JPH03223863A - レジスト材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体素子等の製造に於て用いられるレジスト
材料に関する。詳しくは露光エネルギー源として４００
ｎｍ以下の光源、例えば３６５ｎｍの１線光、３００ｎ
ｒｎ以下の遠紫外光、例えば２４８．４ｎｍのＫｒＦエ
キシマ糾−チー光等を用いてポジ型のパターンを形成す
る際のレジスト材料に関する。

［従来の技術］ 近年、半導体デバイスの高密度集積化に伴い、微細加工
、中でもフォトリソグラフィに用いられる露光装置の光
源は益々、短波長化し、今ではＫｒＦエキシマレーザ（
２４８，４ｒ＋ｏ）光が検討されるまでになってきてい
る。しかしながらこの波長に適したレジスト材料は末だ
適当なものが見出さ九ていない。

例えば、ＫｒＦエキシマレーザ光に対してかなり感光性
が高く、光透過率も良いと言われているＭＰ２４００（
シブレイ社製）を用いた場合、ベースポジマーのノボラ
ック樹脂自身の露光光に対する大きな表面吸収や感光剤
のナフトキノンジアジド系化合物の光反応性が良くない
為、現像後のパターン形状は非常に悪く使用出来ない。

また、ＫｒＦエキシマレーザ光や遠紫外光を光源とする
レジスト物より成るレジスト材料が開発されている。（
例えば、特開昭６４−８０９４４号公報；特開平１−１
５４０４８号公報；特開平］−３５５３３９号公報等）
。

感光性化合物と２４８．４ｎｍ付近で高い光透過性を有
する樹脂より成るパターン形成材料も開発されている。

（例えば、特開平１−１８８８５２号公報；　Ｙ、Ｔａ
ｎ１ら、５ＰＩＥ’ｓ　１９８９　Ｓｙｍｐｏ−，１０
８６−０３等）。第４図を用いて、このレジスト材料に
よるパターン形成方法を示す。半導体基板」上にレジス
ト材料５を回転塗布し、１．０μｍのレジスト材料膜を
得る（第４図（ａ））。なお、基板１上には酸化膜、導
電膜、絶縁膜が形成されている場合が多い。次に２４８
．４ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ光３でマスク４を介し
選択的に露光する（第４図（ｂ））。そして最後に通常
のアルカリ現像液（０，２４％テトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド水溶液）を用いて現像を行うことにより
レジスト材Ｎ５の露光部を溶解除去しパターン５ａを得
る（第４１１９（ｃ））。このレジスト材料膜（１μｍ
）の露光前後の紫外線分光曲線を第５図に示す。使用樹
脂が１μ口厚で７０％であるのに対し、このレジスト材
料の露光後の透過率は４゜％と低く、十分な光線色性が
得られていないことがわかる。また、パターン形成実験
の結果、パターンのアスペクト比は約７０度と十分なパ
ターン形状は得られていない。更にこのレジスト材料膜
基を有する感光性化合物を含むレジスト材料を使用する
場合、−船釣にその感度は１００〜３００ｍＪ／ａｎ２
程度であり、高畠力の割にエネルギー効率が良くないＫ
ｒＦエキシマレーザ光（２４８，４ｎｍ）を用いての実
用化は因難な状況にある。また、近年、露光エネルギー
量を低減させる手段として露光により発生した酸を媒体
とする化学増幅型のレジスト材料が提案され［Ｈ，Ｉｔ
ｏら、Ｐｏｌｙｍ、Ｅｎｇ、Ｓｃｉ、、２３巻、１０１
２頁（１９８３年）］、こ九に関して種々の報告がなさ
れている。（例えば、Ｗ、Ｒ，Ｂｒｕｎｓｖｏｌｄら、
５ＰＩＥ’５１９８９　Ｓｙｍｐｏ、、１０８６−４０
　；　Ｔ、Ｎｅｅｎａｎら、５ＰＩＥ’ｓ　１９８９Ｓ
ｙｍｐｏ、、１０８６−０１）　、しかしながら、これ
等化学増幅型レジスト材料に使用される樹脂は比較的、
芳香環を多く有することに起因して２４８．４ｎｍ付近
の光透過性が不十分であったり、樹脂の耐熱性が乏しい
等の問題がある。

また、感光性化合物に関しては、例えばトリフェニルス
ルホニウムテトラブルオロボレイトのようなオニウム塩
の場合は溶液安定性が乏しくレジスト材料を調製した直
後ではその本来の性能を発揮するが半導体製造ラインに
於て実用化することは困難であると言われているし、２
，６−シニトロベンジルのスルホン酸エステルの場合は
化合物としての安定性は認められるが露光により生成す
る２−二トロー６−ニトロツベンズアルデヒドが一般に
使われている現像液（テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド水溶液）に溶解しないため、現像処理後、露光部
にスカムが残存したり、パターン形状が悪くなる等の問
題が生ずる。また、トリス（メタンスルホニルオキシ）
ベンゼンは前記感光性化合物と比べて感度が低いため化
学増幅型レジストの感光性化合物としては適さない。

含むレジスト材料の場合には、感光性化合物の光ればな
らないことから、良好なパターン形状が得られ難く、且
つ露光エネルギー量を多く必要とする。また、化学増幅
型レジスト材料については樹脂の２４８．４ｎｍ付近の
光透過性を改善するか、樹脂の耐熱性を向上させない限
り使用に供し得ないし、また同時に感光性化合物に関し
てはより低い露光エネルギー量で酸を発生し、且つ溶液
安定性があり、しかも光反応により発生した酸が高い透
過性を有することが求められている。

［発明の目的］ 本発明は上記した如き状況に鑑みなされたもので、ｉ線
光や、遠紫外光、例えばＫｒＦエキシマレーザ光等によ
る露光後に高い透過性を有し、且つ耐熱性を有する樹脂
と、高感度（低露光エネルギー量）で効率良く酸を発生
し、且つ溶液中で安定で、しかも光反応により発生した
酸が高い透過性を有する感光性化合物を含んで成るレジ
スト材料を提供することを目的とする。

［発明の構成コ 上記目的を達成するため１本発明は下記の構成より成る
。

「酸雰囲気下で加熱により化学変化を受けてアルカリ可
溶性となる官能基を有する成分と樹脂に耐熱性を付与す
る成分とから構成される耐熱性樹脂と、露光により酸を
発生する下記−数式［１１で示される感光性化合物と、
この両者を溶解可能な溶剤とを含んで成ることを特徴と
するレジスト材料。

Ｒ♂−ｏ２ｓ−ｃ−ｓｏ２−ｔｔ５　　　　　　　　　
［１コ１ ２ ［式中、Ｒ５，Ｒ５は夫々独立して炭素数１〜１０の直
鎖状２分枝状又は環状のアルキル基、炭素数１〜ＩＯの
ハロアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、フェ
ニル基、置換フェニル基（置換基は、ハロゲン原子、炭
素数１〜１０の直鎖状２分枝状又は環状のアルキル基、
炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアルコキシ基、炭
素数１〜１０のハロアルキル基、ニトロ基、ニトリル基
又はアミド基）、アラルキル基又は置換アラルキル基（
置換基は、ハロゲン原ｆ、炭素数１〜１０の直鎖状７分
枝状又は環状のアルキル基、炭素数１〜１０の直鎖状又
は分枝状のアルコキシ基、炭素数１〜１０のハロアルキ
ル基、ニトロ基、ニトリル基又はアミド基）を表わす。

］」 本発明のレジスト材料は露光エネルギー量を出来るだけ
低減させるため、化学増幅を利用したものである。即ち
、本発明のレジスト材料は露光により酸発生剤から発生
した酸の雰囲気下、加熱により化学変化を受けてアルカ
リ可溶性となる官能基を有する成分と、樹脂に耐熱性を
付与する成分即ち加熱に対し樹脂全体が軟化することを
抑止する機能を有する成分とから構成される耐熱性樹脂
（以ド、「本発明に係る樹脂」と略記する。）と新規な
感光性化合物とを併せ用いる点に特徴を有する新規なレ
ジスト材料である。本発明に係る酸雰囲気ド、加熱によ
りアルカリ可溶性となる官能基を有する成分（以下、「
特定の官能基を有する成分」と略記する。）としては例
えば酸で脱離する保護基を有するＰ−ヒドロキシスチレ
ン誘導体やＰ−ヒドロキシ−α−メチルスチレン誘導体
等のモノマーが挙げら九る。具体例としては例えばＰ−
メトキシスチレン、Ｐ−イソプロポキシスチレン、ｐ−
ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン、Ｐ−メトキシメトキシス
チレン、Ｐ−イソプロポキシメトキシスチレン、Ｐ−テ
トラヒドロピラニルオキシスチレン、Ｐ−テトラヒドロ
フラニルオキシスチレン、ｐ−トリメチルシリルオキシ
スチレン、ｐ−ｊｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシス
チレン、Ｐ−イソプロポキシカルボニルオキシスチレン
、或はこれ等Ｐ−ヒドロキシスチレン誘導体と同様の保
護基を有するＰ−ヒドロキシ−αメチルスチレン誘導体
等が挙げら九るが、勿論これらに限定されるものではな
い。また、樹月旨に耐熱性を付与する成分としてはこの
成分の使用により樹脂全体が１００℃以上の加熱、より
好ましくは１４０℃以上の加熱でも軟化することを抑止
出来るものであればいずれにても良いが、例えばＰ−ヒ
ドロキシスチレン、Ｐ−クロルスチレン、スチレン、α
メチルスチレン、フマロニトリノベマレイン酸モノイソ
プロピル、マレイン酸モノｔｅｒｔ−ブチル、マレイン
酸ジｔｅｒｔ−ブチル、マレイン酸モノシクロヘキシル
、無水マレイン酸、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−置換
フェニルマレイミド、Ｎ−メチルマレイミド、Ｎ−ｎ−
ブチルマレイミド等のモノマーがより一般的なものとし
て挙げられる。

本発明に係る樹脂は例えば下記−数式［ＩＩ］又は［Ｉ
ＩＩ　］であられすことが出来る。

ＯＲ’ ［式中、Ｒ１はメチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−
ブチル基、メトキシメチル基、イソプロポキシメチル基
、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、
トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基
又はイソプロポキシカルボニル基を表わし、Ｒ２は水素
原子、ハロゲン原子又はメチル望λを表わし、Ｒ３は水
素原子、Ｐ−ヒドロキシフェニルＪ基、Ｐ−クロルフェ
ニル基、フェニル基、シアノ基又は−ＣＯＯＲ７（但し
、Ｒ７は炭素数３〜１０の分岐状又は環状のアルキル基
、又は水素原子を表わす。

）を表わし、Ｒ４及びＲ６は夫々独立して水素原子、メ
チル基又はハロゲン原子を表わし、Ｒ５は水素原子、シ
アノ基又は−ｃ００Ｒ８（但し、Ｒ８は炭素数３〜１０
の分岐状又は環状のアルキル基、又は水素原子を表わす
。）を表わし、Ｒ９は水素原子又は−ＣＯＯＲＩＯ（但
し、Ｒ１０は炭素数３〜１０の分岐状又は環状のアルキ
ル基、又は水素原子を表わす。）を表わし、ｋ及びｌは
夫々独立して自然数を表わす。１１式中、Ｘは酸素原子
又はｔ’（ＣＩ４ｚ）９−Ｒ１１（但し、Ｒ１１は炭素
数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は
置換基を有していても良いフェニル基を表わし、ｑは０
又は自然数を表わす。）を表わし、１′及びＰは夫々独
立して０又は自然数を表わし、Ｒ１，Ｒ２，Ｂ３．　Ｂ
Ａ、　Ｂ５．　Ｂｅ、、　Ｒ’ｌ及びｋは前記と同じ。

］ これら−数式［ＩＩ］又は［ｍ］で表わされる化合物は
、本発明に係る樹脂の代表的なものであるが２本発明に
係る樹脂は勿論これらの化合物に限定さ九るものではな
い。

本発明に係る樹脂の具体例としては例えば、ｐ”イソプ
ロポキシスチレンとα−メチルスチレン共重合体、ｐ−
テトラヒドロピラニルオキシスチレンとＰ−ヒドロキシ
スチレン共重合体、ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンと
Ｐ〜ヒドロキシスチレン共重合体、ｐ−ｔｃｒｔ−ブト
キシカルボニルオキシスチレンとマレイン酸モノシクロ
ヘキシルエステル共重合体、ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシカ
ルボニルオキシスチレンとαメチルスチレン共重合体、
ｐ−ｔｅｒｍ−ブトキシスチレンとフマロニトリル共重
合体、Ｐ−メトキシメトキシスチレンとＰ−クロルスチ
レン共重合体、Ｐ−メトキシメトキシスチレンとマレイ
ン酸モノシクロヘキシルエステル及び無水マレイン酸と
の共重合体、ρ−テトラヒドロフラニルオキシスチレン
とＮ−メチルマレイミド共重合体、ｐ−仁ｅｒｅ−ブト
キシカルボニルオキシスチレンとＰ−ヒドロキシスチレ
ン及び無水マレイン酸との共重合体、Ｐ−テトラヒドロ
ピラニルオキシスチレンとＰ−ヒドロキシスチレン及び
フマロニトリルとの共重合体、　ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキ
シカルボニルオキシスチレンとｐ−ヒドロキシスチレン
及びＮ−ブチルマレイミドとの共重合体、Ｐ−テトラヒ
ドロピラニルオキシスチレンとｐ−ヒドロキシスチレン
及びＮ−フェニルマレイミドとの共重合体等が挙げられ
るが、これ等に限定されるものではない。

本発明に係る樹脂は、上記特定の官能基を有する成分（
モノマー）１種又は２種以上と樹脂に耐熱性を付与する
成分（モノマー）１種又は２種以上とを共重合体製造法
の常法に従って共重合させることにより容易に得ること
ができる。即ち、上記特定の官能基を有する成分（モノ
マー）１種又は２種以上と樹脂に耐熱性を付与する成分
（モノマー）１種又は２種以上とを例えばベンゼン、ト
ルエン等の有機溶媒中、ラジカル重合開始剤［例えばア
ゾビスイソブチロニトリル　２，２′−アゾビス（２，
４−ジメチルワレロニトリル）、２，２′−アゾビス（
２−メチルプロピオン酸メチル）等のアゾ系重合開始剤
や過酸化ベンゾイル、過酸化ラウロイル等の過酸化物系
重合開始剤等］の存在下、窒素気流中５ｏ−１００℃で
１〜１０時間重合反応させればよく、反応後は高分子化
合物取得法の常法に従って後処理を行ないこれを単離す
ればよい。

本発明に係る樹脂は、また、市販のポリＣＰ−ビニルフ
ェノール）のような重合体に前記特定の官能基を化学反
応により適宜導入する方法によっても容易に得ることが
できることは言うまでもない。

本発明に係る樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は通常１　
、０００〜４０，０００程度、好ましくは３　、０００
〜２０，０００程度である。

本発明で用いられる一般式［１］で示される感光性化合
物に於て、Ｒ５，Ｒ５で示される直鎖状９分枝状又は環
状のアルキル基のアルキル基及びハロアルキル基のアル
キル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、アミル基。

ヘキシル基、オタチル基、デシル基等炭素数１〜１０の
アルキル基が挙げられ、ハロアルキル基のハロゲンとし
ては、塩素、臭素、弗素、沃素が挙げられ、アルケニル
基としては、例えばビニル基。

１−プロペニル基、２−プロペニル基（アリル基）。

２−ブテニル基、イソプロペニル基、■、３−ブタジェ
ニル基、２−ペンテニル基、１−へキセニル基等炭素数
２〜１０のアルケニル基が挙げられ、アラルキル基とし
ては、例えばベンジル基、フェネチル基。

フェニルプロピル基、フェニルブチル基等炭素数７〜１
０のアラルキル基が挙げられる。また、置換フェニル基
及び置換アラルキル基の置換基である直鎖状７分枝状又
は環状のアルキル基のアルキル基、直鎖状又は分枝状の
アルコキシ基のアルキル基及びハロアルキル基のアルキ
ル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基
、ブチル基。

アミル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基等炭素数
１〜１０のアルキル基が挙げられ、ハロゲン原子及びハ
ロアルキル基のハロゲンとしては塩素。

臭素、弗素、沃素が挙げられる。

本発明者らは露光により酸を発生する感光性化合物につ
いて鋭意研究の途上、露光によりブリーチする感光性化
合物、即ち上記−数式［１］で示される感光性化合物を
用いた場合には、その内部セル効果により、従来の感光
性化合物を用いた場合よりも露光後の透過性が著しく改
善され、解像度が大幅に向上することを見比し、本発明
を完成するに至った。

本発明で用いられる溶剤としては、樹脂と感光性化合物
の両者を溶解可能なものであれば何れにても良いが、通
常は３６５ｎｍ及び２４８．４ｒ＋ｎ＋付近に吸収を有
しないものがより好ましく用いられる。より具体的には
エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテ
ート−ジエチレングリコールジメチルエーテル、乳酸エ
チル、乳酸メチル、ジオキサン又はエチレングリコール
モノイソプロピルエーテル等が挙げられるが勿論こ九等
に限定されるものではない。

本発明に係る樹脂は３００ｎｍ以上の波長領域で光の吸
収がなく　、３６５ｎｍのｉ線光には極めて高い光透過
性を有している。また、酸発生剤についてもｉ線光でも
酸が発生する事が確認されており、化学増幅作用が利用
出来る。従って、本発明のレジスト材料は化学増幅方法
を利用して低露光量のＫｒＦエキシマレーザ光（２４８
，４ｎｍ）やｉ線光（３６５ｎｍ）を用いてパターン形
成可能なレジスト材料である。

［作用］ 本発明の作用について説明すると、先ず、ＫｒＦエキシ
マレーザ光、１線光等で露光された部位は例えば下記（
Ａ）で示される光反応に従って酸が発生する。

Ｒ占−０２Ｓ−ＣＨ５Ｏ３Ｈ Ｒｇ　　　　　　　　　　　　　　　　　　（Ａ）露光
工程に続いて加熱処理すると下記（Ｂ）の反応式に従っ
て樹脂の官能基か酸により化学変化を受け、アルカリ可
溶性となり、現像の際、現像液に溶出してくる。

他方、未露光部は酸が発生しない為、加熱処理しても化
学変化は起らず、アルカリ可溶性基の発現はない。また
、樹脂自身の耐熱性が高い為、加熱処理時、樹脂の軟化
は認められない。このように本発明のレジスト材料を用
いてパターン形成を行った場合には露光部と未露光部と
の間でアルカリ現像液に対して大きな溶解度差を生じ、
しかも、未露光部の樹脂が加熱処理時、軟化しないので
その結果、良好なコントラストを有したポジ型のパター
ンが形成される。また、前記反応式（Ｂ）で示されるよ
うに露光で発生した酸は触媒的に作用する為、露光は必
要な酸を発生させるだけでよく、露光エネルギー量の低
減が可能となる。

［実施例］ 以下に実施例、参考例を挙げて本発明を更に詳細に説明
するが、本発明はこ九等により何ら制約を受けるもので
はない。

参考例　１゜ ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン８８ｇ及びフマロニト
リル３９ｇを２，２′−アゾビス（２−メチルプロピオ
ン酸メチル）の存在下、トルエン溶媒中、窒素気流ド、
９０℃で２時間重合反応させた。反応後、反応液をメタ
ノール中に注入して晶析させ、析出品を液収、乾燥して
ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン−フマロニトリル共重
合体（ｈ約１０，０００） １２０ｇを得た。

実施例　１゜ 下記の組成から成るレジス ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン フマロニトリル共重合体 （参考例］−で得られた化合物） ト材料を調製した。

Ｎ２ ジエチレングリコールジメチルエーテル１５．０ｇ第１
図を用いて上記レジスト材料を使用したパターン形成方
法を説明する。半導体等の基板１上に上記レジスト材料
２を回転塗布し、９０℃、９０秒間ホットプレートでソ
フトベーク後、１．０μｍの膜厚のレジスト材料膜を得
た（第１図（ａ））。次に２４８．４ｎｍのＫｒＦエキ
シマレーザ光３をマスク４を介して選択的に露光した（
第１図（ｂ））。そして１３０℃、９０秒間ホットプレ
ートでベーク後、アルカリ現像液（２，３８％テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド水溶液）で６０秒間現像
することにより、レジスト材料２の露光部のみを溶解除
去し、ポジ型パターン２ａを得た（第１図（Ｃ））。こ
のレジスト材料膜（１μｍ）の露光前後の紫外線分光曲
線を第２図に示す。露光前は約５５％の透過率が、露光
後は約７８％と高い透過性を示している。また。

この時のポジ型パターンのアスペクト比は約８８度の灯
影状の０．２５μロラインアンドスペースパターンであ
った。更にこのレジスト材料膜（１μｍ）のγ特性を第
３図に示す。この材料は最小露光量的１８ｍＪ／（１）
２という高感度であった。

実施例　２゜ 実施例１に於て樹脂を下記に示すスチレン系樹脂に変更
し、それ以外は実施例１と同様にしてレジスト材料を調
製し、実施例１と同様の実験を行った。

ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン Ｐ−ヒドロキシスチレン共重合体（ｆ；約１３，０００
）その結果、実施例１と同様の良好な結果が得られた。

このレジスト材料を用いて得たポジ型パターンは約１５
１１ＩＪ／ｃｍ２の露光エネルギー量でパターン形成が
可能であった。

実施例　３゜ 実施例１に於て感光性化合物を下記に示す化合物に変更
し、それ以外は実施例１と同様にしてレジスト材料を調
製し、実施例１と同様の実験を行った。

その結果、実施例１と同様の良好な結果が得られた。こ
のレジスト材料を用いて得たポジ型パターンは約２３ｒ
ＢＪ／ｃｍ２の露光エネルギー量でパターン形成が可能
であった。

実施例　４゜ 実施例２に於て感光性化合物を下記に示す化合物に変更
し、それ以外は実施例２と同様にしてレジスト材料を調
製し、実施例２と同様の実験を行った。

２ その結果、実施例２と同様の良好な結果が得られた。こ
のレジスト材料を用いて得たポジ型パターンは約３２ｃ
＋Ｊ／ｃｍ２の露光エネルギー量でパターン形成が可能
であった。

実施例　５゜ Ｐ−メ トキシメトキシスチレン− マレイン酸系共重合体（π約１５，０００）（ｋ／１／
ｐ＝２／１／ｌ）　　　　　　　　　　　　　　６．０
ｇＨ３ＣＨ２Ｃ−０２Ｓ−Ｃ−５Ｏ□−ＣＨ２ＣＨ３０
，３ｇ１ ２ ジエチレングリコールジメチルエーテル１５．０ｇ上記
の組成で調製されたレジスト材料を用いて実施例１と同
様の実験を行った。

その結果、実施例１と同様の良好な結果が得られた。こ
のレジスト材料を用いて得たポジ型パターンは約１５ｆ
ｌｌＪ／ａＴ１２の露光エネルギー量でパターン形成が
可能であった。

［発明の効果］ 本発明に係るレジスト材料を４００ｎｍ以下の光源例え
ば３６５ｎｍノｉ線光、３００ｎｍ以下の遠紫外光（Ｄ
ｅｅｐＵＶ）、例えばＫｒＦエキシマレーザ光（２４８
゜４ｎ０）等の露光用レジスト材料として用いた場合に
は、号ブミクロンオーダーの形状の良い機箱なパターン
が容易に得られる。従って本発明は、半導体産業等に於
ける超微細パターンの形成にとって大きな価値を有する
ものである。

尚、本レジスト材料はｊ線光や遠紫外光、ＫｒＦエキシ
マレーザ光で特に効果を発揮するが、電子線やＸ線でも
充分使用が可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は実施例１て得られた結果を示し、第１
図は本発明のレジスト材料を用いたパターン形成方法の
工程断面図、第２図は本発明のレジスト材料の紫外線分
光曲線図（但し、実線は露光前、破線は露光後）、第３
図は本発明のレジスト材料のγ特性図を夫々示す。また
第４図は従来のレジスト材料を用いたパターン形成方法
の工程断面図、第５図は従来のレジスト材料の紫外線分
光曲線図（但し、実線は露光前、破線は露光後）、第６
図は従来のレジスト材料のγ特性図である。 １・・・基板、２・・・本発明のレジスト材料膜、３・
・・ＫｒＦエキシマレーザ光、４・・・マスク、５・・
・従来のレジス ト材料膜、 ２ａ・・・樹月旨パタ ーン。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）酸雰囲気下で加熱により化学変化を受けてアルカ
   リ可溶性となる官能基を有する成分と樹脂に耐熱性を付
   与する成分とから構成される耐熱性樹脂と、露光により
   酸を発生する下記一般式［ I ］で示される感光性化合
   物と、この両者を溶解可能な溶剤とを含んで成ることを
   特徴とするレジスト材料。 ▲数式、化学式、表等があります▼［ I ］ ［式中、Ｒ＿０＾１、Ｒ＿０＾２は夫々独立して炭素数
   １〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素
   数１〜１０のハロアルキル基、炭素数２〜１０のアルケ
   ニル基、フェニル基、置換フェニル基（置換基は、ハロ
   ゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状の
   アルキル基、炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアル
   コキシ基、炭素数１〜１０のハロアルキル基、ニトロ基
   、ニトリル基又はアミド基）、アラルキル基又は置換ア
   ラルキル基（置換基は、ハロゲン原子、炭素数１〜１０
   の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数１〜１
   ０の直鎖状又は分枝状のアルコキシ基、炭素数１〜１０
   のハロアルキル基、ニトロ基、ニトリル基又はアミド基
   ）を表わす。］
2. （２）酸雰囲気下で加熱により化学変化を受けてアルカ
   リ可溶性となる官能基を有する成分と樹脂に耐熱性を付
   与する成分とから構成される耐熱性樹脂が下記一般式［
   II］ ▲数式、化学式、表等があります▼［II］ ［式中、Ｒ＾１はメチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ
   −ブチル基、メトキシメチル基、イソプロポキシメチル
   基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基
   、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル
   基又はイソプロポキシカルボニル基を表わし、Ｒ＾２は
   水素原子、ハロゲン原子又はメチル基を表わし、Ｒ＾３
   は水素原子、ｐ−ヒドロキシフェニル基、ｐ−クロルフ
   ェニル基、フェニル基、シアノ基又は−ＣＯＯＲ＾７（
   但し、Ｒ＾７は炭素数３〜１０の分岐状又は環状のアル
   キル基、又は水素原子を表わす。 ）を表わし、Ｒ＾４及びＲ＾６は夫々独立して水素原子
   、メチル基又はハロゲン原子を表わし、Ｒ＾５は水素原
   子、シアノ基又は−ＣＯＯＲ＾８（但し、Ｒ＾８は炭素
   数３〜１０の分岐状又は環状のアルキル基、又は水素原
   子を表わす。）を表わし、Ｒ＾９は水素原子又は−ＣＯ
   ＯＲ＾１＾０（但し、Ｒ＾１＾０は炭素数３〜１０の分
   岐状又は環状のアルキル基、又は水素原子を表わす。）
   を表わし、ｋ及び１は夫々独立して自然数を表わす。］
   で示される樹脂である請求項（１）に記載のレジスト材
   料。
3. （３）酸雰囲気下で加熱により化学変化を受けてアルカ
   リ可溶性となる官能基を有する成分と樹脂に耐熱性を付
   与する成分とから構成される耐熱性樹脂が下記一般式［
   III］ ▲数式、化学式、表等があります▼［III］ ［式中、Ｘは酸素原子又はＮ−（ＣＨ＿２）＿ｑ−Ｒ＾
   １＾１（但し、Ｒ＾１＾１は炭素数１〜１０の直鎖状、
   分岐状又は環状のアルキル基又は置換基を有していても
   良いフェニル基を表わし、ｑは０又は自然数を表わす。 ）を表わし、１’及びｐは夫々独立して０又は自然数を
   表わし、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５、Ｒ
   ＾６、Ｒ＾９及びｋは前記と同じ。］で示される樹脂で
   ある請求項（１）に記載のレジスト材料。