JPH0341962B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は作業性容易にして応答性の優れたサー
ミスタを安価に提供しようとするサーミスタの製
造法に関するものである。

従来における薄膜サーミスタの製造は、印刷に
より電極が多数設けられたセラミツク板上に薄膜
サーミスタ層を蒸着する際に、それぞれの電極の
引出電極となる部分にマスクを使用してサーミス
タ層を蒸着しないようにしている。そして、この
ように形成されたものを１チツプづつ切断して製
造するものであつた。

このような製造によるものは、電極の寸法精度
が製品の特性バラツキに大きく影響するものであ
つた。また、サーミスタ層の蒸着時にマスクを使
用するため、生産時の作業性も悪いといつた欠点
を有していた。

本発明は以上のような従来の欠点を除去するサ
ーミスタの製造法を提案するものであり、以下そ
の一実施例について第１図〜第７図と共に説明す
る。

まず、図において１は熱伝導性に優れた厚み
0.1〜0.5mmのアルミナ板等のセラミツク基板で、
第１図に示すように多数の直径が0.1〜0.5mm程度
の穴２が整列状に開けられている。この基板１の
片面に、銀、パラジウム、金、白金またはこれら
を混合してなる電極材料を印刷し、この時に穴２
の中にその電極材料が流れ込み、完全に電極材料
が穴２を埋めるようにする。この状態を第２図に
示しており、上記基板１の片面に設けられた導電
部３は穴２内に達している。つぎに、上記基板１
のもう一方の面に上記と同じ電極材料を印刷し、
第３図に示すように導電部４を形成する。これに
より上記導電部３，４は多数の穴２を通して電気
的に完全な導通状態となる。ついで、上記基板１
の片面の上記導電部３上に第４図に示すように、
スパツタリングにより例えばSiCからなる薄膜サ
ーミスタ層５を形成する。なお、ターゲツトには
SiC焼結体（直径300mm、厚さ７mm）を用い、ス
パツタ圧力３×10^-2〜５×10^-2Torr、高周波電
力１〜2KW、基板温度500〜700℃、スパツタ時
間４〜８時間でスパツタリングを行う。

さらに、そのサーミスタ層５の上に上記と同じ
電極材料を印刷して、第５図に示すように導電部
６を形成する。その後、多数の穴２によつて上記
導電部３，４が導通している状態のものを第６図
に示すように切断線７のところで切断し、穴２の
１つでそれぞれ１チツプが導通している形に切断
する。このようにしてサーミスタは製造されるの
であり、第７図に１チツプになつた状態のサーミ
スタを示している。

このような製造とすることによつて、セラミツ
ク基板として用いる例えばアルミナ板は薄く熱伝
導性に優れているため、応答性の優れたものとな
る。また、従来のようにマスクを使用しないため
位置合せの作業がなく、作業上の向上が図れる。

以上のように本発明の製造法によれば、熱伝導
性に優れたセラミツク基板の面に薄膜サーミスタ
層を形成することによつて、高品質で組立ての作
業性もきわめて優れたものとなり、安価にして製
作できるという実用的価値を有するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の製造法を説明するためのセラ
ミツク基板の斜視図、第２図〜第５図は同製造工
程順の状態を示す断面図、第６図は同じく切断工
程を示す斜視図、第７図は同じく切断によりサー
ミスタが１チツプになつた状態を示す斜視図であ
る。 １……セラミツク基板、２……穴、３，４……
第１、第２の導電部、５……薄膜サーミスタ層、
６……第３の導電部。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 熱伝導性に優れた複数の穴を有するセラミツ
   ク基板の両面にその穴を通して印刷により第１、
   第２の導電部を設け、上記セラミツク基板の片面
   の上記導電部上にサーミスタ特性を有する材料を
   蒸着して薄膜サーミスタ層を形成し、この薄膜サ
   ーミスタ層の上に導電材料を蒸着または印刷して
   第３の導電部を設け、その後多数の穴によつて上
   記第１、第２の導電部が導通している状態のもの
   を１ケの穴によつて導通している形に切断するこ
   とを特徴とするサーミスタの製造法。