JPH03260655A - 現像水溶液及びフォトレジストの現像方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

［０００１］

【技術分野】

本発明は特定の塩基性有機化合物の組合わせを含有する
、フォトレジストのポジチブ処理のための、塩基性有機
化合物含有水性現像組成物、ならびに特定の組成のフォ
トレジストを現像するための方法に関するものである。 ［０００２］

【従来技術】

基板における微小範囲の選択的変化をもたらすため、半
導体技術においては補助層としてフォトレジストが使用
される。この目的のためにはポジチブ処理フォトレジス
トを使用するのが好ましい。このフォトレジストを利用
して、変化せしめられるべき表面の特定部分が露出され
たレリーフパターンが形成され、これをドーピングもし
くは電気鍍金のような後処理に付する。 ［０００３］ ポジチブレジストパターンは、珪素ウェーハ上に感光性
材料の層を形成し、原画マスクを通して露光処理し、現
像処理により露光された部分を選択的に溶解洗除するこ
とにより形成される。 ［０００４］ 清風の感光性組成物は、アルカリ溶解性樹脂、例えばノ
ボラック樹脂と、感光性組成分、例えば０−キノンアジ
ドとから成る。紫外線作用によりこの組成物の露光され
た部分におけるアルカリ現像液に対する溶解性は著しく
高められる。 ［０００５］ ノボラック樹脂を主体とするフォトレジスト用の現像液
は公知である。これは一般的にナトリウムシリカート、
ナトリウムシリカ−ト、ナトリウムもしくはカリウムヒ
ドロキシド及び表面活性剤を含有する。ヨーロッパ特許
出願公開１４６８３４号、同２３１０２８号公報より、
４級アンモニウム表面活性剤及びアンモニウムヒドロキ
シドもしくはハロゲン化（弗素化）非イオン性表面活性
剤及びアルカリヒドロキシド現像剤の組合わせを含有す
る現像溶液はすでに公知である。このような現像溶液は
良好なコントラストをもたらすが、その安定性は不充分
であり、浸漬現像の場合の現像キャパシティー及び再現
性能は不充分であった。 表面活性剤が急速に消費されるからである。 ［０００６］ ヨーロッパ特許出願公開１２４２９７号公報は、テトラ
アルキルアンモニウムヒドロキシド、例えばテトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウ
ムヒドロキシド、もしくは種々のテトラアルキルアンモ
ニウムヒドロキシドの混合物、及び現像液変性剤、例え
ば水溶性脂肪族ケトン、環式エーテル或は３級アミンを
５から１１０００ｐｐ添加した金属イオンを含まない現
像液を提示している。他の添加剤として、炭素原子１も
しくは２個の水溶性１級アミン、或は炭素原子２から５
個の２級アミン、例えばモノメチルアミン、モノエチル
アミン、ジメチルアミン、ピペラジンを５から５００ｐ
ｐｍ使用することを開示している。しかしながらこの現
像液組成物の欠点は、コントラストが不充分であり非露
光画像部分においてフォトレジストの洗除をもたらすこ
とである。 ［０００７］ そこでこの分野における技術的課題は、非露光レジスト
部分が洗除されず、高いコントラストをもたらし、しか
も充分な貯蔵安定性を有する、アルカリ性現像水溶液を
提供することである。 ［０００８］ さらにこの現像水溶液は以下の如き要件を具備すべきで
ある。すなわち、現像液は金属イオンを含まず、現像後
完全に除去され、蒸着アルミニウムのような一般的基板
表面を腐蝕してはならず、表面剥離、すなわち薄いレジ
スト表皮の溶出を抑止しなければならない。 ［０００９］

【発明の要約】

しかるに上記の技術的課題は、少なくともフェノール樹
脂とオニウム塩を含有するフォトレジストをポジチブ処
理するための塩基性有機化合物含有現像水溶液であって
、この現像水溶液が０．３から５重量％の、場合により
ヒドロキシル置換されたアルキル基中に１から３個の炭
素原子を有するテトラアルキルアンモニウムヒドロキシ
ドと、３から３０重量％の、一般式（Ｉ）［００１０］

【化２】 により表され、ＲＩ　　Ｒ２及びＲ３が相互に、同じで
も異なってもよく、それぞれ水素、炭素原子１から３個
のアルキル、炭素原子２或は３個のヒドロキシアルキル
、炭素原子２或は３個のアミノアルキルを意味するか、
或はＲ１からＲ３の２個が相結合して５員から７員のＮ
含有環を形成するが、Ｒ１からＲ３の少なくとも１個は
ヒドロキシアルキル或はアミノアルキルを意味する、ア
ミンとを含有することを特徴とする現像水溶液により解
決されることが本発明者らにより見出された［００１１
］ この現像水溶液は、さらに５重量％までの、炭素原子２
或は４個を有するアルカノール或は水溶性グリコールエ
ーテルを含有することができる。 ［００１２］ 本発明現像水溶液は、一般式（Ｉ）のアミンとして、ジ
ェタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、ト
リエタノールアミン、アミノプロパノール、３−アミノ
−１−プロピルアミン、３−ジメチルアミノ−１−プロ
ピルアミン或はＮ−ヒドロキシアルキルピペリジンであ
るのが好ましい。 ［００１３］ なお、感放射線層として少なくとも１種類のフェノール
性重合体と、少なくとも１種類の、酸不安定基を有する
スルホニウム塩との混合物を含有する、ポジチブ処理レ
ジストの現像方法であって、画像形成線照射後、感放射
線層を上記現像水溶液で現像する方法も本発明の対象を
なす。 ［００１４］ 一般式（Ｉ）の有機アミンとテトラメチルアンモニウム
ヒドロキシドもしくはテトラエタノールアンモニウムヒ
ドロキシドの特定量を含有する水溶液を主体とする本発
明によるポジチブレジスト用現像水溶液は秀れた現像液
特性を示す。 ［００１５］ 本発明現像水溶液は、その全体量に対して、一般的に３
から３０重量％、ことに５から２０重量％の一般式（Ｉ
）のアミンと、０．３から５重量％、ことに１０から２
．０重量％のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド
を含有するのが好ましい。 ［００１６］ 現像変性剤として、０．３から５重量％のアルカノール
、例えばインプロパツール、１．２−プロパンジオール
、エタノールもしくは水溶性グリコールエーテル、例え
ばブチルグリコールを添加することができる。この種の
添加剤は、一般的に露光フォトレジストの洗除速度を早
め、汚染による洗除を抑止する作用がある。 ［００１７］

【発明の構成】

本発明による現像水溶液への表面活性剤の添加は、一般
的に不必要である。しかしながらこの種の剤は、現像水
溶液全量に対して一般的に５重量％の量で添加してもよ
い。具体的には例えばノニルフェノキシ−ポリ−（エチ
レンオキシ）エタノール、オクチルフェノキシ−ポリ−
（エチレンオキシ）エタノール或は市販の弗素化表面活
性剤が使用される。 ［００１８］ 本発明現像水溶液は、***特許出願公開３７２１７４１
号に詑載されている、フェノール性重合体と、酸不安定
基を有するオニウム塩とを構成主体とするポジチブレジ
スト用の現像に特に適する。 ［００１９］ このオニウム塩としては、 一般式（ＩＩ） のスルホニウム塩が好ましい。 ［００２０］

【化３】 式中のＲ１からＲ３は相互に同じでも異なってもよく、
それぞれ芳香族基及び／或は脂肪族基を意味し、これら
は場合によりペテロ原子を持っていてもよいが、Ｒ１か
らＲ３の少なくとも１個は酸分解基、例えばフェノール
のｔ−ブチルカルボナートもしくはフェノールのシリル
エーテルを持っていなければならない。しかしながら上
述した酸不安定基は、これに限定されず、さらに他の多
くの酸不安定基、例えば周知のテトラヒドロピラニルエ
ーテル、オルトエステル、トリチル及びベンジル基なら
びにカルボン酸のｔ−ブチルエステルなども使用可能で
ある。 なお２個或はそれ以上のスルホニウム単位が分子中にお
いてＲ１乃至Ｒ３を介して結合されていてもよい。 ［００２１］ 対向イオン ｅ としでは、ハロゲン化金属醋塩、例えばテトラフルオル
ボラート、ヘキサフルオルアンチモナート、ヘキサフル
オルアルセナートネヘキサフルオルホスファト、トリフ
ラート （ＣＦ、ＳＯ３゜） などが挙げられる。 ［００２２］ フェノール性重合体は一般的に以下の一般式の単位を有
する。 ［００２３］

【化４】 式中、Ｒは水素もしくはハロゲン原子、或は１から４個
の炭素原子を有するアルキル基を、Ｒ４Ｒ５Ｒ６Ｒ７は
水素、ハロゲン、それぞれ炭素原子１から４個のアルキ
ルもしくはアルコキシ基を、Ｒ８は水素或は酸不安定基
、例えばトリメチルシリル、ｔ−ブトキシカルボニル、
イソプロピルオキシカルボンニル或はテトラヒドロピラ
ニルを意味し、Ｘは１から３、ことに１の数値を示す。 ［００２４］ ことに式（ＩＩＩ）において、Ｒが水素或はメチルを、
Ｒ４からＲ７が水素を、Ｒが水素及び／或は上述した酸
不安定基（−〇−Ｒ）がｐ−位に在り、Ｒ８＝水素の基
部分が少なくとも７０モル％を占める）場合の重合体が
ことに好ましい［００２５］ この重合体は一般的に平均分子量 （Ｍ、） １０００から２５００００、ことに１００００から８０
０００を有し、感放射線混合物中に４０から９８重量％
、ことに６０から９５重量％含有される。 ［００２６］ 重合体結合剤として、芳香族基が大部を占めるアルカリ
可溶性重合体の混合物例えばツボラックと置換ポリ−（
ｐ−ヒドロキシスチレン）の混合物を使用することもで
きる。芳香族基が大部を占める重合体結合剤は、プラズ
マ法及び反応性イオン照射エツチング法に比較的安定で
ある点において好ましい。 ［００２７］ 本発明現像液は、またアルカリ可溶性結合剤、化学線照
射作用下に強酸を形成する化合物及び酸により分解する
少なくとも１個の、Ｃ−０−Ｃ結合を有する化合物から
成る３成分系組成物を主体とするポジチブレジスト（例
えば酉独特許出願公開３４０６９２７号公報参照）の現
像用にも適当である。 ［００２８］ レリーフパターン形成用に本発明方法は、慣用の態様に
おいて、ただし本発明現像剤を使用して行われる。この
ためにフェノール樹脂及び／或はフェノール性重合体と
、感光性組成分から成る混合物は、固形分含有量が５か
ら４０重量％、ことに１０から３０重量％となるように
有機溶媒中に溶解せしめられる。溶媒としては、脂肪族
ケトン、エーテル及びエステル、ならびにこれら混合溶
媒が使用される。ことにエチル−セロソルブ、ブチルグ
リコール、メチル−セロソルブ及び１−メトキシ−２−
プロパツールのようなアルキレングリコール−モノアル
キルエーテル、メチル−セロソルブ−アセタート、エチ
ルセロソルブ−アセタートメチル−プロピレングリコー
ルアセタート及びエチル−プロピレングリコールアセタ
ートのようなアルキレングリコール−アルキルエーテル
−エステル、シクロヘキサノン、シクロペンタノン及び
メチル一二チルーケトンのようなケトン、ならびにブチ
ルアセタートのようなアセタート、トルエン及びキシレ
ンのような芳香族化合物が好ましい。それぞれの場合の
溶媒乃至混合溶媒の選択は、それぞれの場合のフェノー
ル性重合体及び感光性組成分の選択に依存する。 ［００２９］ さらに他の添加剤、例えば接着助剤、表面活性剤、染料
及び可塑剤も添加され得る。 ［００３０１ 場合により長波長紫外線から可視光線領域に至るまで感
光性ならしめるために微量の増感剤を添加することもで
きる。多環式芳香族化合物、例えばピレン及びペリレン
が好ましいが、他の染料も増感剤として使用され得る。 ［００３１］ 感光性混合物の均質溶液は、約０．２μｍ　網目のフィ
ルターで濾別し、例えば２０００から１１０００Ｏｒｐ
のスピンコーティングにより成層される。一般的に表面
酸化処理したシリケートウェーハ上に成層され、８０℃
から１００℃の温度で１から１０分間乾燥して、約１−
２μｍ　厚さの感光性層が形成される。 パターンマスク、例えばリトグラフ法の場合にはクロム
層パターン石英マスクを経て画像形成露光（光源として
は、高圧水銀灯、カドミウムキセノン灯、エキシマレー
ザなどが使用される）することにより、感光性層に潜像
が形成される。ポリ−（ｐ−ヒドロキシスチレン）／ス
ルホニウム塩を主体とする組成物の場合には、現像処理
する前に、６０から１２０℃の温度において約５秒から
４分間、後処理過熱（露光後焼付け）が行われる。本発
明による現像剤溶液中における浸漬或は現像剤溶液の噴
霧により露光処理した層と現像剤溶液とを接触させて、
露光部分を選択的に溶解させ、非露光部分を若干沈吟さ
せて、潜像が現像化される。 本発明現像剤溶液により処理されて形成されたレリーフ
は乾燥され、今度はこれがマスクとしてその後の加工処
理、例えば基板のエツチング処理が行われる。 ［００３２］ 露光処理後、感光度、ガンマ値及び沈吟率を測定した。 ポジチブ処理レジスト組成物のためのガンマ値は、 ［００３３］

【化５】 として決定される。Ｄｏ及びＤｌは沈吟深度−エネルギ
ー曲線から外挿法により得られた露光エネルギー量であ
る。 ［００３４］ 重合体層の厚さはＴｅ ｒ社のαステップ−プロフィロメーター乃至Ｌ　ｅｔｚ 社のインターフェロメータで測定した。 ［００３５］ 本発明現像剤は達成されるべき解像度（０，７μｍ　以
下）及び稜縁部高さに関して極めて良好な特性を示す。 これは良好な現像キャパシティ及び貯蔵安定性に関係す
る。 ［００３６］ 脱イオン水により噴霧洗浄した後、好ましくないフォト
レジストパターンの残滓乃至沈吟を全くもたらさず、ウ
ェーハの未現像部分も全く認められなかった。 ［００３７］ 以下の実施例により本発明をさらに具体的に説明するが
、ここで使用される部及びパーセントは、特に明示され
ない限り、すべて重量に関するものである。 ［００３８］

【実施例１】 本質的にアルカリ可溶性結合剤として平均分子量２５０
００（ｃｐｃからのＭｎ） を有するポリ−（ｐ−ヒドロキシスチレン）１６部、光
活性組成分としてトリス−（４−ｔ−ブトキシカルボニ
ル−オキシフェニル）−スルホニウムヘキサフルオルア
ル上ナート５部及び溶媒としてメチル−プロピレングリ
コールアセタート８０部から成るフォトレジスト溶液を
、熱酸化シリコンウェーハ上に１．０μｍの厚さに層形
成し、９０℃に１分間加熱した。このように前処理した
基板の露光を波長２４８ｎｍの短波長紫外線で行った。 ９０℃で１分間後処理加熱を行ったシリコンウェーハを
種々の組成の現像剤で現像した。 ［００３９］ フォトレジストパターンの走査電子顕微鏡で検査し、幅
領　５μｍ　のパターンが明確に現像されていることが
確認された。パターンはほぼ９０°の側面を示し、非露
光部分の表面は、現像後も完全に平滑であり透明であっ
た。すなわち、非露光部分レジストの一様でない沈吟は
認められなかった。 ［００４０１ 上記検査結果は下表１に包括的に示される。 ［００４１］

【表１】 表１ 現像水溶液組成分（％） 検査結果 Ｎ−（２−ヒドロキシ− エチル）ピペリジン ブチル− グリコール ＭＡＲ 感光度 「で／ｃｍ’１ 残存レジスｒ。 ト層　（％） ２．０ １．５ １．８ ３．１ １．６ １．５ ３．３ １．４ ０．１ ３．２ １．４ ５．０ ＭＡＨ ；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド［００４２］

【実施例２】 ポリ−（ｐ−ヒドロキシスチレン）及びスルホニウム塩
ならびに溶媒としてメチル−プロピレングリコールアセ
タートを主体とするポジチブ処理フォトレジスト溶液を
、酸化シリコンウェーハ上に１．５μｍ　厚さに成層し
、加熱板上において９０℃に１分間加熱した。 ［００４３］ 波長２４８μｍ　のエキシマレーザ光で露光した後、こ
のフォトレジストに慣用の通り９０℃における１分間の
加熱処理し、次いでこのウェー／）を現像した。 現像後、シリコーンウェーハ上のレジストパターンを評
価し、残存レジスト層厚さをα−ステップ−プロフィロ
メータで測定した。 ［００４４］ 結果を下表２に示す。 ［００４５］

【表２】 表２ 現像水溶液の組成分（％） 検査結果 メチルジェタノール− アミン Ｔ３！ＡＨ 感光度 ［ｍＪ／ａｍ”］ 残存レジス　　ｒ。 ト層　（％） １．０ ○ ６．８ １．５ ９．６ １．５ １．５ １゜ １．５ ３．４ ［００４６］

【実施例３】 フォトレジスト組成物を実施例２におけると同様に処理
した。 これで得られた シリコンウェーハを下表３に示す組成の現像剤で現像し
た。 ［００４７］ 走査電子顕微鏡による検査の結果、 ０゜ ５μｍ より小さいライン幅のパター ンが極めて良好に現像された。 ［００４８］

【表３】 表３ 現像水溶液の組成分（％） 検査結果 ３−ジメチルアミノ−１− プロピルアミン ＭＡＥ 感光度 ［ｍＪ／ａｍ”］ 残存レジスト層　ｒ。 （％） １．０ ５日 ４．１ １．０ ４．１ ５．７ １．０％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド及び
５％の３−ジメチルアミノ−１−プロピルアミンから成
る現像剤組成物の、現像及び脱イオン水洗浄後の残存レ
ジスト層厚さをインターフェロメータで測定した結果は
以下の通りであった。 ［００４９］

【表４】 露光エネルギー ［ｍＪ／ｃｍ２３ 残存レジスト層 ［Ｕ ２．１０ ９．１０ １８．２０ ２９．４ ３７．２８ ７５．４ ４１．８３ ５８．９ ４７．１ ２０．９ ６６．５ ［００５０１

【実施例４］ 実施例２に準じて処理されたフォトレジスト組成物は、
写真製版処理及び１゜０％のテトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド及び５％のＮ−（２−ヒドロキシエチル）
ピペリジン溶液による現像処理後後に以下の残存レジス
ト層厚さを示した。 ［００５１］ 【表５】 露光エネルギー ［ｍＪ／ｃｒｎ２］ 残存レジスト層 ｒ％］ ２．１０ ９．１０ ２５．２ ２９．４ ９４．７ ３３．３ ７８．７ ３７．２８ ５０．４ ４１．８３ ３３．６ ４７．０８ １３．７ ６６．５ その後の処理の結果を下表４に示す。 ［００５２］

【表６】 表４ 現像水溶液の組成分（％） 検査結果 Ｎ−（ヒドロキシ− エチル）ピペリジン τにＡＨ 感光度 ［ｍＪ／Ｃｍ２］ 残存レジスト 層（％） １．０ ３．７ １．０ ４．４ １．０ ３．９ ０．５ ４．５ ［００５３］

【実施例５】 ２％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドと下表に
示される各種量の３−アミノ−１−プロピルアミンから
成る現像剤組成物は、極めて良好な結果を示した。この
場合にもパターン形成されたウェーハには有害な浸蝕は
認められながった。ことに良好な結果は３−アミノ−プ
ロピルアミン１０％を使用した組成物の場合に得られた
。この組成物の使用により以下の残存レジスト層厚さを
示した。 ［００５４］

【表７】 露光エネルギー ［ｍＪ／ａｍ”ｌ 残存レジスト層 ［も］ ２．１ ９８．４ １８．２ ９７．５ ２９．４ ７９．８ ３３．３ ６１．４ ４１．８３ ３２．８ ４７．０１ １５．１ ５６．５３ ６６．５ この現像剤組成物のさらに他の結果を下表に示す。 ［００５５］

【表８】 表５ 現像水溶液の組成分（％） 検査結果 ３−アミノ−１− プロピル−アミン ＭＡＨ 感光度 ［ｍＪ／　ａｍ２］ 残存レジスト 層（％） ２．０ ０．７ ３．３ ２．０ ３．５ ２．０ ４日 ２日 ２．９ ［００５６］

【実施例６】 実施例１に準じて調製されたフォトレジストを、１．５
％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、５％のト
リエタノールアミン及び３％のブチルグリコールから成
る現像剤浸漬浴中において２１℃で１分間現像処理した
。 ［００５７］ 脱イオン水で洗浄処理した後の残存レジスト層厚さをプ
ロフィロメータで測定した得た結果を以下に示す。 ［００５８］

【表９】 露光エネルギー ［ｍＪ／ｃｍ勺 残存レジスト層 「−１ ２，１ ９，１ １８，２ ２２，４ ２５，２ ３７、，２ ９８，３ ４７，１ ９５，５ ５６，５ ７８，５ ６６，５ ５３，７７ 二の現像液により処理したフォトレジストの非露光部分
の浸蝕は全く認められず、現像後の表面は完全に平滑で
あった。これに対して本組成物によりもたらされるコン
トラストは予想を絶する程に良好で５．７を示した。ブ
チルグリコールの量割合を多くすることによりガンマ値
が高くなり、ことに非露光フォトレジスト部分の浸蝕も
甚だしくなった。 ［００５９］

【対比例】 ポジチブ処理フォトレジストを実施例２に準じて形成し
た。波長２４８ｎｍのエキシマレーザ光で露光し、加熱
後処理した後、このウェーハを２．０％のテトラメチル
アンモニウムヒドロキシドから成りアミンを添加しない
現像剤と、本発明によりメチルジェタノールアミンを添
加した現像剤とにより、それぞれ浸漬現像処理した。 ［００６０］ その対比結果を以下に示す。 ［００６１］

【表１０】 以下の各現像剤による現像後の層厚さ （μｍ） 露光エネルギー ［ｍＪ／　ａｍ２］ ２．０％ＴＭＡＨ （＝対比例） ２．０（％）ＴＭＡＨ＋１０％メチル−ジェタノールア
ミン （＝本発明実施例） １・１０ ↓、コよ １．５０ ５．５ １．５１ １−町０ １１．０ １．５０ １．４６ １３．４ １．４６ １．１６ １５．１１ １．４６ ０．６１ ２２．４１ １．３５ ０．３７ ２５．１ １．３５ ２８．０ ＃着床自 ４５．０ 測定不能 ２．０％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドで現
像したところ、完全に現像されたレリーフは得られなか
った。レジスト画像及び非現像基板上にレジスト混触が
認められた。さらにアミン不添加の現像水溶液は、レジ
スト接着に悪影響を及ぼすことが確認された。 ［００６２］ これに対して２．０％のテトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド溶液にメチルジェタノールアミンを添加した場
合には、現像特性は一変して蝕刻パターンの側壁は９０
°に近く、レジスト混触はもはや認められず、レジスト
接着も良好であつな。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】少なくともフェノール樹脂とオニウム塩を
   含有するフォトレジストをポジチブ処理するための塩基
   性有機化合物含有現像水溶液であって、この現像水溶液
   が０．３から５重量％の、場合によりヒドロキシル置換
   されたアルキル基中に１から３個の炭素原子を有するテ
   トラアルキルアンモニウムヒドロキシドと、３から３０
   重量％の、一般式（ I ）【化１】 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） により表され、Ｒ＾１、Ｒ＾２及びＲ＾３が相互に、同
   じでも異なってもよく、それぞれ水素、炭素原子１から
   ３個のアルキル、炭素原子２或は３個のヒドロキシアル
   キル、炭素原子２或は３個のアミノアルキルを意味する
   か、或はＲ＾１からＲ＾３の２個が相結合して５員から
   ７員のＮ含有環を形成するが、Ｒ＾１からＲ＾３の少な
   くとも１個はヒドロキシアルキル或はアミノアルキルを
   意味する、アミンとを含有することを特徴とする現像水
   溶液。
2. 【請求項２】 請求項（１）による現像水溶液であって、これがさらに
   ５重量％までの、炭素原子２或は４個を有するアルカノ
   ール或は水溶性グリコールエーテルを含有することを特
   徴とする現像水溶液。
3. 【請求項３】 上記請求項のいずれかによる現像水溶液であつて、一般
   式（ I ）のアミンとして、ジエタノールアミン、Ｎ−
   メチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン或は
   アミノプロパノールを含有することを特徴とする現像水
   溶液。
4. 【請求項４】 請求項（１）或は（２）による現像水溶液であって、一
   般式（ I ）のアミンとして、３−アミノ−１−プロピ
   ルアミン、３−ジメチルアミノ−１−プロピルアミン或
   はＮ−ヒドロキシアルキルピペリジンを含有することを
   特徴する現像水溶液。
5. 【請求項５】 感放射線層として少なくとも１種類のフェノール性重合
   体と、少なくとも１種類の、酸不安定基を有するスルホ
   ニウム塩との混合物を有する、ポジチブ処理レジストの
   現像方法であって、画像形成線照射後、感放射線層を請
   求項（１）から（４）のいずれかによる現像水溶液で現
   像することを特徴とする方法。