の適用分野を有する種々の装置を生み出した。装置の1個の型は、その3個の
主要部品の名前を取って命名された金属酸化物半導体電界効果トランジスター(
MOSFET)として既知である。より広い意味では、そのような装置は、金属
絶縁膜半導体電界効果トランジスター(MISFET)と呼称できるが、大抵の
場合絶縁層として酸化物を使用するので、この出願明細書の全体を通して主とし
て酸化物指定を使用する。しかし、他の絶縁材料を適宜使用し、それに言及する
こともある。
電界効果トランジスターは、多少接合トランジスターとは異なる。2個のp−n
接合部を相互に近接して位置させ、ベースとして知られる半導体材料の小さな部
分を共有する場合に、接合トランジスターが形成される。尚、接合トランジスタ
ーは、歴史的には最初に開発されたトランジスターである。接合トランジスター
は、一方の接合部(コレクター)に隣接する半導体材料の部分からベースを経由
して他方の接合部(エミッター)に隣接する半導体部分に入りかつ出る電流を、
ベースに印加された電圧を制御することにより制御する。
電界効果トランジスターは、多少異なる原理で作動する。典型的には、電流はソ
ースとして知られる半導体材料の領域を通って電界効果トランジスターに入り、
かつドレーンとして知られる半導体材料の別の領域から半導体材料を出る。ソー
スとドレーンとは、ゲートして知られる半導体材料の更に別の領域により相互に
分離されている。正又は負バイアス(トランジスターの型式に応じて)のいずれ
かの適当な電圧をゲートを通して作用領域に印加する時、電流は制御される。特
に、ゲー)・の半導体材料が、通常電流が流れるn−型材料である場合、ゲート
に負バイアスを印加すると、作用領域から電子を空乏化させて、導通チャンネル
を細(し、かつそれによりソースからドレーンに流れる電子の流れを妨害する。
このような装置をデプレッションモードMO3FETと呼称する。それとは又別
に、ゲートの半導体材料が、通常非導電性であるp−型材料である場合、ゲーI
・に正バイアス電圧を印加すると、その領域から正孔を空乏化させて、その領域
をさらに導電性にし、電子キャリヤが過剰となる。
ソースとドレーンの面を不活性化し、かつゲート半導体部分からゲート接点を絶
縁するために、絶縁膜材料をこれらそれぞれの部分の間に位置させる。珪素は現
在λ(O3FETに最も普通に使用する半導体材料であるから、最も一般的な絶
縁体材料は、2酸化珪素から形成される。金属又は他の導電性材料で製作できる
ゲート接点と、絶縁体(通常2酸化珪素)と、半導体材料と、並びに装置の動作
方法に由来して、その名前がMOSFETと呼称されている。
MOSFETはその導入以来適当な装置として広く受け入れられている。しかし
、他の全ての半導体装置と同じく、MOSFETのいくつかの特性は、それが形
成されている半導体材料の特性により制限される。珪素は、ある種の適用分野に
対し本来的制限を有しているので、珪素から形成された対応するMOSFETも
同じく本来的制限を有する。
従って、装置の性能を改善する一つの方法は、より優れた特性を有する材料で半
導体を形成することを試みることであると認識されて来た。種々の優れた特性を
有する材料の1種は、炭化珪素(SiC)である。炭化珪素はい(っかの優秀な
半導体性状を有している。即ち、広いバンドギャブと、高い熱伝導性と、高い融
点と、高いブI/−クダウン電界強度と、高い飽和電子ドリフト速度である。広
いバンドギャプは狭いバンドギャグの半導体材料に較べて、有利性を炭化珪素に
与える。加えて、その高い熱伝導性とより良好な温度安定性は、次のことを意味
する。
即ち、発散した熱エネルギーのために相互に破壊すると言う危険を冒すことなく
、炭化珪素から構成される装置をより密に詰めることができ、並びに炭化珪素か
ら構成される装置は、狭いバンドギャプ半導体で形成された装置より顕著に高い
温度で動作することができることを意味する。
従って、装置、特にMOSFETを炭化珪素から形成する多数の試み行われてき
た。しかし、適当な化学的不純物の混入と低い欠陥水準の結晶性炭化珪素の製造
は、なかなか達成できないゴールであり、単一の結晶薄フィルムと大きい結晶の
成長を達成することは、今まで困難であった。加えて、装置製造のために、必要
なドーパントイオンを炭化珪素に成功裏に導入し、活性化することは同じように
困難であることが、判明していた。
本発明の承継人に承継されたいくつかの米国特許出願に記載されているように、
最近これらの問題に対し成功裏に取組みが行われている。これらは、1987年
10月26日に出願された第113゜921号の0ベータSiC薄フイルムの成
長及びその上に加工された半導体装置”、1987年10月26日に8願された
第113.573号の“アルファSiC薄フィルムのホモエピタキシャル成長及
びその上に加工された半導体装置”、並びに1987年10月26日に出願され
た第113.561号の“単結晶炭化珪素へのドーパントのインプランテーショ
ンと電気的活性化”を含む。炭化珪素薄層フィルムと炭化珪素単一結晶の形成及
びこれらの方法に従って炭化珪素を成功裏にドーピングすることに関する進歩は
、炭化珪素製トランジスターを含む商業的品質の装置を生産することに対する関
心に再び火を付けた。
炭化珪素の上に種々の接合部、ダイオード、整流器、及び他の接点を作る試みが
多数なされて来た。更に特定すれば、特許文献のワラス第3.254.280号
は炭化珪素製接合トランジスターの形成方法を議論している。ワラスによると、
当業者に既知の適当な方法を使って、必要な炭化珪素の単一結晶を成長させるこ
とができる。かつ、当業者に既知の適当な方法を使用して、ドーピングを行うこ
とができる。ド・−ピングされた単一結晶炭化珪素の製造について、ワラスは議
論していないが、実際上、不純物と欠陥とが適当な水準にあるドーピングされた
単一結晶を形成することは非常に難しく、ワラスの教示に基づく商業的装置は未
だ出現していない。
ハルは、特許第2.918.396号において、炭化珪素製接合型トランジスタ
ーの形成方法を開示している。そこに、開示された主要技術は、炭化珪素の単一
結晶の表面の活性成分(ドーパント)に沿って珪素で形成された合金を配置し、
炭化珪素の温度ををその融点以下の温度であるがその合金を溶融させかつ炭化珪
素の表面部分を溶解させるに充分な温度に上昇させる、技術である。材料が冷却
した時、うまく行けばp−n接合が形成している。ハルによれば、適当な結晶を
ラージ手法を用いて調製することができる。しかし、炭化珪素に関する技術につ
いて精通している者には既知であるように、シーり手法は、デバイス級の品質の
炭化珪素の単一結晶を製造することに関する本来的困難を克服することに大雑把
に言って失敗したアンシーデッドサブリメーション (Unseeded Su
blimation)手法を代表している。
他の研究者は炭化珪素の上に機能するMOSFET5を製造する特定の試みをな
して来た。例えば、Jap、J、Appl、 Phys、 23.1862(1
984)”珪素の上にCVD成長させた炭化珪素立方体を使用する反転型MO3
電界効果トランジスター”において、柴原等は、化学的蒸着法(CVD)による
珪素の(100)面に成長させた炭化珪素立方体で反転型ローチャンネルMO3
FETを製造する彼らの試みを議論している。柴原の業績は、同じくティー・ア
セラージ、ディー・エミン及びシー・ラード(T、AselaHe、 D、Em
in、 C,Wood)により編纂された“新規なリフラクトリ半導体材料研究
会シンポジウム議事録”(材料研究会、1978年のペンシルベニアのピッツバ
ーグにおいて)の第97巻の247頁において議論されている。これら記載の方
法にもかかわらず、柴原等により製作された装置が、室温以上の温度で成功裏に
作動することは公開されなかった。先に議論したように、非常に高い温度での装
置の動作は、炭化珪素の上に装置を形成しようとする試みの特定の理由のうちの
一つである。炭化珪素の上に形成された装置が、珪素の上に形成された装置の動
作する温度と異なる温度では動作することのできないのならば、炭化珪素製の装
置は何らの特定的利点を提供しないことになる。
近藤等は、同じく”実験的3C−SiCMO3FET″IEEE電子装置Let
t、、EDL−7,404(1986)にベータ炭化珪素で製造した実験的MO
SFETを記載している。この論文によると、近藤は、p−型珪素(100)基
体の上にCVDを使用してベータ炭化珪素フィルムをエピタキシャル状に成長さ
せた。近藤は、デプレッションモードMO3FETを製作した。それにもかかわ
らず、その結果となる装置は、電流飽和、しきい値カットオフ、及び高温動作可
能性を何ら示さなかった。従って、近藤の論文において開示された手法は、不成
功と見なさざるえない。
従って、本発明の目的は、炭化珪素から製作された、金属酸化物半導体電界効果
トランジスター(MOSFET )を製造することである。
本発明の別の目的は、炭化珪素から製作された反転モード及びデプレッション型
MOSFETを提供することである。
本発明の更に別の目的は、650°Cの温度で動作できる、炭化珪素の上に形成
されたMOSFETを提供することである。
本発明の別の目的は、少な(とも650°Cの温度て動作できかつ高い放射密度
の金属酸化物半導体電界効果トランジスターを提供することである。それは、第
1導電型の炭化珪素基体を酸化して2酸化珪素表面層を形成し、選択的に2酸化
珪素表面層にゲート接点材料を被着し、イオンをドーピングする高温インプラン
テーションにより所望の導電型のドープソース(ドーピングされたソース)とド
ープドレーン(ドーピングされたドレーン)を形成し、更にソース接点とドレー
ン接点とを被着することによりMOSFETを形成する。
本発明の別の目的は、少なくとも650 ’ Cの温度で動作できかつ高い放射
密度の反転モード金属絶縁膜半導体電界効果トランジスターを提供することであ
る。それは、イオンをドーピングするソースとドレーンの高温インプランテーシ
ョンにより、第2導電型の炭化珪素のドープ部分に第1導電型のドープソースと
ドープドレーンを形成する反転モード金属絶縁膜半導体電界効果トランジスター
を形成する。
本発明の更に別の目的は、少なくとも650°Cの温度で動作できかつ高い放射
密度のデプレッションモード金属絶縁膜半導体電界効果トランジスターを提供す
ることである。それは、イオンをドーピングするソースとドレーンの高温インプ
ランテーションにより、ドープソース及びドープドレーンと同じ導電型の炭化珪
素半導体部分に一層濃厚にドーピングされたソースと一層濃厚にドーピングされ
たドレーンを形成することにより、デプレッションモード金属絶縁膜半導体電界
効果トランジスターを形成する。
本発明により達成された発明の他の目的及び利点は、実施例に記載する以下の詳
細な説明及び添付図面において明らかにされる。
図面の簡単な説明
第1図から第5図は、本発明に係るn−チャンネル反転モード金属絶縁膜半導体
電界効果トランジスターのいくつかの工程とその結果生じる構造を示している。
第6図は、本発明に係るn−チャンネルデプレッションモード金属絶縁膜半導体
電界効果トランジスターの断面図である。
第7図は、本発明に係るn−チャンネルデプレッションモードMOSFETの2
96にの温度でのドレーン電流対ドレーン電圧の相関線図である。
第8図は、本発明に係る第7図と同じMOSFETの573 Kの温度でのドレ
ーン電流対ドレーン電圧の相関線図である。
第9図は、本発明に係る第7図及び第8図と同じλIO3FETの923にの温
度でのドレーン電流対ドレーン電圧の相関線図である。
発明の概要
本発明は、少なくとも650°Cの温度で、かつ高い放射密度及び高いパワーレ
ベルでの動作が可能な金属酸化物半導体電界効果トランジスターを形成する方法
である。この方法は、第1導電型の炭化珪素基体を酸化して2酸化珪素表面層を
形成し、更に選択的に2酸化珪素表面層にゲート接点材料を被着する工程を含む
。所望の導電型のドープソースとドープドレーンは、ドーピングイオンの高温イ
ンプランテーションにより形成し、それに続いてソース接点とドレーン接点とを
被着させる。
本発明の例として、デプI/ツションモードn−チャンネル金属酸化物半導体電
界効果トランジスターが、6Hアルフア炭化珪素単一結晶の(0001)面に化
学蒸着させることにより、エビタキシャアル状に成長したn−型ベータ炭化珪素
(Ill)薄フィルムの上に製作された。ゲート酸化物を炭化珪素の上に熱的に
成長させ、823にで窒素イオンインプランテーションによりソースとドレーン
とのn+トド−ングを行った。安定な飽和とサブしきい電流は25Vを超えるド
レーン電圧(vo)において達成された。
11、9ms/m1Ilの高いトランスコンダクタンスを達成した。安定したト
ランジスター動作を923にの高い温度で観察できた。その温度は、材料のいか
んを問わず、製作されたトランジスターについて今までに報告されたデータの中
で最も高い温度であった。
詳細な説明
歴史的に見て、炭化珪素の上に形成された電気的装置についての研究は、主とし
て高い品質の炭化珪素フィルムを得る点での困難性の故にかなりの制限を受けて
きた。しかし、先に記載した同じ承継人に承継された特許出願に記載したように
、最近炭化珪素基体にアルファ及びベータ炭化珪素薄フィルムを成長させる点、
並びに炭化珪素の大きい単一結晶を成長させる点での成功は、従来に比べて、装
置研究に対する良好な基盤を提供している。ここに記載したMO3FET装置は
、これらの成功した新しい技法を使用することにより形成された。
加えて、先に言及したように、炭化珪素にドーパントイオンを添加する新規でか
つ良好な結果を得た方法が最近開発された。
イオンインプランテーション技法で室温(例えば、298K)並びに低い温度(
例えば、77K)の両者で炭化珪素をドーピングする試みがなされたが、アニー
リングに続いて行ってさえ、成功しなかったこと見出されている。上の応用で議
論した通り、しかし、イオンインプランテーションを比較的高い温度(例えば、
623 K、 823 K、 1023 K )で実行すると、格子に対する初
期損傷は最小限化され、通常充分に必要な温度より一層温和な温度(1200K
)でのアニーリング工程はドーパントイオンを活性化する。
第1図から第5図は、本発明及びそれにより生じた構造に係るn−チャンネル反
転モードMO3FETを形成するために使用されたいくつかの工程を示す。第5
図は、ここで更に説明する閘心リング構造を有する仕上済装置の断面図である。
第5図では、ソースはlOで示され、ロー型である。ドレーンは11て示され、
n〜型である。その両者ともP−型炭化珪素基体12に高温インプランテーショ
ンにより形成された。ゲートは13で示しである。2酸化珪素の絶縁体層は14
で示され、ソース接点は15で、ドレーン接点は16で示され、ソース接点とド
レーン接点ともタンタルシリサイド(TaSiz)で形成されている。尚、これ
は、この材料の新規な用途である。既に明らかにしたように、ゲート13はポリ
シリコンで形成されたゲート接点17を有する。本発明の好適実施例では、同心
ゲートリングは、20マイクロメータ(um)幅の連結ストリップを有し、その
ストリップは、100 umX100t+o+接点パッドに伸びていた。ソース
接点15は、ゲート連結ストリップを除いたゲートリング13とゲート接点を取
り囲む外側同心半円形である。ソースリングは同じり100マイクロメータ直径
の接点パッド15に連結する連結ストリップを有する。
第1図は、本発明に係るMOSFETを形成する場合の最初の工程のいくつかを
示している。2酸化珪素層14はP−型炭化珪素基体12に通常の酸化手順によ
り積層される。リンドープポリシリコンの1層17は酸化物層14の上に堆積さ
れる。ホトレジスト材料20を被着し、図示のようにパターン化する。露出した
ポリシリコンをエツチングして取り除き、かつホトレジストを取り除くと、その
後炭化珪素基体12と酸化物層14は、残留しているポリシリコンのみがゲート
接点17を形成するものである第2図に示す外観を有する。P−型炭化珪素基体
12に酸化物層14を介して高温イオンインプランテーション(823K)によ
り窒素を添加し、ソース10とド1ノーン11のためのn−型ウェルを形成する
。
第3図において、追加のホトレジスト20を積層し、かつパターン化してソース
とドレーンの上の露出酸化物層14にウィンドウをエツチングする。第4図では
、ホトレジストの上及び、酸化物の開口により露出した露出炭化珪素面の上に、
タンタルシリサイドをスパッター被着させた。ホトレジスト20を取り除いた時
、残留しているタンタルシリサイドのみが、ソースとドレーンに隣接している、
以前に露出した炭化珪素面に存在するものである(第5図)。
第6図は、本発明により形成されたデプレッションモードλl0sFETを示す
。第6図において、P−型アルファ炭化珪素基体21は、P−型ベータ炭化珪素
層22とn−型ベータ炭化珪素層23とを保持する。断面図である第6図に示す
ように、一層濃厚にn−ドーピングしたソース24と一層濃厚にロード−ピング
したドレーン25はゲート26に沿って図示しである。既に記載した反転モード
MO3FETにおいて同様に、ソース接点27とドレーン接点30をタンタルシ
リサイドで形成し、一方ゲート接点31は、ポリシリコンで形成され、かつ酸化
物層32の上に重複して積層される。
特定の実施例において、炭化珪素フィルムを先ず0.1umダイヤモンドペース
トを用いて磨き、酸化して磨傷部分を取り除き、更にフッ化水素酸でエツチング
して酸化物フィルムを取り除いた。ゲート酸化物を続いて成長させ、5分間熱濃
硫酸(ト1□504)を、5分間熱アンモニヤ水(NH,OH)と過酸化水素(
H20□)との1対1混合物を、更に1分間フッ化水素酸(HF)を使用した3
段階洗浄プロセスを実施し、続いて脱イオン水で濯いだ。
5分間1173 K でリン(P)拡散によりドーピングされ、次いで図面に示
すようにパターン化してゲート接点を形成して調製した酸化物の上にポリシリコ
ンの500 nm厚フィルムを893にで低圧化学蒸着法で被着させた。
酸化物を介して窒素の高温イオンインプランテーションによりロー型ドープソー
ス領域とn−型ドープドレーン領域を形成した。
イオンインプランテーションは、5. OX 10” cm”の線量で773K
、70 KeVで実施された。
第7図は、本発明に係るベータ炭化珪素製MO3FETに対する296にの温度
で測定したドレーン電流対ドレーン電圧特性を示す。測定した特定の装置は、7
.2umのゲート長さと390 unのゲート幅と、24umのソース接点から
ドレーン接点までの距離を有した。第7図に示すように、この装置は、25Vの
ドレーンソース電圧に対し非常に安定なドレーン電流飽和を示した。この傾向は
、酸化物が破壊し始める30Vのソースドレーン電圧の点まで現実に継続した。
従って、これは、ベータ炭化珪素で形成された電界効果トランジスターに対して
5V以上のドレーンソース電圧で安定な飽和が報告された最初の事例である。
ドレーン−ソース電圧の平方根対V。(ゲート電圧)の線図から決定されるよう
に、しきい電圧は、−12,9Vのゲート電圧(Va)であった。この装置の2
5Vのvbsでの漏洩電流は、オフ状態(Va = 15V)で3.75マイク
ロアンプ(uA)であった。
20Vに固定されたVDsと室温でのこの装置のトランスコンダクタンスは、V
a =2.5 Vで5.32m5/mmてあった。
第8図は、同じ装置に対するものであるが573Kに加熱されその温度で15分
間安定している装置のドレーン電流対ドレーン電圧の別の線図である。温度の上
昇にもかかわらず、ドレーン電流飽和は、25Vまて非常に安定であった。25
Vのドレ−ンソース電圧と一15Vのゲート電圧での漏洩電流は25uAてあっ
て、しきい電圧は反対に■。=−13,3Vに移行した。
第9図は、同じ装置の923にの温度で測定したドレーン電流対ドレーン電圧の
別の線図である。トランスコンダクタンスは温度のこの一層の増加と共に減少し
た。第9図において、9−23にで測定した装置の低いトランスコンダクタンス
は、第7図と第8図とに比較して零ゲート■での低い電流により示される。
923にでのトランスコンダクタンスは、IVのゲート電圧より上で不規則にな
ったけれども、トランスコンダクタンスは、8Vのゲート電圧と20Vのドレー
ンソース電圧で約4.8ms/mmの最大値に到達した。より高い温度でのトラ
ンスコンダクタンスのこの減少は、より高い温度での格子スキャタリングの増加
に由来する。
第9図において、しきい電圧は、923にで反対に−14,8Vのゲート電圧に
移行した。漏洩電流は、−15Vのゲート電圧と25Vのドレ−ンソース電圧で
128 uAに増加した。973にで、装置は、同様の電流飽和を示したが、ゲ
ート酸化物は破壊を経験した。従って、電流はゲートに注入され、装置を遮断す
ることはできなかった。
説明と図面において、本発明の好適かつ例示的実施例を明らかにした。その実施
例は、例であって制限的なものではなく、本発明の範囲は、次の請求の範囲に明
らかにされている。
浄書(内容に変更なし)
浄書(内容に変更なし)
(b) ドレン電圧(Vン
補正書の写しく翻訳文)提出書(特許法第184条の8)平成2年4月26日
特許庁長官 吉 1) 文 毅 殿
1、特許8願の表示
PCT/US 88103793
2発明の名称
炭化珪素製MO3FET
3、特許出願人
名 称 ノース カロライナ ステート ユニバーシティ4、代 理 人
5、補正書の提出年月日
1989年10月26日
6、添付書類の目録
第1図は、本発明に係るMOSFETを形成する場合の最初の工程のいくつかを
示している。2酸化珪素層14はP−型炭化珪素基体12に通常の酸化手順によ
り積層される。リンドープポリシリコンの1層17は酸化物層14の上に堆積さ
れる。ホトレジスト材料20を被着し、図示のようにパターン化する。露出した
ポリシリコンをエツチングして取り除き、かつホトレジストを取り除くと、その
後炭化珪素基体12と酸化物層14は、残留しているポリシリコンのみがゲート
接点17を形成するものである第2図に示す外観を有する。P−型炭化珪素基体
12に酸化物層14を介して高温イオンインプランテーション(823K)によ
り窒素を添加し、ソース10とドレーン11のためのn−型ウェルを形成する。
第3図において、追加のホトレジスト20を積層し、かつパターン化してソース
とドレーンの上の露出酸化物層14にウィンドウをエツチングする。第4図では
、ホトレジストの上及び、酸化物の開口により露出した露出炭化珪素面の上に、
タンタルシリサイド15をスパッター被着させた。ホトレジスト20を取り除い
た時、残留しているタンタルシリサイドのみが、ソースとドレーンに隣接してい
る、以前に露出した炭化珪素面に存在するものである(第5図)。
第6図は、本発明により形成されたデプレッションモードλ(OSFETを示す
。第6図において、P−型アルファ炭化珪素基体21は、P−型ベータ炭化珪素
層22とn−型ベータ炭化珪素層23とを保持する。断面図である第6図に示す
ように、一層濃厚にn−ドーピングしたソース24と一層濃厚にn−ドーピング
したドレーン25はチャンネル26に沿って図示しである。既に記載した反転モ
ードMOSFETと同様に、ソース接点27とドレーン接点30をタンタルシリ
サイドで形成し、一方ゲート接点31は、ポリシリコンで形成され、かつ酸化物
層32の上に重複して積層される。
特定の実施例において、炭化珪素フィルムを先ず0.1umダイヤモンドベース
トを用いて磨き、酸化して磨傷部分を取り除き、更にフッ化水素酸でエツチング
して酸化物フィルムを取り除いた。ゲート酸化物を続いて成長させ、5分間熱濃
硫酸(H2SO4)を、5分間熱アンモニヤ水(NH,OH)と過酸化水素(8
202)との1対1混合物を、更に1分間フッ化水素酸(HF)を使用した3段
階洗浄プロセスを実施し、続いて脱イオン水で濯いだ。
5分間1173K でリン(P)拡散によりドーピングされ、次いで図面に示す
ようにパターン化してゲート接点を形成して調製した酸化物の上にポリシリコン
の500 nm厚フィルムを893にで低圧化学蒸着法で被着させた。
酸化物を介して窒素の高温イオンインプランテーションによりロー型ドープソー
ス領域とn−型ドープドレーン領域を形成した。
イオンインプランテーションは、5.OX1014cm−’の線量で773K
、 70 KeVで実施された。
第7図は、本発明に係るベータ炭化珪素製MO3FETに対する296にの温度
で測定したドレーン電流対ドレーン電圧特性を示す。
測定した特定の装置は、7゜2マイクロメータのゲート長さと390マイクロメ
ータのゲート幅と、24マイクロメータのソース接点からドレ−ン接点までの距
離を有した。第7図に示すように、この装置は、25Vのドレーンソース電圧に
対し非常に安定なドレーン電流飽和を示した。この傾向は、酸化物が破壊し始め
る30Vのソースドレーン電圧の点まで現実に継続した。
、請求の範囲
1.少なくとも650°Cの温度と高い放射密度において動作可能な金属酸化物
半導体電界効果トランジスターの形成方法であって、その方法は、
a)第1導電型を有する単一結晶炭化珪素基体を酸化して、2酸化珪素表面層を
形成する工程と、
b)前記2酸化珪素表面層にゲート接点材料を選択的に被着させる工程と、
C)約600にと約1100 Kとの間の温度に維持されている前記単一結晶炭
化珪素基体にドーパントイオンのイオンビームを指向させることにより、所望の
導電型のドープソースとドープドレーンとを形成する工程と、
d)ソース接点とドレーン接点とを被着させる工程とを、備える金属酸化物半導
体電界効果トランジスター形成方法。
2、 前記炭化珪素基体を磨く工程と、前記磨き工程により前記炭化珪素基体の
損傷した部分を酸化させる工程と、
前記炭化珪素表面層を酸化して前記2酸化珪素表面層を形成する前に、前記炭化
珪素基体の酸化した損傷部分を取り除く工程とを、実施することにより、酸化の
ために表面を調製する工程を更に備える、ことを特徴とする請求項1に記載の金
属酸化物半導体電界効果トランジスター形成方法。
3、 ゲート接点材料を被着させる前記工程は、前記2酸化珪素表面層に導電性
ポリシリコンゲート接点材料を付加する工程を含む、ことを特徴とする請求項1
に記載の金属酸化物半導体電界効果トランジスター形成方法。
4、 ソース接点及びドレーン接点を被着させる前記工程は、タンタルシリサイ
ドソース接点及びタンタルシリサイドドレーン接点を被着させる工程を含む、こ
とを特徴とする請求項1に記載の金属酸化物半導体電界効果トランジスター形成
方法。
6、 少なくとも650°Cの温度と高い放射密度において動作可能な反転モー
ド金属絶縁膜半導体電界効果トランジスターの形成方法であって、その方法は、
約600にと約1100にの間の温度に維持されている炭化珪素基体にドーパン
トイオンのイオンビームを指向させることにより、−導電型のドープソースとド
ープドレーンを反対導電型の炭化珪素のドープ部分に形成する工程を備える、こ
とを特徴とする反転モード金属絶縁膜半導体電界効果トランジスター形成方法。
7、 ドープソースとドープドレーンを形成する前記工程は、n−ドープソース
とn−ドープドレーンを炭化珪素のP−ドープ部分に形成する工程を備える、こ
とを特徴とする請求項6に記載の反転モード金属絶縁膜半導体電界効果トランジ
スター形成方法。
8、 ドープソースとドープドレーンを形成する前記工程は、p−ドープソース
とp−ドープドレーンを炭化珪素のn−ドープ部分に形成する工程を備える、こ
とを特徴とする請求項6に記載の反転モード金属絶縁膜半導体電界効果トランジ
スター形成方法。
9゜ 少な(とも650°Cの温度と高い放射密度において動作可能なデプレッ
ションモード金属絶縁膜半導体電界効果トランジスターの形成方法であって、そ
の方法は、約600にと約1100にの間の温度に維持されている炭化珪素基体
にドーパントイオンのイオンビームを指向させることにより、ドープソース及び
ドープドレーンと同じ導電型の炭化珪素半導体部分にドープソースとドープドレ
ーンとを形成する工程を備える、ことを特徴とするデプレッションモ・−ド金属
絶縁膜半導体電界効果トランジスター形成方法。
10、 ドープソースとドープドレーンを形成する前記工程は、n−型ドープソ
ースとn−型ドープド1ノーンをn−型化炭化珪素半導体部分に形成する工程を
備え、並びに前記ソースは前記半導体部分より高いキャリヤ濃度を有し、かつ前
記ドレーンは前記半導体部分より高いキャリヤ濃度を有する、ことを特徴とする
請求項9に記載のデプレッションモード金属絶縁膜半導体電界効果トランジスタ
ーの形成方法。
11、 ドープソースとドープドレーンを形成する前記工程は、P−型ドープソ
ースとP−型ドープドレーンをP−型炭化珪素半導体部分に形成する工程を備え
、並びに前記ソースは前記半導体部分より高いキャリヤ濃度を有し、かつ前記ド
レーンは前記半導体部分より高いキャリヤ濃度を有する1、ことを特徴とする請
求項9に記載のデプレッションモード金属絶縁膜半導体電界効果トランジスター
の形成方法。
12、P−型炭化珪素単一結晶基体と、前記P−型炭化珪素単−結晶基体にn−
型炭化珪素のウェルで形成されたソースと、
前記P−型炭化珪素単−結晶基体に存在し、前記P−型炭化珪素単−結晶基体の
領域により前記ソースから分離されているn−型炭化珪素のウェルで形成された
ドレーンと、前記ソースと前記ドレーンとを分離する前記P−型炭化珪素単−結
晶基体の領域の上の絶縁体の層と、前記ソースと前記ドレーンとを分離する前記
P−型炭化珪素単−結晶基体の領域に活性チャンネルを形成する、前記絶縁体層
の上のゲート接点と、並びに
ソースオーム接点及びドレーンオーム接点とを、備える、ことを特徴とする反転
モード金属絶縁膜半導体電界効果トランジスター。
13、更に、導電性多結晶質珪素で形成されたゲート接点を備える、ことを特徴
とする請求項12に記載の反転モード金属絶縁膜半導体電界効果トランジスター
。
14、前記ドレーンは前記ゲートにより取り囲まれ、かつ前記ゲートは前記ソー
スにより取り囲まれている、ことを特徴とする請求項12に記載の反転モード金
属絶縁膜半導体電界効果トランジスター。
15、前記ソースと前記ゲートは前記ドレーンを取り囲む同心円を構成する、こ
とを特徴とする請求項14に記載の反転モード金属絶縁膜半導体電界効果トラン
ジスター。
16゜ P−型アルファ炭化珪素単一結晶基体と、前記P−型アルファ炭化珪素
単一結晶基体の上にP−型ベータ炭化珪素層と、
前記P−型ベータ炭化珪素層の上にn−型ベータ炭化珪素の活性層と、
前記ロー型ベータ炭化珪素の活性層の残余のキャリヤ濃度より高いキャリヤ濃度
により限定された前記n−型ベータ炭化珪素の活性層にn−型ソース領域と、
前記n−型ベータ炭化珪素の活性層の残余のキャリヤ濃度より高いキャリヤ濃度
により限定された前記n−型ベータ炭化珪素の活性層にn−型ドレーン領域と、
前記ソース領域の部分と前記ドレーン領域の部分との間に位置しかつ前記P−型
ベータ炭化珪素層により境界付けされた前記n−型ベータ炭化珪素の活性層にチ
ャンネル領域とを備え、前記P−型ベータ炭化珪素層は、前記n−型ベータ炭化
珪素の活性層に電子的に境するための境界を前記ロー型ベータ炭化珪素の活性層
に対し構成し、
前記ソース領域と前記ドレーン領域は前記ロー型ベータ炭化珪素の活性層の中で
相互に分離されており、前記チャンネル領域に負バイアスを適用すると、n−型
キャリヤの前記チャンネル領域を空乏化し、かつ前記ソース領域と前記ドレーン
領域との間にある前記n−型ベータ炭化珪素の活性層に生じる電流の流れを妨害
する、ことを特徴とするデプレッションモード金属酸化物半導体電界効果トラン
ジスタ17゜ 更に、導電性ポリシリコンで形成されたゲート接点を備える、こ
とを特徴とする請求項16に記載のデプレッションモード金属酸化物半導体電界
効果トランジスター。
18゜ 前記ドレーン領域は前記ゲート領域により取り囲まれ、かつ前記ゲート
領域は前記ソース領域により取り囲まれている、ことを特徴とする請求項16に
記載のデプレッションモード金属酸化物半導体電界効果トランジスター。
19、 前記ソース領域と前記ゲート領域は前記ドレーンを取り囲む同心円を構
成する、ことを特徴とする請求項18に記載のデプレッションモード金属酸化物
半導体電界効果トランジスター。
20、P−型炭化珪素単一結晶基体と、前記P−型炭化珪素単−結晶基体の上に
n−型ベータ炭化珪素の活性層と、
前記n−型ベータ炭化珪素の活性層にn−型ベータ炭化珪素ソース領域と、並び
に
前記n−型ベータ炭化珪素の活性層にn−型ベータ炭化珪素ドレーン領域とを備
え、
前記ロー型ベータ炭化珪素の活性層の部分が、ゲート領域とデプレッション領域
とを構成し、
約296にの温度で次の動作特性を有するデプレッションモード金属酸化物半導
体電界効果トランジスターであって、次の特性とは、
少なくとも25Vのドレーン−ソース電圧、かつ−15Vのゲート電圧での安定
なドレーン−電流飽和と、25Vまでのドレーン ソース電圧で4マイクロアン
プ(mi croamp)より小さい漏洩電流と、2.5Vのゲート電圧、かつ
20Vのドレーン−ソース電圧で少なくとも5.32m5./mmのトランスコ
ンダクタンスとである、ことを特徴とするデプレッションモード金属酸化物半導
体電界効果トランジスター。
21、P−型炭化珪素単一結晶基体と、前記P−型炭化珪素単−結晶基体の上に
n−型ベータ炭化珪素の活性層と、
前記n−型ベータ炭化珪素の活性層にn−型ベータ炭化珪素ソース領域と、並び
に
前記n−型ベータ炭化珪素の活性層にn−型ベータ炭化珪素ドレーン領域とを備
え、
前記n−型ベータ炭化珪素の活性層の部分が、ゲート領域とデプレッション領域
とを構成し、
約573にの温度で次の動作特性を有するデプレッションモード金属酸化物半導
体電界効果トランジスターであって、次の特性とは、
少なくとも25Vのドレーン−ソース電圧、かつ−15Vのゲート電圧での安定
なドレーン−電流飽和と、25Vまでのドレーン ソース電圧で23マイクロア
ンプより小さい漏洩電流と、
5.5Vのゲート電圧、かつ20Vのドレーン−ソース電圧で少なくとも6.0
0m5/mmのトランスコンダクタンスとである、ことを特徴とするデプレッシ
ョンモード金属酸化物半導体電界効果トランジスター。
22.2−型炭化珪素単一結晶基体と、前記P−型炭化珪素単−結晶基体の上に
ロー型ベータ炭化珪素の活性層と、
前記ロー型ベータ炭化珪素の活性層にn−型ベータ炭化珪素ソース領域と、並び
に
前記ロー型ベータ炭化珪素の活性層にn−型ベータ炭化珪素ドレーン領域とを備
え、
前記ロー型ベータ炭化珪素の活性層の部分が、ゲート領域とデプレッション領域
とを構成し、
約923にの温度で次の動作特性を有するデプレッションモード金属酸化物半導
体電界効果l・ランシスターであって、次の特性とは、
少なくとも25Vのドレーン−ソース電圧、かつ−15Vのゲート電圧での安定
なドレーン−電流飽和と、25Vまでのドレーン ソース電圧で130マイクロ
アンプより小さい漏洩電流と、
8vのゲート電圧、かつ20Vのドレーン−ソース電圧で少なくとも4.8mS
/mmのトランスコンダクタンスとである、ことを特徴とするデプレッションモ
ード金属酸化物半導体電界効果トランジスター。
23、少なくとも650°Cの温度と高い放射密度において動作可能な金属酸化
物半導体電界効果トランジスターの形成する方法であって、その方法は、
a)単一結晶炭化珪素基体の上に絶縁体表面層を形成する工程と、
b)前記絶縁体表面層にゲート接点材料を選択的に被着させる工程と、
C)約600にと約1100 Kとの間の温度に維持されている前記炭化珪素基
体にドーパントイオンのイオンビームを指向させることにより、前記炭化珪素基
体に所望の導電型のドープソースとドープドレーンとを形成する工程と、並びに
d)ソース接点とドレーン接点とを被着させる工程とを、備える金属酸化物半導
体電界効果トランジスター形成方法。
24、絶縁体表面の前記形成工程は前記炭化珪素基体の上に窒化珪素の層を形成
する工程を備える、ことを特徴とする請求項23に記載の金属酸化物半導体電界
効果トランジスター形成方法。
25、絶縁体層を形成する前記工程は前記炭化珪素基体の上に2酸化珪素表面層
を形成する、ことを特徴とする請求項23に記載の金属酸化物半導体電界効果ト
ランジスター形成方法。
手 続 補 正 書(方式)
平成 3年 1月30日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.少なくとも650℃の温度と高い放射密度において動作可能な金属酸化物半 導体電界効果トランジスターの形成方法であって、その方法は、 a)第1導電型を有する炭化珪素基体を酸化して、2酸化珪素表面層を形成する 工程と、 b)前記2酸化珪素表面層にゲート接点材料を選択的に被着させる工程と、 c)ドーピングイオンの高温インプランテーションにより所望の導電型のドープ ソースとドープドレーンとを形成する工程と、 d)ソース接点とドレーン接点とを被着させる工程とを、備える金属酸化物半導 体電界効果トランジスター形成方法。 2.前記炭化珪素基体を磨く工程と、 前記磨き工程により前記炭化珪素基体の損傷した部分を酸化させる工程と、 前記炭化珪素表面層を酸化して前記2酸化珪素表面層を形成する前に、前記炭化 珪素基体の酸化した損傷部分を取り除く工程とを、実施することにより、酸化の ために表面を調製する工程を更に備える、ことを特徴とする請求項1に記載の金 属酸化物半導体電界効果トランジスター形成方法。 3.ゲート接点材料を被着させる前記工程は、前記2酸化珪素表面層に導電性ポ リシリコンゲート接点材料を付加する工程を含む、ことを特徴とする請求項1に 記載の金属酸化物半導体電界効果トランジスター形成方法。 4.ソース接点及びドレーン接点を被着させる前記工程は、タンタルシリサイド ソース接点及びタンタルシリサイドドレーン接点を被着させる工程を含む、こと を特徴とする請求項1に記載の金属酸化物半導体電界効果トランジスター形成方 法。 5.ドープソースとドープドレーンを形成する前記工程は、約600Kと約11 00K間の温度に維持されている炭化珪素基体にドーパントイオンのイオンビー ムを指向させる工程を備える、ことを特徴とする請求項1に記載の金属酸化物半 導体電界効果トランジスター形成方法。 6.少なくとも650℃の温度と高い放射密度において動作可能な反転モード金 属絶縁膜半導体電界効果トランジスターの形成方法であって、その方法は、 炭化珪素部分にイオンをドーピングするソースとドレーンの高温イオンプランテ ーションにより、一導電型のドープソースとドープドレーンを反対導電型の炭化 珪素のドープ部分に形成する工程を備える、ことを特徴とする反転モード金属絶 縁膜半導体電界効果トランジスター形成方法。 7.ドープソースとドープドレーンを形成する前記工程は、n−ドープソースと n−ドープドレーンを炭化珪素のP−ドープ部分に形成する工程を備える、こと を特徴とする請求項6に記載の反転モード金属絶縁膜半導体電界効果トランジス ター形成方法。 8.ドープソースとドープドレーンを形成する前記工程は、p−ドープソースと p−ドープドレーンを炭化珪素のn−ドープ部分に形成する工程を備える、こと を特徴とする請求項6に記載の反転モード金属絶縁膜半導体電界効果トランジス ター形成方法。 9.少なくとも650℃の温度と高い放射密度において動作可能なデプレッショ ンモード金属絶縁膜半導体電界効果トランジスターの形成方法であって、その方 法は、前記炭化珪素部分にイオンをドーピングするソース部分とドレーン部分の 高温イオンプランテーションにより、ドープソース及びドープドレーンと同じ導 電型の炭化珪素半導体部分にドープソースとドープドレーンとを形成する工程を 備える、ことを特徴とするデプレッションモード金属絶縁膜半導体電界効果トラ ンジスター形成方法。 10.ドープソースとドープドレーンを形成する前記工程は、一層濃厚なn−型 ドープソースと一層濃厚なn−型ドープドレーンをn−型化炭化珪素半導体部分 に形成する工程を備える、ことを特徴とする請求項9に記載のデプレッションモ ード金属絶縁膜半導体電界効果トランジスター形成方法。 11.ドープソースとドープドレーンを形成する前記工程は、一層濃厚なP−型 ドープソースと一層濃厚なP−型ドープドレーンをP−型炭化珪素半導体部分に 形成する工程を備える、ことを特徴とする請求項9に記載のデプレッションモー ド金属絶縁膜半電体電界効果トランジスター形成方法。 12.P−型炭化珪素基体と、 n−型炭化珪素で形成されたソースと、n−型炭化珪素で形成されたドレーンと 、P−型炭化珪素ゲートと、並びに タンタルシリサイドで形成されたソース接点とドレーン接点とを備える、ことを 特徴とする反転モード金属酸化物半導体電界効果トランジスター。 13.更に、導電性多結晶質珪素で形成されたゲート接点を備える、ことを特徴 とする請求項12に記載の反転モード金属絶縁膜半導体電界効果トランジスター 。 14.前記ドレーンは前記ゲートにより取り囲まれ、かつ前記ゲートは前記ソー スにより取り囲まれている、ことを特徴とする請求項12に記載の反転モード金 属酸化物半導体電界効果トランジスター。 15.前記ソースと前記ゲートは前記ドレーンを取り囲む同心円を構成する、こ とを特徴とする請求項14に記載の反転モード金属酸化物半導体電界効果トラン ジスター。 16.P−型アルファ炭化珪素基体と、デプレッション領域を電子的に境界付け るために前記P−型アルファ炭化珪素層の上にP−型ベータ炭化珪素層と、前記 P−型ベータ炭化珪素層の上にn−型ベータ炭化珪素の活性層と、 前記n−型ベータ炭化珪素の活性層に一層濃密にドーピンッグされたn−型ソー ス領域と、 前記n−型ベータ炭化珪素の活性層に一層濃密にドーピンッグされたn−型ドレ ーン領域と、 前記n−型ベータ炭化珪素の活性層に存在し、かつ前記一層濃密にドーピンッグ されたn−型ソース領域と、一層濃密にドーピンッグされたn−型ドレーン領域 との間に位置する前記活性層の部分により形成されたゲート領域とを、備えるこ とを特徴とするデプレッションモード金属酸化物半導体電界効果トランジスター 。 17.更に、導電性ポリシリコンで形成されたゲート接点を備える、ことを特徴 とする請求項16に記載のデプレッションモード金属酸化物半導体電界効果トラ ンジスター。 18.前記ドレーン領域は前記ゲート領域により取り囲まれ、かつ前記ゲート領 域は前記ソース領域により取り囲まれている、ことを特徴とする請求項16に記 載のデプレッションモード金属酸化物半導体電界効果トランジスター。 19.前記ソース領域と前記ゲート領域は前記ドレーンを取り囲む同心円を構成 する、ことを特徴とする請求項18に記載のデプレッションモード金属酸化物半 導体電界効果トランジスター。 20.n−型ベータ炭化珪素ゲートとデプレッション領域と、n−型ベータ炭化 珪素ソースと、 n−型ベータ炭化珪素ドレーンとを備えて、並びに約296Kの温度で次の動作 特性を有するデプレッションモード金属酸化物半導体電界効果トランジスターで あって、次の特性とは、 少なくとも25Vのドレーン−ソース電圧、かつ−15Vのゲート電圧での安定 なドレーン−電流飽和と、25Vまでのドレーンソース電圧で4マイクロアンプ (microamP)より小さい漏洩電流と、2.5Vのゲート電圧かつ20V のドレーン−ソース電圧で少なくとも5.32mS/mmのトランスコンダクタ ンスとである、ことを特徴とするデプレッションモード金属酸化物半導体電界効 果トランジスター。 21.n−型ベータ炭化珪素ゲート及びデプレッション領域と、n−型ベータ炭 化珪素ソースと、 n−型ベータ炭化珪素ドレーンとを備え、並びに約573Kの温度で次の動作特 性を有するデプレッションモード金属酸化物半導体電界効果トランジスターであ って、次の特性とは、 少なくとも25Vのドレーン−ソース電圧、かつ−15Vのゲート電圧での安定 なドレーン−電流飽和と、25Vまでのドレーンソース電圧で23マイクロアン プより小さい漏洩電流と、 5.5Vのゲート電圧、かつ20Vのドレーン−ソース電圧で少なくとも6.0 0mS/mmのトランスコンダクタンスとである、ことを特徴とするデプレッシ ョンモード金属酸化物半導体電界効果トランジスター。 22.n−型ベータ炭化珪素ゲート及びデプレッション領域と、n−型ベータ炭 化珪素ソースと、 n−型ベータ炭化珪素ドレーンとを備え、並びに約923Kの温度で次の動作特 性を有するデプレッションモード金属酸化物半導体電界効果トランジスターであ って、次の特性とは、 少なくとも25Vのドレーン−ソース電圧、かつ−15Vのゲート電圧での安定 なドレーン−電流飽和と、25Vまでのドレーンソース電圧で130マイクロア ンプより小さい漏洩電流と、 8Vのゲート電圧、かつ20Vのドレーン−ソース電圧で少なくとも4.8mS /mmのトランスコンダクタンスとである、ことを特徴とするデプレッションモ ード金属酸化物半導体電界効果トランジスター。 23.少なくとも650℃の温度と高い放射密度において動作可能な金属酸化物 半導体電界効果トランジスターの形成する方法であって、その方法は、 a)炭化珪素基体の上に絶縁体表面層を形成する工程と、b)前記絶縁体表面層 にゲート接点材料を選択的に被着させる工程と、 c)イオンをドーピングする高温インプランテーションにより、所望の導電型の ドープソースとドープドレーンとを前記炭化珪素基体に形成する工程と、並びに d)ソース接点とドレーン接点とを被着させる工程とを、備える金属酸化物半導 体電界効果トランジスター形成方法。 24.絶縁体表面の前記形成工程は前記炭化珪素基体の上に窒化珪素の層を形成 する工程を備える、ことを特徴とする請求項23に記載の金属酸化物半導体電界 効果トランジスター形成方法。 25.絶縁体層を形成する前記工程は前記炭化珪素基体の上に2酸化珪素表面層 を形成する、ことを特徴とする請求項23に記載の金属酸化物半導体電界効果ト ランジスター形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11356487A | 1987-10-26 | 1987-10-26 | |
US113,564 | 1987-10-26 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03501670A true JPH03501670A (ja) | 1991-04-11 |
JP2644028B2 JP2644028B2 (ja) | 1997-08-25 |
Family
ID=22350162
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63509172A Expired - Lifetime JP2644028B2 (ja) | 1987-10-26 | 1988-10-26 | 炭化珪素製mosfet |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0386085A4 (ja) |
JP (1) | JP2644028B2 (ja) |
KR (1) | KR0137966B1 (ja) |
CA (1) | CA1313571C (ja) |
WO (1) | WO1989004056A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5465249A (en) * | 1991-11-26 | 1995-11-07 | Cree Research, Inc. | Nonvolatile random access memory device having transistor and capacitor made in silicon carbide substrate |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS567479A (en) * | 1979-06-29 | 1981-01-26 | Toshiba Corp | Field-effect type semiconductor device |
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US4762806A (en) * | 1983-12-23 | 1988-08-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Process for producing a SiC semiconductor device |
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- 1988-10-25 CA CA000581146A patent/CA1313571C/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-10-26 EP EP19880909938 patent/EP0386085A4/en not_active Withdrawn
- 1988-10-26 JP JP63509172A patent/JP2644028B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1988-10-26 WO PCT/US1988/003793 patent/WO1989004056A1/en not_active Application Discontinuation
-
1989
- 1989-06-26 KR KR89701157A patent/KR0137966B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1989004056A1 (en) | 1989-05-05 |
KR890702245A (ko) | 1989-12-23 |
JP2644028B2 (ja) | 1997-08-25 |
KR0137966B1 (en) | 1998-06-01 |
EP0386085A4 (en) | 1990-11-28 |
CA1313571C (en) | 1993-02-09 |
EP0386085A1 (en) | 1990-09-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090502 Year of fee payment: 12 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090502 Year of fee payment: 12 |